JP2013222572A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents

Abstract

【課題】本発明のプラズマディスプレイパネルによれば、高精細化、高輝度化しても、従来の製造方法のまま、放電セルの横方向へのクロストークを抑制し、高品質なプラズマディスプレイパネルを実現することができる。
【解決手段】本発明のプラズマディスプレイパネルは、表示電極対を有した前面板と、主隔壁および補助隔壁とを有した背面板とを対向配置し、前記主隔壁の頂部幅Ｗ１と、前記補助隔壁の頂部幅Ｗ２と、前記主隔壁および前記補助隔壁との交差部にて形成される前記背面板面内での内接円直径Ｄと、前記表示電極対のピッチＰと、前記表示電極対のピッチ方向の開口距離Ｌとが、（Ｗ１²＋Ｗ２²）^(1/2)≦Ｄ≦２（Ｗ１²＋Ｗ２²）^(1/2)、Ｄ／Ｐ＜０．１、Ｐ／Ｌ＞２である。
【選択図】図３

Description

本発明は、表示デバイスなどに用いるプラズマディスプレイパネルに関する。

プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと呼ぶ）は、高精細化、大画面化の実現が可能であることから、１００インチクラスのテレビなどが製品化されている。近年、ＰＤＰにおいては、従来のＮＴＳＣ方式に比べて走査線数が２倍以上の高精細テレビへの適用が進められており、エネルギー問題に対応してさらなる消費電力低減への取り組みや、環境問題に配慮した鉛成分を含まないＰＤＰへの要求なども高まっている。

この面放電型ＰＤＰのパネル構造は、前面板と背面板とで構成されている。前面板は、ガラス基板と、ガラス基板の一方の主面上に形成されたストライプ状の透明電極とバス電極とで構成される一対の表示電極と、表示電極を覆ってコンデンサとしての働きをする誘電体層と、誘電体層上に形成された保護層とで構成されている。

一方、背面板は、ガラス基板と、その一方の主面上に形成されたストライプ状のアドレス電極と、アドレス電極を覆う下地誘電体層と、下地誘電体層上に形成された隔壁と、各隔壁間に形成された赤色、緑色及び青色それぞれに発光する蛍光体層とで構成されている。

前面板と背面板とはその電極形成面側を対向させて気密封着され、隔壁によって仕切られた放電空間に放電ガスを封入した構造である。ＰＤＰは、表示電極に映像信号電圧を選択的に印加することにより放電させ、その放電により発生した紫外線が各色蛍光体層を励起し、赤色、緑色、青色の発光をさせてカラー画像表示を実現している。

現在の一般的なＰＤＰでは、高精細化及び高輝度化のため、上記隔壁は、アドレス電極に平行に配置される主隔壁と、表示電極に平行に配置される補助隔壁からなっている。このＰＤＰでは、放電により、主隔壁及び補助隔壁で囲まれた放電セル内では、プラズマ放電によって電子とイオン（荷電粒子）が発生し、これらは放電空間内を拡散し、保護層上に壁電荷を形成する。しかし、高輝度化、高精細化に伴って、隣接する放電セル間の距離が狭くなることや、隔壁幅を細幅化していくために、放電によって発生した荷電粒子は、隔壁を横断して、隣接する放電セルへの拡散がより発生しやすくなり（クロストーク）、ＰＤＰの駆動マージンを減少させることになる。例えば、点灯させるセルと点灯させないセルが隣接していた場合、放電により発生した荷電粒子によるクロストークのため、点灯させたいセルのみならず、非点灯となるべきセルでも放電が発生してしまう。このような現象は、ＰＤＰの高精細化では、特に顕著になる。

この課題に対する方法として、荷電粒子を、放電をさせた放電セルから隣接する放電セルへ拡散させないような電界分布を形成することや、隣接する放電セルへの荷電粒子の拡散を構造により抑制することが挙げられる。

クロストークを構造によって抑える提案が、例えば特許文献１によって提案されている。これは、主隔壁と補助隔壁を設けたＰＤＰにおいて、それらの焼成収縮挙動の違いによる、主隔壁と補助隔壁の交差部の凹部を解消する構造について、主隔壁と補助隔壁の隔壁幅と、隔壁交差部における隔壁内接円の直径との関係を提案したものである。この構造によって隔壁交差部の凹部が改善する。しかしながら、主隔壁や補助隔壁の放電セル中央部において凹部が発生することで、放電の横方向へのクロストークの抑制についての問題がある。

また、上記のように、高精細、高輝度化ＰＤＰのために、隣接する放電セル間の距離が小さくなることや、放電セル開口面積を大きくするために、主隔壁や補助隔壁の隔壁頂部幅を狭くしていくことに対する、放電の横方向へのクロストーク抑制には不十分であった。

一方、特許文献２では、隔壁交差部に対応する前面板の位置に突起を設け、隔壁交差部と、前面板の突起を合わせることでクロストークのないＰＤＰを提供している。また、特許文献３では、表示電極上に形成される誘電体層の凹部に対応する位置に放電抑止層を入れることでクロストーク抑制を実現している。これらにおいても、放電抑止層導入のプロセスを増やさなくてはならない、前面板と背面板のアライメントの精度が必要であるなどの課題があった。

特開２００６−２９４５０１号公報 特開２０１０−６２００１号公報 特開２００８−４１５３８号公報

ＰＤＰの高精細化、高輝度化のため、放電セル間のピッチが小さくなることや、隔壁の細幅化によって、横方向隣接放電セルへのクロストークがより発生しやすくなる。本発明は、このような現状に鑑みなされたものであり、高精細化、高輝度化しても放電セル間のクロストークのない、高い表示品質を得ることができるＰＤＰを実現することを目的としている。

上記目的を実現するために、本発明のＰＤＰは、表示電極対を有した前面板と、主隔壁および補助隔壁とを有した背面板とを対向配置し、前記主隔壁の頂部幅Ｗ１と、前記補助隔壁の頂部幅Ｗ２と、前記主隔壁および前記補助隔壁との交差部にて形成される前記背面板面内での内接円直径Ｄと、前記表示電極対のピッチＰと、前記表示電極対のピッチ方向の開口距離Ｌとが、（Ｗ１²＋Ｗ２²）^(1/2)≦Ｄ≦２（Ｗ１²＋Ｗ２²）^(1/2)、Ｄ／Ｐ＜０．１、Ｐ／Ｌ＞２である。

本発明のＰＤＰによれば、高精細化、高輝度化しても、従来の製造方法のまま、放電セルの横方向へのクロストークを抑制し、高品質なＰＤＰを実現することができる。

本発明の実施の形態におけるＰＤＰの構造を示す斜視図 同ＰＤＰの放電セルを示す断面図 同ＰＤＰの放電セルを示す上面図

本発明のＰＤＰは、背面板上に形成される主隔壁及び補助隔壁の交差部に対する主隔壁の放電セル中央部での凹みを抑制し、さらに前面板を構成する誘電体層の凹凸を抑えるための表示電極パターンを提案するものであり、実施の形態におけるＰＤＰについて図面を用いて説明する。

まず、本発明の実施の形態におけるＰＤＰの単位画素構造について図１を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態におけるＰＤＰの画素構造を示した斜視図である。

前面ガラス基板３などよりなる前面板２と、背面ガラス基板１１などよりなる背面板１０とから構成され、前面板２と背面板１０とは放電空間を形成するように対向して配置され、その外周部をガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着されている。封着されたＰＤＰ１内部の放電空間には、キセノン（Ｘｅ）とネオン（Ｎｅ）などの放電ガスが封入されている。

前面板２は、前面ガラス基板３上に、走査電極４と維持電極５とで対をなすストライプ状の複数の表示電極６及び、遮光層７が形成されている。表示電極６は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）や酸化スズ（ＳｎＯ₂）などからなる透明電極４ａ、５ａと金属バス電極４ｂ、５ｂとからなり、金属バス電極４ｂ、５ｂは、透明電極４ａ、５ａの長手方向に導電性を付与する目的として用いられ、銀（Ａｇ）材料を主成分とする導電性材料によって形成されている。表示電極６は、前面ガラス基板３端部に設けられた端子電極（図には記載なし）に接続されている。また、表示電極６を覆うように誘電体層８が形成され、さらに、誘電体層８を覆って酸化マグネシウム（ＭｇＯ）や酸化カルシウム（ＣａＯ）の保護層９が形成されている。さらに、その保護層９上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子が複数個凝集した凝集粒子を付着形成している（図では省略。）。

一方背面板１０は、背面ガラス基板１１上に前面板２の表示電極６と直交する方向に、複数の帯状のアドレス電極１２が互いに平行に配置されている。そして、アドレス電極１２を覆うように下地誘電体層１５が設けられている。さらに、アドレス電極１２に平行な方向の主隔壁１６ａと、アドレス電極１２に直交する方向の補助隔壁１６ｂとにより、井桁状に形成された隔壁１６が設けられ、この隔壁１６の側面と下地誘電体層１５の表面には蛍光体層１７が形成される。蛍光体層１７は隔壁１６で囲われた放電空間１８に、アドレス電極１２毎にそれぞれ、赤色に発光する赤色蛍光体層１７ｒ、緑色に発光する緑色蛍光体層１７ｇ、青色に発光する青色発光層１７ｂが順に形成されている。

そして、前面ガラス基板３上の表示電極６に、背面ガラス基板１１上のアドレス電極１２に、映像信号電圧を選択的に印加することによって放電ガスを放電させ、それによって発生した紫外線により蛍光体層１７を励起し、赤色、緑色、青色の各色を発生させることによりカラー画像を表示している。

図２に示された主隔壁１６ａと補助隔壁１６ｂとは、その隔壁１６の高さが異なって示しているが、主隔壁１６ａと補助隔壁１６ｂの高さは、主隔壁１６ａの高さ≧補助隔壁１６ｂの高さの関係において形成される。

次に、ＰＤＰの製造方法について説明する。まず、フロート法などにより製造された前面ガラス基板３上に、走査電極４及び維持電極５よりなる表示電極６と遮光層７を形成する。走査電極４及び維持電極５を構成する透明電極４ａ、５ａと金属バス電極４ｂ、５ｂは、フォトリソグラフィ法などを用いてパターニングして形成される。透明電極４ａ、５ａは、薄膜プロセスを用いて形成され、金属バス電極４ｂ、５ｂは銀（Ａｇ）材料を含むペーストを、オフセット印刷法により低透過率黒層上に塗布され、パターニング後に所定の温度で焼成して固化している。また、遮光層７も同様に、黒色顔料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や黒色顔料をガラス基板全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングし、焼成することにより形成される。

次に、走査電極４、維持電極５を覆うように前面ガラス基板３上に誘電体ペーストをダイコート法などにより塗布して誘電体ペースト層を形成する。誘電体ペーストを塗布した後、所定の時間放置することによって、塗布された誘電体ペースト表面がレベリングされて平坦な表面になる。その後、誘電体ペースト層を焼成固化することにより、走査電極４及び維持電極５、及び遮光層７を覆う誘電体層８が形成される。なお、誘電体ペーストはガラス粉末などの誘電体材料、バインダ及び溶剤を含む塗料である。

さらに、誘電体層８の上に保護層９が形成される。保護層９は酸化マグネシウム（ＭｇＯ）や酸化カルシウム（ＣａＯ）からなる金属酸化物を真空蒸着法により形成する。さらに、気相合成法または前駆体焼成法により製造された酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子を、溶剤に分散させ、その分散液をスプレー法やスクリーン印刷法、静電塗布法などによって保護層９の表面に分散散布する。その後、乾燥、焼成工程を経て溶剤除去を図り、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶粒子を保護層９の表面に定着させる。以上の工程により、前面ガラス基板３上に所定の構成物が形成されて前面板２が完成する。

一方、背面板１０は次のようにして形成される、まず、背面ガラス基板１１上に、銀（Ａｇ）材料を含むペーストを、スクリーン印刷する方法や、金属膜を全面に形成した後フォトリソグラフィ法を用いてパターニングする方法などにより、アドレス電極１２用の構成物となる材料層を形成する。それを所望の温度で焼成することによりアドレス電極１２を形成する。

次に、アドレス電極１２が形成された背面ガラス基板１１上に、ダイコート法などを用いて、アドレス電極１２を覆うように下地誘電体ペーストを塗布して、誘電体ペースト層を形成する。その後、誘電体ペーストを焼成することにより下地誘電体層１５を形成する。なお、誘電体ペーストはガラス粉末などの誘電体材料とバインダ及び溶剤を含んだ塗料である。

次に、下地誘電体層１５上に隔壁材料を含む隔壁形成用ペーストを塗布し、所望の形状にパターニングして隔壁材料層を形成する。その後、所定の温度で焼成することにより隔壁１６を形成する。ここで、下地誘電体層１５上に塗布した隔壁用ペーストをパターニングする方法として、フォトリソグラフィ法やサンドブラスト法を用いることができる。次に、隣接する隔壁１６間の下地誘電体層１５上及び隔壁１６の側面に蛍光体材料を含む蛍光体ペーストを塗布して焼成することにより蛍光体層１７が形成される。以上の工程により、背面ガラス基板１１上に所定の構成部材を有する背面板１０が完成する。

所定の構成部材を備えた前面板２と背面板１０とを走査電極４とアドレス電極１２とが直交するように対向配置し、その周囲をガラスフリットで封着して放電空間１８にキセノン（Ｘｅ）とネオン（Ｎｅ）などを含む放電ガスを封入してＰＤＰ１が完成する。

ここから、本発明の実施形態における表示電極６の設計パターンについて図２を用いて説明する。図２は、図１のＶ−Ｗ面の断面図である。

表示電極６を構成する走査電極４と維持電極５は、その抵抗値を下げるため、上記のように銀を含む金属ペーストから形成される１μｍ以上の厚膜である。この表示電極６上に塗布され形成される誘電体層８は、誘電体ペースト塗布後に所定の時間放置して表面レベリングされた後、焼成固化することで形成される。

ここで、前面ガラス基板３から誘電体層８の放電空間に接する表面までの厚さを、走査電極４、維持電極５領域でＨＦ１、走査電極４と維持電極５の中央部（最薄部）でＨＦ２とすれば、表面レベリングによっても、金属バス電極４ｂ、５ｂの影響を受けて、ＨＦ１＞ＨＦ２となる。すなわち、誘電体層８をＹ方向に走査すると、表示電極６の有無によって、前面ガラス基板３からの誘電体層８の厚みは周期的に変化する。

これは、仮に、走査電極４単独で存在した場合、金属バス電極４ｂ直上を最厚として山型に誘電体ペーストが形成され、維持電極５単独で存在した場合でも同様である。走査電極４と維持電極５が近付いてくると、それぞれの電極単独で発生した誘電体ペーストの盛り上がりが重ね合わされ、走査電極４と維持電極５の中央部ではＨＦ２の膜厚になる。

前面板２と背面板１０による放電空間１８形成の際、前面板２は、金属バス電極４ｂ、５ｂ直上で、背面板１０と接触する。したがって、誘電体層８に形成された、前面ガラス基板３からの膜厚ＨＦ１、ＨＦ２の差によって、隣接する放電セル間には、ＨＦ１−ＨＦ２の隙間ができることになり、横方向のクロストーク発生の原因となる。

特に、放電が発生する側の走査電極４、維持電極５が対向する領域（放電ギャップ部Ａ）で発生した場合には、隣接放電セルへのクロストークの要因となってしまう。反対に、放電ギャップとは反対側の非放電ギャップＢでの誘電体層８の凹凸は放電に大きな影響はない。

そこで、金属バス電極４ｂ、５ｂの前面ガラス基板３上面からみた電極幅を同じとして、金属バス電極４ｂ、５ｂ間のスペースＬを１００μｍから２００μｍまで変えて、誘電体層８のＹ軸方向での凹凸の変化を調べる実験を行った。

試料は、誘電体ペースト材料を上記方法にて塗布し、所定の時間放置して表面レベリングした後、所定の温度で焼成固化して作製し、誘電体層８表面を走査することで表面うねりの測定を行った。

その結果、放電セルのピッチＰと、金属バス電極４ｂ、５ｂの端部間のスペースＬとの関係には、Ｐ／Ｌ≒２．５として形成した誘電体層８に対して、Ｐ／Ｌ≒２として形成した誘電体層８では、（ＨＦ１−ＨＦ２）を０．１〜０．２μｍ低くできることを確認した。これは、金属バス電極４ｂ、５ｂの電極幅によっても変わる。本発明の実施形態ではＰ／Ｌ＞２とした。

さらに、Ｌを小さくしていった場合、金属バス電極４ｂ、５ｂで発生した誘電体層８の凸部が重なり合ってくるため、放電ギャップＡと、金属バス電極４ｂ、５ｂ直上の誘電体層８の膜厚の差ＨＦ１−ＨＦ２が小さくなり、さらに誘電体層８の凹凸を抑制することができる。本発明の実施形態では、例として放電セルのピッチＰが、４００μｍ以下の場合を記載しており、Ｌを小さくしすぎると輝度低下などの弊害を伴うため、Ｐ／Ｌ＜３であることがより望ましい。

さらに、金属バス電極４ｂ、５ｂ間のスペースを変えずにＨＦ１−ＨＦ２を下げる方法としては、誘電体層８を二層構造とし、一層目で表面レベリングしたのち二層目を形成する方法がある。

次に、隔壁パターンについての詳細な説明を、図３を用いて説明する。図３は、図１のＶ−Ｗ面の前面板２の上方からみた上面図を示している。

主隔壁１６ａと補助隔壁１６ｂは、焼成固化することで、それぞれ頂部幅Ｗ１、Ｗ２の隔壁１６を形成する。隔壁１６を形成する材料を含む感光性ペーストを背面ガラス基板１１上に、ダイコート法などの方法を用いて感光性ペースト層を形成する。その後、所望のパターンを形成するため、露光及び現像、焼成固化させることで隔壁１６を形成する。ここで、主隔壁１６ａと補助隔壁１６ｂをパターニング露光するのに用いるフォトマスクは、主隔壁１６ａと補助隔壁１６ｂのパターン（格子状）の開口が形成されており、主隔壁１６ａと補助隔壁１６ｂの交差部に菱形形状パターンを設けたフォトマスクを介して露光を行う。また、頂部幅Ｗと交差部内接円直径ＤがＷ＝Ｄとする方法としては、隔壁パターニングのための露光工程における、干渉光による隔壁１６交差部の広がりを防ぐために、露光工程で使用するフォトマスクで、隔壁１６交差部に絞りを入れる方法もある。

フォトマスクと感光性ペースト表面のギャップは数百μｍ程度確保する。そのため、主隔壁１６ａと補助隔壁１６ｂの露光の際、主隔壁１６ａと補助隔壁１６ｂの交差部は、フォトマスク開口部での照射光の回り込みによって、隔壁交差部の周辺も露光される。これによって、主隔壁１６ａ及び補助隔壁１６ｂの放電セル中央部に比べ、主隔壁１６ａと補助隔壁１６ｂの交差部の頂部幅が広く露光されることになる。露光によるこのような状態は、焼成固化の際、隔壁交差部への収縮と主隔壁１６ａ及び補助隔壁１６ｂの収縮がバランスを取ることで、主隔壁のセル中心部の高さと、隔壁交差部の高さの差を小さくすることができる。

ここで、放電セルのピッチＰを４００μｍ以下とし、Ｗ１及びＷ２を焼成固化後４０μｍ以下（Ｗ１＝Ｗ２＜４０μｍ。以下Ｗ＝Ｗ１＝Ｗ２とする。）となるようにして、下地誘電体層１５からの主隔壁１６ａと補助隔壁１６ｂの交差部の高さＨＢ１と、主隔壁１６ａの放電セル中央部における高さＨＢ２を調べた。

その結果、隔壁１６の頂部幅Ｗが、隔壁１６交差部内接円の直径Ｄよりも小さいときに、（ＨＢ１−ＨＢ２）の値を小さくできることを確認した。

さらに、Ｗを大きくすることで、（ＨＢ１−ＨＢ２）の差が小さくなることも確認した。これは、上記のように、隔壁１６と、隔壁１６交差部での焼成収縮割合が異なるため、それぞれで引張応力が発生し、それらのバランスによって（ＨＢ１−ＨＢ２）が変わる。したがって、そのバランスを考慮すれば、（Ｗ１²＋Ｗ２²）^(1/2)≦Ｄであって、（Ｗ１²＋Ｗ２²）^(1/2)／Ｄ＜２であることが望ましく、（Ｗ１²＋Ｗ２²）^(1/2)／Ｄ＜１．５であることがより望ましい。

一方、隔壁交差部内接円直径ＤとセルピッチＰの関係としては、Ｄ／Ｐ＜０．１としたことで、主隔壁１６ａのセル中央部高さと、隔壁交差部の高さの差を最も小さくすることができた。

以上の、主隔壁１６ａ及び補助隔壁１６ｂの交差部内接円直径Ｄと放電セルピッチＰをＤ／Ｐ＜０．１とし、また、隔壁１６の頂部幅を、（Ｗ１²＋Ｗ２²）^(1/2)／Ｄ＜αとして、αをα＝２から１．２まで変えたときには、（ＨＢ１−ＨＢ２）を４μｍから２μｍまで約１／２と低減することができた。また、（Ｗ１²＋Ｗ２²）^(1/2)を、１．２倍とすることで、さらに（ＨＢ１−ＨＢ２）を小さくすることができた。

以上の構造を有するＰＤＰを作製し、凹凸（ＨＦ１−ＨＦ２）及び（ＨＢ１−ＨＢ２）を小さくした効果を確認した。上記構造を有する前面板２と背面板１０を組み合わせ、Ｘｅ１０％のガスを封入したＰＤＰを作製した。

ＰＤＰの評価は、形成される放電セルの１セルのみ（ターゲット放電セル）を検出するようにフォトダイオードを設置し、放電を維持させる維持放電電圧を変えて、ターゲットとする放電セル（非点灯である）の隣接セルを点灯させたときの、ターゲットとする放電セルでの放電による発光（発光した場合は誤放電である）を観測した。ここで、ターゲットとする放電セルが点灯する維持電圧が高いほど、隣接する放電セルからの干渉が少ないことを表しており、ＰＤＰの駆動を行う上で有利である。

その結果、改善前の構造で、ＰＤＰで非点灯とすべきターゲット放電セルの放電発光が観察された維持電圧をＶｓ１、本発明の実施形態でのＰＤＰで、非点灯とすべきターゲット放電セルの放電発光が観察された維持電圧をＶｓ２としたとき、（Ｖｓ２−Ｖｓ１）を１０Ｖとすることができた。さらに、本発明の実施形態のＰＤＰ構造で、隔壁１６の頂部幅を広げた（Ｗ＝Ｄ）結果、頂部幅を広げる前と比較して、（ＨＢ１−ＨＢ２）が約１．５μｍ小さくなり、非点灯放電セルが点灯する維持電圧をＶｓ３としたとき、Ｖｓ３−Ｖｓ２が約４０Ｖとなることを確認した。

すなわち、本発明の実施形態におけるＰＤＰでは、セルの横方向へのクロストークを抑制することができ、パネルとしての表示品質の改善効果を確認した。

以上のように本発明は、高精細化、高輝度化しても、従来の製造方法のまま、放電セルの横方向へのクロストークを抑制し、高信頼性を有するＰＤＰを実現する上で有用な発明である。

１ ＰＤＰ
２ 前面板
３ 前面ガラス基板
４ 走査電極
５ 維持電極
６ 表示電極
７ 遮光層
８ 誘電体層
９ 保護層
１０ 背面板
１１ 背面ガラス基板
１２ アドレス電極
１３ 端子電極
１４ 接続電極
１５ 下地誘電体層
１６ 隔壁
１６ａ 主隔壁
１６ｂ 補助隔壁
１８ 放電空間

Claims (1)

1. 表示電極対を有した前面板と、主隔壁および補助隔壁とを有した背面板とを対向配置し、
   前記主隔壁の頂部幅Ｗ１と、前記補助隔壁の頂部幅Ｗ２と、前記主隔壁および前記補助隔壁との交差部にて形成される前記背面板面内での内接円直径Ｄと、前記表示電極対のピッチＰと、前記表示電極対のピッチ方向の開口距離Ｌとが、
   （Ｗ１²＋Ｗ２²）^(1/2)≦Ｄ≦２（Ｗ１²＋Ｗ２²）^(1/2)、Ｄ／Ｐ＜０．１、Ｐ／Ｌ＞２であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。

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