JP2010241683A - 圧電体膜および圧電アクチュエータ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の圧電体は、組成式(1)、Pb(ZrxTi1−x)1−yMyO3・・・(1)(式中、Mは、TaおよびNbの少なくとも一方であり、かつ、ZrおよびTiの少なくとも一方を置換している。式中、xは、0.51≦x≦0.57の範囲であり、yは、0.05≦y<0.2の範囲である。)で示されるペロブスカイト型化合物を含み、ペロブスカイト型化合物は、添加物として、SiO2およびGeO2の少なくとも一方を含有し、添加物の添加量は、前記ペロブスカイト型化合物に対して、0.5モル%以上5モル%以下である。
【選択図】図1
Description
ンクジェットプリンタ等様々な用途で用いられている。一般的に圧電素子は、圧電体からなる圧電体層を電極で挟んだ構造を有する。用いる圧電体としては、Pb(Zr,Ti)O3(チタン酸ジルコン酸鉛:PZT)などが代表的である。
下記、組成式(1)
Pb(ZrxTi1−x)1−yMyO3・・・(1)
(式中、Mは、TaおよびNbの少なくとも一方であり、かつ、ZrおよびTiの少なくとも一方を置換している。式中、xは、0.51≦x≦0.57の範囲であり、yは、0.05≦y<0.2の範囲である。)
で示されるペロブスカイト型化合物を含み、
前記ペロブスカイト型化合物は、添加物として、SiO2およびGeO2の少なくとも一方を含有し、
前記添加物の添加量は、前記ペロブスカイト型化合物に対して、0.5モル%以上5モル%以下である。
1.1.圧電体
図1は、本実施形態の圧電体のチタン酸鉛−ジルコン酸鉛−ニオブ酸鉛の組成比を模式的に示す状態図である。
本実施形態の圧電体は、ゾル−ゲル法、MOD(Metallo−Organic Decomposition)法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、スパッタ法、レーザーアブレーション法などによって形成することができる。以下に、これらの製造方法のうち、一例として、ゾル−ゲル法によって本実施形態の圧電体を製造する方法を記述する。また本項では、組成式(1)のMがNbである場合を例示する。また、添加物としては、SiO2およびGeO2の少なくとも一方のうち、SiO2を含有する例について記載する。図2は、本実施形態の圧電体の製造方法の一例を示すフローチャートである。
本実施形態の圧電体は、上述した組成および組成範囲を有するペロブスカイト型化合物を含む。そのため、本実施形態の圧電体は、相境界(MPB)組成を外れることがなく、圧電特性が極めて良好である。本実施形態の圧電体は、組成が精密に制御される結果、圧電特性のうち圧電定数d33が他の組成の圧電体に比較して、一段と高い。また、本実施形態の圧電体は、焼成される際に、他の組成の圧電体に比較して、パイロクロア構造が形成されにくく、焼成したときの結晶の配向性がよい(圧電素子として用いる場合は、電極の法線方向に<111>方位を有する結晶が得やすい。)。さらに、本実施形態の圧電体は、他の組成の圧電体に比較して、焼成温度を低く抑えることができる。本実施形態の圧電体は、圧電素子、圧電アクチュエータ、液体噴射ヘッド、液体噴射装置等に好適に用いられることができる。
図3は、本実施形態の圧電素子の一例である圧電素子100および本実施形態の圧電アクチュエータの一例である圧電アクチュエータ200を模式的に示す断面図である。
以下に、本発明にかかる圧電体の実施例、および比較のための比較例を記し、本発明をより具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
実施例1ないし実施例5および比較例1ないし比較例5の圧電体は、圧電素子として圧電特性を評価する試料と、圧電体としての構造を評価するための試料とを準備した。
状に作成した。ここで、基板は以下の工程により作製したものである。まず、Si基板の表面に熱酸化により膜厚400nmのSi酸化膜を形成した。次に、Si酸化膜上にDCスパッタ法により膜厚20nmのTi膜を形成し、650℃30分間の熱処理により膜厚40nmのTi酸化膜を形成した。次に、Ti酸化膜上にDCスパッタ法により膜厚150nmのPt下部電極層を形成した。
各実施例および各比較例の結晶構造の評価は、XRD(X−ray Diffraction)測定を行い、配向性および異相の有無を調べることにより行った。
実施例および比較例の圧電特性の評価は、一般的なピエゾメータによる測定を行い、圧電定数d33を求めることにより行った。この評価に用いた試料は、表1中、圧電特性の欄に○を付した圧電体である。本評価は、yをy=0.1に固定し、xの値が異なる試料について行った。
ペロブスカイト構造の結晶において、同じ(111)高配向ならば正方晶(Tetragonal)の場合と菱面体晶(Rhombohedral)の場合とでP−Vヒステリシス特性の傾向が異なると想定し、いくつかの組成範囲におけるP−Vヒステリシス特性評価を行なった。図7は、圧電体のヒステリシスループ曲線の一例である(縦軸に分極率、横軸に印加電圧が採ってある。)。本評価では、ヒステリシス曲線において、+Vcの点(図7参照)におけるヒステリシス曲線の傾きS(+Vc)を同図の+Prの点におけるヒステリシス曲線の傾きS(+Pr)で割った値〔S(+Vc)/S(+Pr)〕を当該ヒステリシス曲線の角型比と規定した。Vcは、印加電圧が正で、かつ、分極率がゼロの点であり、+Prは、印加電圧がゼロで、かつ、分極率が正の点である。この評価に用いた試料は、表1中、角型性の欄に○を付した圧電体である。本評価は、yをy=0.1に固定し、xの値が異なる試料について行った。
上述の結晶構造の評価において、各実施例の圧電体は、図4に示すような(111)高配向となっていることが分かった。そこで2θが約39°の(111)面に対応する回折ピークに対してχスキャンを行ない、結晶性をさらに詳細に評価した。この評価に用いた試料は、表1中、χスキャンの欄に○を付した圧電体である。本評価は、yをy=0.1に固定し、xの値が異なる試料について行った。
130 上部電極、200 圧電アクチュエータ
Claims (3)
- 下記、組成式(1)
Pb(ZrxTi1−x)1−yMyO3・・・(1)
(式中、Mは、TaおよびNbの少なくとも一方であり、かつ、ZrおよびTiの少なくとも一方を置換している。式中、xは、0.51≦x≦0.57の範囲であり、yは、0.05≦y<0.2の範囲である。)
で示されるペロブスカイト型化合物を含み、
前記ペロブスカイト型化合物は、添加物として、SiO2およびGeO2の少なくとも一方を含有し、
前記添加物の添加量は、前記ペロブスカイト型化合物に対して、0.5モル%以上5モル%以下である、圧電体。 - 請求項1に記載の圧電体を有する、圧電素子。
- 請求項2に記載の圧電素子を用いた、圧電アクチュエータ。
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