JP2010219233A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】素子分離部に対するウエルコンタクトホールの位置合わせ精度を向上する。
【解決手段】半導体基板にウエル領域2を形成する第1の工程と、前記半導体基板に、第1のアライメントマークと、前記ウエル領域2にアクティブ領域を分離する素子分離部7とを形成する第2の工程と、前記半導体基板の上に、第2のアライメントマークと、MOSトランジスタのゲート電極9とを形成する第3の工程と、前記ゲート電極9とともにソース電極又はドレイン電極となるべき半導体領域を形成する第4の工程と、前記半導体基板及び前記ゲート電極9の上に絶縁膜14を形成する第5の工程と、前記第1のアライメントマークを基準として決められた位置に、ウエルコンタクトホールを形成する第6の工程と、前記第2のアライメントマークを基準として決められた位置に、前記絶縁膜14を貫通するコンタクトホールを形成する第7の工程とを備える。
【選択図】図5
【解決手段】半導体基板にウエル領域2を形成する第1の工程と、前記半導体基板に、第1のアライメントマークと、前記ウエル領域2にアクティブ領域を分離する素子分離部7とを形成する第2の工程と、前記半導体基板の上に、第2のアライメントマークと、MOSトランジスタのゲート電極9とを形成する第3の工程と、前記ゲート電極9とともにソース電極又はドレイン電極となるべき半導体領域を形成する第4の工程と、前記半導体基板及び前記ゲート電極9の上に絶縁膜14を形成する第5の工程と、前記第1のアライメントマークを基準として決められた位置に、ウエルコンタクトホールを形成する第6の工程と、前記第2のアライメントマークを基準として決められた位置に、前記絶縁膜14を貫通するコンタクトホールを形成する第7の工程とを備える。
【選択図】図5
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
デジタルカメラ、ビデオカメラなどの撮像システムに用いられる光電変換装置には、CCD型やMOS型がある。MOS型の光電変換装置は、複数の画素が配列された画素配列と、画素配列の周辺における複数の画素を制御するための回路が配された周辺領域とを備える。複数の画素のそれぞれは、フォトダイオードやMOSトランジスタを含む。画素配列は、フォトダイオードやMOSトランジスタのソース電極又はドレイン電極がそれぞれ配される複数のアクティブ領域と、複数のアクティブ領域を電気的に分離する素子分離部とを有している。
アクティブ領域は、半導体基板におけるウエル領域に形成されており、隣り合うアクティブ領域との間で素子分離部により電気的に分離されている。素子分離部の構造として、STI(Shallow Trench Isolation)構造もしくはLOCOS(Local Oxidation of Silicon)構造が主に用いられる。
複数の画素のそれぞれにおけるフォトダイオードは、光に応じた電荷を発生させて蓄積する。このとき、半導体基板におけるフォトダイオードの下に配されたウエル領域の電位が安定していないと、フォトダイオードが電荷を安定的に蓄積できない。すなわち、ウエル領域の電位は、ウエル領域の抵抗とウエル領域の容量との時定数を伴った電位によって固定されるが、この時定数のため、ウエル領域の電位が画素配列内で安定しない可能性がある。これにより、画素配列における中心部近傍と周辺部とでフォトダイオードが蓄積すべき電荷(信号)の基準レベルにずれが生じる。この基準レベルのずれは、その電荷(信号)により得られた画像における明暗むら、いわゆるシェーディングを発生させる。
それに対して、特許文献1には、図11に示すように、STI型素子分離部214の領域を用いて、メタル配線220とP型ウエル領域212のP+型拡散領域212Aとを導通するPウエルコンタクト222を形成することが提案されている。この素子分離部214によって分離された領域内にフォトダイオード216(216A、216B)を設ける。これにより、特許文献1によれば、画素内の他の素子(例えば、フォトダイオード216)の面積を損なうことなく、P型ウエル領域212の電位安定化を図ることができるとされている。
特許文献1には、Pウエルコンタクト222が、層間絶縁膜218及び素子分離部214を貫通するように形成されたコンタクトホールにタングステン等の高融点金属を埋め込んで形成することが記載されている。
しかし、特許文献1には、素子分離部214に対するコンタクトホールの位置合わせ精度をどのように向上するのかに関して記載がない。
本発明の目的は、半導体装置において、素子分離部に対するウエルコンタクトホールの位置合わせ精度を向上することにある。
本発明の第1側面に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板にウエル領域を形成する第1の工程と、前記半導体基板に、第1のアライメントマークと、前記ウエル領域における複数のアクティブ領域を分離する素子分離部とを形成する第2の工程と、前記半導体基板の上に、第2のアライメントマークと、MOSトランジスタにおけるゲート電極とを形成する第3の工程と、前記半導体基板における前記アクティブ領域に、前記ゲート電極とともに前記MOSトランジスタを構成するソース電極又はドレイン電極となるべき半導体領域を形成する第4の工程と、前記半導体基板及び前記ゲート電極の上に絶縁膜を形成する第5の工程と、前記第1のアライメントマークを基準として決められた位置に、前記絶縁膜及び前記素子分離部を貫通し前記ウエル領域の一部を露出するウエルコンタクトホールを形成する第6の工程と、前記第2のアライメントマークを基準として決められた位置に、前記絶縁膜を貫通し前記半導体領域の一部を露出するコンタクトホールを形成する第7の工程とを備えたことを特徴とする。
本発明の第2側面に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板にウエル領域を形成する第1の工程と、前記半導体基板に、第1のアライメントマークと、前記ウエル領域における複数のアクティブ領域を分離する素子分離部とを形成する第2の工程と、前記半導体基板の上に、第2のアライメントマークと、MOSトランジスタにおけるゲート電極とを形成する第3の工程と、前記半導体基板における前記アクティブ領域に、前記ゲート電極とともに前記MOSトランジスタを構成するソース電極又はドレイン電極となるべき半導体領域を形成する第4の工程と、前記半導体基板及び前記ゲート電極を覆うように第1の絶縁膜を形成する第5の工程と、前記第1の絶縁膜における前記第1のアライメントマークを基準として決められた位置に、前記第1の絶縁膜及び前記素子分離部を貫通し前記ウエル領域の一部を露出するウエルコンタクトホールを形成するための開口を有するマスク層を形成する第6の工程と、前記開口を有する前記マスク層を覆うように第2の絶縁膜を形成する第7の工程と、前記第2のアライメントマークを基準として決められた位置に前記第2の絶縁膜を貫通し前記マスク層の前記開口を露出する第1の穴を形成し、前記マスク層の前記開口をマスクとして前記第1の穴の下における前記素子分離部を貫通し前記ウエル領域の一部を露出する第2の穴を形成することにより、前記第1の穴及び前記第2の穴を含む前記ウエルコンタクトホールを形成するとともに、前記第2のアライメントマークを基準として決められた位置に、前記第2の絶縁膜及び前記マスク層を貫通し前記半導体領域の一部を露出するコンタクトホールを形成する第8の工程とを備えたことを特徴とする。
本発明によれば、半導体装置において、素子分離部に対するウエルコンタクトホールの位置合わせ精度を向上することができる。
本明細書において、第1の層の「上に」第2の層が配されているとは、第1の層のすぐ上に第2の層が配されている場合だけでなく、第1の層に対する他の層を介した上に第2の層が配されている場合も含むものとする。同様に、第1の層の「下に」第2の層が配されているとは、第1の層のすぐ下に第2の層が配されている場合だけでなく、第1の層に対する他の層を介した下に第2の層が配されている場合も含むものとする。
本発明の第1実施形態に係る光電変換装置100の概略構成及び概略動作を説明する。光電変換装置(半導体装置)100は、画素配列PA及び周辺領域PRを有する(図1参照)。画素配列PAでは、複数の画素が行方向及び列方向に配列されている。複数の画素のそれぞれは、光電変換部、転送MOSトランジスタ、電荷電圧変換部、リセットMOSトランジスタ、増幅MOSトランジスタ、及び選択MOSトランジスタを含む。
光電変換部は、光に応じた電荷を発生させて蓄積する。光電変換部は、例えば、フォトダイオードである。転送MOSトランジスタは、後述の垂直走査回路からアクティブレベルの転送制御信号がゲートに供給された際にオンすることにより、光電変換部の電荷を電荷電圧変換部へ転送する。
電荷電圧変換部は、転送された電荷を電圧に変換する。電荷電圧変換部は、例えば、フローティングディフュージョンである。リセットMOSトランジスタは、垂直走査回路からアクティブレベルのリセット制御信号がゲートに供給された際にオンすることにより、電荷電圧変換部をリセットする。
増幅MOSトランジスタは、垂直信号線に接続された定電流源とともにソースフォロワ動作を行うことにより、電荷電圧変換部の電圧に応じた信号を垂直信号線へ出力する。すなわち、増幅MOSトランジスタは、リセットMOSトランジスタにより電荷電圧変換部がリセットされた状態で電荷電圧変換部の電圧に応じたノイズ信号を垂直信号線へ出力する。増幅MOSトランジスタは、転送MOSトランジスタにより光電変換部の電荷が電荷電圧変換部に転送された状態で電荷電圧変換部の電圧に応じた光信号を垂直信号線へ出力する。
選択MOSトランジスタは、画素を選択状態/非選択状態にする。すなわち、選択MOSトランジスタは、垂直走査回路からアクティブレベルの選択制御信号がゲートに供給された際にオンすることにより、画素を選択状態にする。選択MOSトランジスタは、垂直走査回路からノンアクティブレベルの選択制御信号がゲートに供給された際にオフすることにより、画素を非選択状態にする。
周辺領域PRでは、複数の画素のそれぞれを制御するための複数の制御回路が配されている。複数の制御回路は、垂直走査回路、読み出し回路、水平走査回路、及び出力アンプを含む。
垂直走査回路は、画素配列PAを垂直方向(列方向)に走査することにより、画素配列PAにおける信号を読み出すべき読み出し行を選択し、読み出し行の画素から垂直信号線へ信号(ノイズ信号、光信号)が読み出されるようにする。読み出し回路は、読み出し行の画素から垂直信号線を介して信号(ノイズ信号、光信号)を読み出し、読み出した信号を一時的に保持する。水平走査回路は、読み出し回路を水平方向(行方向)に走査することにより、読み出し回路に保持された読み出し行の信号における各列の信号(ノイズ信号、光信号)が順次に水平信号線経由で出力アンプへ転送されるようにする。出力アンプは、水平信号線経由で転送されたノイズ信号と光信号との差分をとることにより、画像信号を生成して出力する。
次に、本発明の第1実施形態に係る光電変換装置100の断面構成を、図1を用いて説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る光電変換装置100の断面構成を示す図である。
光電変換装置100は、半導体基板SB、ゲート電極9、SiN膜(第1の絶縁膜)11、層間絶縁膜(第2の絶縁膜)14、配線層19、ウエルコンタクトプラグPGa、及びコンタクトプラグPGbを備える。
半導体基板SBは、例えば、シリコンで形成されている。半導体基板SBは、半導体領域1、P型ウエル領域2、光電変換部(半導体領域)5、半導体領域6、素子分離部7、半導体領域8、N型ウエル領域10、及び半導体領域12を含む。半導体領域1及びP型ウエル領域2は、画素配列PA及び周辺領域PRに共通に配されている。光電変換部5、半導体領域6、素子分離部7、及び半導体領域8は、主として、画素配列PAに配されている。N型ウエル領域10、及び半導体領域12は、主として、周辺領域PRに配されている。
半導体領域1は、半導体基板SBにおける表面SBaから深い位置に配されている。半導体領域1は、N型の不純物(例えば、リン)を低濃度で含む。
P型ウエル領域2は、半導体基板SBにおける半導体領域1の上に配されている。P型ウエル領域2は、P型の不純物(例えば、ボロン)を低濃度で含む。
光電変換部5は、P型ウエル領域2における表面SBaの近傍に配されている。光電変換部5は、上記のように、光に応じた電荷(信号)を発生させて蓄積する。光電変換部5は、電荷蓄積層3及び保護層4を含む。電荷蓄積層3は、電荷(信号)を蓄積するための層であり、電荷に対応した導電型の不純物を含む。電荷蓄積層3は、例えば、電荷が電子による負電荷である場合、N型の不純物(例えば、リン)をP型ウエル領域2より高濃度で含む。保護層4は、電荷蓄積層3を保護するように電荷蓄積層3の上すなわち表面SBaの近傍に配される層であり、電荷蓄積層3と反対の導電型の不純物を含む。保護層4は、例えば、電荷蓄積層3がN型の不純物を含む場合、P型の不純物(例えば、ボロン)をP型ウエル領域2より高濃度で含む。
半導体領域6は、P型ウエル領域2における表面SBaの近傍に配されている。半導体領域6は、MOSトランジスタのソース電極又はドレイン電極として機能する領域であり、電荷に対応した導電型の不純物を含む。半導体領域6は、例えば、電荷が電子による負電荷である(上記のMOSトランジスタがNMOSトランジスタである)場合、N型の不純物(例えば、リン)をP型ウエル領域2より高濃度で含む。ここで、MOSトランジスタは、例えば、上記の、転送MOSトランジスタ、リセットMOSトランジスタ、増幅MOSトランジスタ、及び選択MOSトランジスタである。あるいは、半導体領域6は、上記の電荷電圧変換部であってもよい。
光電変換部5及び半導体領域6は、半導体基板SBにおける不純物を高濃度に含み活性化された領域であるアクティブ領域を形成している。
素子分離部7は、半導体基板SBにおけるP型ウエル領域2の上(表面SBaの近く)に配されている。素子分離部7は、半導体基板SBに形成された複数のアクティブ領域、すなわち光電変換部5及び半導体領域6を互いに電気的に分離する。素子分離部7は、その側面が光電変換部5及び半導体領域6の少なくとも一方に隣接しており、アクティブ領域の側面の少なくとも一部を規定する。図1では、素子分離部7の側面が半導体領域6の側面に接する場合が例示されている。素子分離部7は、後述するように、第1のアライメントマークとともにパターニングされた溝に絶縁物が埋め込まれて形成されたものである。
半導体領域8は、光電変換部5と半導体領域1との間にP型ウエル領域2に囲まれるように配されている。半導体領域8は、電荷蓄積層3に蓄積された電荷が半導体領域1や他の電荷蓄積層3へ逆流することを阻止するためのポテンシャル障壁を形成するように、電荷蓄積層3と反対の導電型の不純物を含む。半導体領域8は、例えば、電荷蓄積層3がN型の不純物を含む場合、P型の不純物(例えば、ボロン)をP型ウエル領域2より高濃度で含む。
N型ウエル領域10は、半導体基板SBにおけるP型ウエル領域2の上(表面SBaの近く)に配されている。N型ウエル領域10は、N型の不純物(例えば、リン)を低濃度で含む。
半導体領域12は、半導体基板SBにおけるN型ウエル領域10の上(表面SBaの近く)に配されている。半導体領域12は、MOSトランジスタのソース電極又はドレイン電極として機能する領域であり、電荷に対応した導電型の不純物を含む。半導体領域12は、例えば、電荷が正孔による正電荷である(MOSトランジスタがPMOSトランジスタである)場合、P型の不純物(例えば、ボロン)をP型ウエル領域2より高濃度で含む。ここで、MOSトランジスタは、例えば、上記の、垂直走査回路、読み出し回路、水平走査回路、及び出力アンプの少なくとも一部を構成するMOSトランジスタである。
なお、周辺領域PRにおけるN型ウエル領域10が配されない領域には、半導体領域6を含むMOSトランジスタが形成されていてもよい。この場合、垂直走査回路、読み出し回路、水平走査回路、及び出力アンプは、半導体領域12をソース電極又はドレイン電極として用いたPMOSトランジスタと半導体領域6をソース電極又はドレイン電極として用いたNMOSトランジスタとで構成される。
ゲート電極9は、半導体基板SBの上、例えば素子分離部7の上に配されている。ゲート電極9は、上記のソース電極又はドレイン電極とともにMOSトランジスタを構成する。すなわち、ゲート電極9は、半導体領域12を用いたソース電極又はドレイン電極とともにPMOSトランジスタを構成する、又は、半導体領域6を用いたソース電極又はドレイン電極とともにNMOSトランジスタを構成する。ゲート電極9は、後述するように、第2のアライメントマークとともにパターニングされたものである。
SiN膜11は、画素配列PAにおける半導体基板SB及びゲート電極9を覆うように延びている。特に、SiN膜11は、光電変換部5の受光面を覆っている。SiN膜11の屈折率は、半導体基板SB(例えばシリコン)の屈折率と層間絶縁膜14(例えばシリコン酸化物)の屈折率との間の値である。これにより、SiN膜11は、半導体基板SBの表面SBaにおける光の反射を防止する反射防止膜として機能する。特に、SiN膜11は、光電変換部5の受光面における光の反射を防止する反射防止膜として機能する。また、SiN膜11は、光電変換部5の受光面をドライエッチング時のダメージから保護する保護膜としても機能する。
層間絶縁膜14は、SiN膜11を介して半導体基板SB及びゲート電極9の上に配されている。層間絶縁膜14は、半導体基板SBと配線層19とを絶縁している。
配線層19は、層間絶縁膜14の上に配されている。配線層19は、例えば、上記の、信号を伝達するための垂直信号線や水平信号線、垂直走査回路から各画素へ所定の制御信号を供給するための制御線、各画素や各回路へ電源を供給するための電源線である。
ウエルコンタクトプラグPGaは、配線層19から、素子分離部7の側面に接しないように層間絶縁膜14及び素子分離部7を貫通しP型ウエル領域2まで延びている。ウエルコンタクトプラグPGaは、タングステンプラグ18aの側面及び底面がバリアメタル17aで覆われた構造をしている。これにより、ウエルコンタクトプラグPGaは、配線層19とP型ウエル領域2とを導通させ、配線層19を介して伝達された基準電圧をP型ウエル領域2へ供給している。ウエルコンタクトプラグPGaは、後述するように、素子分離部7とともに形成された第1のアライメントマークを基準として決められた位置に形成されたものである。
コンタクトプラグPGbは、配線層19から、層間絶縁膜14を貫通し半導体領域6まで延びている。コンタクトプラグPGbは、タングステンプラグ18bの側面及び底面がバリアメタル17bで覆われた構造をしている。これにより、コンタクトプラグPGbは、配線層19と半導体領域6とを導通させ、配線層19を介して伝達された電源電圧又は信号を半導体領域6へ供給したり、半導体領域6に保持された信号を配線層19へ供給したりする。コンタクトプラグPGbは、後述するように、ゲート電極9とともに形成された第2のアライメントマークを基準として決められた位置に形成されたものである。
次に、本発明の第1実施形態に係る光電変換装置100の製造方法を、図2〜図6及び図1を用いて説明する。図2〜図6は、本発明の第1実施形態に係る光電変換装置100の製造方法を示す工程断面図である。
図2(a)に示す工程では、N型の不純物(例えば、リン)を低濃度で含む半導体基板SBが準備される。そして(第1の工程)、半導体基板SBにP型の不純物(例えば、ボロン)を低濃度で注入することにより、半導体基板SBにおける半導体領域1の上にP型ウエル領域2が形成される。さらに、半導体基板SBの表面SBaから所定の深さにP型の不純物(例えば、ボロン)を高濃度で注入することにより、P型ウエル領域2内に半導体領域8が形成される。また、半導体基板SBにN型の不純物(例えば、リン)を低濃度で注入することにより、半導体基板SBにおけるP型ウエル領域2内にN型ウエル領域10が形成される。この半導体領域の形成の順番はこの順番に限らない。
その後(第2の工程)、半導体基板SBにおけるスクライブ領域SRに第1のアライメントマークAM1を形成するとともに、半導体基板SBにおける画素配列PA及び周辺領域PRの素子分離部7を形成する。スクライブ領域SRは、後半工程で半導体基板SBがスクライビングされる際に除去されるべき領域である。具体的には、第1のレジストパターン(図示せず)を介して、半導体基板SBのスクライブ領域SRにおける第1のアライメントマークAM1を形成すべき領域に第1の溝を形成する。それとともに、半導体基板SBの画素配列PA及び周辺領域PRの素子分離部7を形成すべき領域に第2の溝を形成する。第1の溝及び第2の溝のそれぞれに絶縁物(例えば、シリコン酸化物)を埋め込んで上面を平坦化する。これにより、半導体基板SBに、第1のアライメントマークAM1と素子分離部7とを形成する。
さらに(第3の工程)、半導体基板SBの上に、ゲート電極9となるべきポリシリコン層を形成する。第2のレジストパターン(図示せず)を介して、ポリシリコン層のスクライブ領域SRにおける部分をパターニングすることにより、第2のアライメントマークAM2を形成する。それとともに、ポリシリコン層の画素配列PA及び周辺領域PRにおける部分をパターニングすることにより、ゲート電極9を形成する。
そして(第4の工程)、第3のレジストパターン及びゲート電極9のパターンをマスクとして、半導体基板SBの表面SBaから所定の深さまでN型の不純物(例えば、リン)を高濃度で注入することより、電荷蓄積層3又は半導体領域6を形成する。
さらに、第4のレジストパターンをマスクとして、半導体基板SBの表面SBaから所定の深さまでP型の不純物(例えば、ボロン)を高濃度で注入することより、保護層4を形成する。
図2(b)に示す工程では、半導体基板SB及びゲート電極9を覆うように、SiN膜11iを熱CVD(Chemical Vapor Deposition)法により形成する。なお、SiN膜11iの代わりに、SiN膜とNSG(Non−doped Silicate Glass)膜との積層膜を形成してもよい。
図3(a)に示す工程では、第5のレジストパターンを介して、SiN膜11iにおけるスクライブ領域SRの部分をパターニングすることにより、第3のアライメントマークAM3を形成する。それとともに、SiN膜11iにおける周辺領域PRの部分を除去することにより、SiN膜11を形成する。ここで、周辺領域PRのゲート電極の周囲にサイドウォールを形成することも可能である。
図3(b)に示す工程では、第3のアライメントマークAM3を基準として決められた位置に開口パターンR1aを有する第6のレジストパターンR1を形成する。その開口パターンR1aをマスクとして、半導体基板SBの表面SBaから所定の深さまでP型の不純物(例えば、ボロン)を高濃度で注入することにより、周辺領域PRにおける半導体領域12を形成する。その後、第6のレジストパターンR1を除去する。
図4(a)に示す工程(第5の工程)では、熱CVD法により、SiN膜11の上に、BPSG(Boron Phosphorous Silicate Glass)膜を層間絶縁膜14として形成する。なお、BPSG膜の代わりに、熱CVD法により形成されたPSG(Phosphorous Silicate Glass)膜、NSG膜を層間絶縁膜14として形成しても良い。その後、ゲート電極9上のSiN膜11が除去されない範囲内で、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法により層間絶縁膜14の上面を平坦化する。
図4(b)に示す工程(第6の工程、第1のパターン形成工程)では、第1のアライメントマークAM1を基準として決められた位置に第1の開口パターンR2aを有する第7のレジストパターンR2を形成する。この第1のアライメントマークAM1は、図2(a)に示す工程における素子分離部7とともに形成されたアライメントマークである。
図5(a)に示す工程(第6の工程、第1のエッチング工程)では、第1の開口パターンR2aをマスクとしてドライエッチングを行う。これにより、素子分離部7の側面に接しないように層間絶縁膜14、SiN膜11、及び素子分離部7を貫通しP型ウエル領域2の一部2aを露出するウエルコンタクトホール15を形成する。
図5(b)に示す工程(第7の工程、第2のパターン形成工程)では、第2のアライメントマークAM2を基準として決められた位置に第2の開口パターンR3aを有する第8のレジストパターンR3を形成する。この第2のアライメントマークAM2は、図2(a)に示す工程におけるゲート電極9とともに形成されたアライメントマークである。
図6(a)に示す工程(第7の工程、第2のエッチング工程)では、第2の開口パターンR3aをマスクとしてドライエッチングを行う。これにより、層間絶縁膜14及びSiN膜11を貫通し半導体領域6の一部6aを露出するコンタクトホール16を形成する。
図5及び図6におけるこの際のドライエッチングは、SiN膜11と層間絶縁膜14との界面でエッチングをストップする第1の段階と、SiN膜11を除去する第2の段階との2段階で行われる。第1の段階では、SiN膜11が層間絶縁膜14に対してエッチングされにくい条件、すなわちSiN膜11に対する層間絶縁膜14のエッチング選択比が大きくなるような条件で、ドライエッチングが行われる。第2の段階では、層間絶縁膜14及び半導体基板SBに対するSiN膜11のエッチング選択比がそれぞれ大きくなるような条件で、ドライエッチングが行われる。
図6(b)に示す工程(第8の工程)では、ウエルコンタクトホール15に金属を埋め込むことによりウエルコンタクトプラグPGaを形成するとともに、コンタクトホール16に金属を埋め込むことによりコンタクトプラグPGbを形成する。
具体的には、スパッタ法又はCVD法により、ウエルコンタクトホール15の側面及び底面にTi/TiNの積層膜を形成することにより、バリアメタル17aを形成する。そして、CVD法により、ウエルコンタクトホール15におけるバリアメタル17aの上にタングステンプラグ(金属)18aを埋め込み、CMP法により余分な領域のタングステンプラグ18aを除去する。これにより、ウエルコンタクトプラグPGaを形成する。
また、スパッタ法又はCVD法により、コンタクトホール16の側面及び底面にTi/TiNの積層膜を形成することにより、バリアメタル17bを形成する。そして、CVD法により、コンタクトホール16におけるバリアメタル17bの上にタングステンプラグ(金属)18bを埋め込み、CMP法により余分な領域のタングステンプラグ18bを除去する。これにより、コンタクトプラグPGbを形成する。
なお、コンタクトプラグPGbは、ゲート電極9の側壁にSiN膜11を介して接しているため、ゲート電極9とは電気的に導通していない。
図1に示す工程では、スパッタ法により、配線層19となるべき金属層を層間絶縁膜14の上に形成する。そして、第3のアライメントマークAM3を基準として決められた位置に島状パターンを有する第9のレジストパターン(図示せず)を介して、その金属層をパターニングすることにより、配線層19を形成する。
なお、配線層19は、アルミニウム合金配線を想定しているが、シングルダマシン法を用いた銅配線でもよい。
ここで、仮に、図4(b)に示す工程において、第3のアライメントマークAM3を基準として決められた位置に開口パターンを有するレジストパターンを形成し、その開口パターンをマスクとしてドライエッチングを行うとする。この場合、第1のアライメントマークAM1と第3のアライメントマークAM3との間における相対的位置ずれRER(図3(a)参照)の分、素子分離部7に対してウエルコンタクトホール15の形成位置がずれる。これにより、ウエルコンタクトプラグPGaが素子分離部7の側面に接してしまう。つまり、ウエルコンタクトプラグPGaがアクティブ領域(光電変換部5又は半導体領域6)に接触してしまいPN接合リークを発生させる可能性がある。このPN接合リークが発生すると、そのアクティブ領域における信号に混入するノイズが増大するとともに、P型ウエル領域の電位も不安定になってシェーディングが増大する。この結果、画素配列から読み出された信号により得られる画像の画質が劣化する可能性がある。
それに対して、本実施形態では、図4(b)に示す工程において、第1のアライメントマークAM1を基準として決められた位置に第1の開口パターンR2aを有する第7のレジストパターンR2を形成する。そして、その第1の開口パターンR2aをマスクとしてドライエッチングを行うことにより、ウエルコンタクトホール15を形成することになる。すなわち、ウエルコンタクトホール15は、素子分離部7とともに形成されたアライメントマークを基準として決められた位置に形成される。これにより、光電変換装置において、素子分離部に対するウエルコンタクトホールの位置合わせ精度を向上することができる。このため、画素ごとにPN接合リークを発生させることなくP型ウエル領域に基準電圧を安定して印加することが可能になり、シェーディングを低減できる。この結果、画素配列から読み出された信号により得られる画像の画質が向上する。
特に、素子分離部7の底面の幅W1(図1参照)におけるウエルコンタクトプラグPGaの幅W2(図1参照)の割合を大きくしてもウエルコンタクトプラグPGaがアクティブ領域に接触しないように形成できる。これにより、ウエルコンタクトプラグPGaからアクティブ領域へのPN接合リークの発生を避けながら、ウエルコンタクトプラグPGaとP型ウエル領域2との接触面積を増加させることができる。この結果、P型ウエル領域2へ基準電圧を安定して印加することが容易になる。
次に、本発明の光電変換装置を適用した撮像システムの一例を図7に示す。
撮像システム90は、図7に示すように、主として、光学系、撮像装置86及び信号処理部を備える。光学系は、主として、シャッター91、レンズ92及び絞り93を備える。撮像装置86は、光電変換装置100を含む。信号処理部は、主として、撮像信号処理回路95、A/D変換器96、画像信号処理部97、メモリ部87、外部I/F部89、タイミング発生部98、全体制御・演算部99、記録媒体88及び記録媒体制御I/F部94を備える。なお、信号処理部は、記録媒体88を備えなくても良い。
シャッター91は、光路上においてレンズ92の手前に設けられ、露出を制御する。
レンズ92は、入射した光を屈折させて、撮像装置86の光電変換装置100の撮像面に被写体の像を形成する。
絞り93は、光路上においてレンズ92と光電変換装置100との間に設けられ、レンズ92を通過後に光電変換装置100へ導かれる光の量を調節する。
撮像装置86の光電変換装置100は、光電変換装置100の撮像面(画素配列)に形成された被写体の像を画像信号に変換する。撮像装置86は、その画像信号を光電変換装置100から読み出して出力する。
撮像信号処理回路95は、撮像装置86に接続されており、撮像装置86から出力された画像信号を処理する。
A/D変換器96は、撮像信号処理回路95に接続されており、撮像信号処理回路95から出力された処理後の画像信号(アナログ信号)を画像信号(デジタル信号)へ変換する。
画像信号処理部97は、A/D変換器96に接続されており、A/D変換器96から出力された画像信号(デジタル信号)に各種の補正等の演算処理を行い、画像データを生成する。この画像データは、メモリ部87、外部I/F部89、全体制御・演算部99及び記録媒体制御I/F部94などへ供給される。
メモリ部87は、画像信号処理部97に接続されており、画像信号処理部97から出力された画像データを記憶する。
外部I/F部89は、画像信号処理部97に接続されている。これにより、画像信号処理部97から出力された画像データを、外部I/F部89を介して外部の機器(パソコン等)へ転送する。
タイミング発生部98は、撮像装置86、撮像信号処理回路95、A/D変換器96及び画像信号処理部97に接続されている。これにより、撮像装置86、撮像信号処理回路95、A/D変換器96及び画像信号処理部97へタイミング信号を供給する。そして、撮像装置86、撮像信号処理回路95、A/D変換器96及び画像信号処理部97がタイミング信号に同期して動作する。
全体制御・演算部99は、タイミング発生部98、画像信号処理部97及び記録媒体制御I/F部94に接続されており、タイミング発生部98、画像信号処理部97及び記録媒体制御I/F部94を全体的に制御する。
記録媒体88は、記録媒体制御I/F部94に取り外し可能に接続されている。これにより、画像信号処理部97から出力された画像データを、記録媒体制御I/F部94を介して記録媒体88へ記録する。
以上の構成により、光電変換装置100において良好な画像信号が得られれば、良好な画像(画像データ)を得ることができる。
次に、本発明の第2実施形態に係る光電変換装置100jを、図8を用いて説明する。図8は、本発明の第2実施形態に係る光電変換装置100jの断面構成を示す図である。以下では、第1実施形態と異なる部分を中心に説明する。
光電変換装置100jは、ウエルコンタクトプラグPGajを備える。ウエルコンタクトプラグPGajは、上部タングステンプラグ18a1の側面が上部バリアメタル17a1で覆われ、下部タングステンプラグ18a2の側面及び底面が下部バリアメタル17a2で覆われた構造をしている。上部タングステンプラグ18a1と下部タングステンプラグ18a2とは中心軸がわずかにずれている。
また、光電変換装置100jは、その製造方法が、図9及び図10に示すように、次の点で第1実施形態と異なる。
図9(a)に示す工程(第6の工程)は、図3(a)に示す工程(第5の工程)の後、図3(b)に示す工程の前に行われる。図9(a)に示す工程では(第3のパターン形成工程)、第1のアライメントマークAM1(図2(a)参照)を基準として決められた位置に第3の開口パターン(図示せず)を有する第10のレジストパターンをSiN膜(第1の絶縁膜)11の上に形成する。その後(第3のエッチング工程)、第3の開口パターンをマスクとしてドライエッチングを行う。これにより、SiN膜11における第1のアライメントマークを基準として決められた位置であってウエルコンタクトホール15jを形成すべき位置に開口20jを形成する。すなわち、開口20jを有するマスク層11jを形成する。このマスク層11jは、後述のように、SAC(Self Align Contact)プロセスにおけるエッチングストッパー膜として機能する。
図9(b)に示す工程(第8の工程、第4のパターン形成工程)は、図4(a)に示す工程(第7の工程)の後、図4(b)及び図5(b)に示す工程に代えて行われる。図9(b)に示す工程では、第2のアライメントマークAM2(図2(a)参照)を基準として決められた位置に第4の開口パターンR4a及び第5の開口パターンR4bを有する第11のレジストパターンR4を形成する。第11のレジストパターンR4において、第4の開口パターンR4aは、ウエルコンタクトプラグPGajに対応した位置に配され、第5の開口パターンR4bは、コンタクトプラグPGbに対応した位置に配されている。
図10(a)に示す工程(第8の工程、第4のエッチング工程、第5のエッチング工程)は、図9(b)に示す工程の後、図5(a)及び図6(a)に示す工程に代えて行われる。
図10(a)に示す工程では(第4のエッチング工程)、第11のレジストパターンR4における第4の開口パターンR4aをマスクとしてドライエッチングを行う。これにより、層間絶縁膜(第2の絶縁膜)14を貫通しマスク層11jの開口20j(図9(a)参照)を露出する第1の穴151を形成する。マスク層11jは、この工程における第1の穴151を形成する際に、エッチングストッパー膜として機能する。そして、マスク層11jの開口20jをマスクとして第1の穴151の下における素子分離部7を貫通しP型ウエル領域2の一部2aを露出する第2の穴152を形成する。
一方、上記のエッチング工程(第4のエッチング工程)と並行して、第11のレジストパターンR4における第5の開口パターンR4bをマスクとしてドライエッチングを行う(第5のエッチング工程)。これにより、層間絶縁膜14を貫通しマスク層11jの一部を露出するコンタクトホール16となるべき穴16jを形成する。
ここで、SiN膜11が層間絶縁膜14に対してエッチングされにくい条件、すなわちSiN膜11に対する層間絶縁膜14のエッチング選択比が大きくなる条件で、ドライエッチングが行われる。アクティブ領域(半導体領域6)上の穴16jの底面が、層間絶縁膜14とSiN膜11との界面に達したところでドライエッチングを停止する。この場合、第2の穴152を形成するためのエッチング処理は、層間絶縁膜14と素子分離部7との界面を素子分離部7の上面と底面との間、もしくは、素子分離部7の底面まで進む。また、素子分離部7に対する第4の開口パターンR4aの位置合わせ精度が許容範囲を超えてずれていたとしても、マスク層11jがハードマスクとしての役割を果たすので、素子分離部7に対する第2の穴152の位置合わせ精度は許容範囲内に収まる。すなわち、素子分離部7に対する第1の穴151の位置合わせ精度が許容範囲を超えてずれていたとしても、素子分離部7に対する第2の穴152の位置合わせ精度は許容範囲内に収まる。これにより、素子分離部7に対するウエルコンタクトホール15jの位置合わせ精度は許容範囲内に収まる。
図10(b)に示す工程(第8の工程、第4のエッチング工程、第5のエッチング工程)は、図10(a)に示す工程の後、図6(b)に示す工程(第9の工程)の前に行われる。図10(b)に示す工程では、アクティブ領域(半導体領域6)上の穴16jの底面における露出されたマスク層11jをドライエッチングにより除去する。これにより、層間絶縁膜14及びマスク層11jを貫通し半導体領域6の一部6aを露出するコンタクトホール16を形成する。
このとき、第2の穴152を形成するためのエッチング処理が素子分離部7の上面と底面との間までしか進んでいなかった場合、素子分離部7の底面までドライエッチングが行われる。これにより、第1の穴151及び第2の穴152を含むウエルコンタクトホール15jを形成する。
このように、ウエルコンタクトホール15jを形成するためのエッチング処理(第4のエッチング工程)とコンタクトホール16を形成するためのエッチング処理(第5のエッチング工程)とは、並行して行われる。
Claims (9)
- 半導体基板にウエル領域を形成する第1の工程と、
前記半導体基板に、第1のアライメントマークと、前記ウエル領域における複数のアクティブ領域を分離する素子分離部とを形成する第2の工程と、
前記半導体基板の上に、第2のアライメントマークと、MOSトランジスタにおけるゲート電極とを形成する第3の工程と、
前記半導体基板における前記アクティブ領域に、前記ゲート電極とともに前記MOSトランジスタを構成するソース電極又はドレイン電極となるべき半導体領域を形成する第4の工程と、
前記半導体基板及び前記ゲート電極の上に絶縁膜を形成する第5の工程と、
前記第1のアライメントマークを基準として決められた位置に、前記絶縁膜及び前記素子分離部を貫通し前記ウエル領域の一部を露出するウエルコンタクトホールを形成する第6の工程と、
前記第2のアライメントマークを基準として決められた位置に、前記絶縁膜を貫通し前記半導体領域の一部を露出するコンタクトホールを形成する第7の工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第6の工程では、
前記第1のアライメントマークを基準として決められた位置に第1の開口パターンを有するレジストパターンを形成する第1のパターン形成工程と、
前記第1の開口パターンをマスクとしてエッチングを行うことにより、前記ウエルコンタクトホールを形成する第1のエッチング工程と、
を含み、
前記第7の工程では、
前記第2のアライメントマークを基準として決められた位置に第2の開口パターンを有するレジストパターンを形成する第2のパターン形成工程と、
前記第2の開口パターンをマスクとしてエッチングを行うことにより、前記コンタクトホールを形成する第2のエッチング工程と、
を含む
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ウエルコンタクトホールに金属を埋め込むことによりウエルコンタクトプラグを形成するとともに、前記コンタクトホールに金属を埋め込むことによりコンタクトプラグを形成する第8の工程をさらに備えた
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体装置は、光電変換装置である
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体基板にウエル領域を形成する第1の工程と、
前記半導体基板に、第1のアライメントマークと、前記ウエル領域における複数のアクティブ領域を分離する素子分離部とを形成する第2の工程と、
前記半導体基板の上に、第2のアライメントマークと、MOSトランジスタにおけるゲート電極とを形成する第3の工程と、
前記半導体基板における前記アクティブ領域に、前記ゲート電極とともに前記MOSトランジスタを構成するソース電極又はドレイン電極となるべき半導体領域を形成する第4の工程と、
前記半導体基板及び前記ゲート電極を覆うように第1の絶縁膜を形成する第5の工程と、
前記第1の絶縁膜における前記第1のアライメントマークを基準として決められた位置に、前記第1の絶縁膜及び前記素子分離部を貫通し前記ウエル領域の一部を露出するウエルコンタクトホールを形成するための開口を有するマスク層を形成する第6の工程と、
前記開口を有する前記マスク層を覆うように第2の絶縁膜を形成する第7の工程と、
前記第2のアライメントマークを基準として決められた位置に前記第2の絶縁膜を貫通し前記マスク層の前記開口を露出する第1の穴を形成し、前記マスク層の前記開口をマスクとして前記第1の穴の下における前記素子分離部を貫通し前記ウエル領域の一部を露出する第2の穴を形成することにより、前記第1の穴及び前記第2の穴を含む前記ウエルコンタクトホールを形成するとともに、前記第2のアライメントマークを基準として決められた位置に、前記第2の絶縁膜及び前記マスク層を貫通し前記半導体領域の一部を露出するコンタクトホールを形成する第8の工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第6の工程では、
前記第1のアライメントマークを基準として決められた位置に第3の開口パターンを有するレジストパターンを形成する第3のパターン形成工程と、
前記第3の開口パターンをマスクとしてエッチングを行うことにより、前記第1の絶縁膜における前記開口を形成する第3のエッチング工程と、
を含み、
前記第8の工程では、
前記第2のアライメントマークを基準として決められた位置に第4の開口パターン及び第5の開口パターンを有するレジストパターンを形成する第4のパターン形成工程と、
前記第4の開口パターンをマスクとしてエッチングを行うことにより前記第1の穴を形成し、その後、前記マスク層の前記開口をマスクとしてエッチングを行うことにより前記第2の穴を形成し、それによって、前記第1の穴及び前記第2の穴を含む前記ウエルコンタクトホールを形成する第4のエッチング工程と、
前記第5の開口パターンをマスクとしてエッチングを行うことにより、前記コンタクトホールを形成する第5のエッチング工程と、
を含み、
前記第4のエッチング工程と前記第5のエッチング工程とは、並行して行われる
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記マスク層は、前記第4のエッチング工程における前記第1の穴を形成する際に、エッチングストッパー膜として機能する
ことを特徴とする請求項6に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記ウエルコンタクトホールに金属を埋め込むことによりウエルコンタクトプラグを形成するとともに、前記コンタクトホールに金属を埋め込むことによりコンタクトプラグを形成する第9の工程をさらに備えた
ことを特徴とする請求項5から7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体装置は、光電変換装置であり、
前記マスク層は、前記半導体基板の表面における光の反射を防止する反射防止膜として機能する
ことを特徴とする請求項5から8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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