JP2010251682A - 多数個取り配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板領域の境界において母基板を分割する際の作業性が良好であり、個片の配線基板の生産性に優れた多数個取り配線基板を提供する。
【解決手段】セラミック焼結体からなる母基板１に複数の配線基板領域２が縦横の並びに配列形成されてなり、配線基板領域２の境界２ｂでダイシング加工により切断される多数個取り配線基板９であって、母基板１の配線基板領域２の境界２ｂに、母基板１のダイシング加工で切断される帯状の部分Ｃの幅よりも幅が小さい、母基板１を厚み方向に貫通する複数の貫通孔５が、帯状の部分Ｃの幅方向（Ｗ）に見て順次一部が重なり合うように形成されている多数個取り配線基板９である。ダイシング加工で実際に切断される母基板１の幅が小さくなるので、欠け等の発生を抑えながら切断速度を速くすることができ、個片の配線基板の生産性に優れた多数個取り配線基板９とすることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品を搭載するための配線基板となる配線基板領域が複数個、母基板に縦横の並びに配列されてなり、配線基板領域の境界においてダイシング加工により切断される多数個取り配線基板に関するものである。

従来、半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板は、酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック焼結体等のセラミック焼結体からなる四角形板状の絶縁基体の上面に電子部品を搭載するための搭載部を有し、この搭載部またはその周辺から絶縁基体の側面や下面にかけてタングステン等の金属材料から成る複数の配線導体が形成された構造を有している。

このような配線基板は、一般に、１枚の広面積の母基板から複数個の配線基板を同時集約的に得るようにした、いわゆる多数個取り配線基板の形態で製作されている。

多数個取り配線基板は、例えば、平板状の母基板に配線基板となる配線基板領域が縦横の並びに複数個配列形成された構造を有している。

このような多数個取り配線基板は、配線基板領域の境界において母基板にダイシング加工等の切断加工を施すことにより、個片の配線基板に分割される。ダイシング加工は、ダイヤモンドや酸化アルミニウム等の研削材（砥粒）を樹脂等の結合材で結合してなる円盤状のダイシングブレードを高速で回転させて母基板を切断（切削）することにより行なわれる。

特開2002−246336号公報 特開2002−75918号公報 特開2005−311231号公報

しかしながら、上記従来技術の多数個取り配線基板は、ダイシングブレードを用いて母基板を分割する際に、ガラスセラミック焼結体や酸化アルミニウム質焼結体等からなる比較的硬い母基板を切断する必要があるため、切断の速度を速くすることが難しい。また、切断の速度を速くするためにダイシングブレードの回転速度や母基板の送り速度を無理に速くした場合には、母基板に負荷がかかって欠けや亀裂等が発生しやすくなるという問題があった。このような欠けや亀裂が発生すると、個片の配線基板に、欠けや亀裂に伴う配線導体の断線や寸法不良等の不具合を発生させやすくなる。そのため、母基板を分割する際の作業性を高めることが難しく、個片の配線基板の生産性を高くすることが難しいという問題があった。

特に、近年、搭載される電子部品の高機能化，高集積化に応じて電子部品と電気的に接続される配線導体数が増える傾向があり、多数の配線導体を形成するスペースを確保するために母基板（個片の絶縁基体）の厚さが、例えば約３ｍｍ以上と厚くなる場合もある。また、母基板を形成する材料として、酸化アルミニウム質焼結体に比べて機械的な強度が低く、欠け等が発生しやすいガラスセラミック焼結体が多く用いられるようになってきている。そのため、前述したような欠け等の不具合の防止や分割時の作業性の向上がさらに難しくなってきている。

本発明は、このような従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、配線基板領域の境界でダイシング加工により母基板を分割する際の作業性が良好であり、個片の配線基板の生産性に優れた多数個取り配線基板を提供することにある。

本発明の多数個取り配線基板は、セラミック焼結体からなる母基板に複数の配線基板領域が縦横の並びに配列形成されてなり、前記配線基板領域の境界でダイシング加工により切断される多数個取り配線基板であって、前記母基板の前記配線基板領域の境界に、前記母基板の前記ダイシング加工で切断される帯状の部分の幅よりも幅が小さい、前記母基板を厚み方向に貫通する複数の貫通孔が、前記帯状の部分の幅方向に見て順次一部が重なり合うように形成されていることを特徴とするものである。

また、本発明の多数個取り配線基板は、上記構成において、前記帯状の部分の幅方向における前記貫通孔の幅の合計が、前記帯状の部分の長さ方向に一様であることを特徴とするものである。

また、本発明の多数個取り配線基板は、上記構成において、前記貫通孔の内面に、酸化ケイ素，セラミック材料およびダイヤモンドの少なくとも１種からなる硬質粒子が分散された樹脂材が被着されていることを特徴とするものである。

本発明の多数個取り配線基板によれば、母基板の配線基板領域の境界に、母基板のダイシング加工で切断される帯状の部分の幅よりも幅が小さい、母基板を厚み方向に貫通する複数の貫通孔が、帯状の部分の幅方向に見て順次一部が重なり合うように形成されていることから、ダイシング加工される配線基板領域の境界で、貫通孔の分、母基板の実際に切断（切削）される幅を小さくすることができる。すなわち、複数の貫通孔は、ダイシング加工で切断される帯状の部分の幅方向に見て順次一部が重なり合うように形成されているため、このような切削幅が小さい部分を配線基板領域の境界に沿ってとぎれることなく形成して、切断加工時に母基板やダイシングブレードにかかる負荷を小さくすることができる。

そのため、ダイシング加工を従来よりも容易とすることができ、母基板の切断速度を速くすることができる。したがって、本発明の多数個取り配線基板によれば、配線基板領域の境界でダイシング加工により母基板を分割する際の作業性が良好であり、個片の配線基板の生産性に優れた多数個取り配線基板を提供することができる。

また、本発明の多数個取り配線基板は、上記構成において、帯状の部分の幅方向における貫通孔の幅の合計が、帯状の部分の長さ方向に一様である場合には、帯状の部分の長さ方向に、実際に切削する必要がある母基板の幅を同じ程度に小さくすることができる。そのため、ダイシング加工時の加工性（切削しやすさ）のばらつきをより効果的に抑制することができるので、母基板を分割する際の作業性をより良好とすることができる。

また、本発明の多数個取り配線基板は、上記構成において、貫通孔の内面に、酸化ケイ素，セラミック材料およびダイヤモンドの少なくとも１種からなる硬質粒子が分散された樹脂材が被着されている場合には、この樹脂材をダイシングブレードが切断する際に、ダイシングブレードの表面に露出している砥粒と樹脂材に分散された硬質粒子との接触により、磨耗した砥粒を脱落させることができる。そのため、結合材の内部の砥粒が新たにダイシングブレードの表面に露出することが促進され、ダイシングブレードの母基板を切断する機能（切断力）をより確実に高く維持することができる。したがって、この場合には、ダイシング加工による母基板の分割の作業性をより高くすることが可能な多数個取り配線基板とすることができる。

（ａ）は本発明の多数個取り配線基板の平面図であり、（ｂ）は（ａ）の要部Ａを拡大して示す要部拡大平面図であり、（ｃ）は（ｂ）のＢ−Ｂ線における断面を示す要部拡大断面図である。 （ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の他の例を示す要部拡大平面図である。 （ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の他の例を示す要部拡大平面図である。 （ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の他の例を示す要部拡大平面図である。 （ａ）は本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の他の例を示す要部拡大平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ線における断面を示す要部拡大断面図であり、（ｃ）は（ｂ）の破線で囲んだ部分を拡大して示す要部拡大断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。

本発明の多数個取り配線基板について、添付の図面を参照しつつ説明する。

図１（ａ）は、本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ部分を拡大して示す要部拡大平面図であり、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＢ−Ｂ線における断面を示す要部拡大断面図である。母基板１に複数の配線基板領域２が縦横の並びに配列されて多数個取り配線基板９が基本的に形成されている。

母基板１は、ガラスセラミック焼結体，酸化アルミニウム質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化珪素質焼結体，ムライト質焼結体等のセラミック焼結体からなる絶縁材料により形成されている。

母基板１に配列された複数の配線基板領域２は、それぞれが個片の配線基板（図示せず）となる領域である。母基板１が配線基板領域２の境界２ｂにおいて切断されることにより、複数の配線基板が同時集約的に製作される。

個片の配線基板が電子部品搭載用基板として使用される場合には、配線基板領域２の上面の中央部や下面等に電子部品の搭載部が設けられる。図１に示す例においては、配線基板領域２の上面の中央部に凹部２ａが設けられ、その凹部２ａの底面が電子部品の搭載部（符号なし）とされている。

なお、母基板１は、このような凹部２ａを配線基板領域２に有しているものである必要はなく、平板状のもの（図示せず）として、配線基板領域２の平坦な上面や下面の一部を搭載部としたものでもよい。

搭載部に搭載される電子部品（図示せず）としては、ＩＣやＬＳＩ等の半導体集積回路素子、およびＬＥＤ（発光ダイオード）やＰＤ（フォトダイオード），ＣＣＤ（電荷結合素子）等の光半導体素子を含む半導体素子、弾性表面波素子や水晶振動子等の圧電素子、容量素子、抵抗器、半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン（いわゆるＭＥＭＳ素子）等の種々の電子部品が挙げられる。

電子部品は、搭載部に、例えばエポキシ系樹脂，ポリイミド系樹脂，アクリル系樹脂，シリコーン系樹脂，ポリエーテルアミド系樹脂等の樹脂接着剤や、Ａｕ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｐｂ等のはんだや、ガラス等で接着される。

また、この例においては、母基板１に、搭載部の外周部分から配線基板領域２の下面にかけて配線導体３が形成されている。配線導体３は、搭載部に搭載される電子部品と電気的に接続されて、電子部品を外部の電気回路に電気的に接続する導電路として機能する。

配線導体３は、銅や銀，パラジウム，白金，金，タングステン，モリブデン，マンガン等の金属材料により形成されている。

電子部品と配線導体３との電気的な接続は、例えば、配線導体３のうち搭載部の周辺に露出している部位に電子部品の電極（図示せず）を、ボンディングワイヤやはんだ等の導電性接続材（図示せず）を介して接続することにより行なうことができる。

このような、それぞれが配線導体３を有する複数の配線基板領域２が縦横の並びに配列された母基板１は、例えばガラスセラミック焼結体（ホウケイ酸系ガラス−酸化アルミニウム系等）からなる場合であれば、次のようにして製作することができる。

まず、酸化ケイ素や酸化ホウ素等のガラス成分と酸化アルミニウム等のセラミック成分とを主成分する原料粉末を、有機溶剤，バインダと混練するとともに、ドクターブレード法やリップコータ法等の成形方法でシート状に成形してセラミックグリーンシートを作製する。次に、銅や銀等の金属材料の粉末を有機溶剤，バインダとともに混練して、金属ペーストを作製する。次に、セラミックグリーンシートを母基板１の形状および寸法に切断するとともに、配線基板領域２となる領域のそれぞれに、所定の配線導体３のパターンにスクリーン印刷法等の印刷法で金属ペーストを印刷する。そして、複数のセラミックグリーンシートを積層した後、約900〜1000℃程度の焼成温度で焼成することにより、それぞれが配線導体３を有する複数の配線基板領域２が縦横の並びに配列された母基板１を製作することができる。

なお、母基板１は、未焼成のセラミック材料を、金型等を用いて所定の板状に成型し、これを焼成する方法等の、他の製造方法で製作することもできる。

なお、この実施の形態の例において、母基板１の外周には、配列された複数の配線基板領域２を取り囲むようにダミー領域４が設けられている。ダミー領域４は、多数個取り配線基板９の取り扱いを容易とするために設けられている。また、ダミー領域４は、配線導体３の露出表面にニッケルや金等のめっき層（図示せず）を被着させるための電解めっきを施すときに、めっき用の電流を流す導電路（図示せず）を形成するためのスペースとして機能させることもできる。

多数個取り配線基板９は、配線基板領域２の境界２ｂ（この例では、配線基板領域２同士の境界および配線基板領域２とダミー領域４との境界）においてダイシング加工を施して個々の配線基板領域２毎に切断することにより、個片の配線基板に分割される。

ダイシング加工による母基板１の切断は、ダイヤモンド等の砥粒（図示せず）がガラスや樹脂材料等の結合材（図示せず）で結合されてなるダイシングブレード（図示せず）を高速（約5000〜15000回転／分）で回転させて、配線基板領域２の境界２ｂにおいて母基板１を切断することにより行なわれる。この場合、母基板１は、ダイシングブレードの幅に対応した幅で、帯状の部分Ｃが切削されて除去されることになる。このようなセラミック焼結体からなる母基板１の切断に用いられるダイシングブレードの幅は、例えば約0.15〜0.2ｍｍ程度である。

なお、ダイシングブレードの母基板１に対する位置決めは、例えば母基板１にあらかじめ位置決め用のマーク（図示せず）を形成しておいて、その位置を画像認識装置で認識させることにより行なう。この位置決め用のマークは、例えば配線導体３と同様の材料を用い、同様の方法で母基板１に形成することができる。また、位置決め用のマークは、母基板１を形成するのと同様の材料に顔料等の着色剤を添加して形成したパターンや、母基板１の外縁部分等の一部を切り欠いてなる切り欠き部等からなるものとしてもよい。

この多数個取り配線基板９は、例えば上記の図１（ｂ）および（ｃ）に示すように、母基板１の配線基板領域２の境界２ｂに、母基板１のダイシング加工で切断される帯状の部分Ｃの幅よりも幅が小さい、母基板１を厚み方向に貫通する複数の貫通孔５が、帯状の部分Ｃの幅方向（図１（ｂ）におけるＷの方向）に見て順次一部が重なり合うように形成されている。

多数個取り配線基板９について、上記構成を備えることから、ダイシング加工される配線基板領域２の境界２ｂで、貫通孔５の分、実際に切断（切削）する必要がある母基板１の幅を小さくすることができる。すなわち、複数の貫通孔５は、ダイシング加工で切断される帯状の部分Ｃの幅方向（Ｗ）に見て順次一部が重なり合うように形成されているため、このような切削される幅が小さい部分を配線基板領域２の境界２ｂに沿ってとぎれることなく形成して、切断加工時に母基板１やダイシングブレードにかかる負荷を小さくすることができる。

そのため、ダイシング加工を従来よりも容易とすることができ、ダイシング加工による母基板１の切断速度を速くすることができる。したがって、本発明の多数個取り配線基板９によれば、配線基板領域２の境界２ｂでダイシング加工により母基板１を切断して分割する際の作業性が良好であり、個片の配線基板の生産性に優れた多数個取り配線基板９を提供することができる。

このような貫通孔５は、例えば、母基板１となるセラミックグリーンシートのうち配線基板領域２の境界２ｂに、機械的な打ち抜き加工や、レーザ光による孔あけ加工等の孔あけ加工を施すことにより形成することができる。なお、帯状の部分Ｃに多数の貫通孔５を形成することになるので、穴あけ加工時のセラミックグリーンシートの変形を抑えるために、セラミックグリーンシートの表面に補強用の樹脂フィルムを貼り付けて加工を行なうようにしてもよい。

なお、貫通孔５は、帯状の部分Ｃの幅方向（Ｗ）に見て一部が重なり合うように形成されていないものを含む場合には、帯状の部分Ｃの長さ方向において、貫通孔５が形成されている部分と形成されていない部分とが交互に存在することになる。この場合には、ダイシング加工時の加工性（切削しやすさ）がばらつき、母基板１の切断を容易とする効果が低くなる可能性がある。そのため、貫通孔５は、帯状の部分Ｃの幅方向（Ｗ）に見て順次一部が重なり合うように形成されている。

また、貫通孔５の幅が帯状の部分Ｃの幅以上の場合には、貫通孔５が帯状の部分Ｃから配線基板領域２側にはみ出て貫通孔５の跡が個片の配線基板の側面に残ったり、母基板１となるセラミックグリーンシートが配線基板領域２の境界２ｂにおいて貫通孔５により分断されてしまったりする可能性が高い。そのため、貫通孔５の幅を帯状の部分Ｃの幅よりも小さくする必要がある。

貫通孔５は、例えば母基板１の上面から下面にかけて真っ直ぐに、同じ横断面で貫通したものであり、図１に示した例では開口および横断面が円形状である。貫通孔５は、開口が楕円形状や三角形状等のものでもよい。また、複数の貫通孔５の間で、それぞれの開口の形状や寸法が互いに異なっていてもよい。ただし、複数の貫通孔５の開口の形状や寸法を異ならせた場合には、貫通孔５を形成する機械的な打ち抜き加工の治具を交換したり、レーザ光の照射の設定を変えたりする必要があるので、貫通孔５を形成する工程の作業性が低くなる可能性がある。そのため、複数の貫通孔５は、作業性を考慮すれば、互いに同様の形状および寸法であることが好ましい。

開口が楕円形状や三角形状の貫通孔（図示せず）は、例えばレーザ光を用いた加工において、レーザ光の照射される範囲を楕円形状や三角形状に絞るようなマスク材を介して光源からセラミックグリーンシートにレーザ光を照射するようにすれば、形成することができる。

また、貫通孔５のそれぞれの開口の寸法は、ダイシングブレードの幅や母基板１の条件（材料や厚み等）に応じて適宜設定すればよい。例えば、母基板１がホウケイ酸系のガラス成分と酸化アルミニウム等のセラミック成分とを主成分としたガラスセラミック焼結体からなり、厚さが１〜３ｍｍ程度の場合であれば、貫通孔５は、開口の直径が約0.1〜0.3ｍｍ程度の円形状に形成すればよい。この場合、このような貫通孔５が、例えば母基板１の長さが約30〜50ｍｍ程度の母基板１において、配線基板領域２の境界２ｂに沿った、ダイシング加工で切断される帯状の部分Ｃのそれぞれに、例えば帯状の部分Ｃの長さ方向に沿って２〜４列程度に並んで形成される。

なお、複数の貫通孔５のそれぞれは、その開口の寸法が大きいほど、母基板１の切削幅を小さくすることができる。ただし、１つの貫通孔５において開口を大きくし過ぎる（例えば、帯状の部分の幅と同じ程度にまで大きくする）と、その隣の他の貫通孔５を帯状の部分Ｃ内に、帯状の部分Ｃの幅方向（Ｗ）に見て１つの貫通孔５と一部が重なり合うように配置することが難しくなる。この場合、例えば図２（ａ）および（ｂ）に示すように貫通孔５の開口の形状や寸法を個々に異ならせれば、隣り合う貫通孔５の一部同士を帯状の部分Ｃの幅方向（Ｗ）に見て重ならせるように配置することは可能であるものの、作業性が低下する可能性がある。なお、図２（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の多数個取り配線基板９の実施の形態の他の例を示す要部拡大平面図である。図２において図１と同様の部位には同様の符号を付している。図２（ａ）は貫通孔５の寸法を互いに異ならせた例であり、図２（ｂ）は隣り合う貫通孔５の形状を互いに異ならせた例である。

そのため、複数の貫通孔５のそれぞれは、互いに開口の形状および寸法を同様としたとき、多数の貫通孔５の形成を容易としながら、隣り合う貫通孔５との上記のような重なり合いを容易とするためには、例えば図１に示したように、帯状の部分Ｃの幅の１／２程度、またはそれ以下の幅とするのがよい。貫通孔５の幅を帯状の部分Ｃの幅の１／２程度以下にしておけば、例えば形成が容易な、開口が円形状のものであるときに、隣り合う貫通孔５の一部同士を互いに帯状の部分Ｃの幅方向（Ｗ）に見て重なり合わせるようにしても、貫通孔５同士がつながってセラミックグリーンシートが分断されるようなことを避けるのも容易である。

なお、貫通孔５の幅を帯状の部分Ｃの幅の１／２程度とした場合には、母基板１のダイシング加工で実際に切削する必要がある部分の幅を最大で約１／２に小さくすることができる。この場合には、母基板１がガラスセラミック焼結体からなる、厚みが約１〜３ｍｍ程度のものであれば、貫通孔５が無い場合に比べて、幅が約0.2ｍｍのダイシングブレード（ダイヤモンド砥粒）を用いた切削の速度を約10〜40％程度向上させることができる。

このような貫通孔５を形成した多数個取り配線基板９について、例えば母基板１が上記のようなホウケイ酸系ガラスと酸化アルミニウムとを主成分としてなるガラスセラミック焼結体であり、１辺の長さが37.5ｍｍの正方形板状の場合において、母基板１の厚みが約３ｍｍ程度である場合を例に挙げれば、以下のように切断速度を効果的に速くすることが可能であることが確認されている。なお、貫通孔５は、開口および横断面が直径0.1ｍｍの円形状とした。母基板１のダイシングブレードで切断される帯状の部分Ｃの幅が約0.2ｍｍであり、この帯状の部分Ｃの長さ方向に沿って２列に貫通孔５を配列形成した。それぞれの列における貫通孔５同士の間の距離は約0.075ｍｍとし、帯状の部分Ｃの幅方向（Ｗ）に見て隣り合う貫通孔５（隣り合う列に配列されたもの同士）の間で約0.012〜0.013ｍｍずつ順次重なり合うようにした。

この場合、刃厚が約0.2ｍｍのダイシングブレード（砥粒としてダイヤモンドを用いたもの）を約5000回転／分で回転させて母基板１を切断したとき、約20ｍｍ／秒以上の速度で切断した場合にも、切断された個片の配線基板における欠け等の不良の発生率は約0.05％以下に抑えることができた。

これに対し、このような貫通孔５を形成しない、従来の多数個取り配線基板（図示せず）の場合であれば、上記と同様の条件において、母基板の切断速度は約15ｍｍ／秒程度が上限であり、これ以上速くしたときには亀裂等の不良の発生が約１％程度に増えてしまうことが確認された。

また、本発明の多数個取り配線基板９は、上記構成において、帯状の部分Ｃの幅方向（Ｗ）における貫通孔５の幅の合計が、帯状の部分Ｃの長さ方向に一様である場合には、帯状の部分Ｃの長さ方向に、母基板１の実際に切断する必要がある幅を同じ程度に小さくすることができる。そのため、ダイシング加工時の加工性（切削しやすさ）のばらつきをより効果的に抑制することができるので、母基板１を分割する際の作業性をより良好とすることができる。

なお、貫通孔５の幅の合計が帯状の部分Ｃの長さ方向に一様というのは、帯状の部分Ｃの幅方向（Ｗ）に貫通孔５の幅を合計したときの長さ（この幅方向（Ｗ）に延びる仮想の直線（図示せず）に沿って貫通孔５の寸法を合計した長さ）が、帯状の部分Ｃの長さ方向において同じまたは同じ程度ということである。例えば、母基板１の外周に近い部分で、母基板１の割れや欠け等の防止や、貫通孔５を形成する作業性の向上等のために、貫通孔５の幅を合計した長さを他の部分よりも多少（10〜20％程度）小さくするようなことがあり得るものの、この程度の範囲であれば、母基板１を分割する作業の作業性をより良好とする効果を有効に得ることができる。

帯状の部分Ｃの幅方向（Ｗ）における貫通孔５の幅の合計を帯状の部分Ｃの長さ方向に一様とするには、例えば、貫通孔５の開口を互いに同じ形状および寸法の三角形（この例では２等辺三角形）状として２列に配列形成し、隣り合う列の間で、それぞれの貫通孔５の幅の１／２における外辺の位置が、帯状の部分Ｃの幅方向（Ｗ）に見て同じ程度の位置になるようにすればよい。

複数の貫通孔５を、幅の合計が帯状の部分Ｃの長さ方向に一様になるように形成した例を図３（ａ）および（ｂ）に示す。なお、図３（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の多数個取り配線基板９の実施の形態の他の例を示す要部拡大平面図である。図３において図１と同様の部位には同様の符号を付している。

なお、図３（ａ）に示す例では、帯状の部分Ｃの長さ方向に隣り合う貫通孔５同士が互いにつながってセラミックグリーンシートが分断されるのを防ぐために、それぞれの列において貫通孔５同士を互いに少し離している。この場合、貫通孔５同士を互いに離した分、隣り合う列の貫通孔５は、それぞれの幅の１／２における外辺の位置同士が帯状の部分Ｃの幅方向（Ｗ）に見て多少ずれているものの、この程度のずれであれば、帯状の部分Ｃの長さ方向に、ほぼ同じ程度に母基板１の実際の切削幅を小さくすることができる。この例では、母基板１の切断する必要がある幅は、個々の貫通孔５の幅程度、つまり貫通孔５がない場合に比べて半分程度の幅になっている。

図３（ｂ）に示す例では、帯状の部分Ｃの長さ方向の２つの列のそれぞれにおいて、隣り合う貫通孔５を帯状の部分Ｃの幅方向（Ｗ）に少しずらしている。この例においても、貫通孔５が互いにつながってセラミックグリーンシートが分断されるのを防ぐことができる。この例の場合には、貫通孔５を加工する際の位置精度程度のばらつきはあるものの、貫通孔５の幅の合計を帯状の部分Ｃの長さ方向に同じにすることができる。なお、図３（ｂ）に示す例では、帯状の部分Ｃの幅方向（Ｗ）に見たときの貫通孔５の幅の合計が、図３（ａ）に示す例よりも若干小さくなっている。図３（ｂ）に示す例においても、図３（ａ）に示す例と同様に、母基板１の実際に研削する必要がある幅は、貫通孔５がない場合に比べて個々の貫通孔５の幅と同じ程度の分、小さくなっている。

なお、図３（ａ）および（ｂ）は、本発明の多数個取り配線基板９の実施の形態の他の例を示す要部拡大平面図である。図３において図１と同様の部位には同様の符号を付している。

また、図４（ａ）に示す例は、複数の貫通孔５のそれぞれを開口が円形状のものとし、これを帯状の部分Ｃの長さ方向に４列に配列した例である。この場合には、貫通孔５の開口が円形状であるため、個々の貫通孔５の形成が容易である。これは、一般的に、機械的な打ち抜き加工に用いる金属ピンが円柱状（先端が円錐状）であり、また、レーザ加工に用いるレーザ光の照射範囲が円形状であることによる。

図４（ａ）に示す例においては、平面視で、１つの貫通孔５の外周の接線となる、帯状の部分Ｃの幅方向（Ｗ）に延びる仮想の直線（図示せず）が、その１つの貫通孔５とは異なる他の列に配置された他の貫通孔５の中心線となるように、複数の貫通孔５が配列されている。

これらの貫通孔５は、３列に配列してもよく、５列以上に配列してもよい。また、例えば図４（ｂ）に示すように不規則な部分があってもよい。

なお、図４（ａ）および（ｂ）は、本発明の多数個取り配線基板９の実施の形態の他の例を示す要部拡大平面図である。図４において図１と同様の部位には同様の符号を付している。これらの図４（ａ）および（ｂ）に示す例において、母基板１の実際の切削幅は、貫通孔５がない場合に比べて、１つの貫通孔５の直径と同じ程度の分、小さくなっている。

また、この多数個取り配線基板９は、例えば図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、貫通孔５の内面に、酸化ケイ素，セラミック材料およびダイヤモンドの少なくとも１種からなる硬質粒子７が分散された樹脂材６が被着されている場合には、この樹脂材６をダイシングブレードが切断する際に、ダイシングブレードの表面に露出している砥粒と樹脂材６に分散された硬質粒子７との接触により、磨耗した砥粒を脱落させることができる。そのため、ダイシングブレードにおいて結合材の内部の砥粒が新たに表面に露出することが促進され、ダイシングブレードによる母基板１を切断する力（切断力）をより確実に高く維持することができる。したがって、この場合には、ダイシング加工による母基板１の分割の作業性をより高くすることが可能な多数個取り配線基板９とすることができる。なお、図５（ａ）は本発明の多数個取り配線基板９の実施の形態の他の例を示す要部拡大平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＤ−Ｄ線における断面を示す要部拡大断面図であり、図５（ｃ）は図５（ｂ）の破線で囲んだ部分をさらに拡大して示す要部拡大断面図である。図５において図１と同様の部位には同様の符号を付している。

ここで、硬質粒子７は、樹脂材６と結合しているだけであるため、母基板１に比べて研削されやすい樹脂材６が研削されるのに伴って母基板１から容易に脱落して除去される。そのため、このような樹脂材６および硬質粒子７が貫通孔５の内面に被着していたとしても、これら樹脂材６および硬質粒子７が母基板１の切断の妨げになるようなことは抑制される。

樹脂材６としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂，フェノール樹脂，アクリル樹脂，ウレタン樹脂等の熱硬化性や光（紫外線）硬化性の樹脂材料が用いられる。

また、硬質粒子７は、ダイヤモンドや酸化アルミニウム質焼結体からなる砥粒と硬さの差が小さい材料が用いられる。このような硬質粒子７としてのセラミック材料には、酸化アルミニウム質焼結体，窒化ホウ素質焼結体，窒化ケイ素質焼結体，炭化ケイ素質焼結体等の材料を用いることができる。また、硬質粒子７としての酸化ケイ素は、例えば石英やクリストバライト等の結晶性の二酸化ケイ素を用いることができる。

また、硬質粒子７の形状は、球状や表面に凹凸を有する球状、あるいは不定形の破片状等である。このような硬質粒子７は、例えば、より大きな石英や酸化アルミニウム等の原材料を機械的な加工で粉砕する方法等の方法により製作することができる。

このような硬質粒子７が分散された樹脂材６は、例えば、硬質粒子７である酸化ケイ素の粉末をエポキシ樹脂の未硬化物とともに混練して、ペースト状の樹脂材に酸化ケイ素の粉末が分散されてなる混合物（図示せず）を作製し、その後、この混合物を母基板１の貫通孔５の内面に、真空吸引しながらスクリーン印刷する方法等の印刷法で塗布した後、樹脂の未硬化物を加熱や紫外線照射等の硬化手段で硬化させることによって形成することができる。この場合の酸化ケイ素の粉末としては、平均粒径が約10〜30μｍの球状のもの等を用いることができる。また、硬質粒子７の樹脂材６への添加量は、ダイシングブレードからの磨耗した砥粒の脱落を効果的に促進させるとともに、樹脂材６への分散を均一なものとするために、例えば樹脂材６に対して20〜80体積％程度とすればよい。

硬質粒子７の平均粒径および樹脂材６への添加量は、セラミック材料またはダイヤモンドからなる場合も同様の範囲が好ましい。

このようなペースト状の樹脂材６と硬質粒子７との混合物については、貫通孔５内への印刷を容易とするために、エチルセロソルブアセテートや酢酸ブチル，トルエン，キシレン等の有機溶剤を用いて粘度を調整してもよい。

なお、貫通孔５の内面に被着されている硬質粒子７が分散された樹脂材６は、貫通孔５の内面に層状に被着されているものに限らず、例えば図６（ａ）に示すように、貫通孔５を充填しているものであってもよい。この場合には、ダイシングブレードと接触する樹脂材６の量をより大きくすることができるため、ダイシングブレードにおける新たな砥粒の露出をより効果的に促進することができる。

また、貫通孔５の内面に被着されている硬質粒子７が分散された樹脂材６は、例えば図６（ｂ）に示すように、母基板１の上面および下面に近い部分で厚みが薄くなっているものでもよい。この場合には、樹脂材６が母基板１の上面や下面に広がることを抑制して、配線基板領域２の配線導体３に誤って樹脂材６が付着するようなことを防止する上で有利である。このような母基板１の上面および下面に近い部分で厚みが薄い樹脂材６は、例えばペースト状の混合物の粘度や真空吸引の真空度を調整することによって所望の状態に被着させることができる。なお、図６（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の多数個取り配線基板９の実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。図６において図１および図５と同様の部位には同様の符号を付している。

そして、上記構成を備えた多数個取り配線基板９を配線基板領域２の境界２ｂに沿ってダイシング加工を施して母基板１を分割することにより個片の配線基板が作製され、個片の配線基板に電子部品を搭載するとともに必要に応じて蓋体や樹脂材料等で封止すれば、多数の電子装置（図示せず）が作製される。

また、多数個取り配線基板９の個片への分割は、配線基板領域２に電子部品を搭載した後で行なってもよい。配線基板領域２に電子部品を搭載した後にダイシング加工を行なうときに、特に電子部品がＭＥＭＳ素子や弾性表面波素子のように機械的な動きをする機構を有するものの場合には、ダイシングに伴う切削屑が電子部品に付着すると、その機械的な動きが妨げられて誤作動する可能性が大きくなる。そのため、この場合には、まず蓋体や封止樹脂等の封止手段（図示せず）で電子部品を封止してから、母基板１にダイシング加工を施すことが好ましい。

個片の配線基板に電子部品が搭載されてなる電子装置は、コンピュータや携帯電話，デジタルカメラ，加速度や圧力等の各種センサ等の種々の電子機器において部品として使用される。電子装置と電子機器（電子機器を構成する回路基板等）との電気的な接続は、例えば配線導体３のうち配線基板（配線基板領域２）の下面に形成された部位（図示せず）を、はんだや導電性接着剤等の導電性接合材を介して接合することにより行なわせることができる。

１・・・母基板
２・・・配線基板領域
２ａ・・凹部
２ｂ・・配線基板領域の境界
３・・・配線導体
４・・・ダミー領域
５・・・貫通孔
６・・・樹脂材
７・・・硬質粒子
９・・・多数個取り配線基板
Ｃ・・・帯状の部分

Claims (3)

1. セラミック焼結体からなる母基板に複数の配線基板領域が縦横の並びに配列形成されてなり、前記配線基板領域の境界でダイシング加工により切断される多数個取り配線基板であって、前記母基板の前記配線基板領域の境界に、前記母基板の前記ダイシング加工で切断される帯状の部分の幅よりも幅が小さい、前記母基板を厚み方向に貫通する複数の貫通孔が、前記帯状の部分の幅方向に見て順次一部が重なり合うように形成されていることを特徴とする多数個取り配線基板。
2. 前記帯状の部分の幅方向における前記貫通孔の幅の合計が、前記帯状の部分の長さ方向に一様であることを特徴とする請求項１記載の多数個取り配線基板。
3. 前記貫通孔の内面に、酸化ケイ素，セラミック材料およびダイヤモンドの少なくとも１種からなる硬質粒子が分散された樹脂材が被着されていることを特徴とする請求項１記載の多数個取り配線基板。

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