JP2010226592A - 演算増幅器 - Google Patents
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Abstract
【課題】演算増幅器から出力される出力信号のスルーレートを向上することである。
【解決手段】本発明にかかる演算増幅器は、差動対に対して動作電流を供給する、第1の極性の第1のトランジスタ14を有する差動増幅回路入力段101と、前記第1の極性の第2のトランジスタ3と、前記第2のトランジスタ3と直列に接続された第2の極性の第3のトランジスタ5と、を有するプッシュプル増幅回路出力段と、を有するプッシュプル増幅回路出力段102と、前記第1のトランジスタ14のゲートと前記第2のトランジスタ3のゲートとを接続する容量素子16と、を備える。
【選択図】図1
【解決手段】本発明にかかる演算増幅器は、差動対に対して動作電流を供給する、第1の極性の第1のトランジスタ14を有する差動増幅回路入力段101と、前記第1の極性の第2のトランジスタ3と、前記第2のトランジスタ3と直列に接続された第2の極性の第3のトランジスタ5と、を有するプッシュプル増幅回路出力段と、を有するプッシュプル増幅回路出力段102と、前記第1のトランジスタ14のゲートと前記第2のトランジスタ3のゲートとを接続する容量素子16と、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、演算増幅器に関し、特に液晶ディスプレイの中で用いるLCD(Liquid Crystal Display)ソースドライバの駆動回路の演算増幅器に関する。
アクティブマトリックスタイプの液晶ディスプレイは、行方向および列方向にそれぞれ走査線およびデータ線を有し、走査線とデータ線の交点には画素が行列配置されている。各画素にはアクティブ素子 (Thin Film Transistor等で構成)が配置されている。アクティブ素子のゲート電極は走査線に接続され、ドレイン電極はデータ線に接続される。また、アクティブ素子のソース電極には、等価的に容量性負荷である液晶容量が接続されており、液晶容量のもう一方は共通電極線に接続される。これらの走査線およびデータ線には、それぞれ走査線駆動回路、データ線駆動回路が接続される。
液晶ディスプレイは、走査線駆動回路によって走査線を上から下に向かって順番に走査することにより、各画素に配置されているアクティブ素子を介して、データ線駆動回路から液晶容量に電圧を印加する。液晶ディスプレイは液晶容量に印加された電圧に応じて、液晶分子の配列が変化し、それにより、光の透過率が変化する。
公知の液晶ディスプレイにおいて、データ線からアクティブ素子を介して液晶容量に印加される電圧(以下、画素電圧)の極性は、所定の期間毎に反転する。つまり、画素は、交流的に駆動されるが、これは、液晶容量に対して一定の電圧を印加すると時間の経過と共に、その物理的な性質を劣化してしまうからである。ここで、極性とは、液晶の共通電極線の電圧(Vcom)を基準とした場合の画素電圧の正負を示す。例えば、画素の駆動において、1本の走査線を走査するたびに画素電圧の極性を反転するドット反転駆動方式や、2本の走査線を操作するたびに画素電圧の極性を反転する2ラインドット反転駆動方式などが知られている。
近年の液晶ディスプレイの大型化に応じて、液晶パネルの解像度と画面サイズが増加するようになった。液晶パネルの解像度と画面サイズの増加は、駆動するデータライン数と長さおよび1つのデータラインに接続する画素数の増加をもたらした。そして、これはLCDソースドライバが駆動するパネル負荷の増加につながる。LCDソースドライバの出力バッファが持つ特性パラメータのうち、スルーレートは目に見える画質の不良の可否を決める重要な特性パラメータである。つまり、負荷性容量の増加は、LCDソースドライバの出力スルーレートの劣化をもたらす。このために、より高い負荷を駆動するための出力バッファのスルーレート特性向上が必要である。
図8は、特許文献1に開示される演算増幅器の構成を示す回路図である。この演算増幅器は、プッシュプル駆動するAB級出力段を有する一般的な増幅器である。この回路は、差動増幅器1とPチャンネルMOSトランジスタ2、3とNチャンネルMOSトランジスタ4、5と定電圧源6、7と定電流源8、9とを備える。
出力端子VOUT1と差動増幅器1のマイナス入力は、ボルテージフォロア接続されている。差動増幅器1の出力AOUT1は、入力端子SIN1を増幅し、PチャンネルMOSトランジスタ2のドレインとNチャンネルMOSトランジスタ4のソースとNチャンネルMOSトランジスタ5のゲートと定電流源9とに接続される。
出力端子VOUT1と差動増幅器1のマイナス入力は、ボルテージフォロア接続されている。差動増幅器1の出力AOUT1は、入力端子SIN1を増幅し、PチャンネルMOSトランジスタ2のドレインとNチャンネルMOSトランジスタ4のソースとNチャンネルMOSトランジスタ5のゲートと定電流源9とに接続される。
定電流源9のもう一端は、負電圧電源VSSに接続される。NチャンネルMOSトランジスタ5のソースは負電圧電源VSSに接続され、ドレインは出力端子VOUT1とPチャンネルMOSトランジスタ3のドレインと差動増幅器1のマイナス入力に接続される。PチャンネルMOSトランジスタ3のソースは正電源電圧VDDに接続され、ゲートは定電流源8とPチャンネルMOSトランジスタ2のソースとNチャンネルMOSトランジスタ4のドレインに接続され、ドレインは出力端子VOUT1とNチャンネルMOSトランジスタ5のドレインと差動増幅器1のマイナス入力に接続される。
定電流源8のもう一端は正電圧電源VDDに接続される。PチャンネルMOSトランジスタ2のゲートは定電圧源6を介して正電圧電源VDDに接続され、正電圧電源VDDより一定の電圧だけ低くバイアスされる。NチャンネルMOSトランジスタ4のゲートは、定電圧源7を介して負電圧電源VSSに接続され、負電圧電源VSSより一定の電圧だけ高くバイアスされる。
次に、図8に示す回路の動作について説明する。図8において、出力段の出力端子VOUT1は差動増幅器1の入力SIN1に応答する。直列に接続されたPチャンネルMOSトランジスタ3とNチャンネルMOSトランジスタ5は、両方が同じ零入力電流(I1=I2)を流す。
定電流源8は、正電圧電源VDDからPチャンネルMOSトランジスタ3のゲートが接続しているノードにI3を流す。I3は2つの部分I4及びI5に分流され、これらはそれぞれPチャンネルMOSトランジスタ2とNチャンネルMOSトランジスタ4に流れる。PチャンネルMOSトランジスタ2とNチャンネルMOSトランジスタ4は、PチャンネルMOSトランジスタ3とNチャンネルMOSトランジスタ5のゲート間に接続されている相補トランジスタである。
定電流源9は、NチャンネルMOSトランジスタ5のゲートが接続しているノードから負電圧電源VSSへI6を流す。差動増幅器1は、I6の一部分として定電流源9内を流れる電流I7を復調する(I6=I4+I5+I7)。
定電流源8、9によるバイアス構造は、PチャンネルMOSトランジスタ2とNチャンネルMOSトランジスタ4を共通ゲート単位利得レベルシフタとして動作させる。
定電流源8、9によるバイアス構造は、PチャンネルMOSトランジスタ2とNチャンネルMOSトランジスタ4を共通ゲート単位利得レベルシフタとして動作させる。
差動増幅器1がI7を変調する際に、NチャンネルMOSトランジスタ5のゲート電位が変化し、これによりI2が変化する。つまり、I7が増大するにつれて、NチャンネルMOSトランジスタ5のゲート電位が上昇する。ここで、I6は一定であるのでI5が減少する。これがPチャンネルMOSトランジスタ3のゲートの電位を上昇させるため、I1が減少して、その結果出力端子VOUT1が電流を減衰させる。NチャンネルMOSトランジスタ4のドレインがPチャンネルMOSトランジスタ2のソースと接続しているため、共通ゲート接続がNチャンネルMOSトランジスタ5のゲートからPチャンネルMOSトランジスタ3のゲートへ単位利得を発生する。
反対に差動増幅器1がI7を減少させるにしたがって、I5は増加する。これにより、NチャンネルMOSトランジスタ5のゲート電位が低下し、I2が減少する。NチャンネルMOSトランジスタ4の動作はPチャンネルMOSトランジスタ3のゲート電位を低下させ、これによりI1を増大し、その結果出力端子VOUT1が電流を供給する。以上のように、PチャンネルMOSトランジスタ3とNチャンネルMOSトランジスタ5はプッシュプル駆動をする。
次に、差動増幅器の従来例を図9に示す。この差動増幅器は、差動対を構成するPチャンネルMOSトランジスタ10、11と、カレントミラー回路を構成するNチャンネルMOSトランジスタ12、13と、定電流源として動作するPチャンネルMOSトランジスタ14とを備える。PチャンネルMOSトランジスタ10、11のゲートは、それぞれ反転入力端子Vin(−)、正転入力端子Vin(+)に接続される。反転入力端子Vin(−)は、図8に示される差動増幅器1のマイナス入力であり、出力端子VOUT1とボルテージフォロア接続される。定電流源として動作するPチャンネルMOSトランジスタ14のソースは正電圧電源VDDに接続され、ドレインはPチャンネルMOSトランジスタ10、11のソースに接続され、ゲートはバイアス電源BP1に接続され一定のドレイン電流I8を流す。
NチャンネルMOSトランジスタ12のソースは負電圧電源VSSに接続され、ゲートとドレインはPチャンネルMOSトランジスタ10のドレインに接続される。NチャンネルMOSトランジスタ13のソースは負電圧電源VSSに接続され、ゲートはNチャンネルMOSトランジスタ12のゲートに接続され、ドレインはPチャンネルMOSトランジスタ11のドレインに接続される。このPチャンネルMOSトランジスタ11のドレインとNチャンネルMOSトランジスタ13とが接続されるノードは、差動増幅器の出力端子AOUT1となる。出力端子AOUT1は差動増幅器1の出力であり、図8に示される増幅器のNチャンネルMOSトランジスタ5のゲートに接続される。
次に、図9に示す差動増幅器の動作について説明する。図9の差動増幅器において、反転入力端子Vin(−)と正転入力端子Vin(+)とに印加される差動入力信号は、差動対を構成するPチャンネルMOSトランジスタ10、11で受けられる。差動対の出力は、PチャンネルMOSトランジスタ10、11のドレインに現れる。その差動信号は能動負荷の働きをするカレントミラー回路のNチャンネルMOSトランジスタ12、13に入力される。NチャンネルMOSトランジスタ12、13は、差動出力信号をシングルエンド信号に変換する。シングルエンド信号に変換された信号がこの増幅器の出力信号となり、出力端子AOUT1から出力される。
図10に従来の演算増幅器と差動増幅器を組み合わせた回路図を示す。この時、PチャンネルMOSトランジスタ14のゲートとドレインとの間には寄生容量15が存在する。
図11に出力端子VOUT1の立ち上がり、立ち下がり動作時の波形を示す。
図11に出力端子VOUT1の立ち上がり、立ち下がり動作時の波形を示す。
出力端子VOUT1の立ち上がり動作の際、反転入力端子Vin(−)と正転入力端子Vin(+)の電位が大きく上昇し、それに伴いノード1の電位が上昇する。ノード1の電位が上昇することで、寄生容量15を介してPチャンネルMOSトランジスタ14のゲートの電位(ノードBP1)も上昇する。一時的にPチャンネルMOSトランジスタ14のゲートの電位が上昇することで、PチャンネルMOSトランジスタ14のゲートとソースとの間の電位差が小さくなり、バイアス電流I8が減少して、スルーレートが低下する。
つまり、図11に示すように、出力端子VOUTの立ち上がり動作時にPチャンネルMOSトランジスタ14のゲートの電位(ノードBP1)が上昇し、これに伴いVOUT1のスルーレートが低下している。
反対に、出力端子VOUT1の立ち下がり動作の際には、反転入力端子Vin(−)と正転入力端子Vin(+)の電位が下がり、それに伴いノード1の電位が下降する。ノード1の電位が下降することで、寄生容量15を介してPチャンネルMOSトランジスタ14のゲートの電位も下降する。一時的にPチャンネルMOSトランジスタ14のゲートの電位が下降することで、PチャンネルMOSトランジスタ14のゲートとソースとの間の電位差が大きくなり、バイアス電流I8が増加して、スルーレートが向上する。
すなわち、図10の回路では、寄生容量15の影響により、出力立ち下がり動作時にスルーレートは向上するが、立ち上がり動作時にバイアス電流が減少し、スルーレートが低下するという課題がある。
例えば液晶ディスプレイでは、LCDソースドライバの出力立ち上がり時と立ち下がり時のスルーレートが異なることにより、縦線やBLOCK DIMなどの表示不具合を引き起こす可能性がある。
この例では、PチャンネルMOSトランジスタによる差動増幅回路の場合について説明したが、NチャンネルMOSトランジスタによる差動増幅回路では、同じ原理により、出力の立ち下がり時に同様のスルーレート低下が発生する。
例えば液晶ディスプレイでは、LCDソースドライバの出力立ち上がり時と立ち下がり時のスルーレートが異なることにより、縦線やBLOCK DIMなどの表示不具合を引き起こす可能性がある。
この例では、PチャンネルMOSトランジスタによる差動増幅回路の場合について説明したが、NチャンネルMOSトランジスタによる差動増幅回路では、同じ原理により、出力の立ち下がり時に同様のスルーレート低下が発生する。
本発明にかかる演算増幅器は、差動対に対して動作電流を供給する、第1の極性の第1のトランジスタを有する差動増幅回路入力段と、前記第1の極性の第2のトランジスタと、前記第2のトランジスタと直列に接続された第2の極性の第3のトランジスタと、を有するプッシュプル増幅回路出力段と、前記第1のトランジスタのゲートと前記第2のトランジスタのゲートとを接続する容量素子と、を備える。
このような構成により、寄生容量に起因する第1のトランジスタの電圧変動を、第2のトランジスタの電圧変動を用いて抑えることができ、出力信号のスルーレートを向上させることができる。
本発明により、演算増幅器から出力される出力信号のスルーレートを向上させることができる。
発明の実施の形態1.
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図1は本発明の実施の形態1にかかる演算増幅器の回路図である。図1に示す回路は、差動増幅回路入力段101とプッシュプル増幅回路出力段102とで構成される。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図1は本発明の実施の形態1にかかる演算増幅器の回路図である。図1に示す回路は、差動増幅回路入力段101とプッシュプル増幅回路出力段102とで構成される。
差動増幅回路入力段101は、差動対を構成するPチャンネルMOSトランジスタ10、11と、カレントミラー回路を構成するNチャンネルMOSトランジスタ12、13と、定電流源として動作するPチャンネルMOSトランジスタ14(第1のトランジスタ)とで構成される。PチャンネルMOSトランジスタ10、11のゲートは、それぞれ反転入力端子Vin(−)、正転入力端子Vin(+)に接続される。反転入力端子Vin(−)は、出力端子VOUT1とボルテージフォロア接続される。定電流源として動作するPチャンネルMOSトランジスタ14のソースは正電圧電源VDDに接続され、ドレインはPチャンネルMOSトランジスタ10、11のソースに接続され、ゲートはバイアス電源BP1に接続され一定のドレイン電流を流す。
NチャンネルMOSトランジスタ12のソースは負電圧電源VSSに接続され、ゲートとドレインはPチャンネルMOSトランジスタ10のドレインに接続される。NチャンネルMOSトランジスタ13のソースは負電圧電源VSSに接続され、ゲートはNチャンネルMOSトランジスタ12のゲートに接続され、ドレインはPチャンネルMOSトランジスタ11のドレインに接続される。このPチャンネルMOSトランジスタ11のドレインとNチャンネルMOSトランジスタ13のドレインとが接続されるノードは、差動増幅回路入力段101の出力端子AOUT1となる。出力端子AOUT1は増幅器のNチャンネルMOSトランジスタ5のゲートに接続される。
次に、プッシュプル増幅回路出力段102について説明する。プッシュプル増幅回路出力段102は、PチャンネルMOSトランジスタ2、PチャンネルMOSトランジスタ3(第2のトランジスタ)とNチャンネルMOSトランジスタ4、NチャンネルMOSトランジスタ5(第3のトランジスタ)と定電圧源6、7と定電流源8、9とで構成される。
出力端子VOUT1と差動増幅回路入力段101の反転入力端子Vin(−)は、ボルテージフォロア接続されている。差動増幅回路入力段101の出力AOUT1は、PチャンネルMOSトランジスタ2のドレインとNチャンネルMOSトランジスタ4のソースとNチャンネルMOSトランジスタ5のゲートと定電流源9とに接続される。定電流源9のもう一端は、負電圧電源VSSに接続される。
NチャンネルMOSトランジスタ5のソースは負電圧電源VSSに接続され、ドレインは出力端子VOUT1とPチャンネルMOSトランジスタ3のドレインと差動増幅回路入力段101の反転入力端子Vin(−)に接続される。
PチャンネルMOSトランジスタ3のソースは正電源電圧VDDに接続され、ゲートは定電流源8とPチャンネルMOSトランジスタ2のソースとNチャンネルMOSトランジスタ4のドレインに接続され、ドレインは出力端子VOUT1とNチャンネルMOSトランジスタ5のドレインと差動増幅回路入力段101の反転入力端子Vin(−)に接続される。
定電流源8のもう一端は正電圧電源VDDに接続される。PチャンネルMOSトランジスタ2のゲートは定電圧源6を介して正電圧電源VDDに接続され、正電圧電源VDDより一定の電圧だけ低くバイアスされる。NチャンネルMOSトランジスタ4のゲートは、定電圧源7を介して負電圧電源VSSに接続され、負電圧電源VSSより一定の電圧だけ高くバイアスされる。
そして、本実施形態にかかる演算増幅器では、差動増幅回路入力段101のPチャンネルMOSトランジスタ14のゲート(ノードBP1)と、プッシュプル増幅回路出力段102を構成するPチャンネルMOSトランジスタ3のゲート(ノードP3G)とを容量素子16を介して接続している。
ここで、容量素子16を介して接続されるMOSトランジスタ同士は同じ極性となるように構成されている。つまり、本実施形態においては差動増幅回路入力段のMOSトランジスタ14の極性とプッシュプル増幅回路出力段102を構成するMOSトランジスタ3の極性は同じ極性(Pチャネル)となるように構成している。
なお、容量素子16を介して接続されるMOSトランジスタ同士は逆の極性となるように構成してもよい。この場合、例えば、PチャンネルのMOSトランジスタ14のゲートとNチャンネルのMOSトランジスタ5のゲートを容量素子を介して接続するとともに、MOSトランジスタ14のゲートとMOSトランジスタ3のゲートとの間に電位を反転させる回路を設けるような構成とする。
次に、図1に示す演算増幅器の動作について説明する。
差動増幅回路入力段101において、反転入力端子Vin(−)と正転入力端子Vin(+)とに印加される差動入力信号は、差動対を構成するPチャンネルMOSトランジスタ10、11で受けられる。差動対の出力は、PチャンネルMOSトランジスタ10、11のドレインに現れる。その差動信号は能動負荷の働きをするカレントミラー回路のNチャンネルMOSトランジスタ12、13に入力される。NチャンネルMOSトランジスタ12、13は、差動出力信号をシングルエンド信号に変換する。シングルエンド信号に変換された信号がこの増幅器の出力信号となり、出力端子AOUT1から出力される。
差動増幅回路入力段101において、反転入力端子Vin(−)と正転入力端子Vin(+)とに印加される差動入力信号は、差動対を構成するPチャンネルMOSトランジスタ10、11で受けられる。差動対の出力は、PチャンネルMOSトランジスタ10、11のドレインに現れる。その差動信号は能動負荷の働きをするカレントミラー回路のNチャンネルMOSトランジスタ12、13に入力される。NチャンネルMOSトランジスタ12、13は、差動出力信号をシングルエンド信号に変換する。シングルエンド信号に変換された信号がこの増幅器の出力信号となり、出力端子AOUT1から出力される。
次に、プッシュプル増幅回路出力段102の動作について説明する。プッシュプル増幅回路出力段102において、出力段の出力端子VOUT1は差動増幅回路入力段101の入力SIN1に応答する。直列に接続されたPチャンネルMOSトランジスタ3とNチャンネルMOSトランジスタ5は、両方が同じ零入力電流(I1=I2)を流す。
定電流源8は、正電圧電源VDDからPチャンネルMOSトランジスタ3のゲートが接続しているノードにI3を流す。I3は2つの部分I4及びI5に分流され、これらはそれぞれPチャンネルMOSトランジスタ2とNチャンネルMOSトランジスタ4に流れる。PチャンネルMOSトランジスタ2とNチャンネルMOSトランジスタ4は、PチャンネルMOSトランジスタ3とNチャンネルMOSトランジスタ5のゲート間に接続されている相補トランジスタである。
定電流源9は、NチャンネルMOSトランジスタ5のゲートが接続しているノードから負電圧電源VSSへI6を流す。差動増幅回路入力段101は、I6の一部分として定電流源9内を流れる電流I7を復調する(I6=I4+I5+I7)。
定電流源8、9によるバイアス構造は、PチャンネルMOSトランジスタ2とNチャンネルMOSトランジスタ4を共通ゲート単位利得レベルシフタとして動作させる。
定電流源8、9によるバイアス構造は、PチャンネルMOSトランジスタ2とNチャンネルMOSトランジスタ4を共通ゲート単位利得レベルシフタとして動作させる。
差動増幅回路入力段101がI7を変調する際に、NチャンネルMOSトランジスタ5のゲート電位が変化し、これによりI2が変化する。つまり、I7が増大するにつれて、NチャンネルMOSトランジスタ5のゲート電位が上昇する。ここで、I6は一定であるのでI5が減少する。これがPチャンネルMOSトランジスタ3のゲートの電位を上昇させるため、I1が減少して、その結果出力端子VOUT1が電流を減衰させる。NチャンネルMOSトランジスタ4のドレインがPチャンネルMOSトランジスタ2のソースと接続しているため、共通ゲート接続がNチャンネルMOSトランジスタ5のゲートからPチャンネルMOSトランジスタ3のゲートへ単位利得を発生する。
反対に差動増幅回路入力段101がI7を減少させるにしたがって、I5は増加する。これにより、NチャンネルMOSトランジスタ5のゲート電位が低下し、I2が減少する。NチャンネルMOSトランジスタ4の動作はPチャンネルMOSトランジスタ3のゲート電位を低下させ、これによりI1を増大し、その結果出力端子VOUT1が電流を供給する。以上のように、PチャンネルMOSトランジスタ3とNチャンネルMOSトランジスタ5はプッシュプル駆動をする。
尚、差動増幅回路入力段101とプッシュプル増幅回路出力段102の動作は、基本的には図8、図9で説明した動作と同様である。
尚、差動増幅回路入力段101とプッシュプル増幅回路出力段102の動作は、基本的には図8、図9で説明した動作と同様である。
次に、図1および図2を用いてVOUT1の立ち上がり及び立ち下がりの動作について説明する。図2は本実施形態にかかる演算増幅器の出力波形を示す図であり、それぞれBP1、P3G、VOUT1の時間と電圧の関係を示している。
出力端子VOUT1の立ち上がり動作の際、反転入力端子Vin(−)と正転入力端子Vin(+)の電位が大きく上昇し、それに伴いノード1の電位が上昇する。ノード1の電位が上昇することで、寄生容量15を介してPチャンネルMOSトランジスタ14のゲートの電位も上昇する。
出力端子VOUT1の立ち上がり動作の際、反転入力端子Vin(−)と正転入力端子Vin(+)の電位が大きく上昇し、それに伴いノード1の電位が上昇する。ノード1の電位が上昇することで、寄生容量15を介してPチャンネルMOSトランジスタ14のゲートの電位も上昇する。
一方、出力端子VOUT1の立ち上がり動作の際、プッシュプル増幅回路出力段102のPチャンネルMOSトランジスタ3のゲート電位(ノードP3G)が下がる。ここで、差動増幅回路入力段101のPチャンネルMOSトランジスタ14のゲート(ノードBP1)と、プッシュプル増幅回路出力段102を構成するPチャンネルMOSトランジスタ3のゲート(ノードP3G)は容量素子16を介して接続されている。
この場合、PチャンネルMOSトランジスタ14のゲート電位(ノードBP1)は容量素子16を介して引き下げられる。したがって、PチャンネルMOSトランジスタ14のゲート電位は、PチャンネルMOSトランジスタ3とPチャンネルMOSトランジスタ14を接続しない場合と比べて、低くなる。
つまり、寄生容量15に起因して電位が上昇したPチャンネルMOSトランジスタ14のゲートに、PチャンネルMOSトランジスタ3のゲート(ノードP3G)を用いて、逆相の電位(差動増幅回路入力段101へ入力される入力信号SIN1と逆に変動する電位)を印加することで、PチャンネルMOSトランジスタ14のゲート電位を引き下げることができる。
この時、PチャンネルMOSトランジスタ3のゲート(ノードP3G)と接続される側の容量素子16の端子には、差動増幅回路入力段101に入力される入力信号SIN1の電位と逆に変動する電位が供給される。
これにより、定電流源のPチャンネルMOSトランジスタ14のゲートとソースとの間の電位差を大きくすることができ、バイアス電流値が大きくなり、高スルーレートとなる。
この時、PチャンネルMOSトランジスタ3のゲート(ノードP3G)と接続される側の容量素子16の端子には、差動増幅回路入力段101に入力される入力信号SIN1の電位と逆に変動する電位が供給される。
これにより、定電流源のPチャンネルMOSトランジスタ14のゲートとソースとの間の電位差を大きくすることができ、バイアス電流値が大きくなり、高スルーレートとなる。
ここで、図2(PチャンネルMOSトランジスタ3とPチャンネルMOSトランジスタ14を接続した場合)と図11(PチャンネルMOSトランジスタ3とPチャンネルMOSトランジスタ14を接続しない場合)を比較すると、図11では立ち上がりの際にノードBP1が上昇している。しかし、図2では立ち上がりの際にノードP3Gが低下していることからノードBP1も低下している。したがって、図2では図6の場合と比べると、出力VOUT1の立ち上がりにおけるスルーレートが向上している。
反対に、出力端子VOUT1の立ち下がり動作の際には、反転入力端子Vin(−)と正転入力端子Vin(+)の電位が下がり、それに伴いノード1の電位が下降する。ノード1の電位が下降することで、寄生容量15を介してPチャンネルMOSトランジスタ14のゲートの電位(ノードBP1)も下降する。一時的にPチャンネルMOSトランジスタ14のゲートの電位が下降することで、PチャンネルMOSトランジスタ14のゲートとソースとの間の電位差が大きくなり、バイアス電流が増加して、スルーレートが向上する。このとき、出力段のPチャンネルMOSトランジスタ3のゲート電位(ノードP3G)は変動しないため、容量素子16は差動増幅回路入力段101の定電流源のPチャンネルMOSトランジスタ14のゲート電位(ノードBP1)に影響しない。
本実施形態にかかる発明では、プッシュプル増幅回路出力段102のPチャンネルMOSトランジスタ3のゲートと差動増幅回路入力段101の定電流源のPチャンネルMOSトランジスタ14のゲートとの間に容量素子16を設けることで、寄生容量15による出力立ち下がり時のスルーレート向上を損なわずに、出力立ち上がり時のスルーレートの低下を改善することができる。
つまり、本実施形態にかかる発明では、プッシュプル増幅回路出力段102からの出力信号が変動する際に、差動増幅回路入力段101の定電流源の電流値が小さくなることを防止することができ、出力信号のスルーレートが出力の変化方向によって減少することによる特性劣化を防ぐことができる。
つまり、本実施形態にかかる発明では、プッシュプル増幅回路出力段102からの出力信号が変動する際に、差動増幅回路入力段101の定電流源の電流値が小さくなることを防止することができ、出力信号のスルーレートが出力の変化方向によって減少することによる特性劣化を防ぐことができる。
尚、本実施形態ではプッシュプル増幅回路出力段102に差動出力電圧をレベルシフトして出力するレベルシフト回路(定電流源8、9、PチャンネルMOSトランジスタ2、NチャンネルMOSトランジスタ4で構成)を有し、プッシュプル出力回路は、差動出力電圧とレベルシフトされた電圧とに基づいて駆動している。しかし、レベルシフト回路は本実施形態にかかる発明において必ずしも必要な構成要素ではなく、必要に応じて省略することもできる。レベルシフト回路を省略した場合は、プッシュプル出力回路は差動出力電圧に基づいて駆動する。
また、PチャンネルMOSトランジスタ14のゲート(ノードBP1)と、PチャンネルMOSトランジスタ3のゲート(ノードP3G)を接続する容量素子16の容量は、微少なもので充分な効果を得ることができる。
例えば、図5に示すように、バイアス配線(ノードBP1)と出力段トランジスタ(PチャンネルMOSトランジスタ3)のゲートをレイアウトにより容量カップリングさせることで、レイアウト面積を増やすことなくスルーレートを向上することができる。
また、例えば、図6、図7に示すように、バイアス配線(ノードBP1)と出力段トランジスタ(PチャンネルMOSトランジスタ3)のゲートに接続するノード(P3G)をレイアウトにより容量カップリングさせることで、レイアウト面積を増やすことなくスルーレートを向上することもできる。
発明の実施の形態2.
図3は本発明の実施の形態2にかかる演算増幅器の回路図である。図3に示す回路も図1に示す回路と同様、差動増幅回路入力段101とプッシュプル増幅回路出力段102とで構成される。図3において、図1を用いて説明した部分と同じ部分に関しては同一の符号を付しその説明を省略する。
図3は本発明の実施の形態2にかかる演算増幅器の回路図である。図3に示す回路も図1に示す回路と同様、差動増幅回路入力段101とプッシュプル増幅回路出力段102とで構成される。図3において、図1を用いて説明した部分と同じ部分に関しては同一の符号を付しその説明を省略する。
図1と異なる点は、差動増幅回路入力段101の差動対をNチャンネルMOSトランジスタ19、20で構成し、カレントミラー回路をPチャンネルMOSトランジスタ17、18で構成し、定電流源として動作するトランジスタ21(第1のトランジスタ)をNチャンネルMOSトランジスタで構成した点である。このとき、NチャンネルMOSトランジスタ21のゲートは、容量素子23を介してNチャンネルトランジスタ35(第2のトランジスタ)のゲートと接続されている。また、出力端子AOUT2はPチャンネルトランジスタ33(第3のトランジスタ)のゲートと接続されている。
つまり、本発明の実施の形態2にかかる演算増幅器は、実施の形態1の差動増幅器をN受け差動増幅器に変更し、その出力をプッシュプル増幅回路出力段102のPチャンネルMOSトランジスタ33のゲートに接続したものである。動作に関しては、実施の形態1の動作と反対の動作、つまり図4に示すような動作となる。
本発明の実施の形態2にかかる演算増幅器の差動増幅回路入力段101について説明する。
NチャンネルMOSトランジスタ19、20のゲートは、それぞれ反転入力端子Vin(−)、正転入力端子Vin(+)に接続される。反転入力端子Vin(−)は、出力端子VOUT2とボルテージフォロア接続される。定電流源として動作するNチャンネルMOSトランジスタ21のソースは負電圧電源VSSに接続され、ドレインはNチャンネルMOSトランジスタ19、20のソースに接続され、ゲートはバイアス電源BN1に接続され一定のドレイン電流を流す。
NチャンネルMOSトランジスタ19、20のゲートは、それぞれ反転入力端子Vin(−)、正転入力端子Vin(+)に接続される。反転入力端子Vin(−)は、出力端子VOUT2とボルテージフォロア接続される。定電流源として動作するNチャンネルMOSトランジスタ21のソースは負電圧電源VSSに接続され、ドレインはNチャンネルMOSトランジスタ19、20のソースに接続され、ゲートはバイアス電源BN1に接続され一定のドレイン電流を流す。
PチャンネルMOSトランジスタ17のソースは正電圧電源VDDに接続され、ゲートとドレインはNチャンネルMOSトランジスタ19のドレインに接続される。PチャンネルMOSトランジスタ18のソースは正電圧電源VDDに接続され、ゲートはPチャンネルMOSトランジスタ17のゲートに接続され、ドレインはNチャンネルMOSトランジスタ20のドレインに接続される。このNチャンネルMOSトランジスタ20のドレインとPチャンネルMOSトランジスタ18とが接続されるノードは、差動増幅回路入力段101の出力端子AOUT2となる。出力端子AOUT2は増幅器のPチャンネルMOSトランジスタ33のゲートに接続される。
尚、本実施形態のプッシュプル増幅回路は実施の形態1のプッシュプル増幅回路と同様であるので説明を省略する。
次に、図3および図4を用いてVOUT2の立ち上がり及び立ち下がりの動作について説明する。図4は本実施形態にかかる演算増幅器の出力波形を示す図であり、それぞれBN1、N5G、VOUT2の時間と電圧の関係を示している。
出力端子VOUT2の立ち上がり動作の際には、反転入力端子Vin(−)と正転入力端子Vin(+)の電位が上がり、それに伴いノード2の電位が上昇する。ノード2の電位が上昇することで、寄生容量22を介してNチャンネルMOSトランジスタ21のゲートの電位(ノードBN1)も上昇する。一時的にNチャンネルMOSトランジスタ21のゲートの電位が上昇することで、NチャンネルMOSトランジスタ21のゲートとソースとの間の電位差が大きくなり、バイアス電流が増加して、スルーレートが向上する。このとき、出力段のNチャンネルMOSトランジスタ35のゲート電位(ノードN5G)は変動しないため、容量素子23は差動増幅回路入力段101の定電流源のPチャンネルMOSトランジスタ21のゲート電位(ノードBN1)に影響しない。
一方、出力端子VOUT2の立ち下がり動作の際、反転入力端子Vin(−)と正転入力端子Vin(+)の電位が大きく下降し、それに伴いノード2の電位が下降する。ノード2の電位が下降することで、寄生容量22を介してNチャンネルMOSトランジスタ21のゲートの電位も下降する。
また、出力端子VOUT2の立ち下がり動作のタイミングで、プッシュプル増幅回路出力段102のNチャンネルMOSトランジスタ35のゲート電位(ノードN5G)が上がる。ここで、差動増幅回路入力段101のNチャンネルMOSトランジスタ21のゲート(ノードBN1)と、プッシュプル増幅回路出力段102を構成するNチャンネルMOSトランジスタ35のゲート(ノードN5G)は容量素子23を介して接続されている。
したがって、この場合はNチャンネルMOSトランジスタ21のゲート電位(ノードBN1)は容量素子23を介して引き上げられる。よって、NチャンネルMOSトランジスタ21のゲート電位は、NチャンネルMOSトランジスタ35とNチャンネルMOSトランジスタ21を接続しない場合と比べて、高くなる。
したがって、この場合はNチャンネルMOSトランジスタ21のゲート電位(ノードBN1)は容量素子23を介して引き上げられる。よって、NチャンネルMOSトランジスタ21のゲート電位は、NチャンネルMOSトランジスタ35とNチャンネルMOSトランジスタ21を接続しない場合と比べて、高くなる。
つまり、寄生容量22に起因して電位が下降したNチャンネルMOSトランジスタ21のゲートに、NチャンネルMOSトランジスタ35のゲート(ノードN5G)を用いて、逆相の電位(差動増幅回路入力段101へ入力される入力信号SIN2と逆に変動する電位)を印加することで、NチャンネルMOSトランジスタ21のゲート電位を引き上げることができる。この時、NチャンネルMOSトランジスタ35のゲート(ノードN5G)と接続される側の容量素子23の端子に対して、差動増幅回路入力段101に入力される入力信号SIN2の電位と逆に変動する電位が供給される。
これにより、定電流源のNチャンネルMOSトランジスタ21のゲートとソースとの間の電位差を大きくすることができ、バイアス電流値が大きくなり、高スルーレートとなる。
これにより、定電流源のNチャンネルMOSトランジスタ21のゲートとソースとの間の電位差を大きくすることができ、バイアス電流値が大きくなり、高スルーレートとなる。
本実施形態にかかる発明では、プッシュプル増幅回路出力段102のNチャンネルMOSトランジスタ35のゲートと差動増幅回路入力段101の定電流源のNチャンネルMOSトランジスタ21のゲートとの間に容量素子23を設けることで、寄生容量22による出力立ち上がり時のスルーレート向上を損なわずに、出力立ち下がり時のスルーレートの低下を上記の動作説明に示すように改善することができる。これにより、出力の立ち上がりと立ち下がりのいずれの動作においても高いスルーレートが得られる。
尚、本実施形態ではプッシュプル増幅回路出力段102に差動出力電圧をレベルシフトして出力するレベルシフト回路(定電流源8、9、PチャンネルMOSトランジスタ2、NチャンネルMOSトランジスタ4で構成)を有し、プッシュプル出力回路は、差動出力電圧とレベルシフトされた電圧とに基づいて駆動する。しかし、レベルシフト回路は本実施形態にかかる発明において必ずしも必要な構成要素ではなく、必要に応じて省略することもできる。レベルシフト回路を省略した場合は、プッシュプル出力回路は差動出力電圧に基づいて駆動する。
また、NチャンネルMOSトランジスタ21のゲート(ノードBN1)と、NチャンネルMOSトランジスタ35のゲート(ノードN5G)を接続する容量素子23の容量は、微少なもので充分な効果を得ることができる。
例えば、図5に示すように、バイアス配線(ノードBN1)と出力段トランジスタ(NチャンネルMOSトランジスタ35)のゲートをレイアウトにより容量カップリングさせることで、レイアウト面積を増やすことなくスルーレートを向上することができる。
また、例えば、図6、図7に示すように、バイアス配線(ノードBN1)と出力段トランジスタ(NチャンネルMOSトランジスタ35)のゲートに接続するノード(N5G)をレイアウトにより容量カップリングさせることで、レイアウト面積を増やすことなくスルーレートを向上することもできる。
以上、本発明を上記実施形態に即して説明したが、上記実施形態の構成にのみ限定されるものではなく、本願特許請求の範囲の請求項の発明の範囲内で当業者であればなし得るであろう各種変形、修正、組み合わせを含むことは勿論である。
3 PチャンネルMOSトランジスタ(第2のトランジスタ)
5 NチャンネルMOSトランジスタ(第3のトランジスタ)
14 PチャンネルMOSトランジスタ(第1のトランジスタ)
15 寄生容量
16 容量素子
101 差動増幅回路入力段
102 プッシュプル増幅回路出力段
5 NチャンネルMOSトランジスタ(第3のトランジスタ)
14 PチャンネルMOSトランジスタ(第1のトランジスタ)
15 寄生容量
16 容量素子
101 差動増幅回路入力段
102 プッシュプル増幅回路出力段
Claims (6)
- 差動対に対して動作電流を供給する、第1の極性の第1のトランジスタを有する差動増幅回路入力段と、
前記第1の極性の第2のトランジスタと、前記第2のトランジスタと直列に接続された第2の極性の第3のトランジスタと、を有するプッシュプル増幅回路出力段と、
前記第1のトランジスタのゲートと前記第2のトランジスタのゲートとを接続する容量素子とを備えた演算増幅器。 - 差動対に対して動作電流を供給する第1のトランジスタを有する差動増幅回路入力段と、
各々極性が異なる第2のトランジスタと第3のトランジスタとを直列に接続して構成されたプッシュプル増幅回路出力段と、
前記第1のトランジスタのゲートと前記第2又は第3のトランジスタのいずれか一方のトランジスタのゲートとを接続する容量素子とを備え、
前記第2又は第3のトランジスタのいずれか一方のトランジスタのゲートと接続される容量素子の端子に対して、前記差動増幅回路入力段に入力される入力信号の電位と逆に変動する電位が供給される演算増幅器。 - 前記第1のトランジスタのゲートと容量素子を介して接続されるトランジスタは、当該第1のトランジスタと同じ極性である請求項2に記載の演算増幅器。
- 前記プッシュプル増幅回路出力段は、前記差動出力電圧をレベルシフトして出力するレベルシフト回路を有し、前記プッシュプル増幅回路出力段は、前記差動出力電圧と前記レベルシフトされた電圧とに基づいて駆動する請求項1乃至3のいずれか1項に記載の演算増幅器。
- 前記差動増幅回路入力段はPチャンネルMOSトランジスタで構成される差動対を有し、前記第1及び第2のトランジスタはPチャンネルMOSトランジスタで構成され、前記第3のトランジスタはNチャンネルMOSトランジスタで構成され、
差動増幅回路入力段からの出力信号の立ち上がり時に、前記第2のトランジスタのゲートから前記第1のトランジスタのゲートに対して負の電位が供給される請求項1又は2に記載の演算増幅器。 - 前記差動増幅回路入力段はNチャンネルMOSトランジスタで構成される差動対を有し、前記第1及び第2のトランジスタはNチャンネルMOSトランジスタで構成され、前記第3のトランジスタはPチャンネルMOSトランジスタで構成され、
差動増幅回路入力段からの出力信号の立ち下がり時に、前記第2のトランジスタのゲートから前記第1のトランジスタのゲートに対して正の電位が供給される請求項1又は2に記載の演算増幅器。
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