JP2010258383A - Mocvd装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のMOCVD装置は、原料ガス38aを供給して基板33の被処理面に結晶を成長させ、基板33の被処理面に面した壁に、基板33の被処理面の中央部を望み得る窓30cを有する反応室30と、反応室30に設けられ、基板33を載置して回転(移動)させるための回転台(移動台)31と、回転台31によって回転する基板33の被処理面に、窓30cを介してレーザー光40aを垂直に照射するとともに、被処理面から反射したレーザー光40bを、窓30cを介して受光して、ドップラー効果を利用して基板33の回転速度を計測するための第1の速度計測手段40と、第1の速度計測手段40による計測結果を処理して基板33の形状情報を出力するための処理手段41とを備えている。
【選択図】図1
Description
まず、図1〜3を参照して、本発明の第1実施形態におけるMOCVD装置の構成について説明する。
次に、図4を参照して、本発明の第2実施形態におけるMOCVD装置200の構成について説明する。ここで、MOCVD装置200の反応装置は、第1実施形態におけるMOCVD装置100’の反応装置と基本的に同じ構成を備えているので、それに対する説明は省略する。
次に、図5を参照して、本発明の第3実施形態におけるMOCVD装置300の構成について説明する。ここで、MOCVD装置300の反応装置は、第2実施形態におけるMOCVD装置200の反応装置と基本的に同じ構成を備えているので、それに対する説明は省略する。
30a 供気口
30b 排気口
30c 窓
31 回転台(移動台)
32 載置プレート
33 基板(被処理基板)
34 ヒーター
35 回転軸
36 モーター
37 供給配管
38 ガス供給手段
38a 原料ガス
39 隔壁
39a 穴部
40 第1の速度計測手段
41 処理手段
42 第2の速度計測手段
43 制御手段
43a 制御パラメータ
100,100’,200,300 MOCVD装置
Claims (6)
- 原料ガスを供給して被処理基板の被処理面に結晶を成長させるための反応室を備えたMOCVD装置において、
上記被処理基板の被処理面に面した反応室の壁は、上記被処理面の中央部を臨み得る窓を少なくとも一つ有し、
上記反応室に設けられ、被処理基板を載置して移動させることができる移動台と、
上記移動台によって移動する上記被処理基板の被処理面に、上記窓を介してレーザー光を垂直に照射するとともに、被処理面から反射したレーザー光を、上記窓を介して受光して、ドップラー効果を利用して被処理基板の被処理面に対する法線方向での移動速度を計測する第1の速度計測手段と、
上記第1の速度計測手段による計測結果を処理して被処理基板の形状情報を出力するようになっている処理手段とを備えることを特徴とするMOCVD装置。 - 上記反応室内における上記被処理基板の被処理面側の上部空間を、当該被処理基板側の空間と反応室の内壁側の空間とに隔てる隔壁を備え、
上記隔壁は、反応室の壁の窓から上記被処理面の中央部を臨み得るように、開口部を少なくとも一つ有することを特徴とする請求項1に記載のMOCVD装置。 - 上記移動台の移動速度を計測する第2の速度計測手段を備え、
上記処理手段は、上記第1の速度計測手段による計測結果を上記第2の速度計測手段による計測結果で処理することで被処理基板の形状情報を出力するようになっていることを特徴とする請求項1または2に記載のMOCVD装置。 - 上記移動台は、被処理基板の被処理面の中央部を避けた被処理面に対して垂直な回転軸を中心として、被処理基板を回転させることができるようになっていることを特徴とする請求項1,2または3に記載のMOCVD装置。
- 上記処理手段が出力する上記形状情報に基づいて、装置の動作を制御するための制御パラメータを変更させるようになっている制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項1,2,3または4に記載のMOCVD装置。
- 上記制御パラメータには、被処理基板温度、原料ガス流量、原料ガス温度、被処理基板回転数、もしくはそれらの組み合わせが含まれていることを特徴とする請求項5に記載のMOCVD装置。
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