JP2010219109A - トレンチゲート型半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高耐圧化とオン抵抗の安定化とを同時に達成するトレンチゲート型半導体装置を提供すること。
【解決手段】第1導電型(n)を有するエピタキシャル層(1)と、
前記エピタキシャル層上に隣接して形成され、且つ、前記第1導電型と反対の第2導電型(p)を有するベース層(2)と、
前記ベース層上に選択的に形成される前記第1導電型(n)を有するソース層(3)と、
前記エピタキシャル層に到達するように前記ベース層及び前記ソース層を貫通して形成されるトレンチ(4)と、
前記トレンチの内壁に沿って形成される絶縁膜(5)と、
前記絶縁膜を介して前記トレンチ内部に形成される制御電極(6)と、
を備える半導体装置であって、
前記エピタキシャル層において前記トレンチの底部に沿って形成される前記第1導電型の半導体領域(10)を備えることを特徴とする半導体装置。
【選択図】図1
【解決手段】第1導電型(n)を有するエピタキシャル層(1)と、
前記エピタキシャル層上に隣接して形成され、且つ、前記第1導電型と反対の第2導電型(p)を有するベース層(2)と、
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前記エピタキシャル層に到達するように前記ベース層及び前記ソース層を貫通して形成されるトレンチ(4)と、
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前記絶縁膜を介して前記トレンチ内部に形成される制御電極(6)と、
を備える半導体装置であって、
前記エピタキシャル層において前記トレンチの底部に沿って形成される前記第1導電型の半導体領域(10)を備えることを特徴とする半導体装置。
【選択図】図1
Description
本発明は、トレンチゲート構造を有する半導体装置及びその製造方法に関する。
図4は、従来のトレンチゲート型パワーMOSFETの構造を示す断面図である。
従来のトレンチゲート型パワーMOSFETは、図示しないn+型の基板上に形成されたn−型のエピタキシャル層1上にp型のベース層2とn+型のソース層3が形成され、平面的に見てストライプ状のトレンチ4がベース層2とソース層3とを貫通してエピタキシャル層1に到達するように形成され、トレンチ4内部にゲート絶縁膜5を介して形成されたゲート電極6と、ゲート電極6上に形成された層間絶縁膜7と、ベース層2とソース層3とに接するように形成されたソース電極8と、エピタキシャル層1に接するように形成されたドレイン電極9と、を備える。
従来のトレンチゲート型パワーMOSFETは、図示しないn+型の基板上に形成されたn−型のエピタキシャル層1上にp型のベース層2とn+型のソース層3が形成され、平面的に見てストライプ状のトレンチ4がベース層2とソース層3とを貫通してエピタキシャル層1に到達するように形成され、トレンチ4内部にゲート絶縁膜5を介して形成されたゲート電極6と、ゲート電極6上に形成された層間絶縁膜7と、ベース層2とソース層3とに接するように形成されたソース電極8と、エピタキシャル層1に接するように形成されたドレイン電極9と、を備える。
従来のトレンチゲート型パワーMOSFETの製造方法について説明する。
図示しない基板上にエピタキシャル層1を周知の方法で成長させ、エピタキシャル層1にホウ素(B)をイオン注入し、活性化させてベース層2を形成し、ベース層2に砒素(As)をイオン注入し、活性化させてソース層3を形成する。次に、ベース層2及びソース層3上に酸化膜によるマスクを形成し、反応性イオンエッチング(RIE)によりベース層2及びソース層3を貫通してエピタキシャル層1に達するように、例えば0.4〜1.0μmの幅を有するトレンチ4を形成する。次に、熱酸化により、図示しない犠牲酸化膜を形成し、これを除去した後、再度熱酸化を行いゲート酸化膜5を形成し、化学気相成長方(CVD)等によりトレンチ4内部にポリシリコンを埋め込むことでゲート電極6を形成する。次に、ゲート電極6上に層間絶縁膜7を形成し、ソース電極8及びドレイン電極9を蒸着により形成する。
図示しない基板上にエピタキシャル層1を周知の方法で成長させ、エピタキシャル層1にホウ素(B)をイオン注入し、活性化させてベース層2を形成し、ベース層2に砒素(As)をイオン注入し、活性化させてソース層3を形成する。次に、ベース層2及びソース層3上に酸化膜によるマスクを形成し、反応性イオンエッチング(RIE)によりベース層2及びソース層3を貫通してエピタキシャル層1に達するように、例えば0.4〜1.0μmの幅を有するトレンチ4を形成する。次に、熱酸化により、図示しない犠牲酸化膜を形成し、これを除去した後、再度熱酸化を行いゲート酸化膜5を形成し、化学気相成長方(CVD)等によりトレンチ4内部にポリシリコンを埋め込むことでゲート電極6を形成する。次に、ゲート電極6上に層間絶縁膜7を形成し、ソース電極8及びドレイン電極9を蒸着により形成する。
従来のトレンチゲート型パワーMOSFETは、トレンチ4の外壁に沿ってチャネル(電流通路)が形成されるため、プレーナ型パワーMOSFETと比較してセル密度を高くすることができる。さらに、トレンチ4の底部にn+型の半導体層を形成すると、Ronが低減されることが知られている(特許文献1)。
ところで、従来のトレンチゲート型パワーMOSFETを高耐圧化すると、以下に述べるような問題点があった。例えば600V前後の耐圧を得るため、1×1014〜1015cm−3程度の低不純物濃度を有するエピタキシャル層1を用いてトレンチゲート型パワーMOSFETを形成した場合、所望の耐圧が得られる一方、ドレイン電圧(Vds)に依存してオン抵抗(Ron)が変動してしまう(図5 実線b)。
RonがVdsに依存する現象は、p型の反転領域が、エピタキシャル層1においてトレンチ4の底部に沿って形成され、ソース−ドレイン間を流れる電流がp型の反転領域とエピタキシャル層1とが形成するpn接合を経由して流れることに起因し、p型の反転領域がベース層2と隣接する場合に最も影響が大きくなる。
p型の反転領域は、犠牲酸化膜或いはゲート酸化膜5を形成する熱酸化工程において、以下のメカニズムにより形成される。熱酸化工程において、半導体基板に供給される酸化性ガスが、トレンチ4の底部まで到達しにくいため、トレンチ4の底部における酸化膜の成長が抑制される。そのため、ベース層2に含まれるp型不純物がトレンチ4の底部に混入する、所謂オートドーピング現象が発生しやすい。特に、高耐圧のパワーMOSFETは、エピタキシャル層1とベース層2とのpn接合で耐圧を保持するため、エピタキシャル層1の不純物濃度を低くすることから、オートドーピングによりエピタキシャル層1の一部の導電型が、n型からp型に反転し、p型の反転領域が形成されやすい。
このような問題は、特許文献1に開示される構造のパワーMOSFETのみならず、トレンチゲート型IGBTにおいても問題となる。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。従って、本発明は、高耐圧化とオン抵抗の安定化とを同時に達成するトレンチゲート型半導体装置を提供することである。
上記のような課題を解決するために、請求項1記載の発明は、第1導電型を有するエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層上に隣接して形成され、且つ、前記第1導電型と反対の第2導電型を有するベース層と、
前記ベース層上に選択的に形成される前記第1導電型を有するソース層と、
前記エピタキシャル層に到達するように前記ベース層及び前記ソース層を貫通して形成されるトレンチと、
前記トレンチの内壁に沿って形成される絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して前記トレンチ内部に形成される制御電極と、
を備える半導体装置であって、
前記エピタキシャル層において前記トレンチの底部に沿って形成される前記第1導電型の半導体領域を備えることを特徴とする。
前記エピタキシャル層上に隣接して形成され、且つ、前記第1導電型と反対の第2導電型を有するベース層と、
前記ベース層上に選択的に形成される前記第1導電型を有するソース層と、
前記エピタキシャル層に到達するように前記ベース層及び前記ソース層を貫通して形成されるトレンチと、
前記トレンチの内壁に沿って形成される絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して前記トレンチ内部に形成される制御電極と、
を備える半導体装置であって、
前記エピタキシャル層において前記トレンチの底部に沿って形成される前記第1導電型の半導体領域を備えることを特徴とする。
本発明によれば、高耐圧化とオン抵抗の安定化とを同時に達成するトレンチゲート型半導体装置を提供することができる。
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なる。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
図1は、本発明の第1実施例に係るトレンチゲート型パワーMOSFETの平面及び側面構造を示す断面図である。図1(a)は、本実施例に係るトレンチゲート型パワーMOSFETの平面断面図であり、図1(b)は、図1(a)に示すA−A線の側面断面図である。
本実施例におけるトレンチゲート型パワーMOSFETは、図示しないn+型の基板と、基板上に形成されたn−型のエピタキシャル層1上に、p型のベース層2とn+型のソース層3が形成され、平面的に見てストライプ状のトレンチ4がベース層2とソース層3とを貫通してエピタキシャル層1に到達するように形成され、トレンチ4内部にゲート絶縁膜5を介して形成されたゲート電極6と、ゲート絶縁膜5及びゲート電極6上に形成された層間絶縁膜7と、ベース層2とソース層3とに接するように形成されたソース電極8と、エピタキシャル層1に接するように形成されたドレイン電極9と、を有し、エピタキシャル層1内においてトレンチ4の底部に沿って形成され且つエピタキシャル層1と同等の不純物濃度を有する本発明の半導体領域としてのn−型半導体層10を備える。
図2は、本実施例に係るトレンチゲート型パワーMOSFETの製造方法を示す工程断面図である。
図示しない基板上にエピタキシャル層1を周知の方法で成長させ、エピタキシャル層1のほぼ全面にホウ素(B)をイオン注入し、活性化させてエピタキシャル層1上にベース層2を形成し、次いでベース層2に砒素(As)を選択的にイオン注入し、活性化させてベース層2上に島状のソース層3を形成する(図2a)。エピタキシャル層1のn型不純物濃度は1×1014〜1×1015cm−3であり、エピタキシャル層1の厚みは30〜50μm、ベース層2のp型不純物濃度は5×1016〜5×1017cm−3、ベース層2の厚みは1.0〜1.5μmになるように形成される。
次に、ベース層2及びソース層3上に酸化膜から成る図示しないマスクを形成した後、反応性イオンエッチング(RIE)によりベース層2及びソース層3を貫通してエピタキシャル層1に到達するように所望のトレンチ4を形成する(図2b)。本実施例におけるトレンチ4の幅は0.4μm〜1.0μm、ベース層2表面からの深さは1.0〜2.0μmである。
次に、RIEのダメージを除去するための熱酸化工程を行いトレンチ4の内壁に犠牲酸化による犠牲酸化膜5’を形成する。この熱酸化工程と同時に、ベース層2に含まれるp型不純物が、トレンチ4の側壁からエピタキシャル層1内に形成されるトレンチ4の底部を介してエピタキシャル層1に混入するため、トレンチ4の底部のエピタキシャル層1の部分にp型の反転層11が形成される。(図2c)。
次に、リン(P)又は砒素(As)等のn型不純物をトレンチ4の側壁と並行にトレンチ4内にイオン注入し、n型不純物を熱拡散させることで、p型の反転層11の導電型を再度反転させ、n−型半導体層10を形成する(図2d)。このとき、n型不純物イオンの注入量は、反転層11の濃度や深さにより決定され、n−型半導体層10の不純物濃度はがエピタキシャル層1の不純物濃度と同等になるように決定される。n型不純物の熱拡散は、次に行う熱酸化工程と同一の工程で行っても良く、熱酸化工程の後に行っても良い。
次に、犠牲酸化膜5’を除去した後、熱酸化工程によりゲート酸化膜5を形成した後、化学気相成長(CVD)法等によりトレンチ4内部にポリシリコンを埋め込むことでゲート電極6を形成し、ゲート電極6上に層間絶縁膜7を形成し、ソース電極8及びドレイン電極9を蒸着により形成する(図2e)。
本実施例に係るトレンチゲート型パワーMOSFETによれば、不純物濃度が低いエピタキシャル層1を用いているため、トレンチゲート型パワーMOSFETが高耐圧化される。さらに、n−型半導体層10が形成されるため、オン抵抗(Ron)がドレイン電圧(Vds)に依存しない、安定性を得ることができる(図5 実線a)。
また、本実施例に係る製造方法によれば、反転層11が形成された後にイオン注入を行いn−型半導体層10を形成するため、トレンチゲート型パワーMOSFETの高耐圧化とオン抵抗の安定化が、同時に達成できる。
ゲート電極6は、半導体装置の要求特性より狭幅に形成されたトレンチや、或いは図3に示すように柱状の孔等の内部に形成され、ゲート酸化膜5の成長がより抑制されやすい場合がある。しかし、本実施例に係る製造方法によれば、トレンチ底部にn−型半導体層10を形成するため、トレンチゲート型パワーMOSFETの高耐圧化とオン抵抗の安定化とが同時に達成できる。
以上、本発明の実施形態の一例について説明したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。例えば、エピタキシャル層1とドレイン電極9との間にp型の半導体層を有するIGBTとしても良く、各層が逆の導電型を有する半導体装置に適用しても良い。また、本発明は、オートドーピング以外の要因でトレンチ4底部に異常層が形成された場合にも適用できる。
1 ドレイン層
2 ベース層
3 ソース層
4 トレンチ
5 ゲート絶縁膜
6 ゲート電極
7 層間絶縁膜
8 ソース電極
9 ドレイン電極
10 n型半導体層
11 反転層
2 ベース層
3 ソース層
4 トレンチ
5 ゲート絶縁膜
6 ゲート電極
7 層間絶縁膜
8 ソース電極
9 ドレイン電極
10 n型半導体層
11 反転層
Claims (3)
- 第1導電型を有するエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層上に隣接して形成され、且つ、前記第1導電型と反対の第2導電型を有するベース層と、
前記ベース層上に選択的に形成される前記第1導電型を有するソース層と、
前記エピタキシャル層に到達するように前記ベース層及び前記ソース層を貫通して形成されるトレンチと、
前記トレンチの内壁に沿って形成される絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して前記トレンチ内部に形成される制御電極と、
を備える半導体装置であって、
前記エピタキシャル層において前記トレンチの底部に沿って形成される前記第1導電型の半導体領域を備えることを特徴とする半導体装置。
- 前記半導体領域が、前記エピタキシャル層と同等の不純物濃度を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 第1導電型のエピタキシャル層に第2導電型の不純物をイオン注入してベース層を形成する工程と、
前記ベース層に第1導電型の不純物をイオン注入してソース層を形成する工程と、
エピタキシャル層に到達するように前記ベース層及び前記ソース層を貫通するトレンチを形成する工程と、
前記トレンチ内部に酸化膜を形成する工程と、を備える半導体装置の製造方法であって、
前記酸化膜を形成する工程の後に第1導電型のイオン注入工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
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