JP2010219216A - 積層配線導体の接続構造及びこれを使用した電力変換装置 - Google Patents
積層配線導体の接続構造及びこれを使用した電力変換装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010219216A JP2010219216A JP2009062936A JP2009062936A JP2010219216A JP 2010219216 A JP2010219216 A JP 2010219216A JP 2009062936 A JP2009062936 A JP 2009062936A JP 2009062936 A JP2009062936 A JP 2009062936A JP 2010219216 A JP2010219216 A JP 2010219216A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- strip
- conductor
- conductors
- laminated wiring
- semiconductor switching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【解決手段】それぞれ絶縁層7を介して複数の帯状導体5,6,9,10を積層した第1及び第2の積層配線導体3,4を備え、前記積層配線導体3,4を互いに同層の帯状導体5,6と、帯状導体9,10とを電気的に接続して導電路を形成する。前記第1及び第2の積層配線導体3,4のそれぞれは、両者の連結位置で、同層の帯状導体5,6,9,10同士の露出部5b,6bを重ねて接合部CON1,CON2を形成し、各層の帯状導体5,6,9,10の前記接合部CON1,CON2を、最下段の前記帯状導体5,9から上方の前記帯状導体6,10に行くに従い基準位置から長手方向に順次所定距離ずらした位置に形成し、各接合部CON1,CON2を接続部材8で固定する。
【選択図】図2
Description
ここで、各半導体スイッチング素子にIGBT(Insulated Gete Bipolar Transistor)が適用された従来の1相あたりの出力電圧として二つの電位(レベル)を出力可能な2レベル電力変換装置、及び1相あたりの出力電圧として三つの電位(レベル)を出力可能な3レベル電力変換装置の1相分について説明する。
充放電用コンデンサC30に充電されている正の電荷による電流は、半導体スイッチング素子Q30がオン状態であると、充放電用コンデンサC30の正極側→帯状導体103→接合部CON30→帯状導体104→半導体スイッチング素子Q30→帯状導体101→交流端子ACに至る電流経路L30に流れる。
この状態から半導体スイッチング素子Q30をターンオフさせると、電流経路L30を流れる電流が減少する。帯状導体103、接合部CON30及び帯状導体104は、インダクタンスを有しているので、この電流変化に伴って充放電用コンデンサC30に対して半導体スイッチング素子Q30の方が高い極性の電圧が発生する。
このようなスイッチング時の電流変化に伴う電圧の跳ね上がりを抑制する方法には、半導体スイッチング素子Q30,Q31に流れる電流を低減する方法と、配線インダクタンスを低減する方法とが考えられる。
一方、配線インダクタンスを低減する方法には、スナバ回路を用いる方法があるが、半導体素子、抵抗及びコンデンサ等が別途必要になるので、電力変換装置の大型化及びコストが嵩むといった問題が発生してしまう。
第1の積層配線導体110は、図14及び図15に示すように、同一幅の帯状導体103,105が上下方向に所定間隔を保った状態で絶縁部材112に埋設された構成とされている。ここで、帯状導体103は、図14及び図15に示すように、絶縁部材112に覆われたインダクタンス相殺部となる比較的幅広の本体部103aを有し、この本体部103aの先端に、その幅の1/3程度の幅で左端側から所定長さだけ絶縁部材112に対して突出された露出部103bを有する。
第2の積層配線導体111は、図14及び図15に示すように、第1の積層配線導体110とその幅方向に延長する線を挟んで対称に構成され、帯状導体103,105と同層の帯状導体104,106が絶縁部材112内に所定間隔を保って埋設された構成とされている。ここで、帯状導体104は、図14及び図15に示すように、絶縁部材112に覆われたインダクタンス相殺部となる本体部104aと、この本体部104aに連接して絶縁部材112から本体部104aの幅の1/3程度の幅で突出された露出部104bを有する。
そして、露出部104b,106bの先端には、図16に示すように、固定ねじ113の雄ねじ部113bを挿通する挿通孔104c,106cが形成されている。
このようにすることで、半導体スイッチング素子Q30のターンオフ時に発生する磁束を一対の対向側板部104d,106dによって打ち消し合わせることができ、インダクタンス成分を相殺することが可能となることから、接合部CON30,CON31においても、スイッチング時の電流の変化に伴う電圧の跳ね上がりを抑制することができる。
この3レベル電力変換装置の1相分150は、図19に示すように、直列に接続された充放電用コンデンサC31,C32と、直列に接続された半導体スイッチング素子Q32〜Q35で構成されるスイッチングアームSA31とが、正極ラインPと負極ラインNとの間に並列に接続されている。そして、各半導体スイッチング素子Q32〜Q35には、逆並列にダイオードD32〜D35が接続されている。また、半導体スイッチング素子Q33,Q34間の中点には、交流電圧を出力する交流端子ACが設けられている。さらに、半導体スイッチング素子Q33,Q34には、ダイオードD36,D37が逆並列に接続され、そのダイオードD36,D37間の中点が充放電用コンデンサC31,C32間の中点に設けられた中性点ラインMに接続されている。
そして、3レベル電力変換装置の1相分150の動作を説明すると、図19に示すように、充放電用コンデンサC31に充電されている正の電荷の放電によって半導体スイッチング素子Q32がオン状態であると、充放電用コンデンサC31の正極側(高電位側)→帯状導体154→接合部CON32→帯状導体155→半導体スイッチング素子Q32→帯状導体151→半導体スイッチング素子Q33→帯状導体152→交流端子ACに至る電流経路L33が形成される。
一方、半導体スイッチング素子Q32がターンオフすると、充放電用コンデンサC31の負極側→帯状導体162→接合部CON34→帯状導体163→帯状導体159→ダイオードD36→帯状導体160→帯状導体151→半導体スイッチング素子Q33→帯状導体152→交流端子ACに至る電流経路L34が形成される。このため、電流変化に伴って発生する帯状導体162、接合部CON24及び帯状導体163のインダクタンスによる電圧は、半導体スイッチング素子Q33に対して充放電用コンデンサC31の方が高くなる向きに発生する。
一方、半導体スイッチング素子Q33がターンオフすると、充放電用コンデンサC32の負極側→帯状導体156→接合部CON33→帯状導体157→半導体スイッチング素子Q35→帯状導体153→半導体スイッチング素子Q34→帯状導体152→交流端子ACに至る電流経路L36が形成される。このため、電流変化に伴って発生する帯状導体156、接合部CON33及び帯状導体157のインダクタンスによる電圧は、半導体スイッチング素子Q35に対して充放電用コンデンサC32の方が高くなる向きに発生する。
そして、露出部154b,156b,162bの先端には、図22に示すように、固定ねじ113の雄ねじ部113bを挿通する挿通孔154c,156c,162cが形成されている。
さらに、本体部と図17及び図18の一対の対向側板部とにおいては、インダクタンス成分を相殺することは可能であるが、わざわざ一対の対向側板部を形成する必要があり、製造コストが嵩むといった未解決の課題がある。
そこで、本発明は、上記従来例の未解決の課題に着目してなされたものであり、接合部において配線インダクタンスを十分に低減することができると共に、露出部の抵抗を減少させ、さらに大型化やコストが嵩むといったことを防止することができる積層配線導体の接続構造及びこれを使用した電力変換装置を提供することを目的としている。
さらに、請求項3に係る積層配線導体の接続構造は、請求項1又は2に係る発明において、前記第1及び第2の積層配線導体の帯状導体を上下に隣接する帯状導体のうち前記接合部が基準位置より遠い一方の帯状導体に、他方の帯状導体を固定する前記接続部材を望ませる透孔が形成したことを特徴としている。
さらにまた、請求項4に係る電力変換装置は、前記請求項1乃至3の何れか1項に記載の積層配線導体の接続構造を導電路に適用したことを特徴としている。
また、上記構成を有する積層配線導体の接続構造を導電路に適用して電力変換装置を構成することにより、良好な電力変換効果を発揮することができる。
図1は、本発明を電力変換装置に適用した場合の一実施形態を説明する回路図であり、図中1は、2レベル電力変換装置の1相分であって、充放電用コンデンサC1と並列に接続された2レベル電力変換装置を構成する直列回路としての1相分のスイッチングアームSA1が正極ラインPと負極ラインNとの間に接続されている。このスイッチングアームSA1は、半導体スイッチング素子Q1,Q2を、帯状導体2を介して直列に接続し、半導体スイッチング素子Q1,Q2間の中点に交流電圧を出力する交流端子ACが設けられている。そして、各半導体スイッチング素子Q1,Q2には、逆並列にダイオードD1,D2が接続されている。
そして、充放電用コンデンサC1とスイッチングアームSA1とは、図1〜図4に示すように、第1の積層配線導体3と第2の積層配線導体4とを接合部CON1及び接合部CON2を介して接続することで電気的に並列に接続されている。
第1の帯状導体5は、図2〜図4に示すように、絶縁層7に覆われたインダクタンス相殺部となる比較的幅広の本体部5aと、この本体部5aの先端に絶縁層7から本体部5aの幅と略等しい幅で基準位置S1となる絶縁層7の端部から所定長さ露出するように突出された露出部5bとを備えている。ここで、露出部5bには、図4に示すように、本体部5aとは反対側の端部寄りの位置に幅方向に所定間隔を保って固定ねじ8の雄ねじ部8bを挿通する例えば2つの挿通孔5cが形成されている。
第1の積層配線導体3と第2の積層配線導体4とを接合するには、先ず、第1の積層配線導体3の第1の帯状導体5を上側とし、第2の積層配線導体4の第1の帯状導体9を上側として、第1の積層配線導体3の露出部5b,6b上に、第2の積層配線導体4の露出部9b,10bが重なるように互いに突き合わせて配置する。このように配置することにより、露出部5b,9bで第1の接合部CON1が形成され、露出部6b,10bで第2の接合部CON2が形成され、両接合部CON1,CON2が基準位置S1又は基準位置S2から順に長手方向にずれて上下方向に重なることがなく互い違いに配置される。
また、固定ねじ11を第1の帯状導体9の上方から絶縁層15の挿通孔15aを通じて第2の帯状導体6の雌ねじ部6dに螺合させることにより、第2の帯状導体10を第2の帯状導体6に電気的に接続することができる。
このようにして、第1の積層配線導体3と第2の積層配線導体4との接合が完了する。この接合が完了した時点で、側面から見ると、図4に示すように、固定ねじ8,11の頭部8a,11aが絶縁層7,15の挿通孔7a,15a内に収まり、外方に突出することがない。
今、スイッチングアームSA1の半導体スイッチング素子Q1をオン状態としたときの図1の電流経路L1には、充放電用コンデンサC1の正極側(高電位側)→第1の帯状導体5の本体部5a→第1の帯状導体5の露出部5b→第1の帯状導体9の露出部9b→第1の帯状導体9の本体部9a→半導体スイッチング素子Q1→帯状導体2→交流端子ACの順に電流が流れる。
ここで、半導体スイッチング素子Q1がオン状態で、図1に示すように、電流経路L1に電流が流れていたとする。そして、この状態で、半導体スイッチング素子Q1がターンオフすると、電流経路L1に流れる電流が減少すると共に、電流経路L2に流れる電流が増加する。
このため、互いに所定間隔を保って対向する帯状導体の板部間で逆方向の電流が流れることにより、発生する磁束の向きが逆方向となる。この結果、逆方向の磁束が互いに打ち消し合うことになり、インダクタンス成分を十分に低減することができ、スイッチング時の電流の変化に伴う電圧の跳ね上がりを確実に抑制することができる。
さらに、帯状導体6に形成した透孔6c及び帯状導体9に形成した透孔9cの内周面が夫々絶縁層7及び絶縁層15によって覆われて露出していないので、帯状導体5,9及び帯状導体10,6を接合する固定ねじ8,11との間で短絡を生じることを確実に防止することができる。
この第2の実施形態では、前述した2レベル電力変換装置に代えて3レベル電力変換装置を第1及び第2の積層配線導体で電気的に接続するようにしたものである。
すなわち、3レベル電力変換装置の1相分は、図5に示すように、直列に接続された充放電用コンデンサC2,C3と、直列に接続された4個の半導体スイッチング素子Q3〜Q6で構成されるスイッチングアームSA2とが、正極ラインPと負極ラインNとの間に並列に接続されている。そして、各半導体スイッチング素子Q3〜Q6には、逆並列にダイオードD3〜D6が接続されている。そして、半導体スイッチング素子Q4,Q5間の中点に交流電圧を出力する交流端子ACが設けられている。さらに、半導体スイッチング素子Q4,Q5には、直列に接続されたダイオードD7,D8が逆並列に接続され、そのダイオードD7,D8間の中点が充放電用コンデンサC2,C3間の中点に設けられた中性点ラインMに接続されている。
そして、充放電用コンデンサC2の負極側と充放電用コンデンサC3の正極側とは、帯状導体34によって電気的に接続されている。
さらに、ダイオードD7のアノード側とダイオードD8のカソード側とは、帯状導体35によって電気的に接続されている。そして、ダイオードD7のカソード側と半導体スイッチング素子Q3,Q4間の中点とは、帯状導体36によって電気的に接続されている。そして、ダイオードD8のアノード側と半導体スイッチング素子Q5,Q6間の中点とは、帯状導体37によって電気的に接続されている。
また、第2の帯状導体44は、図6〜図8に示すように、前述した第1の実施形態における第2の帯状導体6と同様の構成を有し、本体部44a、露出部44b、透孔44c及び挿通孔44dを有する。
第2の積層配線導体41は、図6〜図8に示すように、半導体スイッチング素子Q3及びダイオードD3に接続された第1の帯状導体46と、ダイオードD7,D8間の中点に接続された第2の帯状導体47と、半導体スイッチング素子Q6及びダイオードD6に接続された帯状の第3の帯状導体48とが所定間隔を保って上方からその順に配置され、その夫々の帯状導体46〜48が絶縁層15によって絶縁された構成とされている。
また、第2の帯状導体47は、図6〜図8に示すように、前述した第1の実施形態における第1の帯状導体9と同様の構成を有し、本体部47a、露出部47b、透孔47c及び雌ねじ部47dを有する。
さらにまた、絶縁層15には透孔46c,47cに対応する位置に挿通孔15aが形成され、透孔46dに対応する位置に挿通孔15bが形成されている。
第1の積層配線導体40と第2の積層配線導体41とを接合するには、先ず、第1の積層配線導体40の第1の帯状導体43を上方とし、第2の積層配線導体41の第1の帯状導体46を上方とした状態で、第1の帯状導体43の露出部43b上に第1の帯状導体46の露出部46bを重ね、同様に第2の帯状導体44の露出部44b上に第2の帯状導体47の露出部47bを重ね、さらに第3の帯状導体45の露出部45b上に第3の帯状導体48の露出部48bを重ねた状態として配置する。
この状態で、固定ねじ8を第3の帯状導体45の下方から絶縁層7の挿通孔7aを通じて第1の帯状導体46の雌ねじ部46eに螺合させて、第1の帯状導体43を第1の帯状導体46に電気的に接続して接合部CON3を形成する。
さらに、固定ねじ12を第1の帯状導体46の上方から絶縁層15の挿通孔15aを通じて第3の帯状導体45の雌ねじ部45eに螺合させて、第3の帯状導体45を第3の帯状導体48に電気的に接続して接合部CON5を形成する。
このようにして、第1の積層配線導体40と第2の積層配線導体41との接合が完了する。この組付けが完了した時点で、側面から見ると、図8に示すように、各固定ねじ8,11,12の頭部8a,11a,12aが絶縁層7,15の挿通孔7a,7b,15a,15b内に収容されて外方に突出しない。
ここで、半導体スイッチング素子Q3をオン状態としたときの図5の電流経路L3には、充放電用コンデンサC1の正極側(高電位側)→第1の帯状導体43の本体部43a→第1の帯状導体43の露出部43b→第1の帯状導体46の露出部46b→第1の帯状導体46の本体部46a→半導体スイッチング素子Q3→帯状導体30→半導体スイッチング素子Q4→帯状導体31→交流端子ACの順に電流が流れる。
このため、半導体スイッチング素子Q3のターンオフ時には、半導体スイッチング素子Q3と充放電用コンデンサC2の正極側とを接続する第1の帯状導体43,46と、ダイオードD7,D8間の中点と充放電用コンデンサC2,C3間の中点とを接続する第2の帯状導体44,47との間で逆方向の電流が流れる。
このため、半導体スイッチング素子Q4のターンオフ時には、ダイオードD7,D8間の中点と充放電用コンデンサC2,C3間の中点とを接続する第2の帯状導体44,47と、半導体スイッチング素子Q6と充放電用コンデンサC3の負極側とを接続する第3の帯状導体45,48との間で逆方向の電流が流れる。
なお、上記第2の実施形態においては、第2の帯状導体47に雌ねじ部47dを形成する場合について説明したが、雌ねじ部47dを省略して挿通孔とし、第2の帯状導体44に雌ねじ部を形成して、これに固定ねじ11を螺合させるようにしてもよい。
この第3の実施形態では、前述した3レベル電力変換装置に代えて5レベル電力変換装置を第1及び第2の積層配線導体で電気的に接続するようにしたものである。
すなわち、5レベル電力変換装置の1相分は、図9に示すように、直列に接続された4個の充放電用コンデンサC4〜C7と、直列に接続された8個の半導体スイッチング素子Q11〜Q18で構成されるスイッチングアームSA3とが、正極ラインP1と負極ラインN1との間に並列に接続されている。各半導体スイッチング素子Q11〜Q18には、夫々逆並列にダイオードD11〜D18が接続されている。そして、半導体スイッチング素子Q14,Q15間の中点に交流電圧を出力する交流端子ACが設けられている。
さらに、半導体スイッチング素子Q12〜Q15には、直列に接続されたダイオードD19,D20が逆並列に接続され、そのダイオードD19,D20間の中点が充放電用コンデンサC4,C5間の中点を介して正極ラインP2に接続されている。
また、半導体スイッチング素子Q14〜Q17には、直列に接続されたダイオードD23,D24が逆並列に接続され、そのダイオードD23,D24間の中点が充放電用コンデンサC6,C7間の中点を介して負極ラインN2に接続されている。
また、充放電用コンデンサC4〜C7間は、夫々帯状導体57〜59によって電気的に接続されている。
さらに、ダイオードD19のアノード側とダイオードD20のカソード側とは、帯状導体60によって電気的に接続されている。そして、ダイオードD19のカソード側と半導体スイッチング素子Q11,Q12間の中点とは、帯状導体61によって電気的に接続されている。そして、ダイオードD20のアノード側と半導体スイッチング素子Q15,Q16間の中点とは、帯状導体62によって電気的に接続されている。
また、第2の帯状導体76は、図11及び図12に示すように、前述した第1の実施形態における第2の帯状導体6と同様の構成を有し、本体部76a、露出部76b、透孔76c及び挿通孔76dを有する。
また、第4の帯状導体78は、図11及び図12に示すように、絶縁層7に覆われ長手方向の先端が第3の帯状導体77の露出部77bの先端より所定長さ突き出したインダクタンス相殺部となる本体部78aと、この本体部78aの先端に絶縁層7から本体部78aの幅と略等しい幅で所定長さ露出するように突出された露出部78bとを備えている。
ここで、本体部79aの第4の帯状導体78の透孔78c,78d,78eと対向する位置には、固定ねじ8,11,12の頭部8a,11a,12aを挿通する2つずつの透孔79c,79d,79eが形成されている。また、本体部79aの第4の帯状導体78の雌ねじ部78fと対向する位置には、固定ねじ13の頭部13aを挿通する2つの透孔79fが形成されている。さらに、露出部79bには、本体部79aとは反対側の端部寄りの位置の幅方向に所定間隔を保って固定ねじ14の雄ねじ部14bを螺合する例えば2つの雌ねじ部79gが形成されている。
第2の積層配線導体71は、図10〜図12に示すように、半導体スイッチング素子Q11及びダイオードD11に接続された第1の帯状導体80と、ダイオードD19,D20間の中点に接続された第2の帯状導体81と、ダイオードD21,D22間の中点に接続された第3の帯状導体82と、ダイオードD23,D24間の中点に接続された第4の帯状導体83と、半導体スイッチング素子Q18及びダイオードD18に接続された第5の帯状導体84とが所定間隔を保って上方からその順に配置され、その夫々の帯状導体80〜84が絶縁層15によって絶縁された構成とされている。
また、第2の帯状導体81は、図11及び図12に示すように、前述した第4の帯状導体78を幅方向の線で線対称とした構成を有し、本体部81a、露出部81b、透孔81c,81d,81e及び雌ねじ部81fを有する。
また、第4の帯状導体83は、図11及び図12に示すように、前述した第1の実施形態における第2の帯状導体6と同様の構成を有し、本体部83a、露出部83b、透孔83c及び挿通孔83dを有する。
さらに、絶縁層15には、帯状導体80〜83の透孔80c〜83cに対応する位置に挿通孔15aが形成され、帯状導体80〜82の透孔80d〜82dに対応する位置に挿通孔15bが形成され、帯状導体80,81の透孔80e,81eに対応する位置に挿通孔15cが形成され、帯状導体80の透孔80fに対応する位置に挿通孔15dが形成されている。
第1の積層配線導体70と第2の積層配線導体71とを接合するには、先ず、第1の積層配線導体70の第1の帯状導体75を上方とし、第2の積層配線導体71の第1の帯状導体80を上方とした状態で、第1の帯状導体75の露出部75b上に第1の帯状導体80の露出部80bを重ね、同様に第2の帯状導体76の露出部76b上に第2の帯状導体81の露出部81bを重ねた状態として配置する。さらに、この状態で第3の帯状導体77の露出部77b上に第3の帯状導体82の露出部82bを重ね、さらに第4の帯状導体78の露出部78b上に第4の帯状導体83の露出部83bを重ね、さらに第5の帯状導体79の露出部79b上に第5の帯状導体84の露出部84bを重ねた状態として配置する。
また、固定ねじ11を絶縁層7の挿通孔7b及び第2の帯状導体76の挿通孔76dを通じて第2の帯状導体81の雌ねじ部81fに螺合させて、第2の帯状導体76を第2の帯状導体81に電気的に接続して接合部CON12を形成する。
また、固定ねじ13を絶縁層15の挿通孔15b及び第4の帯状導体83の挿通孔83dを通じて第4の帯状導体78の雌ねじ部78fに螺合させて、第4の帯状導体83を第4の帯状導体78に電気的に接続して接合部CON14を形成する。
このとき、接合部CON11〜CON15は、図12で見て、第1の帯状導体75の本体部75aを覆う絶縁層7の端面を基準位置S4としてこの基準位置から接合部CON11〜CON15が順次右方側に所定距離ずらした位置に設定され、接合部同士が上下に重ならないように設定されている。
なお、上記第3の実施形態においては、第3の帯状導体77に雌ねじ部77eを形成する場合について説明したが、雌ねじ部77eを省略して挿通孔とし、第3の帯状導体82に雌ねじ部を形成して、これに固定ねじ12を螺合させるようにしてもよい。
また、上記第1〜第3の実施形態においては、第1の積層配線導体3,40,70と第2の積層配線導体4,41,71とをモールド成型によって形成する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、露出部を露出させて絶縁層で覆った単体の帯状導体を形成し、この単体の帯状導体を所要数積層して接着、溶着等の固着手段で固着するようにしてもよい。
また、上記第1〜第3の実施形態においては、第1及び第2の積層配線導体が2層、3層又は5層の帯状導体を有する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、2層、3層及び5層以外の積層帯状導体にも適用することができる。
Claims (4)
- それぞれ絶縁層を介して複数の帯状導体を積層した第1及び第2の積層配線導体を備え、前記第1及び第2の積層配線導体を互いに同層の帯状導体同士を電気的に接続することにより連結して導電路を形成する積層配線導体の接続構造であって、
前記第1及び第2の積層配線導体のそれぞれは、両者の連結位置で、同層の帯状導体同士の露出部を重ねて接合部を形成し、各層の帯状導体の前記接合部を、最下段の前記帯状導体から上方の前記帯状導体に行くに従い基準位置から長手方向に順次所定距離ずらした位置に形成し、各接合部を接続部材で固定することを特徴とする積層配線導体の接続構造。 - 前記第1及び第2の積層配線導体は、2層、3層及び5層のいずれかの帯状導体で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の積層配線導体の接続構造。
- 前記第1及び第2の積層配線導体の帯状導体は、上下に隣接する帯状導体のうち前記接合部が基準位置より遠い一方の帯状導体に、他方の帯状導体を固定する前記接続部材を望ませる透孔が形成されていることを特徴とする請求項1又2に記載の積層配線導体の接続構造。
- 前記請求項1乃至3の何れか1項に記載の積層配線導体の接続構造を導電路に適用したことを特徴とする電力変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009062936A JP2010219216A (ja) | 2009-03-16 | 2009-03-16 | 積層配線導体の接続構造及びこれを使用した電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009062936A JP2010219216A (ja) | 2009-03-16 | 2009-03-16 | 積層配線導体の接続構造及びこれを使用した電力変換装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010219216A true JP2010219216A (ja) | 2010-09-30 |
Family
ID=42977747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009062936A Pending JP2010219216A (ja) | 2009-03-16 | 2009-03-16 | 積層配線導体の接続構造及びこれを使用した電力変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010219216A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015170755A (ja) * | 2014-03-07 | 2015-09-28 | 川崎重工業株式会社 | バスバー |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02299411A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-11 | Fuji Electric Co Ltd | 平行配線による平形導体の接続装置 |
-
2009
- 2009-03-16 JP JP2009062936A patent/JP2010219216A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02299411A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-11 | Fuji Electric Co Ltd | 平行配線による平形導体の接続装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015170755A (ja) * | 2014-03-07 | 2015-09-28 | 川崎重工業株式会社 | バスバー |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2690021C1 (ru) | Компоновка токовых шин | |
US7670163B2 (en) | Electric connection and electric component | |
JP2007299888A (ja) | コンデンサ | |
TW201401736A (zh) | 全橋式電力轉換裝置 | |
WO2015019160A1 (en) | Power conversion device | |
CN107005145A (zh) | 功率模块、功率模块组、功率输出级以及包括功率输出级的驱动系统 | |
JP2011023496A (ja) | 金属化フィルムコンデンサ | |
CN111630616A (zh) | 用于电容器组件的非常低的电感汇流排 | |
JP7088112B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP2012249501A (ja) | 電力変換装置 | |
US9735524B1 (en) | Three-level converter arrangement and connecting arrangement for same | |
JP2009088174A (ja) | コンデンサ | |
JP2010219216A (ja) | 積層配線導体の接続構造及びこれを使用した電力変換装置 | |
JP2006351981A (ja) | コンデンサ装置 | |
JP5320878B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP2014192812A (ja) | 電源回路 | |
JP2020013834A (ja) | コンデンサ装置 | |
JP6504622B2 (ja) | 開閉モジュール用のコンデンサ基板ユニット、開閉モジュール、およびモータ駆動装置 | |
WO2015133218A1 (ja) | コンデンサモジュール | |
JP2008306867A (ja) | 電力変換装置および電気部品の接続方法 | |
JP2017208531A (ja) | コンデンサモジュール | |
JP2004526395A (ja) | 電流をスイッチングする回路に対する回路構造 | |
JP7054350B2 (ja) | 絶縁型電源装置、給電システム | |
JP5594242B2 (ja) | スイッチング素子の駆動回路 | |
CN107800304B (zh) | 电力转换装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110422 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130604 |