JP2010225743A - 気相成長装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フローチャンネル13の基板対向壁13bに、ビューポート20を介して基板面を光学的に観測する際の光路となる通孔13cを設け、前記基板対向壁とチャンバーの内側面との間に光路部24aを有する冷却手段24を配置し、該冷却手段と前記基板対向壁との間にパージガス流路25を設け、該パージガス流路内に、前記フローチャンネル内を流れる原料ガスAの流れ方向と同一方向で、実質的に同一速度、同一圧力で、かつ、層流状態でパージガスPを流すためのパージガス導入手段25aを設ける。
【選択図】図1
Description
Claims (4)
- チャンバーと、該チャンバー内に配置されたフローチャンネルと、該フローチャンネル内に設置された基板と、該基板を加熱する加熱手段と、前記フローチャンネル内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、前記チャンバーに設けられたビューポートとを備えた気相成長装置において、前記フローチャンネルの基板対向壁に、前記ビューポートを介して基板面を光学的に観測する際の光路となる通孔を設け、前記基板対向壁とチャンバーの内側面との間に光路部を有する冷却手段を配置し、該冷却手段と前記基板対向壁との間にパージガス流路を設け、該パージガス流路内に、前記フローチャンネル内を流れる原料ガスの流れ方向と同一方向で、実質的に同一速度、同一圧力で、かつ、層流状態でパージガスを流すためのパージガス導入手段を設けたことを特徴とする気相成長装置。
- 前記ビューポートは、該ビューポート内にパージガスを導入するビューポート用パージガス導入手段を備えていることを特徴とする請求項1記載の気相成長装置。
- 前記冷却手段は、前記基板を保持して前記加熱手段により加熱されるサセプタの大きさに対応した大きさを有していることを特徴とする請求項1又は2記載の気相成長装置。
- 前記基板は、回転するサセプタの中心から等距離の位置に周方向に複数が設けられ、前記反応ガスは、前記回転するサセプタの回転中心からサセプタ外周に向かって流れることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の気相成長装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2009
- 2009-03-23 JP JP2009069815A patent/JP2010225743A/ja active Pending
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