JP2010223459A - 空気調和装置 - Google Patents

Abstract

【課題】起動時の能力を迅速に確保しつつ、起動後のオーバーシュートを小さく抑えるコトが可能な空気調和装置を提供する。
【解決手段】圧縮機２１と、磁性体管Ｆ２が外周を構成している冷媒配管Ｆを有する冷凍サイクルを利用する空気調和装置１であって、コイル６８、圧力センサ２９ａ、および、制御部１１を備えている。コイル６８は、磁性体管Ｆ２を誘導加熱するための磁界を発生させる。圧力センサ２９ａは、冷凍サイクルの少なくとも一部の高圧側の冷媒圧力を検知する。制御部１１は、冷凍サイクルが暖房運転を実行している時においてコイル６８による磁界の発生を最大供給電力Ｍｍａｘとする状態を、圧縮機２１の周波数が所定最低周波数Ｑｍｉｎ以上の時から開始して圧力センサ２９ａが検知する圧力が目標高圧圧力Ｐｈに到達するまで行い。到達した時点以降は、最大供給電力Ｍｍａｘよりも低い定常供給電力Ｍ２を出力の上限として制約をかけた運転を行う。
【選択図】図１７

Description

本発明は、空気調和装置に関する。

暖房運転可能な空気調和装置について、暖房能力を増大させる目的で冷媒加熱機能を備えたものが提案されている。

例えば、以下に示す特許文献１（特開２０００−９７５１０号公報）に記載の空気調和機では、冷媒加熱器に流入した冷媒をガスバーナーによって加熱することで暖房能力を増大させている。

ここで、この特許文献１（特開２０００−９７５１０号公報）に記載の空気調和機では、暖房運転時に、冷媒の温度が上昇し過ぎて保護動作が頻繁に行われてしまうことを防止するために、サーミスタの検知値に基づいてガスバーナーの燃焼量を調節する技術が提案されている。

上述の特許文献１に記載の技術では、保護動作の頻度を抑えるだけであり、起動時と起動後との負荷の違いに着目した制御はなんら提案されていない。

例えば、空気調和装置の起動時には周囲の温度と設定温度との差が大きく、迅速に設定温度に近づけることが望まれる、他方、起動時と起動後の負荷が異なる場合には、目標値を大きく超えるオーバーシュートが生じてしまうおそれがある。

なお、冷媒の加熱方式が電磁誘導加熱方式である場合には、加熱速度が速いため、上述のオーバーシュートは特に問題となりやすい。

本発明は上述した点に鑑みてなされたものであり、本発明の課題は、起動時の能力を迅速に確保しつつ、起動後のオーバーシュートを小さく抑えるコトが可能な空気調和装置を提供することにある。

第１発明に係る空気調和装置は冷媒配管および／または冷媒配管中を流れる冷媒と熱的接触をする部材の誘導加熱を行い、冷媒を循環させる圧縮機構を含んだ冷凍サイクルを利用する、空気調和装置であって、磁界発生部、冷媒状態量検知部、および、制御部を備えている。磁界発生部は、誘導加熱の加熱対象部分を誘導加熱するための磁界を発生させる。冷媒状態量検知部は、冷凍サイクルの少なくとも一部である所定状態量検知部分を流れる冷媒に関する状態量を検知する。ここでの状態量は、例えば、温度および圧力等の少なくともいずれか一方が含まれる。制御部は、起動時磁界発生制御および起動後磁界発生制御を行う。起動時磁界発生制御では、制御部は、冷凍サイクルで暖房運転を行う起動時において、磁界発生部による出力を所定最大出力とする状態を、圧縮機構が駆動状態となっている時から開始して冷媒状態量検知部が検知する状態量が第１所定目標状態量に到達した時に終了させる。起動後磁界発生制御では、制御部は、所定最大出力よりも低い第１磁界制限基準値を磁界発生部の出力の上限として制約をかける状態を、起動時磁界発生制御が終了した後に行う。なお、ここで「冷凍サイクルが暖房運転を実行している時」には、例えば、除霜運転等の運転は含まれない。また、ここでの電磁誘導加熱ユニットによる加熱としては、例えば、冷媒配管と熱的接触をしている発熱部材を電磁誘導加熱する場合、冷媒配管中を流れる冷媒と熱的接触をしている発熱部材を電磁誘導加熱する場合、および、冷媒配管の少なくとも一部を構成する発熱部材を電磁誘導加熱する場合、が少なくとも含まれる。

この空気調和装置では、起動時における磁界発生部の出力が最大となるようにする起動時磁界発生制御を行うことで、暖房運転の起動開始からユーザに暖かい空気が提供されるまでに要する時間を短縮化させることが可能になる。起動後磁界発生制御においては磁界発生部による出力を上げ過ぎることによる制御のオーバーシュートを小さく抑えることが可能になる。これにより、ユーザに対する暖かい空気の供給を迅速に開始させつつ制御のオーバーシュートを小さく抑えることが可能になる。

第２発明の空気調和装置は、第１発明の空気調和装置において、誘導加熱の加熱対象部分は、磁性体材料を含んでいる。

この空気調和装置では、磁性体材料を含んでいる部分を対象として、磁界発生部が磁界を生じさせるため、電磁誘導による発熱効率を効率的に行うことが可能になる。

第３発明の空気調和装置は、第１発明または第２発明の空気調和装置において、所定状態量検知部分は、磁界発生部によって磁界が生じている部分である。

この空気調和装置では、電磁誘導加熱による迅速な温度変化を把握することができるようになるため、制御の応答性を向上させることが可能になる。

第４発明の空気調和装置は、第１発明から第３発明のいずれかの空気調和装置において、冷媒状態量検知部が検知する状態量は、所定状態量検知部分を流れる冷媒に関する温度および圧力の少なくとも何れか一方である。

この空気調和装置では、冷凍サイクルの状態制御のために用いられる各種センサを利用してここでの検知を行うことが可能になる。

第５発明の空気調和装置は、第１発明から第４発明のいずれかの空気調和装置において、冷媒状態量検知部は、所定状態量検知部分を流れる冷媒に関する温度を検知する温度検知部である。制御部は、起動後磁界発生制御では、温度検知部が検知する温度が目標維持温度で維持されるように磁界発生部による出力値もしくは出力頻度をＰＩ制御する起動後磁界発生ＰＩ制御を行う。なお、ここでの目標維持温度は、第１所定目標温度と同一温度であってもよい。

この空気調和装置では、所定状態量検知部分を通過する冷媒の状態変化に起因する温度変化よりも、電磁誘導加熱による温度変化の方が一般に急激になる。ここでは、このように電磁誘導加熱によって急激に温度変化する場合であっても、磁界発生部に発生させる磁界の大きさおよび／または磁界発生部に磁界を発生させる頻度をＰＩ制御することで、温度検知部が検知する温度を第２所定目標温度で安定させることが可能になる。

第６発明の空気調和装置は、第１発明から第５発明のいずれかの空気調和装置において、冷媒状態量検知部は、所定状態量検知部分を流れる冷媒に関する温度を検知する温度検知部である。制御部は、磁界レベル増加条件を満たした後に起動時磁界発生制御を実行する。この磁界レベル増加条件とは、磁界発生部に発生させる磁界のレベルを所定最大出力よりも低い範囲内で上げるもしくは下げるという磁界レベル変化処理を行うことで温度検知部の検知温度に変化があることもしくは温度検知部が温度変化を検知することである。

電磁誘導加熱を行った場合であっても温度検知部が温度変化を検出できない場合には、温度検知部の取付状態が不安定であったり外れていたりするおそれがある。

これに対して、この空気調和装置では、このように温度検知部の取付状態が不安定であったり外れていたりした場合には、温度変化が十分に生じずに磁界レベル増加条件を満たすことが無い。このため、制御部は、所定最大出力よりも低いレベルになるように磁界の発生が制限され、高いレベルでの磁界の発生が行われないため、機器の信頼性を向上させることができている。磁界レベル増加条件を満たした場合には、磁界発生部による磁界の発生によって誘導加熱の加熱対象部分が発熱しており、温度検知部の設置状態が良好であり、誘導加熱の加熱対象部分の温度を的確に認識できていることを把握することができる。これにより、電磁誘導加熱による異常な温度上昇によって機器にダメージが生ずることを抑制することが可能となり、機器の信頼性を向上させることが可能になる。

第７発明の空気調和装置は、第６発明の空気調和装置において、磁界レベル変化処理で出力される最大の磁界レベルは、第１磁界制限基準値よりも小さい値である。

この空気調和装置では、温度検知部の取付状態が良好であることが確認されていない段階で第１磁界制限基準値程度の大きさの磁界による電磁誘導加熱を防止させることが可能になる。

第８発明の空気調和装置は、第１発明から第７発明のいずれかの空気調和装置において、冷媒状態量検知部は、所定状態量検知部分を流れる冷媒に関する温度を検知する温度検知部である。制御部は、流動条件を満たした後に、磁界レベル増加条件の判定を実行する。流動条件とは、第１圧縮機構状態と第１圧縮機構状態よりも出力レベルの高い第２圧縮機構状態との圧縮機構の出力が異なる両方の圧縮機構状態を圧縮機構に実現させた際に、第１圧縮機構状態と第２圧縮機構状態とで温度検知部の検知温度に変化があることである。なお、第１圧縮機構状態には、圧縮機構が停止している状態が含まれる。

この空気調和装置では、流動条件を満たしていない場合には冷媒の流れが不足していることになり、磁界レベル増加条件を判定するためのレベルでの磁界発生部による出力であっても、異常温度上昇を生じさせてしまうおそれがある。これに対して、この空気調和装置では、所定状態量検知部分を通過する冷媒の流れを確保しつつ磁界レベル増加条件の判定を実行することができるため、機器の信頼性を維持したままで磁界レベル増加条件の判断を行うことが可能になる。

第９発明の空気調和装置は、第１発明から第８発明のいずれかの空気調和装置において、冷媒状態量検知部は、所定状態量検知部分を流れる冷媒に関する温度を検知する温度検知部である。制御部は、起動後磁界発生制御を開始した後であって、冷凍サイクルに暖房運転とは異なる除霜運転を実行させている時には、磁界発生部の出力の上限を所定最大出力として、温度検知部の検知温度に基づいて磁界発生部による出力を制御する除霜運転出力制御を行う。

この空気調和装置では、起動時磁界発生制御と同様に磁界発生部による出力を高くすることができるため、除霜処理を迅速化させることが可能になる。

第１０発明の空気調和装置は、第９発明の空気調和装置において、制御部は、除霜運転出力制御時には、温度検知部が検知する温度が第１所定目標温度よりも低い第２所定目標温度で維持されるようにＰＩ制御する除霜ＰＩ制御を行う。

この空気調和装置では、除霜運転時には、起動時磁界発生制御の時と比べて温度の異常上昇が生じにくいため、温度検知部の検知温度を第２所定目標温度として起動時磁界発生制御の第１所定目標温度よりも低くすることで、除霜運転時のオーバーシュートを低減させることが可能になる。

第１１発明の空気調和装置は、第１発明から第１０発明のいずれかの空気調和装置において、冷媒状態量検知部は、所定状態量検知部分を流れる冷媒に関する温度を検知する温度検知部である。温度検知部に対して弾性力を与える弾性部材をさらに備えている。温度検知部は、弾性部材による前記弾性力によって所定状態量検知部分に圧接している。

この空気調和装置では、電磁誘導加熱が行われる場合には、一般に、冷凍サイクルにおいて冷媒の循環状況が変化することによる温度上昇よりも、急激な温度上昇が生じやすい。

これに対して、この空気調和装置では、弾性部材によって所定状態量検知部分に対して圧接した状態を維持されているため、温度検知部の応答性をより良好にすることができる。これにより、応答性を向上させた制御を行うことが可能になる。

第１発明の空気調和装置では、ユーザに対する暖かい空気の供給を迅速に開始させつつ制御のオーバーシュートを小さく抑えることが可能になる。

第２発明の空気調和装置では、電磁誘導による発熱効率を効率的に行うことが可能になる。

第３発明の空気調和装置では、制御の応答性を向上させることが可能になる。

第４発明の空気調和装置では、冷凍サイクルの状態制御のために用いられる各種センサを利用してここでの検知を行うことが可能になる。

第５発明の空気調和装置では、温度検知部が検知する温度を第２所定目標温度で安定させることが可能になる。

第６発明の空気調和装置では、電磁誘導加熱による異常な温度上昇によって機器にダメージが生ずることを抑制することが可能となり、機器の信頼性を向上させることが可能になる。

第７発明の空気調和装置では、温度検知部の取付状態が良好であることが確認されていない段階で第１磁界制限基準値程度の大きさの磁界による電磁誘導加熱を防止させることが可能になる。

第８発明の空気調和装置では、機器の信頼性を維持したままで磁界レベル増加条件の判断を行うことが可能になる。

第９発明の空気調和装置では、除霜処理を迅速化させることが可能になる。

第１０発明の空気調和装置では、除霜運転時のオーバーシュートを低減させることが可能になる。

第１１発明の空気調和装置では、応答性を向上させた制御を行うことが可能になる。

本発明の一実施形態にかかる空気調和装置の冷媒回路図である。 室外機の正面側を含む外観斜視図である。 室外機の内部配置構成斜視図である。 室外機の内部配置構成の背面側を含む外観斜視図である。 室外機の機械室の内部構造を示す全体前方斜視図である。 室外機の機械室の内部構造を示す斜視図である。 室外機の底板と室外熱交換器との斜視図である。 室外機の送風機構を取り除いた状態での平面図である。 室外機の底板とホットガスバイパス回路との配置関係を示す平面図である。 電磁誘導加熱ユニットの外観斜視図である。 電磁誘導加熱ユニットから遮蔽カバーを取り除いた状態を示す外観斜視図である。 電磁誘導サーミスタの外観斜視図である。 ヒューズの外観斜視図である。 電磁誘導サーミスタおよびヒューズの取付状態を示す概略断面図である。 電磁誘導加熱ユニットの断面構成図である。 遮蔽カバーを設けた状態で生じる磁束の様子を示す図である。 電磁誘導加熱制御のタイムチャートを示す図である。 流動条件判定処理のフローチャートを示す図である。 センサ外れ検知処理のフローチャートを示す図である。 急速高圧化処理のフローチャートを示す図である。 定常出力処理のフローチャートを示す図である。 デフロスト処理のフローチャートを示す図である。 他の実施形態（Ａ）にかかる電磁誘導サーミスタの取付位置を示す図である。 他の実施形態（Ｆ）の冷媒配管の説明図である。 他の実施形態（Ｇ）の冷媒配管の説明図である。 他の実施形態（Ｈ）のコイルと冷媒配管との配置例を示す図である。 他の実施形態（Ｈ）のボビン蓋の配置例を示す図である。 他の実施形態（Ｈ）のフェライトケースの配置例を示す図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の一実施形態における電磁誘導加熱ユニット６を備えた空気調和装置１を例に挙げて説明する。

＜１−１＞空気調和装置１
図１に、空気調和装置１の冷媒回路１０を示す冷媒回路図を示す。

空気調和装置１は、熱源側装置としての室外機２と、利用側装置としての室内機４とが冷媒配管によって接続されて、利用側装置が配置された空間の空気調和を行うものであって、圧縮機２１、四路切換弁２２、室外熱交換器２３、室外電動膨張弁２４、アキュームレータ２５、室外ファン２６、室内熱交換器４１、室内ファン４２、ホットガスバイパス弁２７、キャピラリーチューブ２８および電磁誘導加熱ユニット６等を備えている。

圧縮機２１、四路切換弁２２、室外熱交換器２３、室外電動膨張弁２４、アキュームレータ２５、室外ファン２６、ホットガスバイパス弁２７、キャピラリーチューブ２８および電磁誘導加熱ユニット６は、室外機２内に収容されている。室内熱交換器４１および室内ファン４２は、室内機４内に収容されている。

冷媒回路１０は、吐出管Ａ、室内側ガス管Ｂ、室内側液管Ｃ、室外側液管Ｄ、室外側ガス管Ｅ、アキューム管Ｆ、吸入管Ｇ、ホットガスバイパス回路Ｈ、分岐配管Ｋおよび合流配管Ｊを有している。室内側ガス管Ｂおよび室外側ガス管Ｅは、ガス状態の冷媒が多く通過するものではあるが、通過する冷媒をガス冷媒に限定しているものではない。室内側液管Ｃおよび室外側液管Ｄは、液状態の冷媒が多く通過するものではあるが、通過する冷媒を液冷媒に限定しているものではない。

吐出管Ａは、圧縮機２１と四路切換弁２２とを接続している。

室内側ガス管Ｂは、四路切換弁２２と室内熱交換器４１とを接続している。この室内側ガス管Ｂの途中には、通過する冷媒の圧力を検知する圧力センサ２９ａが設けられている。

室内側液管Ｃは、室内熱交換器４１と室外電動膨張弁２４とを接続している。

室外側液管Ｄは、室外電動膨張弁２４と室外熱交換器２３とを接続している。

室外側ガス管Ｅは、室外熱交換器２３と四路切換弁２２とを接続している。

アキューム管Ｆは、四路切換弁２２とアキュームレータ２５とを接続しており、室外機２の設置状態で鉛直方向に伸びている。アキューム管Ｆの一部に対して、電磁誘導加熱ユニット６が取り付けられている。アキューム管Ｆのうち、少なくとも後述するコイル６８によって周囲を覆われている発熱部分は、内側に冷媒を流している銅管Ｆ１の周囲を覆うように設けられた磁性体管Ｆ２によって構成されている（図１５参照）。この磁性体管Ｆ２は、ＳＵＳ（Stainless Used Steel：ステンレス鋼）４３０によって構成されている。このＳＵＳ４３０は、強磁性体材料であって、磁界に置かれると渦電流を生じつつ、自己の電気抵抗によって生ずるジュール熱により発熱する。冷媒回路１０を構成する配管のうち磁性体管Ｆ２以外の部分は、銅管で構成されている。なお、上記銅管の周囲を覆う管の材質はＳＵＳ４３０に限定されるものではなく、例えば、鉄、銅、アルミ、クロム、ニッケル等の導体およびこれらの群から選ばれる少なくとも２種以上の金属を含有する合金等とすることができる。また、磁性体材料としては、例えば、フェライト系、マルテンサイト系、オーステナイト系の３種およびこれらの種類を組み合わせたものが例として挙げられるが、強磁性体であって電気抵抗が比較的高いものであり使用温度範囲よりもキュリー温度が高い材料が好ましい。なお、ここでのアキューム管Ｆは、より多くの電力が必要とされるが、磁性体および磁性体を含有する材料を備えていなくてもよく、誘導加熱が行われる対象となる材質を含有するものであってもよい。なお、磁性体材料は、例えば、アキューム管Ｆのすべてを構成していてもよいし、アキューム管Ｆの内側表面のみに形成されていてもよく、アキューム管Ｆ配管を構成する材料中に含有されることで存在していてもよい。このように電磁誘導加熱を行うことで、アキューム管Ｆを電磁誘導によって加熱させることができ、アキュームレータ２５を介して圧縮機２１に吸入される冷媒を暖めることができる。これにより、空気調和装置１の暖房能力を向上させることができる。また、例えば、暖房運転の起動時においては、圧縮機２１が十分に暖まっていない場合であっても、電磁誘導加熱ユニット６による迅速な加熱によって起動時の能力不足を補うことができる。さらに、四路切換弁２２を冷房運転用の状態に切り換えて、室外熱交換器２３等に付着した霜を除去するデフロスト運転を行う場合には、電磁誘導加熱ユニット６がアキューム管Ｆを迅速に加熱することで、圧縮機２１は迅速に暖められた冷媒を対象として圧縮することができる。このため、圧縮機２１から吐出するホットガスの温度を迅速に上げることができる。これにより、デフロスト運転によって霜を解凍させるのに必要とされる時間を短縮化させることができる。これにより、暖房運転中に適時デフロスト運転を行うことが必要となる場合であっても、できるだけ早く暖房運転に復帰させることができ、ユーザの快適性を向上させることができる。

吸入管Ｇは、アキュームレータ２５と圧縮機２１の吸入側とを接続している。

ホットガスバイパス回路Ｈは、吐出管Ａの途中に設けられた分岐点Ａ１と室外側液管Ｄの途中に設けられた分岐点Ｄ１とを接続している。ホットガスバイパス回路Ｈは、途中に冷媒の通過を許容する状態と許容しない状態とを切換可能なホットガスバイバス弁２７が配置されている。なお、ホットガスバイパス回路Ｈは、ホットガスバイバス弁２７と分岐点Ｄ１との間に、通過する冷媒圧力を下げるキャピラリーチューブ２８が設けられている。このキャピラリーチューブ２８は、暖房運転時の室外電動膨張弁２４による冷媒圧力の低下後の圧力に近づけることができるため、ホットガスバイパス回路Ｈを通じた室外側液管Ｄへのホットガスの供給による室外側液管Ｄの冷媒圧力上昇を抑えることができる。

分岐配管Ｋは、室外熱交換器２３の一部を構成しており、熱交換を行うための有効表面積を増大させるために、室外熱交換器２３のガス側出入口２３ｅから伸びる冷媒配管が後述する分岐合流点２３ｋで複数本に分岐した配管である。この分岐配管Ｋは、分岐合流点２３ｋから合流分岐点２３ｊまでそれぞれ独立して延びている第１分岐配管Ｋ１、第２分岐配管Ｋ２および第３分岐配管Ｋ３を有しており、これらの各分岐配管Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３は合流分岐点２３ｊで合流している。なお、合流配管Ｊ側から見ると、合流分岐点２３ｊで分岐して分岐配管Ｋが延びている。

合流配管Ｊは、室外熱交換器２３の一部を構成しており、合流分岐点２３ｊから室外熱交換器２３の液側出入口２３ｄまで伸びている配管である。合流配管Ｊは、冷房運転時に室外熱交換器２３から流れ出る冷媒の過冷却度を統一させることができるとともに、暖房運転時に室外熱交換器２３の下端近傍に着霜した氷を解凍させることができる。合流配管Ｊは、各分岐配管Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３の断面積の略３倍の断面積を有しており、通過冷媒量が、各分岐配管Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３の略３倍になっている。

四路切換弁２２は、冷房運転サイクルと暖房運転サイクルとを切換可能である。図１では、暖房運転を行う際の接続状態を実線で示し、冷房運転を行う際の接続状態を点線で示している。暖房運転時には、室内熱交換器４１が冷媒の冷却器として、室外熱交換器２３が冷媒の加熱器として機能する。冷房運転時には、室外熱交換器２３が冷媒の冷却器として、室内熱交換器４１が冷媒の加熱器として機能する。

室外熱交換器２３は、ガス側出入口２３ｅ、液側出入口２３ｄ、分岐合流点２３ｋ、合流分岐点２３ｊ、分岐配管Ｋ、合流配管Ｊおよび熱交フィン２３ｚを有している。ガス側出入口２３ｅは、室外熱交換器２３の室外側ガス管Ｅ側の端部に位置しており、室外側ガス管Ｅと接続される。液側出入口２３ｄは、室外熱交換器２３の室外側液管Ｄ側の端部に位置しており、室外側液管Ｄと接続される。分岐合流点２３ｋは、ガス側出入口２３ｅから伸びる配管を分岐させており、流れる冷媒の方向に応じて冷媒を分岐もしくは合流させることができる。分岐配管Ｋは、分岐合流点２３ｋにおける各分岐部分から複数本伸びている。合流分岐点２３ｊは、分岐配管Ｋを合流させており、流れる冷媒の方向に応じて冷媒を合流もしくは分岐させることができる。合流配管Ｊは、合流分岐点２３ｊから液側出入口２３ｄまで伸びている。熱交フィン２３ｚは、板状のアルミフィンが板厚方向に複数枚並んで、所定の間隔で配置されて構成されている。分岐配管Ｋおよび合流配管Ｊは、いずれも、熱交フィン２３ｚを共通の貫通対象としている。具体的には、分岐配管Ｋおよび合流配管Ｊは、共通の熱交フィン２３ｚの異なる部分で板圧方向に貫通して配置されている。この室外熱交換器２３に対して、室外ファン２６の空気流れ方向風下側には、室外の気温を検知する室外気温センサ２９ｂが設けられている。また、室外熱交換器２３には、分岐配管空気調和装置を流れる冷媒温度を検知する室外熱交温度センサ２９ｃが設けられている。

室内機４内には、室内温度を検知する室内温度センサ４３が設けられている。また、室内熱交換器４１には、室外電動膨張弁２４が接続されている室内側液管Ｃ側の冷媒温度を検知する室内熱交温度センサ４４が設けられている。

室外機２内に配置される機器を制御する室外制御部１２と、室内機４内に配置されている機器を制御する室内制御部１３とが、通信線１１ａによって接続されることで、制御部１１を構成している。この制御部１１は、空気調和装置１を対象とした種々の制御を行う。

また、室外制御部１２には、各種制御を行う際に経過時間をカウントするタイマ９５が設けられている。

なお、制御部１１には、ユーザからの設定入力を受け付けるコントローラ９０が接続されている。

＜１−２＞室外機２
図２に、室外機２の正面側の外観斜視図を示す。図３に、室外熱交換器２３および室外ファン２６との位置関係についての斜視図を示す。図４に、室外熱交換器２３の背面側の斜視図を示す。

室外機２は、天板２ａ、底板２ｂ、フロントパネル２ｃ、左側面パネル２ｄ、右側面パネル２ｆおよび背面パネル２ｅによって構成される略直方体形状の室外機ケーシングによって外表面を構成している。

室外機２は、室外熱交換器２３および室外ファン２６等が配置されており左側面パネル２ｄ側である送風機室と、圧縮機２１や電磁誘導加熱ユニット６が配置されており右側面パネル２ｆ側である機械室と、に仕切り板２ｈを介して区切られている。また、室外機２は、底板２ｂに対して螺着されることで固定され、室外機２の最下端部を右側と左側において構成する室外機支持台２ｇを有している。なお、電磁誘導加熱ユニット６は、機械室のうちの左側面パネル２ｄおよび天板２ａの近傍である上方の位置に配置されている。ここで、上述した室外熱交換器２３の熱交フィン２３ｚは、略水平方向に板厚方向が向くようにしつつ、板厚方向に複数並んで配置されている。合流配管Ｊは、室外熱交換器２３の熱交フィン２３ｚのうち最も下の部分において、熱交フィン２３ｚを厚み方向に貫通することで配置されている。ホットガスバイパス回路Ｈは、室外ファン２６および室外熱交換器２３の下方を沿うように配置されている。

＜１−３＞室外機２の内部構造
図５に、室外機２の機械室の内部構造を示す全体前方斜視図を示す。図６に、室外機２の機械室の内部構造を示す斜視図を示す。図７に、室外熱交換器２３と底板２ｂとの配置関係についての斜視図を示す。

室外機２の仕切り板２ｈは、室外熱交換器２３および室外ファン２６等が配置されている送風機室と、電磁誘導加熱ユニット６、圧縮機２１およびアキュームレータ２５等が配置されている機械室と、を区切るように前方から後方に向けて上端から下端に掛けて仕切っている。圧縮機２１およびアキュームレータ２５は、室外機２の機械室の下方の空間に配置されている。そして、電磁誘導加熱ユニット６、四路切換弁２２および室外制御部１２は、室外機２の機械室の上方の空間であって、圧縮機２１やアキュームレータ２５等の上の空間に配置されている。室外機２を構成する機能要素であって機械室に配置されている圧縮機２１、四路切換弁２２、室外熱交換器２３、室外電動膨張弁２４、アキュームレータ２５、ホットガスバイパス弁２７、キャピラリーチューブ２８および電磁誘導加熱ユニット６は、図１において示した冷媒回路１０による冷凍サイクルを実行するように、吐出管Ａ、室内側ガス管Ｂ、室外側液管Ｄ、室外側ガス管Ｅ、アキューム管Ｆ、ホットガスバイパス回路Ｈ等を介して接続されている。ここで、ホットガスバイパス回路Ｈは、後述するように、第１バイパス部分Ｈ１〜第９バイパス部分Ｈ９の、９つの部分が繋がって構成されており、ホットガスバイパス回路Ｈに冷媒が流れる際は、第１バイパス部分Ｈ１から順番に第９バイパス部分Ｈ９に向かう方向に流れる。

＜１−４＞合流配管Ｊおよび分岐配管Ｋ
図７に示す合流配管Ｊは、上述したように、断面積が、第１分岐配管Ｋ１、第２分岐配管Ｋ２および第３分岐配管Ｋ３の各配管の断面積相当の面積を有しているため、室外熱交換器２３のうち、第１分岐配管Ｋ１、第２分岐配管Ｋ２および第３分岐配管Ｋ３の部分では、合流配管Ｊよりも熱交換有効表面積を増大させることができている。また、合流配管Ｊの部分には、第１分岐配管Ｋ１、第２分岐配管Ｋ２および第３分岐配管Ｋ３の部分と比較して、大量の冷媒がまとまって集中的に流れているため、室外熱交換器２３の下方における氷の成長をより効果的に抑制させることができている。ここで、合流配管Ｊは、図７に示すように、第１合流配管部分Ｊ１、第２合流配管部分Ｊ２、第３合流配管部分Ｊ３および第４合流配管部分Ｊ４が互いに接続されることで構成されている。そして、室外熱交換器２３のうち分岐配管Ｋを流れてきた冷媒は、合流分岐点２３ｊにおいて合流され、冷媒回路１０における冷媒の流れを１つにまとめられた状態で、室外熱交換器２３の最下端部分を一往復するように配置されている。ここで、第１合流配管部分Ｊ１は、合流分岐点２３ｊから室外熱交換器２３の最縁部に配置された熱交フィン２３ｚまで延びている。第２合流配管部分Ｊ２は、第１合流配管部分Ｊ１の端部から複数枚の熱交フィン２３ｚを貫通するように延びている。また、第４合流配管部分Ｊ４は、第２合流配管部分Ｊ２と同様に、複数枚の熱交フィン２３ｚを貫通するように延びている。第３合流配管部分Ｊ３は、第２合流配管部分Ｊ２と第４合流配管部分Ｊ４とを室外熱交換器２３の端部において接続するＵ字管である。冷房運転時には、冷媒回路１０における冷媒の流れは、分岐配管Ｋにおいて複数に分かれている流れを合流配管Ｊが１つにまとめることになるため、たとえ分岐配管Ｋを流れる冷媒の合流分岐点２３ｊの直前部分における過冷却度が分岐配管Ｋを構成する個々の配管を流れる冷媒毎に異なっていたとしても、合流配管Ｊにおいて冷媒流れを１つにできることため、室外熱交換器２３の出口の過冷却度を整えることができる。そして、暖房運転時おいてデフロスト運転をする場合には、ホットガスバイパス弁２７を開けて、圧縮機２１から吐出した温度の高い冷媒を、室外熱交換器２３の他の部分より先に、室外熱交換器２３の下端に設けられている合流配管Ｊに供給することができる。このため、室外熱交換器２３の下方近傍に着霜した氷を効果的に解凍させることができる。

＜１−５＞ホットガスバイパス回路Ｈ
図８に、室外機２の送風機構を取り除いた状態での平面図を示す。図９に、室外機２の底板とホットガスバイパス回路Ｈとの配置関係について平面図で示す。

ホットガスバイパス回路Ｈは、図８および図９に示すように、第１バイパス部分Ｈ１〜第８バイパス部分Ｈ８を有している。ここで、ホットガスバイパス回路Ｈは、吐出管Ａから分岐点Ａ１で分岐してホットガスバイパス弁２７まで延びており、このホットガスバイパス弁２７からさらに延びる部分が第１バイパス部分Ｈ１である。第２バイパス部分Ｈ２は、第１バイパス部分Ｈ１の端部から、背面側近傍において送風機室側に延びている。第３バイパス部分Ｈ３は、第２バイパス部分Ｈ２の端部から、正面側に向けて延びている。第４バイパス部分Ｈ４は、第３バイパス部分Ｈ３の端部から、機械室側とは反対側である左側に向けて延びている。第５バイパス部分Ｈ５は、第４バイパス部分Ｈ４の端部から、背面側に向けて、室外機ケーシングの背面パネル２ｅとの間に間隔が確保できる部分まで延びている。第６バイパス部分Ｈ６は、第５バイパス部分Ｈ５の端部から、機械室側である右側であってかつ背面側に向けて延びている。第７バイパス部分Ｈ７は、第６バイパス部分Ｈ６の端部から、機械室側である右側に向けて送風機室内を延びている。第８バイパス部分Ｈ８は、第７バイパス部分Ｈ７の端部から、機械室内を延びている。第９バイパス部分Ｈ９は、第８バイパス部分Ｈ８の端部から、キャピラリーチューブ２８に至るまで延びている。このホットガスバイパス回路Ｈは、上述したように、ホットガスバイパス弁２７が開けられた状態で、第１バイパス部分Ｈ１から順番に、第９バイパス部分Ｈ９に向けて冷媒を流していく。このため、圧縮機２１から延びている吐出管Ａの分岐点Ａ１で分岐する冷媒は、第９バイパス部分Ｈ９を流れる冷媒よりも先に、第１バイパス部分Ｈ１側を流れる。このため、ホットガスバイパス回路Ｈを流れる冷媒は、全体として見ると、第４バイパス部分Ｈ４を流れた後の冷媒が第５〜第８バイパス部分Ｈ８へと流れていくため、第４バイパス部分Ｈ４を流れる冷媒温度のほうが、第５〜第８バイパス部分Ｈ８を流れる冷媒温度よりも高温となりやすい流れ方向を採用している。

このように、ホットガスバイパス回路Ｈは、室外機ケーシングの底板２ｂのうち、室外ファン２６の下方および室外熱交換器２３の下方の部分近傍を通過するように配置されている。このため、ヒータ等の別熱源を利用することなく、ホットガスバイパス回路Ｈが通過する部分近傍を、圧縮機２１の吐出管Ａから分岐して供給される高温冷媒によって暖めることができる。よって、底板２ｂの上側が雨水や室外熱交換器２３において生じたドレン水によって濡れることがあっても、底板２ｂのうち室外ファン２６の下方および室外熱交換器２３の下方において氷が成長してしまうことを抑制することができる。これにより、室外ファン２６の駆動が氷によって妨げられる状況や室外熱交換器２３の表面が氷で覆われて熱交換効率が低減してしまう状況を回避することができている。また、ホットガスバイパス回路Ｈは、吐出管Ａの分岐点Ａ１で分岐した後、室外熱交換器２３の下を通過する前に、室外ファン２６の下を通過するように配置されている。このため、室外ファン２６の下方における氷の成長をより優先的に防止することができる。

＜１−６＞電磁誘導加熱ユニット６
図１０に、アキューム管Ｆに取り付けられた電磁誘導加熱ユニット６概略斜視図を示す。図１１に、電磁誘導加熱ユニット６から遮蔽カバー７５を取り除いた状態の外観斜視図を示す。図１２に、アキューム管Ｆに取り付けられた電磁誘導加熱ユニット６の断面図を示す。

電磁誘導加熱ユニット６は、アキューム管Ｆのうち発熱部分である磁性体管Ｆ２を径方向外側から覆うように配置されており、電磁誘導加熱によって磁性体管Ｆ２を発熱させる。このアキューム管Ｆの発熱部分は、内側の銅管Ｆ１と外側の磁性体管Ｆ２とを有する二重管構造となっている。

電磁誘導加熱ユニット６は、第１六角ナット６１、第２六角ナット６６、第１ボビン蓋６３、第２ボビン蓋６４、ボビン本体６５、第１フェライトケース７１、第２フェライトケース７２、第３フェライトケース７３、第４フェライトケース７４、第１フェライト９８、第２フェライト９９、コイル６８、遮蔽カバー７５、電磁誘導サーミスタ１４およびヒューズ１５等を備えている。

第１六角ナット６１および第２六角ナット６６は、樹脂製であって、図示しないＣ型リングを用いて、電磁誘導加熱ユニット６とアキューム管Ｆとの固定状態を安定させる。第１ボビン蓋６３および第２ボビン蓋６４は、樹脂製であって、アキューム管Ｆをそれぞれ上端位置および下端位置において径方向外側から覆っている。この第１ボビン蓋６３および第２ボビン蓋６４は、後述する第１〜第４フェライトケース７１〜７４をネジ６９を介して螺着させるための、ネジ６９用の螺着孔を４つ有している。さらに、第２ボビン蓋６４は、図１２に示す電磁誘導サーミスタ１４を差し込んで、磁性体管Ｆ２の外表面に取り付けるための電磁誘導サーミスタ差し込み開口６４ｆを有している。また、第２ボビン蓋６４は、図１３に示すヒューズ１５を差し込んで、磁性体管Ｆ２の外表面に取り付けるためのヒューズ差し込み開口６４ｅを有している。電磁誘導サーミスタ１４は、図１２に示すように、電磁誘導サーミスタ検知部１４ａ、外側突起１４ｂ、側面突起１４ｃおよび電磁誘導サーミスタ検知部１４ａの検知結果を信号にして制御部１１まで伝える電磁誘導サーミスタ配線１４ｄを有している。電磁誘導サーミスタ検知部１４ａは、アキューム管Ｆの外表面の湾曲形状に沿うような形状を有しており、実質的な接触面積を有している。ヒューズ１５は、図１６に示すように、ヒューズ検知部１５ａ、非対称形状１５ｂおよびヒューズ検知部１５ａの検知結果を信号にして制御部１１まで伝えるヒューズ配線１５ｄを有している。ヒューズ１５から所定制限温度を超えた温度検知の知らせを受けた制御部１１は、コイル６８への電力供給を停止させる制御を行って、機器の熱損傷を回避させる。ボビン本体６５は、樹脂製であって、コイル６８が巻き付けられる。コイル６８は、ボビン本体６５の外側においてアキューム管Ｆの延びる方向を軸方向として螺旋状に巻き付けられている。コイル６８は、図示しない制御用プリント基板１８に接続されており、高周波電流の供給を受ける。制御用プリント基板は、制御部１１によって出力制御される。図１４に示すように、ボビン本体６５と第２ボビン蓋６４とが勘合している状態で、電磁誘導サーミスタ１４およびヒューズ１５が取り付けられる。ここで、電磁誘導サーミスタ１４の取り付け状態では、板バネ１６によって磁性体管Ｆ２の径方向内側に押されることで、磁性体管Ｆ２の外表面との良好な圧接状態を維持している。また、ヒューズ１５の取り付け状態も同様に、板バネ１７によって磁性体管Ｆ２の径方向内側に押されることで、磁性体管Ｆ２の外表面との良好な圧接状態を維持している。このように、電磁誘導サーミスタ１４およびヒューズ１５がアキューム管Ｆの外表面との密着性を良好に保たれているために、応答性を向上させ、電磁誘導加熱による急激な温度変化も迅速に検出できるようにしている。第１フェライトケース７１は、第１ボビン蓋６３と第２ボビン蓋６４とをアキューム管Ｆの延びている方向から挟み込み、ネジ６９によって螺着固定されている。第１フェライトケース７１〜第４フェライトケース７４は、透磁率の高い素材であるフェライトによって構成された第１フェライト９８および第２フェライト９９を収容している。第１フェライト９８および第２フェライト９９は、図１５のアキューム管Ｆおよび電磁誘導加熱ユニット６の断面図および図１６の磁束説明図において示すように、コイル６８によって生じる磁界を取りこんで磁束の通り道を形成することで、磁界が外部に漏れ出しにくいようにしている。遮蔽カバー７５は、電磁誘導加熱ユニット６の最外周部分に配置されており、第１フェライト９８および第２フェライト９９だけでは呼び込みきれない磁束を集める。この遮蔽カバー７５の外側にはほとんど漏れ磁束が生じず、磁束の発生場所について自決することができている。

＜１−７＞電磁誘導加熱制御
上述した電磁誘導加熱ユニット６は、冷凍サイクルを暖房運転させる場合に暖房運転を開始させる起動時、暖房能力補助時、および、デフロスト運転を行う時にアキューム管Ｆの磁性体管Ｆ２を発熱させる制御を行う。

以下、起動時に関する説明を行う。

コントローラ９０に対してユーザから暖房運転指示が入力された場合に、制御部１１は、暖房運転を開始させる。暖房運転が開始されると、制御部１１は、圧縮機２１が起動した後であって圧力センサ２９ａが検知する圧力が３９ｋｇ／ｃｍ²まで上昇するのを待って、室内ファン４２を駆動させる。これにより、室内熱交換器４１を通過する冷媒が暖まっていない段階で、暖まっていない室内に空気流れを生じさせてしまうことによるユーザの不快感を防止している。ここで、圧縮機２１が起動して圧力センサ２９ａが検知する圧力が３９ｋｇ／ｃｍ²まで上昇するまでの時間を短くするために、電磁誘導加熱ユニット６を用いた電磁誘導加熱を行う。この電磁誘導加熱では、アキューム管Ｆの温度が急上昇するため、電磁誘導加熱を開始させる前に、電磁誘導加熱を開始してよい状況になったか否かを判定する制御を制御部１１が行う。このような判定として、図１７のタイムチャートに示すように、流動条件判定処理と、センサ外れ検知処理と、急速高圧化処理等がある。

＜１−８＞流動条件判定処理
電磁誘導加熱を行う際に、アキューム管Ｆに冷媒が流れていない状況では、加熱負荷は、アキューム管Ｆのうち電磁誘導加熱ユニット６が取り付けられている部分に滞留している冷媒だけになってしまう。このようにアキューム管Ｆに冷媒が流れていない状況で、電磁誘導加熱ユニット６による電磁誘導加熱を行ってしまうと、アキューム管Ｆの温度が冷凍機油を劣化させてしまうほどに異常上昇してしまう。また、電磁誘導加熱ユニット６自体も温度が上昇してしまい、機器の信頼性を低下させてしまう。このため、ここでは、このようにアキューム管Ｆに冷媒が流れていない状況で電磁誘導加熱ユニット６による電磁誘導加熱が行われることが無いように、電磁誘導加熱を開始する前の段階でアキューム管Ｆに冷媒が流れていることを確認する流動条件判定処理を行う。

流動条件判定処理では、図１８のフローチャートに示すように、以下の各処理が行われる。

ステップＳ１１では、制御部１１は、コントローラ９０が、ユーザから、冷房運転ではなく、暖房運転の指令を受け付けたか否か判断する。電磁誘導加熱ユニット６による冷媒加熱は、暖房運転が行われる環境下で必要になるため、このような判断を行う。

ステップＳ１２では、制御部１１は、圧縮機２１の起動を開始させ、圧縮機２１の周波数を徐々に上げていく。

ステップＳ１３では、制御部１１は、圧縮機２１の周波数が所定最低周波数Ｑｍｉｎに到達したか否かを判断し、到達していると判断した場合には、ステップＳ１４に以降する。

ステップＳ１４では、制御部１１は、流動条件判定処理を開始して、圧縮機２１の周波数が所定最低周波数Ｑｍｉｎに到達した時（図１７の点ａ参照）の電磁誘導サーミスタ１４の検出温度データおよび室外熱交温度センサ２９ｃの検知温度データを格納し、タイマ９５による流動検知時間のカウントを開始する。この圧縮機２１の周波数が所定最低周波数Ｑｍｉｎに達していない状態では、アキューム管Ｆおよび室外熱交換器２３を流れる冷媒は、気液二相状態であって飽和温度で一定温度に保たれているため、電磁誘導サーミスタ１４および室外熱交温度センサ２９ｃが検知する温度は、飽和温度で一定であり、変化しない。しかし、しばらくして圧縮機２１の周波数が上昇していき、室外熱交換器２３内およびアキューム管Ｆ内の冷媒圧力がさらに低下していき、飽和温度が低下し始めることで、電磁誘導サーミスタ１４および室外熱交温度センサ２９ｃが検知する温度も低下し始める。なお、ここでは、圧縮機２１の吸入側に対して、室外熱交換器２３の方が、アキューム管Ｆよりも下流側に存在しているため、アキューム管Ｆを通過する冷媒の温度が下がり始めるタイミングよりも、室外熱交換器２３を通過している冷媒温度が低下し始めるタイミングのほうが早い（図１７の点ｂおよび点ｃ参照）。

ステップＳ１５では、制御部１１は、タイマ９５のカウント開始から１０秒間の流動検知時間が経過したか否かを判断し、流動検知時間が経過していた場合にはステップＳ１６に移行する。他方、流動検知時間が未だ経過していない場合は、ステップＳ１５を繰り返す。

ステップＳ１６では、制御部１１は、流動検知時間が経過したときの、室外熱交換器２３内およびアキューム管Ｆ内の冷媒温度が低下した状態での、電磁誘導サーミスタ１４の検出温度データおよび室外熱交温度センサ２９ｃの検知温度データを取得し、ステップＳ１７に移行する。

ステップＳ１７では、制御部１１は、ステップＳ１６で取得した電磁誘導サーミスタ１４の検出温度が、ステップＳ１４で格納した電磁誘導サーミスタ１４の検出温度データよりも３℃以上低下しているか否か、および、ステップＳ１６で取得した室外熱交温度センサ２９ｃの検知温度が、ステップＳ１４で格納した室外熱交温度センサ２９ｃの検知温度データよりも３℃以上低下しているか否かを判断する。すなわち、流動検知時間中に冷媒温度の低下を検出できたか否かを判断する。ここで、電磁誘導サーミスタ１４の検出温度または室外熱交温度センサ２９ｃの検知温度のいずれか一方が３℃以上低下している場合には、アキューム管Ｆに冷媒が流れている状態であり、冷媒の流動が確保された状態にあると判断して流動条件判定処理を終了し、電磁誘導加熱ユニット６の出力を最大限利用する起動時の急速高圧化処理、もしくは、センサ外れ検知処理等に移行する。

他方、電磁誘導サーミスタ１４の検出温度または室外熱交温度センサ２９ｃの検知温度のいずれもが３℃以上低下していない場合には、ステップＳ１８に移行する。

ステップＳ１８では、制御部１１は、アキューム管Ｆを流れている冷媒量が電磁誘導加熱ユニット６による誘導加熱を行うには不十分であるとして、制御部１１が、コントローラ９０の表示画面に流動異常表示を出力する。

＜１−９＞センサ外れ検知処理
センサ外れ検知処理は、電磁誘導サーミスタ１４がアキューム管Ｆに取り付けられて空気調和装置１の据え付けが終了した後（据え付けが終了した後、電磁誘導加熱ユニット６に電力を供給しているブレーカが落ちた後も含む）であって、初めて暖房運転が開始される際に行う、電磁誘導サーミスタ１４の取付状態を確認するための処理である。具体的には、上述の流動条件判定処理においてアキューム管Ｆ内の冷媒の流動量が確保されていると判断された後であって、かつ、電磁誘導加熱ユニット６の出力を最大限にして利用する起動時の急速高圧化処理を行う前に、制御部１１が、センサ外れ検知処理を行う。

空気調和装置１の搬入作業時には、予期しない振動等が加わることで電磁誘導サーミスタ１４の取付状態が不安定になったり外れてしまったりすることがあり、搬入して初めて電磁誘導加熱ユニット６を稼働させる場合には、特に、その信頼性が求められ、搬入して初めての電磁誘導加熱ユニット６の稼働が適正に行われた場合には、その後の稼働も安定して行われることがある程度予測できる。このため、上述のタイミングでセンサ外れ検知処理が行われる。

センサ外れ検知処理では、図１９のフローチャートに示すように、以下の各処理が行われる。

ステップＳ２１では、制御部１１は、流動条件判定処理によって確認されたアキューム管Ｆでの冷媒流動量もしくはそれ以上の冷媒流動量を確保しつつ、流動検知時間が終了した時点（＝センサ外れ検知時間の開始時点）での電磁誘導サーミスタ１４の検知温度データ（図１７の点ｄ参照）を格納しつつ、電磁誘導加熱ユニット６のコイル６８に電力供給を開始する。ここでの電磁誘導加熱ユニット６のコイル６８に対する電力の供給は、所定の最大供給電力Ｍｍａｘ（２ｋＷ）よりも小さな出力である５０％の出力の外れ検知供給電力Ｍ１（１ｋＷ）で、センサ外れ検知時間としての２０秒間だけ行われる。この段階では、未だ電磁誘導サーミスタ１４の取付状態が良好であることが確認されていない段階であるため、アキューム管Ｆが異常な温度上昇をしているにもかかわらず、電磁誘導サーミスタ１４がこの異常な温度上昇を検出できないことによってヒューズ１５を損傷してしまったり、電磁誘導加熱ユニット６の樹脂製の部材を溶かしてしまったりすることが無いように、出力を５０％に抑えている。また、同時に、電磁誘導加熱ユニット６による連続加熱時間が最大連続出力時間の１０分を超えることが無いように予め設定しているため、制御部１１は、電磁誘導加熱ユニット６による出力を継続している間の経過時間をタイマ９５によってカウントし始める。なお、電磁誘導加熱ユニット６のコイル６８に対する電力の供給と、コイル６８が周囲に生じさせる磁界の大きさとは相関関係がある値である。

ステップＳ２２では、制御部１１は、センサ外れ検知時間が終了したか否か判断する。センサ外れ検知時間が終了している場合には、ステップＳ２３に移行する。他方、センサ外れ検知時間が未だ終了していない場合には、ステップＳ２２を繰り返す。

ステップＳ２３では、制御部１１は、センサ外れ検知時間が終了した時点での電磁誘導サーミスタ１４の検出温度を取得し（図１７の点ｅ参照）、ステップＳ２４に移行する。

ステップＳ２４では、制御部１１は、ステップＳ２３で取得したセンサ外れ検知時間が終了した時点での電磁誘導サーミスタ１４の検出温度が、ステップＳ２１で格納したセンサ外れ検知時間の開始時点での電磁誘導サーミスタ１４の検出温度データよりも１０℃以上上昇しているか否かを判断する。すなわち、センサ外れ検知時間中に電磁誘導加熱ユニット６による誘導加熱によって冷媒温度が１０℃以上上昇しているか否かを判断する。ここで、電磁誘導サーミスタ１４の検出温度が１０℃以上上昇している場合には、電磁誘導サーミスタ１４のアキューム管Ｆに対する取付状態が良好であること、および、電磁誘導加熱ユニット６による誘導加熱でアキューム管Ｆが適切に暖められていることを確認できたと判断してセンサ外れ検知処理を終了し、電磁誘導加熱ユニット６の出力を最大限利用する起動時の急速高圧化処理に移行する。他方、電磁誘導サーミスタ１４の検出温度が１０℃以上上昇していない場合には、ステップＳ２５に移行する。

ステップＳ２５では、制御部１１は、センサ外れリトライ処理の回数をカウントする。リトライ回数が１０回未満である場合にはステップＳ２６に移行し、リトライ回数が１０回を超えている場合にはステップＳ２６に移行することなくステップＳ２７に移行する。

ステップＳ２６では、制御部１１は、センサ外れリトライ処理を実行する。ここでは、さらに３０秒経過した時点での電磁誘導サーミスタ１４の検知温度データ（図１７には示していない）を格納しつつ、電磁誘導加熱ユニット６のコイル６８に外れ検知供給電力Ｍ１での電力供給を２０秒間行い、ステップＳ２２、２３同様の処理を行い、電磁誘導サーミスタ１４の検出温度が１０℃以上上昇している場合にはセンサ外れ検知処理を終了し、電磁誘導加熱ユニット６の出力を最大限利用する起動時の急速高圧化処理に移行する。他方、電磁誘導サーミスタ１４の検出温度が１０℃以上上昇していない場合には、ステップＳ２５に戻る。

ステップＳ２７では、制御部１１は、電磁誘導サーミスタ１４のアキューム管Ｆに対する取付状態が不安定もしくは良好でないと判断して、コントローラ９０の表示画面にセンサ外れ異常表示を出力する。

＜１−１０＞急速高圧化処理
流動条件判定処理と、センサ外れ検知処理とを終えて、アキューム管Ｆにおける十分な冷媒の流動が確保され、電磁誘導サーミスタ１４のアキューム管Ｆに対する取付状態が良好であること、および、電磁誘導加熱ユニット６による誘導加熱でアキューム管Ｆが適切に暖められていることを確認した状態で、制御部１１は、急速高圧化処理を開始する。

ここでは、電磁誘導加熱ユニット６による誘導加熱を、高い出力で行ったとしても、アキューム管Ｆを異常温度上昇させることがないことが確認されているため、空気調和装置１の信頼性を向上できている。

急速高圧化処理では、図２０のフローチャートに示すように、以下の各処理が行われる。

ステップＳ３１では、制御部１１は、電磁誘導加熱ユニット６のコイル６８に対する電力の供給を、上述のセンサ外れ検知処理のときのように５０％に出力制限した外れ検知供給電力Ｍ１とすることなく、所定の最大供給電力Ｍｍａｘ（２ｋＷ）とする。ここでの電磁誘導加熱ユニット６による出力は、圧力センサ２９ａが、所定の目標高圧圧力Ｐｒに達するまで継続して行う。

この空気調和装置１の冷凍サイクルにおける高圧異常上昇を防止させるために、圧力センサ２９ａが異常高圧圧力Ｐｒを検知した場合に、制御部１１は、圧縮機２１を強制的に停止する。この急速高圧処理の際の目標高圧圧力Ｐｈは、この異常高圧圧力Ｐｒよりも小さな圧力値である別個の閾値として設けられている。

ステップＳ３２では、制御部１１は、センサ外れ検知処理のステップＳ２１でカウントを開始した電磁誘導加熱ユニット６の最大連続出力時間の１０分を経過しているか否かを判断する。ここで、最大連続出力時間を経過していない場合には、ステップＳ３３に以降する。他方、最大連続出力時間を経過している場合には、ステップＳ３４に以降する。

ステップＳ３３では、制御部１１は、圧力センサ２９ａの検知圧力が目標高圧圧力Ｐｈに達したか否か判断する。ここで、目標高圧圧力Ｐｈに達している場合には、ステップＳ３４に移行する。他方、ここで、目標高圧圧力Ｐｈに達していない場合には、ステップＳ３２を繰り返す。

ステップＳ３４では、制御部１１は、室内ファン４２の駆動を開始させ、急速高圧化処理を終え、定常出力処理に移行する。

ここでは、ステップＳ３３からステップＳ３４に以降された場合には、ユーザに対して十分に暖かい調和空気を提供できる状態になった状況で室内ファン４２が稼働し始める。ステップＳ３４からステップＳ３４に以降した場合には、ユーザに対して十分な暖かい調和空気を提供できる状態に至っていないが、ある程度の暖かい調和空気を提供できる状態であって暖房運転開始からの経過時間が長くなりすぎない範囲で温風の提供を開始させることができるようになる。

＜１−１１＞定常出力処理
定常出力処理では、外れ検知供給電力Ｍ１（１ｋＷ）以上であって最大供給電力Ｍｍａｘ（２ｋＷ）以下の出力である定常供給電力Ｍ２（１．４ｋＷ）を固定出力値として、電磁誘導サーミスタ１４の検知温度が起動時目標アキューム管温度である８０℃で位置されるように、電磁誘導加熱ユニット６の電力供給頻度をＰＩ制御する。

定常出力処理では、図２１のフローチャートに示すように、以下の各処理が行われる。

ステップＳ４１では、制御部１１は、電磁誘導サーミスタ１４の検知温度を格納し、ステップＳ４２に移行する。

ステップＳ４２では、制御部１１は、ステップＳ４１で格納した電磁誘導サーミスタ１４の検知温度を、起動時目標アキューム管温度の８０℃と比較して、電磁誘導サーミスタ１４の検知温度が、起動時目標アキューム管温度の８０℃よりも所定温度だけ低い所定維持温度以下となったか否かを判断する。所定維持温度以下となっている場合には、ステップＳ４３に移行する。所定維持温度以下になっていない場合には、ステップＳ４１を繰り返す。

ステップＳ４３では、制御部１１は、最近の電磁誘導加熱ユニット６への電力供給を終えた時からの経過時間を把握する。

ステップＳ４４では、制御部１１は、連続して３０秒間定常供給電力Ｍ２（１．４ｋＷ）で一定に保ったままで電磁誘導加熱ユニット６に電力を供給することを１セットとして、このセットの頻度を、ステップＳ４３で把握した経過時間が長ければ長い程頻度を上げる、ＰＩ制御を行う。

＜１−１２＞デフロスト処理
上述の定常出力処理を継続している際に、室外熱交換器２３の室外熱交センサ２９ｃの検知温度が所定値以下になった場合に、室外熱交換器２３に付着している霜を溶かす運転であるデフロスト処理を行う。具体的には、四路切換弁２２の接続状態を冷房運転と同様にして（図１の点線で示す接続状態）、圧縮機２１から吐出される高圧高温ガス冷媒を、室内熱交換器４１を通過させる前に室外熱交換器２３に提供し、冷媒の凝縮熱を利用して室外熱交換器２３に付着している霜を溶かす。

デフロスト処理では、図２２のフローチャートに示すように、以下の各処理が行われる。

ステップＳ５１では、制御部１１は、圧縮機２１の周波数が所定最低周波数Ｑｍｉｎ以上であって所定の冷媒循環量が確保されていること、流動条件判定処理によって電磁誘導加熱を行うことができる程度の冷媒流動量が確保されていること、および、センサ外れ検知処理によって電磁誘導サーミスタ１４の取付状態が適正であることを確認し、ステップＳ５２に移行する。

ステップＳ５２では、制御部１１は、室外熱交温度センサ２９ｃの検知温度が１０℃未満になったか否かを判断する。１０℃未満になっている場合には、ステップＳ５３に移行する。１０℃未満になっていない場合にはステップＳ５２を繰り返す。

ステップＳ５３では、制御部１１は、電磁誘導加熱ユニット６による誘導加熱を停止させた状態にするとともに、デフロスト信号に送信する。

ステップＳ５４では、制御部１１は、デフロスト信号が送信された後、四路切換弁２２の接続状態を冷房運転の接続状態とし、さらに、四路切換弁２２の接続状態が冷房運転の接続状態になってからタイマ９５によってデフロスト開始後経過時間をカウントする。

ステップＳ５５では、制御部１１は、デフロスト開始後３０秒経過したか否か判断する。ここで３０秒経過している場合には、ステップＳ５６に移行する。３０秒経過していない場合には、ステップＳ５５を繰り返す。

ステップＳ５６では、制御部１１は、電磁誘導加熱ユニット６のコイル６８に対する電力の供給を所定の最大供給電力Ｍｍａｘ（２ｋＷ）としつつ、電磁誘導サーミスタ１４の検出温度が目標デフロスト温度である４０℃となるように（定常出力処理時の起動時目標アキューム管温度とは異なる）、電磁誘導加熱ユニット６による誘導加熱の頻度をＰＩ制御する。なお、室外熱交温度センサ２９ａの検知温度が０℃を下回っている場合にはさらにホットガスバイパス回路Ｈのホットガスバイパス弁２７が開けられ、室外機２の底板２ｂの上面のうち室外ファン２６の下方および室外熱交換器２３の下方に高温高圧ガス冷媒が供給され、底板２ｂの上面に生じている氷を除去する。ここで、四路切換弁２２の接続状態が冷房運転の状態に切り換えられているため、圧縮機２１から吐出された高温高圧ガス冷媒は、室外熱交換器２３の分岐合流点２３ｋから合流分岐点２３ｊまで流れて、合流分岐点２３ｊにおいて合流して１本にまとめられることで、分岐配管Ｋの流量の３倍の流量となって集中的に合流配管Ｊを流れていく。この合流配管Ｊは、室外熱交換器２３の下端近傍に位置しているので、室外熱交換器２３の下端近傍に多くの凝縮熱を集中的に供給することができる。これにより、除霜速度をより迅速化させることができている。

ステップＳ５７では、制御部１１は、デフロスト開始後経過時間が１０分を超えたか否か判断する。ここで１０分を経過していない場合には、ステップＳ５８に移行する。１０分を経過している場合には、ステップＳ５９に移行する。これにより、四路切換弁２２の接続状態が冷房状態のままで１０分以上経過してしまうことを防ぎ、室内温度の低下による不快感が生じにくいようにしている。

ステップＳ５８では、制御部１１は、室外熱交温度センサ２９ｃの検知温度が１０℃を超えているか否かを判断する。１０℃を超えている場合には、ステップＳ５９に移行する。１０℃を超えていない場合にはステップＳ５６に戻って繰り返す。

ステップＳ５９では、制御部１１は、圧縮機２１を停止させて冷凍サイクル内の高低圧を均圧させつつ、電磁誘導加熱ユニット６による誘導加熱を終了する。

ステップＳ６０では、制御部１１は、四路切換弁２２の接続状態を暖房運転の接続状態に切り換える。

そして、制御部１１は、デフロストを終える信号を送信する。さらに、制御部１１は、圧縮機２１の周波数を所定最低周波数Ｑｍｉｎ以上に上げていき、再度デフロスト処理を行う状況になるまで定常出力処理を行う。また、ホットガスバイパス回路Ｈのホットガスバイパス弁２７は、デフロストを終える信号が送信された後、５秒後に閉じられる。

＜本実施形態の空気調和装置１の特徴＞
空気調和装置１では、急速高圧化処理を行うことで、電磁誘導加熱ユニット６による出力を最大供給電力Ｍｍａｘ（２ｋＷ）にして、室内熱交換器２３に向けて流れる冷媒の高温高圧化を迅速に達成させる処理を行っている。これにより、暖房運転の起動開始からユーザに暖かい空気が提供されるまでに要する時間を短縮化させることが可能になっている。さらに、室内がある程度暖まった状態では定常出力処理を行うことで、電磁誘導加熱ユニット６による出力を最大供給電力Ｍｍａｘ（２ｋＷ）より小さく制限した定常供給電力Ｍ２（１．４ｋＷ）を固定出力値としている。これにより、電磁誘導加熱ユニット６の出力を上げ過ぎることによる制御のオーバーシュートを小さく抑えることが可能になっている。

なお、電磁誘導加熱が行われる場合には、一般に、冷凍サイクルにおいて冷媒の循環状況が変化することによる温度上昇よりも、急激な温度上昇が生じやすい。これに対して、この空気調和装置１の電磁誘導加熱ユニット６では、板バネ１６の弾性力によって磁性体管Ｆ２に圧接され電磁誘導サーミスタ１４は、上述の電磁誘導加熱による定常出力処理において、電磁誘導加熱による迅速な温度変化に対する応答性が良好に維持されている。このため、定常出力処理の応答性を良好にして、制御のオーバーシュートをより小さく抑えることができている。

デフロスト処理では、電磁誘導加熱ユニット６による誘導加熱を最大供給電力Ｍｍａｘ（２ｋＷ）で行っているため、除霜処理を迅速化させることが可能になっている。ただし、電磁誘導サーミスタ１４の検出温度が目標デフロスト温度である４０℃となるようにして、定常出力処理時の起動時目標アキューム管温度よりも低く抑えているので、制御によるオーバーシュートを小さく抑えるようにしている。

＜他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態について図面に基づいて説明したが、具体的な構成は、これらの実施形態に限られるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。

（Ａ）
上記実施形態では、電磁誘導加熱ユニット６において最大供給電力Ｍｍａｘ（２ｋＷ）での出力を行わせる急速高圧化処理の終了時を、圧力センサ２９ａの検知圧力が目標高圧圧力Ｐｈに達した時点とした場合について例に挙げて説明した。

しかし、本発明はこれに限られるものではない。

例えば、電磁誘導加熱ユニット６において最大供給電力Ｍｍａｘ（２ｋＷ）での出力を行わせる急速高圧化処理の終了時は、圧力センサ２９ａ取付部分を通過する目標高圧圧力Ｐｈの冷媒に相当する温度に基づいて定まる温度を、電磁誘導サーミスタ１４が検知した時としてもよい。

この場合であっても、室内熱交換器２３に供給される冷媒温度が十分高いことを確認できるため、暖房運転開始時のユーザへの暖かい調和空気の提供を開始するための判断指標として利用することが可能になる。

なお、このような電磁誘導サーミスタ１４については、例えば、図２３に示すように、急速高圧化処理の終了時を判断する場合の温度変化の検知は、冷媒流れ方向において、磁性体管Ｆ２を有しているアキューム管Ｆ２の下流側近傍の温度変化を検知する電磁誘導下流側サーミスタ２１４の検知温度等であってもよく、アキューム管Ｆの温度を検知するものに限られない。

（Ｂ）
上記実施形態では、電磁誘導加熱ユニット６が停止状態から磁界を生じさせるように変化させることに起因して電磁誘導サーミスタ１４の検知温度が変化することを検出することで、電磁誘導サーミスタ１４の取付状態が良好であることを確かめる場合について例に挙げて説明した。

しかし、本発明はこれに限られるものではない。

例えば、電磁誘導加熱ユニット６が磁界を発生させている状態から、磁界を発生させない状態に変化させるようにして、電磁誘導サーミスタ１４の取付状態を確認するようにしてもよい。この場合には、電磁誘導サーミスタ１４の検出温度が低下するという検知温度の変化によって、電磁誘導サーミスタ１４の取付状態が良好であることを確かめることができる。

また、単に電磁誘導加熱ユニット６のコイル６８に供給する電力を変えることで、生じさせる磁界の大きさを変更させ、これに起因する電磁誘導サーミスタ１４の検出温度の変化を調べることで、電磁誘導サーミスタ１４の取付状態を確認するようにしてもよい。

（Ｃ）
上記実施形態では、アキューム管Ｆの外側を構成している磁性体管Ｆ２の温度を検出する電磁誘導サーミスタ１４の検知温度の変化に着目して、電磁誘導サーミスタ１４の取付状態が良好であるか否かを判断する場合について説明した。

しかし、本発明はこれに限られるものではない。

例えば、所定温度以上であるか所定温度以下であるかを検知するバイメタル等検出機器を用いつつ、検出機器の所定温度がセンサ外れ検知処理の前の温度と後の温度との間の値となるようにすることで、アキューム管Ｆの温度変化を検出するようにしてもよい。この場合には、センサ外れ検知処理を行う際の具体的な温度を検出できなくても、温度変化を検知することにより、センサの取付状態を確認することができる。

（Ｄ）
上記実施形態では、定常出力処理では電磁誘導加熱のための電磁誘導加熱ユニット６による出力を７０％で固定しつつ、その出力頻度を制御する場合について説明した。

しかし、本発明はこれに限られるものではない。

例えば、定常出力処理において、電磁誘導加熱を行う頻度を固定しつつ、電磁誘導加熱ユニット６による出力を、電磁誘導サーミスタ１４の検知温度に基づいて制御するようにしてもよい。

また、定常出力処理において、電磁誘導加熱を行う頻度、および、電磁誘導加熱ユニット６による出力の両方を、電磁誘導サーミスタ１４の検知温度に基づいて制御するようにしてもよい。

（Ｅ）
上記実施形態では、冷媒回路１０のうち、アキューム管Ｆに対して電磁誘導加熱ユニット６が取り付けられる場合について説明した。

しかし、本発明はこれに限られるものではない。

例えば、アキューム管Ｆ以外の他の冷媒配管に設けられていてもよい。この場合には、電磁誘導加熱ユニット６を設ける冷媒配管部分に磁性体管Ｆ２等の磁性体を設ける。

（Ｆ）
上記実施形態では、アキューム管Ｆは、銅管Ｆ１と磁性体管Ｆ２との二重管として構成されている場合を挙げて説明した。

しかし、本発明はこれに限られるものではない。

図２４に示すように、例えば、磁性体部材Ｆ２ａと、２つのストッパーＦ１ａと、がアキューム管Ｆや加熱対象となる冷媒配管の内部に配置されていてもよい。ここで、磁性体部材Ｆ２ａは、磁性体材料を含有しており、上記実施形態における電磁誘導加熱によって発熱を生じる部材である。ストッパーＦ１ａは、銅管Ｆ１の内側二カ所において、冷媒の通過を常時許容するが、磁性体部材Ｆ２ａの通過は許容しない。これにより、磁性体部材Ｆ２ａは、冷媒が流れても移動しない。このため、アキューム管Ｆ等の目的の加熱位置を加熱させることができる。さらに、発熱する磁性体部材Ｆ２ａと冷媒とが直接接触するため、熱伝達効率を向上させることができる。

（Ｇ）
上記他の実施形態（Ｆ）で説明した磁性体部材Ｆ２ａは、ストッパーＦ１ａを用いることなく配管に対して位置が定まるようにしてもよい。

図２５に示すように、例えば、銅管Ｆ１に二カ所で曲げ部分ＦＷを設け、当該二カ所の曲げ部分ＦＷの間の銅管Ｆ１の内側に磁性体部材Ｆ２ａを配置させてもよい。このようにしても、冷媒を通過させつつ、磁性体部材Ｆ２ａの移動を抑制させることができる。

（Ｈ）
上記実施形態では、コイル６８がアキューム管Ｆに対して螺旋状に巻き付けられている場合について説明した。

しかし、本発明はこれに限られるものではない。

例えば、図２６に示すように、ボビン本体１６５に巻き付けられたコイル１６８が、アキューム管Ｆに巻き付くことなく、アキューム管Ｆの周囲に配置されていてもよい。ここでは、ボビン本体１６５は、軸方向がアキューム管Ｆの軸方向に対して略垂直となるように配置されている。また、ボビン本体１６５およびコイル１６８は、アキューム管Ｆを挟むように２つに別れて配置されている。

この場合には、例えば、図２７に示すように、アキューム管Ｆを貫通させている第１ボビン蓋１６３および第２ボビン蓋１６４が、ボビン本体１６５に対して勘合した状態で配置されていてもよい。

さらに、図２８に示すように、第１ボビン蓋１６３および第２ボビン蓋１６４が、第１フェライトケース１７１および第２フェライトケース１７２によって挟み込まれて固定されていてもよい。図２８では、２つのフェライトケースがアキューム管Ｆを挟み込むように配置されている場合を例に挙げたが、上記実施形態と同様に、４方向に配置されていてもよい。また、上記実施形態と同様に、フェライトを収容させていてもよい。

＜その他＞
以上、本発明の実施形態について、いくつかの例を挙げて説明したが、本発明はこれらに限られない。例えば、上記記載から当業者が実施可能な範囲で、上述の実施形態の異なる部分を適宜組み合わせて得られる組合せ実施形態も、本発明に含まれる。

本発明を利用すれば、起動時の能力を迅速に確保しつつ、起動後のオーバーシュートを小さく抑えるコトが可能なため、電磁誘導を用いて冷媒を加熱させる電磁誘導加熱ユニットおよび空気調和装置において特に有用である。

１ 空気調和装置
６ 電磁誘導加熱ユニット
１０ 冷媒回路
１１ 制御部
１４ 電磁誘導サーミスタ（温度検知部）
１５ ヒューズ（温度検知部）
１６ 板バネ（弾性部材）
１７ 板バネ（弾性部材）
２１ 圧縮機
２２ 四路切換弁
２３ 室外熱交換器（所定流動検知部分）
２４ 電動膨張弁
２５ アキュームレータ
２９ａ 圧力センサ
２９ｂ 室外気温センサ
２９ｃ 室外熱交温度センサ
４１ 室内熱交換器
４３ 室内温度センサ
４４ 室内熱交温度センサ
６５ ボビン本体
６８ コイル（磁界発生部）
７１〜７４ 第１フェライトケース〜第４フェライトケース
７５ 遮蔽カバー
９０ コントローラ
９５ タイマ
９８、９９ 第１フェライト、第２フェライト
Ｆ アキューム管、冷媒配管（所定流動検知部分）
Ｍ１ 外れ検知供給電力（第１磁界レベル）
Ｍ２ 定常供給電力（第１磁界制限基準値）
Ｍｍａｘ 最大供給電力（所定最大出力）

特開２０００−９７５１０号公報

Claims (11)

1. 冷媒配管（Ｆ）および／または前記冷媒配管（Ｆ）中を流れる冷媒と熱的接触をする部材の誘導加熱を行い、冷媒を循環させる圧縮機構（２１）を含んだ冷凍サイクルを利用する、空気調和装置（１）であって、
   前記誘導加熱の加熱対象部分（Ｆ２）を誘導加熱させるために磁界を発生させる磁界発生部（６８）と、
   前記冷凍サイクルの少なくとも一部である所定状態量検知部分（Ｆ）を流れる冷媒に関する状態量を検知する冷媒状態量検知部（１４、２９ａ）と、
   前記冷凍サイクルで暖房運転を行う起動時において、前記磁界発生部（６８）による出力を所定最大出力（Ｍｍａｘ）とする状態を、前記圧縮機構が駆動状態となっている時から開始して前記冷媒状態量検知部（１４、２９ａ）が検知する状態量が第１所定目標状態量（Ｐｒ）に到達した時に終了させる起動時磁界発生制御、および、
   前記所定最大出力（Ｍｍａｘ）よりも低い第１磁界制限基準値（Ｍ２）を前記磁界発生部（６８）の出力の上限として制約をかける状態を、前記起動時磁界発生制御が終了した後に行う起動後磁界発生制御、
   を少なくとも行う制御部（１１）と、
   を備えた空気調和装置（１）。
2. 前記誘導加熱の加熱対象部分（Ｆ２）は、磁性体材料を含んでいる、
   請求項１に記載の空気調和装置（１）。
3. 前記所定状態量検知部分（Ｆ）は、前記磁界発生部（６８）によって磁界が生じている部分である、
   請求項１または２に記載の空気調和装置（１）。
4. 前記冷媒状態量検知部（１４、２９ａ）が検知する状態量は、前記所定状態量検知部分（Ｆ）を流れる冷媒に関する温度および圧力の少なくとも何れか一方である、
   請求項１から３のいずれか１項に記載の空気調和装置（１）。
5. 前記冷媒状態量検知部（１４、２９ａ）は、前記所定状態量検知部分（Ｆ）を流れる冷媒に関する温度を検知する温度検知部（１４）であって、
   前記制御部（１１）は、前記起動後磁界発生制御では、前記温度検知部（１４）が検知する温度が目標維持温度で維持されるように前記磁界発生部（６８）に発生させる磁界の大きさおよび／または前記磁界発生部（６８）に磁界を発生させる頻度をＰＩ制御する起動後磁界発生ＰＩ制御を行う、
   請求項１から４のいずれか１項に記載の空気調和装置（１）。
6. 前記冷媒状態量検知部（１４、２９ａ）は、前記所定状態量検知部分（Ｆ）を流れる冷媒に関する温度を検知する温度検知部（１４）であって、
   前記制御部（１１）は、前記磁界発生部（６８）に発生させる前記磁界のレベルを前記所定最大出力（Ｍｍａｘ）よりも低い範囲内で上げるもしくは下げるという磁界レベル変化処理を行うことで前記温度検知部（１４）の検知温度に変化があることもしくは前記温度検知部（１４）が温度変化を検知することの磁界レベル増加条件を満たした後に、前記起動時磁界発生制御を実行する、
   請求項１から５のいずれか１項に記載の空気調和装置（１）。
7. 前記磁界レベル変化処理で出力される最大の前記磁界レベルは（Ｍ１）は、前記第１磁界制限基準値（Ｍ２）よりも小さい値である、
   請求項６に記載の空気調和装置（１）。
8. 前記冷媒状態量検知部（１４、２９ａ）は、前記所定状態量検知部分（Ｆ）を流れる冷媒に関する温度を検知する温度検知部（１４）であって、
   前記制御部（１１）は、第１圧縮機構状態と前記第１圧縮機構状態よりも出力レベルの高い第２圧縮機構状態との前記圧縮機構の出力が異なる両方の圧縮機構状態を前記圧縮機構に実現させた際に、前記第１圧縮機構状態と前記第２圧縮機構状態とで前記温度検知部（１４）の検知温度に変化があるという流動条件を満たした後に、前記磁界レベル増加条件の判定を実行する、
   請求項１から７のいずれか１項に記載の空気調和装置（１）。
9. 前記冷媒状態量検知部（１４、２９ａ）は、前記所定状態量検知部分（Ｆ）を流れる冷媒に関する温度を検知する温度検知部（１４）であって、
   前記制御部（１１）は、前記起動後磁界発生制御を開始した後であって、前記冷凍サイクルに前記暖房運転とは異なる除霜運転を実行させている時には、前記磁界発生部（６８）の出力の上限を前記所定最大出力（Ｍｍａｘ）として、前記温度検知部（１４）の検知温度に基づいて前記磁界発生部（６８）による出力を制御する除霜運転出力制御を行う、
   請求項１から８のいずれか１項に記載の空気調和装置（１）。
10. 前記制御部（１１）は、前記除霜運転出力制御時には、前記温度検知部（１４）が検知する温度が前記第１所定目標温度よりも低い第２所定目標温度で維持されるようにＰＩ制御する除霜ＰＩ制御を行う、
    請求項９に記載の空気調和装置（１）。
11. 前記冷媒状態量検知部（１４、２９ａ）は、前記所定状態量検知部分（Ｆ）を流れる冷媒に関する温度を検知する温度検知部（１４）であって、
    前記温度検知部（１４）に対して弾性力を与える弾性部材（１６、１７）をさらに備え、
    前記温度検知部（１４）は、前記弾性部材（１６、１７）による前記弾性力によって前記所定状態量検知部分（Ｆ）に圧接している、
    請求項１から１０のいずれか１項に記載の空気調和装置（１）。

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