JP2010254534A - 坩堝、該坩堝を用いた精製装置および精製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の坩堝の第1の態様は、底面部と側面部とからなり上部に収納口を開口した凹部を有する坩堝本体と、側面部に開口した出湯口と、収納口上に配置可能な保温蓋を備えた坩堝であって、保温蓋は第1開口部を備え、保温蓋を収納口上に配置した状態の鉛直投影面において、収納口の外周から第1開口部までの距離が、出湯口の凹部側開口から第1開口部までの距離よりも大きい部分を有することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明における坩堝とは、金属などの溶融対象を加熱して溶融する際に用いられる容器であり、底面部と側面部とからなる坩堝本体が含まれる。
<坩堝本体>
図2(a)および図2(b)は、本実施形態における坩堝本体の断面を示す概略図であって、坩堝本体110が底面部111と側面部112とからなることを示している。ここで、坩堝本体110の上部には溶融対象を収納するための収納口120が含まれ、すなわち、坩堝本体110は上部に収納口120を開口した凹部を有することになる。
本実施形態における出湯口は、坩堝本体の側面部に形成された開口であり、坩堝本体の凹部に収納された溶融物を出湯するために用いられる。
本実施形態の坩堝は、溶融中の坩堝内の保温のために、坩堝本体110の収納口120上に配置可能な保温蓋3を備える。本実施形態における「設置可能」とは、保温蓋3が収納口120上への設置および取り外しが可能であることを意味しており、本発明の坩堝を含む精製装置内に別途保温蓋3の移動機構を設けることにより、装置作動中(溶融対象の加熱中)に保温蓋3を収納口120上に設置したり、収納口120上から取り外したりすることが可能である場合および、装置作動前と装置作動終了後(溶融対象が加熱されていない状態)においてのみ保温蓋3の設置および/または取り外しを行なって、装置作動中には保温蓋3の移動を行なわない(行なう機能を備えない)場合の両方を含む。
本実施形態における保温蓋3には、出湯口2近傍での固着物の発生や成長を抑制するための蒸気排出経路となる第1開口部を有する。特に、本実施形態1の坩堝を真空精製に用いる場合には、第1開口部は溶融物から不純物含有蒸気を坩堝外に排出することにより溶融物を精製するための不純物含有蒸気の排出経路として作用する。
次に、上記実施形態1〜4に示した保温蓋を備えた坩堝を用いて構成した精製装置について説明する(実施形態5とする)。
次に実施形態6として、上記実施形態5の精製装置を用いて、金属や半導体材料などの溶融物から不純物を除去する真空精製法について説明する。なお、不純物を除去するとは、原料金属中に含まれる不純物濃度を低減することをいい、必ずしも、原料金属中の全不純物が除去されることを要するものではない。
真空容器ならびに炉体に水冷機構を備えた点以外、基本的に図9に準じた精製装置を用いてシリコンの溶融実験を行なった。
坩堝蓋の開口を円盤中央部に開口した直径636mmの円形の開口部(開口面積約50%)だけとした以外、実施例1と同じ条件でシリコンの精製実験を行なった。
Claims (8)
- 底面部と側面部とからなり上部に収納口を開口した凹部を有する坩堝本体と、前記側面部に開口した出湯口と、前記収納口上に配置可能な保温蓋を備えた坩堝であって、
前記保温蓋は第1開口部を備え、
前記保温蓋を前記収納口上に配置した状態の鉛直投影面において、前記収納口の外周から前記第1開口部までの距離が、前記出湯口の前記凹部側開口から前記第1開口部までの距離よりも大きい部分を有することを特徴とする坩堝。 - 底面部と側面部とからなり上部に収納口を開口した凹部を有する坩堝本体と、前記側面部に開口した出湯口と、前記収納口上に配置可能な保温蓋を備えた坩堝であって、
前記保温蓋は第1開口部と第2開口部とを備え、
前記出湯口から前記第1開口部までの距離が、前記出湯口から前記第2開口部までの距離よりも小さいことを特徴とする坩堝。 - 前記第1開口部は、第2開口部の開口面積以下の開口面積を有する、請求項2記載の坩堝。
- 前記第1開口部の幅をW1とし、前記出湯口の坩堝本体側面の開口部水平断面における幅をW2とすると、W1>W2である、請求項2または3に記載の坩堝。
- 前記第1開口部は、その出湯口側の外縁形状が前記収納口形状の一部と相似形にある、請求項1から4のいずれかに記載の坩堝。
- 前記第1開口部は、前記第2開口部よりも小さな開口面積を有し、かつ単数または複数の開口部である、請求項2から5のいずれかに記載の坩堝。
- 内部を減圧可能な減圧容器と、前記減圧容器内に配置された坩堝と加熱機構とを備えた精製装置であって、
前記坩堝が請求項1から6のいずれかに記載の坩堝であることを特徴とする精製装置。 - 請求項7に記載の精製装置を用いた精製工程を含むことを特徴とする精製方法。
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2009
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