JP2010228448A - ナノインプリンティングによってリソグラフィのためのモールドを製造する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、三次元のナノインプリント装置であって、少なくとも、a)表面(X,Y)を持つ基板(2)と、b)この基板上に、2個ずつの平行な複数のナノトレンチ(6)であって、それぞれのナノトレンチが側壁によって規定され、そして基板に垂直な方向に、側壁の最上部に対して測られたそれぞれ深さh1とh2>h1の、少なくとも1つの第1および1つの第2のレベルを有する複数のナノトレンチと、を有し、c)ナノトレンチの最後の深さレベル(h1)における底は第1のタイプの材料に存在し、側壁は第2のタイプの材料に存在し、第1のタイプの材料は、ナノトレンチの壁を形成する第2のタイプの材料に対して選択的にエッチングされることが可能であることを特徴とする装置に関する。
【選択図】図6C
Description
・ポリマーを、そのガラス転移温度を超えて加熱すること、および一般にシリコンまたはニッケルのモールドによってそれを形成することから成る熱間インプリント
・UV支援インプリント。この場合、例えば石英(水晶)の透明なモールドが、モールドが用いられる間に、モノマーまたはUV露光によって架橋結合されたプレポリマーにプレスされる。この技術は、現在、主要な開発を経験している。なぜなら、異なるインプリントされたレベルを透明なモールドにそろえることが可能であるからである。
−電子的リソグラフィと反応イオンエッチング、
−または他の予め作られたモールド(マスター)の複製
a)表面(X,Y)を持つ基板(2)と、
b)この基板上に、複数のトレンチまたは2個ずつの平行なナノトレンチであって、それぞれのトレンチまたはナノトレンチが縦方向に延在しかつ側壁によって横方向に規定され、前記トレンチまたはナノトレンチ、および前記壁が基板の前記表面に実質的に垂直に方向付けられ、それぞれのトレンチまたはナノトレンチが、側壁の最上部に対して測られたそれぞれ深さh1とh2>h1の、少なくとも1つの第1および第2のレベルを有するナノトレンチと、
を有し、
c)トレンチまたはナノトレンチの最後の深さレベル(h1)の底は第1のタイプの材料に存在し、側壁は第2のタイプの材料に存在し、第1のタイプの材料は、トレンチまたはナノトレンチの壁を形成する第2のタイプの材料に対して選択的にエッチングされることが可能であることを特徴とする装置に関する。
a)そのパターンがトレンチまたはナノトレンチのレベルより高い高レベルにあり、トレンチまたはナノトレンチの壁に対応し、そしてそれらは、トレンチまたはナノトレンチの底とは異なった材料から成り、
b)トレンチまたはナノトレンチが第1の深さh1の部分と、より大きな深さh2の部分とを有する
ような、パターン(壁の最上部)およびナノトレンチの配列を形成する。
−高さh2−h1の、基板に垂直な方向の、第1のタイプの材料の1つの面と、
−第2のタイプの材料から成る2つの側壁によって形成された2つの面と、
−深さh2の、前記第1のタイプの材料から成り、その最上部がトレンチまたはナノトレンチを取り巻く壁の最上部と同じレベル、または実質的に同じレベルにある1つの面と、
によって規定されうる。
a)基板上に、少なくとも部分的に互いに平行で少なくとも部分的に基板に垂直な、第1のタイプの材料と第2のタイプの材料にある交互層を形成するステップであって、第1のタイプの材料が第2のタイプの材料に対して選択的にエッチングされうるものであるステップと、
b)第2のタイプの材料に対する第1のタイプの材料の部分的な選択的エッチングによってトレンチまたはナノトレンチおよび基板の前記表面に実質的に垂直な側壁の部分を形成するステップであって、それぞれのトレンチまたはナノトレンチが、側壁の最上部に対して測られた基板に垂直な方向におけるそれぞれ深さh1とh2>h1の、少なくとも1つの第1および1つの第2のレベルを有するものであるステップと、
を有することを特徴とする方法に関する。
−深さh1の第1のタイプの材料の少なくとも交互層の部分のエッチングを可能にする、マスクの形成の前の第1の部分的な選択的エッチングステップと、
−マスクを形成するステップと、
−深さh1への第1の部分的な選択的エッチングの間に深さh2>h1に至るまで既にエッチングされた、第1のタイプの材料の交互層の一部のエッチングを可能にする、マスクの前記開口領域を通した第2の部分的な選択的エッチングステップと、
−マスクの少なくとも一部を除去するステップと、
を有する。
−マスクを形成するステップと、
−深さhintへの第1のタイプの材料の交互層の一部のエッチングを可能にする、マスクの前記開口領域を通した部分的な選択的エッチングの第1のサブステップと、
−マスクの第1の部分を除去するステップと、
−部分的な選択的エッチングの第2のサブステップであって、そこで、第1のサブステップの間にエッチングされた第1のタイプの材料の交互層の少なくとも一部が、次に深さh2にエッチングされ、そして第1のサブステップの間にマスクによってカバーされた第1のタイプの材料の交互層の部分が次に深さh1にエッチングされる、第2のサブステップと
−マスクの第2の部分を除去するステップと、
を有する。
−基板の表面に平行な縦方向のトレンチまたはナノトレンチによる第1の面、
−第1の面に対向するが常に前記縦方向に沿った第2の面で、第1の材料で形成された壁、
−前記縦方向に垂直な方向に沿った第2の材料から成る壁
に囲まれる。
−第1の材料から成った奇数番目の層4(1)から4(2x+1)、
−および、奇数番目の層により交互に堆積され、第2の材料で形成された偶数番目の層。これらの偶数番目の層は、基板上に堆積される層の総数が偶数か奇数かに応じて、4(2)から4(2x)、または4(2)から4(2x+2)として参照される。
−そこでは何らのエッチングもまだされず、第1のタイプの材料から成る層4(i)が第2のタイプの材料の層のレベルにあるような1つの領域(α)、
−中間の深さhintを持つ既にエッチングされたナノトレンチ60(i)の部分を含んだトレンチ140の形状に対応している領域(β)、
−そこでは何らのエッチングもされず、第1のタイプの材料から成る層4(i)が第2のタイプの材料の層のレベルにあるような、樹脂110で覆われた領域(γ)、
を有する。
−第2の材料の層のレベルに等しい高レベルを初めに持っていた第1の材料の領域(α)の層における深さh1のナノトレンチ6(i)、
−領域(β)の既にエッチングされたナノトレンチ60(i)の部分においてh2=h1+hintとなるような深さh2を持った、さらに深いナノトレンチ60(i)の部分、
を形成することにつながる。
−第2のタイプの材料から成る壁50(i)によって分離された、深さh2のナノトレンチ60(i)の部分の交互から成る「深い」領域(β)であって、この領域は、既に上記で示された幾何学的特性、すなわち幅Wで、交互層4(i)の局所的な方向Xに対する角度θで、この軸Xに沿って周期P*を持つ深さh2の部分、を持つ、
−深い領域の1つの側、つまり深さh1のナノトレンチ6(i)の配列(α)であって、その底が、第2のタイプの材料から成る高レベルの壁5(i)によって分離される、第1のタイプの材料から成る、
−深い領域の他の側、つまり、ナノトレンチの配列と同じ層の方向の局所的な軸を持った交互層4(i)の配列(γ)であって、交互層4(i)のそれぞれが層4(i)のエッチング前の最初の高さと同一の、1つの同じ高さh4を持つ。
−第2のタイプの材料から成る壁50(i)によって分離された、深さh2のナノトレンチ60(i)の部分の交互から成る「深い」領域(β)であって、この領域は、既に上記で示された幾何学的特性、すなわち幅Wで、交互層4(i)の局所的な方向Xに対する角度θで、この軸Xに沿って周期P*を持つ深さh2の部分、を持つ、
−深い領域のそれぞれの側、つまり深さh1のナノトレンチ6(i)の配列(αおよびγ)であって、その底が、第2のタイプの材料から成る高レベルの壁5(i)によって分離される、第1のタイプの材料から成る。
−ナノトレンチ6(i)の主要方向に垂直な方向Yに存在する2つの壁50(i)と50(i−1)であって、第2のタイプの材料から成り、オーバーエッチングされたナノトレンチ60(i)の部分の底から測った、そして方向Zにおける高さh2を持つもの。
−ナノトレンチの主要方向Xに沿って、オーバーエッチングされた領域の2つの壁であって、第1のタイプ材料から成り、これら2つの側から、それぞれオーバーエッチングされた領域60(i)が深さh1のナノトレンチ6(i)によって延長されるようなもの。2つの対応する壁7(i)および7’’(i)はh2−h1の値の高さを持つ。
3 絶縁層
4(1) 第1の材料層
4(2) 第2の材料層
4(i) 交互層
5(i) 壁
6(i) ナノトレンチ
7’ 壁
7’’(i) 壁
8(0) 表面
8(1) 表面
8(i) 表面
17 複合層
20 表面層
40 複合層
50(i) 壁
60(i) ナノトレンチ
70 底
71 側壁
72 最上部
73 トレンチ
110 マスク(樹脂)
140 トレンチ
600 パターン
610 パターン
900 ライン
Claims (15)
- 三次元のナノインプリント装置であって、少なくとも、
a)表面(X,Y)を持つ基板(2)と、
b)この基板上に、2個ずつの平行な複数のナノトレンチ(6)であって、それぞれのナノトレンチが縦方向(X)に延在しかつ側壁によって横方向に規定され、前記ナノトレンチおよび前記壁が基板の前記表面に実質的に垂直に方向付けられ、それぞれのナノトレンチが、側壁の最上部に対して測られたそれぞれ深さh1とh2>h1の、少なくとも1つの第1および1つの第2のレベルを有するナノトレンチと、
を有し、
c)ナノトレンチの最後の深さレベル(h1)の底は第1のタイプの材料に存在し、側壁は第2のタイプの材料に存在し、第1のタイプの材料は、ナノトレンチの壁を形成する第2のタイプの材料に対して選択的にエッチングされることが可能であることを特徴とする装置。 - 側壁(5(i))によって分離された前記複数のナノトレンチ(6(i))は、パターンおよびナノトレンチの配列を形成し、深さh2のナノトレンチのそれぞれの部分は、周期P*によって隣接したナノトレンチのそれぞれの部分から前記縦方向にオフセットされることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- ナノトレンチの深さh2の最も深い部分(60(i))は、周期P*より短い長さ(L)を持つことを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 深さh2のそれぞれの深い部分(60(i))は、ナノトレンチ(6(i))の1つの端部に存在し、4つの面、すなわち、
−高さh2−h1の、前記第1のタイプの材料の1つの面と、
−前記第2のタイプの材料から成る2つの側壁によって形成された2つの面と、
−深さh2の、前記第1のタイプの材料から成り、その最上部がナノトレンチを取り巻く壁の最上部と同じレベル、または実質的に同じレベルにある1つの面と、
によって規定されることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の装置。 - ナノパターン(5(i))およびナノトレンチ(6(i))の幅は10nm+/−2nmに等しいか、それ以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の装置。
- 三次元のインプリントモールドを形成する方法であって、少なくとも、
a)基板(2)上に、少なくとも部分的に互いに平行で少なくとも部分的に基板に垂直な、第1のタイプの材料と第2のタイプの材料にある交互層(i)(i=1,...,n)を形成するステップであって、第1のタイプの材料が第2のタイプの材料に対して選択的にエッチングされうるものであるステップと、
b)第2のタイプの材料に対する第1のタイプの材料の部分的な選択的エッチングによってナノトレンチ(60(i))および基板の前記表面に実質的に垂直な側壁の部分を形成するステップであって、それぞれのナノトレンチが、側壁の最上部に対して測られた基板に垂直な方向におけるそれぞれ深さh1とh2>h1の、少なくとも1つの第1および1つの第2のレベルを有するものであるステップと、
を有することを特徴とする方法。 - ステップb)は、交互層の領域を露出させる少なくとも1つの開口領域(140)を有するマスク(110)を交互層上に形成するステップを有し、部分的な選択的エッチングの少なくとも一部がマスク(110)を通してなされることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- ステップb)は、
−深さh1の第1のタイプの材料の少なくとも交互層のエッチングを可能にする、マスクの形成の前の第1の部分的な選択的エッチングステップと、
−マスクを形成するステップと、
−深さh1への第1の部分的な選択的エッチングの間に深さh2>h1に至るまで既にエッチングされた、第1のタイプの材料の交互層の一部のエッチングを可能にする、マスクの前記開口領域(140)を通した第2の部分的な選択的エッチングステップと、
−マスクの少なくとも一部を除去するステップと、
を有することを特徴とする請求項7による方法。 - ステップb)は、
−マスクを形成するステップと、
−深さhintへの第1のタイプの材料の交互層の一部のエッチングを可能にする、マスクの前記開口領域(40)を通した部分的な選択的エッチングの第1のサブステップと、
−マスクの一部を除去するステップと、
−部分的な選択的エッチングの第2のサブステップであって、そこでは、第1のサブステップの間にエッチングされた第1のタイプの材料の交互層の少なくとも一部が、次に深さh2にエッチングされ、そして第1のサブステップの間にマスクによってカバーされた第1のタイプの材料の交互層の部分がその時深さh1にエッチングされる、第2のサブステップと
−マスクの少なくとも一部を除去するステップと、
を有することを特徴とする請求項7に記載の方法。 - すべての交互層(4(i))は、マスク(110)の形成の前に同じレベルを有することを特徴とする請求項9に記載の方法。
- マスク(110)の開口領域(140)は、交互層(4(i))によって形成されたラインの長手方向(X)と角度θを有するトレンチを形成し、2つの隣接した層においてエッチングされたトレンチの部分(60(i))は、層の延在方向によって形成された軸に沿った互いの間に周期P*を持った第1のタイプの材料から成ることを特徴とする請求項7から10のいずれか1項に記載の方法。
- それぞれの層の厚さは10nm+/−2nmに等しいか、それ以下であることを特徴とする請求項6から11のいずれか1項に記載の方法。
- 樹脂のパターンを形成する方法であって、請求項1から5のいずれか1項に記載のナノインプリント装置によって前記樹脂の層中にインプリントすることを有する方法。
- 基板上に、前記基板の表面に対して第1の高さh’2に置かれた最上部のパッド(600)を有する樹脂のナノパターン(610)、および同じ表面に対して高さh1’<h’2の、パターンの共通の延在方向に延在するパターン(610)、の配列を形成する段階を有することを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記パッドと相互接続ラインとの間に、コンタクトの形成段階をさらに有することを特徴とする請求項14に記載の方法。
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