JP2010237301A5 - - Google Patents
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上記2平面は互いに段違いで平行な面であり、上記反射面はその2平面の延長線に対して45°の角度をなすことができる。
上記エッチングは、前述と同様に異方性ドライエッチングで行うことができるが、それをフッ化硫黄系のガスを酸素で希釈したガスによるエッチング処理と、フッ化炭素系ガスによる側壁保護膜形成処理とを交互に繰り返すボッシュ法によって行うとよい。
上記斜面への反射性金属膜の被覆は、前述と同様に銀、アルミニウム又は金による斜め蒸着又はチルトスパッタリングによって行うことができる。
上記エッチングは、前述と同様に異方性ドライエッチングで行うことができるが、それをフッ化硫黄系のガスを酸素で希釈したガスによるエッチング処理と、フッ化炭素系ガスによる側壁保護膜形成処理とを交互に繰り返すボッシュ法によって行うとよい。
上記斜面への反射性金属膜の被覆は、前述と同様に銀、アルミニウム又は金による斜め蒸着又はチルトスパッタリングによって行うことができる。
この光学部材の製造方法を利用したこの発明による光学装置の製造方法は、次の各工程を有することを特徴とする。
(a)シリコンウエハの表面からその表面に垂直な方向にエッチングを行って、その表面に対して垂直な2平面とその2平面間を接続する斜面とを含む凹部を、その平面形状の長手方向及び短手方向にそれぞれ複数個ずつ整列して形成する工程、
(b)その各凹部の上記斜面にそれぞれ反射性金属膜を被覆して反射面を形成する工程、
(c)その後、上記シリコンウエハを、上記各凹部の上記2平面と反射面とからなる壁面側のシリコンウエハを所定幅だけ残して長手方向に沿って切断すると共に、その壁面と対向する壁面を除去するように長手方向に沿って切断して、複数個の光学部材が長手方向に連続した複数の短冊状部材とする工程、
(d)各短冊状部材のそれぞれ上記2平面と反射面とを設けた各光学装置の光学部材となる部分に、上記2平面の一方に発光デバイスを、他方に受光デバイス、導光デバイス、あるいは波長変換デバイス等の光学デバイスをそれぞれ位置決め固定して、上記発光デバイスから出射した光が上記反射面で反射して上記光学デバイスに入射するようにする工程、
(e)その後に、上記各短冊状部材を上記各凹部の一対の短辺をなす各壁面を除去するようにそれぞれ短手方向に沿って切断して、個々の光学装置にする工程、
(a)シリコンウエハの表面からその表面に垂直な方向にエッチングを行って、その表面に対して垂直な2平面とその2平面間を接続する斜面とを含む凹部を、その平面形状の長手方向及び短手方向にそれぞれ複数個ずつ整列して形成する工程、
(b)その各凹部の上記斜面にそれぞれ反射性金属膜を被覆して反射面を形成する工程、
(c)その後、上記シリコンウエハを、上記各凹部の上記2平面と反射面とからなる壁面側のシリコンウエハを所定幅だけ残して長手方向に沿って切断すると共に、その壁面と対向する壁面を除去するように長手方向に沿って切断して、複数個の光学部材が長手方向に連続した複数の短冊状部材とする工程、
(d)各短冊状部材のそれぞれ上記2平面と反射面とを設けた各光学装置の光学部材となる部分に、上記2平面の一方に発光デバイスを、他方に受光デバイス、導光デバイス、あるいは波長変換デバイス等の光学デバイスをそれぞれ位置決め固定して、上記発光デバイスから出射した光が上記反射面で反射して上記光学デバイスに入射するようにする工程、
(e)その後に、上記各短冊状部材を上記各凹部の一対の短辺をなす各壁面を除去するようにそれぞれ短手方向に沿って切断して、個々の光学装置にする工程、
そして、レーザダイオード2の発光部2aから略垂直下方に反射面13に向けて出射されるレーザ光が反射面13によって反射され、90°偏向されて略水平な方向に向きを変え、SHG素子3の受光面である一端面3aに入射する。SHG素子3に入射したレーザ光はSHG素子3によってその波長が1/2(振動数は2倍)に変換されて他端面3bから出射する。例えば、レーザダイオード2が出射するレーザ光の波長が1064nmの場合、SHG素子3から出射するレーザ光の波長は532nmになる。
このように、シリコン基板5に対してその表面5aに垂直な方向にエッチングするために、この実施例では異方性ドライエッチングを行なうが、その代表的な方法としてボッシュ法(ガスチョッピング法とも称す)がある。このエッチング方法は、エッチング処理と側壁保護膜形成処理とを交互に繰り返すことによって、異方性の高いエッチングを可能にする。
エッチング処理は、六フッ化硫黄(SF6)のようなフッ化硫黄系のガスを酸素(O2)で希釈したガスによって行なう。側壁保護膜形成処理は、C4F8のようなフッ化炭素系ガスによって側壁保護膜を形成する。
例えば、次のような条件でエッチング処理と側壁保護膜形成処理を行なう。
エッチング処理は、六フッ化硫黄(SF6)のようなフッ化硫黄系のガスを酸素(O2)で希釈したガスによって行なう。側壁保護膜形成処理は、C4F8のようなフッ化炭素系ガスによって側壁保護膜を形成する。
例えば、次のような条件でエッチング処理と側壁保護膜形成処理を行なう。
エッチング処理 側壁保護膜形成処理
SF6 100sccm 0sccm
O2 5sccm 0sccm
C4F8 0sccm 100sccm
RF電力 400W 400W
バイアス電力 30W 0W
時 間 10sec 5sec
SF6 100sccm 0sccm
O2 5sccm 0sccm
C4F8 0sccm 100sccm
RF電力 400W 400W
バイアス電力 30W 0W
時 間 10sec 5sec
上記の条件で、エッチング処理を10秒、側壁保護膜形成処理を5秒の1サイクルで、0.5μmエッチングされ、400μm削るには800サイクルを要する。上記の条件における「sccm」は、大気圧(1.013hPa)で0℃あるいは25℃などの一定温度で規格化した流量(cc/min)である。
ボッシュ法以外の異方性ドライエッチングとしては、F原子でシリコン表面を飽和被覆している状態にアルゴン(Ar)イオンを衝撃させるイオン誘起増速エッチングや、塩素(Cl2)とアルゴンイオン照射の複合効果によるエッチングなどもある。
ボッシュ法以外の異方性ドライエッチングとしては、F原子でシリコン表面を飽和被覆している状態にアルゴン(Ar)イオンを衝撃させるイオン誘起増速エッチングや、塩素(Cl2)とアルゴンイオン照射の複合効果によるエッチングなどもある。
次の第6工程では、図13に示すようにシリコン基板5の表面5a上に金属製のステンシルマスク8を位置合わせして設置する。そのステンシルマスク8には、シリコン基板5の凹部5hを覆う部分に、斜面51cに対応する位置からその斜面51cに垂直な方向に延びる開口8hが形成されている。
次に、楕円筒面状の反射面のみを設けた光学部材の製造方法の例を、図28から図30によって説明する。図28及び図29において図25及び図26と対応する部材には同一の符号を付している。
図29に示すようにシリコン基板20の表面20aにフォトレジスト30を塗付し、図28に示すようにシリコン基板20の側面20bに平行な長軸を有する楕円の半分と角に丸みを付けた正方形とをつなげた形状の開口32を形成するようにパターニングし、そのフォトレジスト30をエッチングマスクにして、シリコン基板20をその表面20aに垂直な方向に異方性ドライエッチングして、平面形状がフォトレジスト30の開口32と同じ平面形状で貫通した凹部22を形成する。
図29に示すようにシリコン基板20の表面20aにフォトレジスト30を塗付し、図28に示すようにシリコン基板20の側面20bに平行な長軸を有する楕円の半分と角に丸みを付けた正方形とをつなげた形状の開口32を形成するようにパターニングし、そのフォトレジスト30をエッチングマスクにして、シリコン基板20をその表面20aに垂直な方向に異方性ドライエッチングして、平面形状がフォトレジスト30の開口32と同じ平面形状で貫通した凹部22を形成する。
その凹部22の内壁面を平坦化処理し、その内壁面を構成する楕円筒面状の壁面22aに、シリコン基板20の表面側から斜め蒸着あるいはチルトスパッタリングによって、銀、アルミニウム又は金の反射性金属膜を被覆して反射面24とする。この場合も、フォトレジスト30を斜め蒸着あるいはチルトスパッタリングのマスクとしても使用できる。
〔光学部材の製造方法の変更例〕
この発明による光学部材の製造方法について、図7以降の各図によって説明した各実施例において、エッチングマスクとなるフォトレジストを露光するためのフォトマスク(図8、図9参照)の形状を変更することによって、エッチングマスクの形状を種々に変更できる。それによって、シリコン基板(シリコンウエハも含む)に形成する凹部の形状も種々に変更でき、例えば切欠き状の凹部を形成する加工も可能である。
この発明による光学部材の製造方法について、図7以降の各図によって説明した各実施例において、エッチングマスクとなるフォトレジストを露光するためのフォトマスク(図8、図9参照)の形状を変更することによって、エッチングマスクの形状を種々に変更できる。それによって、シリコン基板(シリコンウエハも含む)に形成する凹部の形状も種々に変更でき、例えば切欠き状の凹部を形成する加工も可能である。
例えば、第2実施例の図19に示したシリコンウエハ50に対して、上記フォトマスクにおける右側の2個の凹部形成位置に対応する開口を、その開口の直線上の長辺部を開放した切欠きにすれば、それを用いてフォトリソグラフィ法によって成形されるフォトレジストの対応する開口も同じ切欠きになる。そのフォトレジストをエッチングマスクとして、表面50a側から垂直方向に二酸化珪素膜63に達するまでエッチングして複数の凹部50hを同時に形成すると、図31に示すように、右側の2個の凹部50h′は切欠き状に形成される。その他の工程は前述した第2実施例の加工方法と同様である。
他の実施例においても同様に、フォトマスクに形成する開口を切欠きにすれば、それによって成形されるフォトレジストをエッチングマスクとしてエッチングを行うことによって、シリコン基板(シリコンウエハも含む)に切欠き状の凹部を形成する加工ができる。
この発明は、上述した各実施例に限定されることはなく、これら以外にも種々の変更や応用が可能であることは勿論である。
この発明は、上述した各実施例に限定されることはなく、これら以外にも種々の変更や応用が可能であることは勿論である。
10,10′:本体部 11:上部載置面 11a:突き当て用段部
12:下部載置面 12a:突き当て用段部
13,23,24:反射面 15:壁部
50:シリコンウエハ 50a:シリコンウエハの表面
50h,50h′:シリコンウエハに形成した凹部
51,61:第1シリコン基板 51a,51b:平面 51c:斜面
52,62:第2シリコン基板 53,63:二酸化珪素膜
60:短冊状部材
12:下部載置面 12a:突き当て用段部
13,23,24:反射面 15:壁部
50:シリコンウエハ 50a:シリコンウエハの表面
50h,50h′:シリコンウエハに形成した凹部
51,61:第1シリコン基板 51a,51b:平面 51c:斜面
52,62:第2シリコン基板 53,63:二酸化珪素膜
60:短冊状部材
Claims (1)
- 請求項4から8のいずれか一項に記載の光学部材の製造方法であって、
前記シリコン基板としてシリコンウエハを使用し、
該シリコンウエハの表面から該表面に垂直な方向にエッチングを行って、前記凹部をその平面形状の長手方向及び短手方向にそれぞれ複数個ずつ整列して形成し、
その各凹部の前記斜面にそれぞれ反射性金属膜を被覆して前記反射面を形成した後、
前記シリコンウエハを、前記各凹部の前記2平面と前記反射面とからなる壁面側のシリコンウエハを所定幅だけ残して前記長手方向に沿って切断すると共に、該壁面と対向する壁面を除去するように前記長手方向に沿って切断して、複数個の光学部材が長手方向に連続した複数の短冊状部材とし、
その各短冊状部材を前記各凹部の一対の短辺をなす各壁面を除去するようにそれぞれ短手方向に沿って切断して、個々の光学部材にする
ことを特徴とする光学部材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009083036A JP5350859B2 (ja) | 2009-03-30 | 2009-03-30 | 光学部材および光学装置の製造方法と光学装置 |
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JP2010237301A JP2010237301A (ja) | 2010-10-21 |
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JP2004326083A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-18 | Seiko Instruments Inc | ミラーの製造方法とミラーデバイス |
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