JP2010216847A - 基板接続検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高周波特性がよく、狭ピッチによる多ピン配置が可能なプローブ部を備えた基板接続検査装置を提供する。
【解決手段】基板接続検査装置のプローブ部６では、プローブ８として、プリント基板の所定のランドにそれぞれ接触する複数のプローブ８８ａと、プリント基板の接地電位のランドに接触するＧＮＤプローブ８８ｂが、それぞれ所定の位置に配置されている。複数のプローブ８８ａのそれぞれに対して、プローブ８８ａを取り囲む態様で、ピン形状のＧＮＤ部９が、プローブ８８ａと距離を隔てられるとともに、プローブ８８ａの周方向に間隔を隔てて配置されている。
【選択図】図７

Description

本発明は基板接続検査装置に関し、特に、半導体装置を実装した実装基板と半導体装置との接続部を検査するための基板接続検査装置に関するものである。

半導体装置のパッケージの一形態に、ボールグリッドアレイがある。ボールグリッドアレイでは、パッケージの底面にはんだボールがグリッド状に配設されており、このはんだボールを介してプリント基板等との接続が行われる。プリント基板（実装基板）に実装されたはんだボールの状態を目視では確認することはできず、たとえば、バウンダリスキャンやＸ線による検査が行われる。ここで、バウンダリスキャンとは、半導体装置の端子の状態を観察したり操作したりすることができる機能をいう。

そのバウンダリスキャンでは、半導体装置の内部にスキャン用の回路が必要とされるため、半導体装置の大型化や生産コストの上昇につながってしまう。また、高周波回路では、バウンダリスキャンを利用することができない。一方、Ｘ線では、スキャン精度が荒く、実際に検査したいはんだボールの微小な亀裂等による接続不良箇所を見つけるのは極めて困難である。

バウンダリスキャンやＸ線による検査の他に、たとえば、特許文献１では、ＴＤＲ（Time Domain Reflectmetry：時間領域反射測定装置）を利用したはんだ付け検査装置が提案されている。この検査装置によれば、測定用の専用パッドをプリント基板に設けてこれに電気パルスを入力し、その反射特性によってはんだボールの接続信頼性が検査される。

また、ＴＤＲを利用したはんだ付け装置では、ＩＣ（Integrated Circuit）等の部品をプリント基板に実装した後のプリント基板と部品との接続状態を検査するためには、プローブをより狭いピッチ（狭ピッチ）で配置する必要がある。さらに、このはんだ付け装置には、立ち上がりの急峻なパルス波の反射波を測定するため、高周波特性に優れていることが求められる。

特許文献２において提案されている高周波プローブでは、高周波プローブを同軸形状とすることで高周波特性に非常に優れている。その反面、プローブのピッチとして０．４ｍｍ程度のピッチを実現するには、その構造から非常に高い加工精度が要求されるため、実現が困難であり、たとえ、実現できたとしても非常に高価になってしまう。

特開平０９−６１４８６号公報 特開２００７−１７８１６５号公報

ＩＣ等の部品を実装した後のプリント基板において、プロービングによる電気特性試験を行う場合に、測定専用に製作されたプロービングポイントを利用できず、ＶＩＡ（ビアホール）などを利用することが多い。

また、プロービングを行う際には、部品をプリント基板へ半田付けする際に付着したフラックスを貫通させたり、プロービングする部分の金属酸化膜を擦り取る必要がある。このため、プローブ（ピン）には、先端の鋭利さと強い接触圧が要求される。先端を鋭利に、また、接触圧を高くするためには、プローブを長くせざるを得ない。さらに、接触圧が強くなると応力で基板がひずみ、そのひずみ量をカバーできるプローブ（ピン）の稼動範囲が必要となる。以上のことから、必然的にプローブの長さ（形状）は長くなり、高周波特性的には不利になる。

一方、ＴＤＲ測定においては、立ち上がりの急峻なパルス波を印加し、パルス波の伝播経路の線路インピーダンスの差異により生じる反射波の波形が測定される。伝送経路のインピーダンス整合が悪いと、高周波成分が減衰し、反射波がなだらかになる。反射波がなだらかになると、良品と不良品とでそれぞれの反射波の波形の差異が小さくなり、良不良の判定が難しくなる。

また、ＴＤＲ測定においては、パルス波を印加してから反射波が戻ってくるまでの時間は、パルス波を印加した場所とパルス波が反射された場所との間をパルス波が往復する時間に相当する。このため、反射波がなだらかになることは、距離の分解能が低下することを意味する。距離の分解能が低下すると、不良であると判定された場合に、その不良が、たとえば、はんだボールの不良によるものなのか、ＩＣチップの不良によるものなのか、あるいは、他の別の部品の不良によるものなのかの判別が困難になる。

したがって、ＴＤＲの信号線路は、必ずしも全ての高周波波長に対して低損失である必要はないが、できるだけ高周波特性に優れているものが望ましい。また、プローブにおいても、長い距離の高周波特性を確保するために高周波プローブを用いることが望ましい。

しかしながら、ＩＣチップとしてＢＧＡ（Ball Grid Arrey）とプリント基板との接続部分を検査する際は、量産に対応して測定時間を短縮するために狭ピッチで多数のプローブを配置する必要があり、このため、従来の同軸構造の高周波プローブを用いることができない。また、狭ピッチで配置可能な、空気を誘電体として用いる高周波同軸プローブが提案されているが、この種のプローブは実現が困難であるか、非常に高価である。

したがって、ＴＤＲ測定による実装基板の検査に対応するプローブ部として、長い構造を有しながらも高周波特性がある程度よく、狭ピッチによる多ピン配置が可能で安価なプローブ部が求められている。本発明は、そのようなプローブ部を備えた基板接続検査装置を提供することを目的とする。

本発明に係る基板接続検査装置は、プローブ部として、複数のプローブとＧＮＤプローブとＧＮＤ部とを備えている。複数のプローブは、半導体装置を実装した実装基板上の複数の接続部に同時に接続される態様で配置されている。ＧＮＤプローブは接地電位に接続される。ＧＮＤ部は、ＧＮＤプローブと電気的に接続されて、ＧＮＤプローブとともにインピーダンス整合を図り、複数のプローブとは電気的に絶縁される態様で、複数のプローブのそれぞれを取り囲むように配置されている。

本発明に係る基板接続検査装置によれば、ＧＮＤプローブと電気的に接続されたＧＮＤ部が、ＧＮＤプローブとともにインピーダンスの整合を図る態様で、プローブを取り囲むように配置されている。これにより、ＧＮＤ部を、インピーダンス整合が図られたグランドとして機能させて、高周波の減衰を抑制することができ、高周波特性を改善させることができる。また、ＧＮＤ部をＧＮＤプローブに電気的に接続させることで、ＧＮＤプローブを共通にしてＧＮＤ部の電位を固定することができる。これにより、ＧＮＤ部をより細く形成することができ、狭ピッチ化を図ることができる。

本発明の各実施の形態に係る基板接続検査装置の概略を説明するための一部断面を含む図である。 図１に示す基板接続検査装置の部分拡大断面図である。 図１に示す基板接続検査装置におけるプローブとその近傍の構造を示す部分拡大断面図である。 図１に示す基板接続検査装置の動作を説明するためのパルスの一例を示すグラフである。 図１に示す基板接続検査装置の動作を説明するための反射波の一例を示すグラフである。 本発明の実施の形態１に係る基板接続検査装置の部分拡大平面図である。 同実施の形態において、図６に示す断面線ＶＩＩ−ＶＩＩにおける部分拡大断面図である。 同実施の形態において、基板接続検査装置による検査の際の基板への接続体様を示す部分拡大断面図である。 本発明の実施の形態２に係る基板接続検査装置の部分拡大平面図である。 同実施の形態において、図９に示す断面線Ｘ−Ｘにおける部分拡大断面図である。 同実施の形態において、基板接続検査装置による検査の際の基板への接続体様を示す部分拡大断面図である。 本発明の実施の形態３に係る基板接続検査装置の部分拡大平面図である。 同実施の形態において、図１２に示す断面線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩにおける部分拡大断面図である。 同実施の形態において、基板接続検査装置による検査の際の基板への接続体様を示す部分拡大断面図である。 本発明の実施の形態４に係る基板接続検査装置の部分拡大平面図である。 同実施の形態において、図１５に示す断面線ＸＶＩ−ＸＶＩにおける部分拡大断面図である。 同実施の形態において、基板接続検査装置による検査の際の基板への接続体様を示す部分拡大断面図である。

はじめに、各実施の形態に係る基板接続検査装置の概要について説明する。図１に示すように、基板接続検査装置１は、プローブ８を配設したプローブ部６、インターフェース基板５、電気的特性を測定するＴＤＲ測定器１０、波形を解析するパーソナルコンピュータ１５を備えている。基板接続検査装置１のプローブ８は、測定対象の半導体装置５０を実装したプリント基板２に設けられたランド４ｂに接触することになる。

図２に示すように、プローブ８はプローブ部６を貫通するように配設されている。プローブ８の一端がランド４の部分４ｂに接触し、プローブ８の他端はインターフェース基板５に接触する。プローブ部６とインターフェース基板５とは、分離可能とされる。このプローブ部６には、後述するように、インピーダンス整合を図るためのＧＮＤプローブと所定のＧＮＤ部が形成されている。

図３に示すように、プローブ８として、両端がばねの弾性力によって伸縮する両端可動型プローブが適用されている。プローブ８の先端部８ａは、プリント基板２に配設されたランド４の部分４ｂに確実に接触するように、クラウンタイプとされる。プローブ８の他方の先端部８ｂは、インターフェース基板５とのコンタクト部とされる。

一方、測定対象の半導体装置５０が実装されるプリント基板２にはスルーホール３が設けられ、ランド４はそのスルーホール３に配設されている。ランド４の一方の部分４ａに半導体装置５０のはんだボール５１が接続されている。プローブ８はランド４の他方の部分４ｂに接触することになる。

さらに、インターフェース基板５には、プローブ８との接続を行うためのスイッチ部１１が設けられている。スイッチ部１１は、パーソナルコンピュータ１５によってオンオフが切り替えられる（図１参照）。スイッチ部１１を切り替えることによって、ＴＤＲ測定器１０と接続されるプローブ８が順次切り替えられて、すべてのはんだボール５１について測定が行われることになる。

パーソナルコンピュータ１５には、それぞれ半導体装置が実装された複数の良品のプリント基板を測定することによって得られた反射波形（正常反射波形）のデータが、あらかじめ記憶されている。そして、その複数の正常反射波形の形状のばらつき（偏差）に基づいて、良品であるか不良品であるかを判断する基準となる所定の閾値が設定されている。パーソナルコンピュータ１５には、その閾値に基づいて測定結果が表示される。

次に、上述した基板接続検査装置１の動作（検査手順）について説明する。まず、図１に示すように、複数のはんだボール５１のそれぞれに接続されたランド４に対して、複数のプローブ８のそれぞれを同時に接触させる。次に、図４に示すように、ＴＤＲ測定器１０において、たとえば４００ｍＶ（＝Ｖ１）程度のパルス（波形）２０を約３μ秒〜６０μ秒程度発生させる。発生したパルス２０は、インターフェース基板５を介してプローブ８からランド４を経て、はんだボール５１に入力される。

プローブ８では、はんだボール５１に入力されたパルスが反射されて戻ってきた電圧（反射波形）が同時に検知される。図５に示すように、検知された電圧に基づいて、反射波形２２が求められることになる。この反射波形（波形全体）には、プローブ８も含め、はんだボール５１から半導体装置５０の内部にまで流れて反射されたすべての反射波を含んだ状態で示される。

パーソナルコンピュータ１５では、求められた反射波形２２と記憶されている正常反射波形（基準波形）２１との比較を行うことによって、良不良の判断が行われることになる。たとえば、はんだボール５１にクラック６１（図８等を参照）があれば、クラックによって反射された反射によって、反射波形と正常波形との間に乖離が生じることになる。なお、この良否の判断は、不具合が半導体装置を実装したプリント基板のどの箇所に存在するかというよりは、半導体装置を実装したプリント基板に不具合があるか否かという態様で判断される。

そして、この基板接続検査装置のプローブ部６には、インターフェース基板５とのインピーダンスの整合を図るために、接地電位に電気的に接続されたＧＮＤプローブとＧＮＤ部が設けられている。インピーダンスの整合性を図ることで、プローブを高周波が通過する際に、高周波の減衰が抑制されて、高周波特性を改善させることができる。以下、このようなＧＮＤプローブとＧＮＤ部を備えた基板接続検査装置について具体的に説明する。

実施の形態１
ここでは、ＧＮＤ部として、ピン形状のＧＮＤ部を備えた基板接続検査装置について説明する。図６および図７に示すように、基板接続検査装置のプローブ部６では、プローブ８として、プリント基板の所定のランド４ｂにそれぞれ接触する複数のプローブ８８ａと、プリント基板の接地電位のランドに接触するＧＮＤプローブ８８ｂが、それぞれ所定の位置に配置されている。

その複数のプローブ８８ａのそれぞれに対して、プローブ８８ａを取り囲む態様で、ピン形状のＧＮＤ部９が、プローブ８８ａと距離を隔てられるとともに、プローブ８８ａの周方向に間隔を隔てて配置されている。ＧＮＤ部９の形状、プローブ８８ａとＧＮＤ部９との距離、ＧＮＤ部９の配置パターン等は、インターフェース基板５とインピーダンスの整合が取れるように、計算とシミュレーションによって算出される。ピン形状のＧＮＤ部９のより具体的な形状としては、たとえば、断面形状が円柱、角柱および円弧を組み合わせた柱などが考えられる。また、ＧＮＤ部９は、プローブ８８ａの長手方向に沿って形成され、プローブ８８ａよりも細く形成されている。

各ＧＮＤ部９は、プローブ部６内においてインターフェース基板５の表面に形成されたグランド共通部９９を介して、ＧＮＤプローブ８８ｂと電気的に接続されている。ＧＮＤ部９は、プリント基板２におけるＧＮＤのランドと直接電気的に接続される態様のものが高周波特性上は最も望ましいが、通常の基板では接続できないことが多いので、ＧＮＤのランドに直接接触できないようなものでもよい。ＧＮＤ部９がＧＮＤのランドと直接接続できなくても、ＧＮＤ部９が、ＧＮＤのランドに直接接触するＧＮＤプローブ８８ｂとグランド共通部９９を介して電気的に接続されていることで、プリント基板内での高周波の伝達に特に支障はない。なお、プローブ８８ａはグランド共通部９９とは電気的に接続されていない。

これらプローブ８８ａ、ＧＮＤプローブ８８ｂおよびピン形状のＧＮＤ部９は、インターフェース基板５上に形成された絶縁体からなる支持体７によって支持されている。絶縁体の材料としては、たとえば、樹脂やセラミック材料等が望ましい。絶縁体の誘電率が小さいほど、プローブ８８ａとＧＮＤ部９とのインピーダンスの整合を図ることのできる距離は短くなって、プローブ８８ａ間の間隔をより狭めることが可能になる。

図８に示すように、この基板接続検査装置を用いて基板を検査する際には、複数のプローブ８８ａは、プリント基板２に設けられた対応する所定のランド４ｂにそれぞれ接触することになる。そして、ＧＮＤプローブ８８ｂは、プリント基板２に設けられた接地電位のランド４ｃに接触することになる。

上述したＧＮＤ部を備えた基板接続検査装置では、ＧＮＤプローブ８８ｂと電気的に接続されたピン形状のＧＮＤ部９が、インターフェース基板５とインピーダンスの整合を図る態様で、プローブ８８ａを取り囲むように配置されている。これにより、基板を検査する際に、ＧＮＤ部９を、インピーダンス整合が図られたグランド（ＧＮＤ）として機能させることができ、所定の長さを有するプローブ８８ａの高周波の減衰が抑制されて、高周波特性を改善させることができる。

また、ピン形状のＧＮＤ部９が、プローブ８８ａよりも細く形成されている。これにより、プリント基板のランドに接触させるプローブとして、インピーダンス整合の図られた同軸形状のプローブを適用する場合と比べると、プローブ８８ａ間の間隔を狭めることができる。その結果、狭ピッチによる多ピン配置を可能にすることができる。

こうして、上述した基板接続検査装置では、高周波特性の改善を図るとともに、プローブのピッチを狭めた狭ピッチにも対応することができる。

なお、上述した基板接続検査装置では、プローブ８８ａの配列パターンとして、一列に沿って配列されるプローブ８８ａと、マトリクス状（３×３）に配列されるプローブ８８ａを例に挙げて説明したが、インピーダンスの整合が図られるのであれば、これらの配列パターンに限られず、たとえば、三角格子状の配列パターン等であってもよい。

また、ＧＮＤプローブ８８ｂの配置パターンについても、インピーダンスの整合が図られるのであれば、複数のプローブ８８ａに対して、一つのＧＮＤプローブ８８ｂを配置させる他に、複数のＧＮＤプローブを配置してもよい。

さらに、ＧＮＤ部９の配置パターンについても、インピーダンスの整合が図られるのであれば、一つのプローブ８８ａを周方向から取り囲むように円周に沿ってＧＮＤ部９を配置する配置パターンに限られない。プローブ８８ａを狭ピッチで配置させるには、ＧＮＤ部９を列状に配列されるプローブ間に配置させたり、あるいは、格子状に配列されるプローブ間に配置させることが望ましい。

また、一つのプローブ８８ａを周方向から取り囲むように円周に沿ってＧＮＤ部９を配置する場合には、隣接する一のプローブ８８ａと他のプローブ８８ａとの間に配置するＧＮＢ部として、共通のＧＮＤ部とすることで、隣接する一のプローブ８８ａと他のプローブ８８ａとの間の間隔を狭めることができ、基板接続検査装置のプローブ部６として、より狭ピッチに対応することができる。

実施の形態２
ここでは、ＧＮＤ部として、導体ブロック態様のＧＮＤ部を備えた基板接続検査装置について説明する。図９および図１０に示すように、基板接続検査装置のプローブ部６では、プローブ８として、プリント基板の所定のランド４ｂにそれぞれ接触する複数のプローブ８８ａと、プリント基板の接地電位のランドに接触するＧＮＤプローブ８８ｂが、それぞれ所定の位置に配置されている。

その複数のプローブ８８ａのそれぞれと距離を隔てられて、プローブ８８ａ間の領域を充填する態様で、ブロック状の導体からなるＧＮＤ部９が形成されている。プローブ８８ａとＧＮＤプローブ８８ｂのそれぞれの周囲には絶縁体７が形成されて、ＧＮＤ部９との電気的な絶縁が図られている。なお、これ以外の構成については、図６および図７に示す基板接続検査装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を省略する。

ＧＮＤ部９の形状、プローブ８８ａとＧＮＤ部９との距離等は、インターフェース基板５とインピーダンスの整合が取れるように、計算とシミュレーションによって算出される。また、このブロック状のＧＮＤ部９に、前述したピン形状のＧＮＤ部を組み合わせてもよい。

図１１に示すように、この基板接続検査装置を用いて基板を検査する際には、複数のプローブ８８ａは、プリント基板２に設けられた対応する所定のランド４ｂにそれぞれ接触することになり、ＧＮＤプローブ８８ｂは、プリント基板２に設けられた接地電位のランド４ｃに接触することになる。

上述したＧＮＤ部を備えた基板接続検査装置では、ＧＮＤプローブ８８ｂと電気的に接続されたブロック状の導体からなるＧＮＤ部９が、インターフェース基板５とインピーダンスの整合を図るとともに、プローブ８８ａ間の領域を充填する態様で形成されている。これにより、基板を検査する際に、ＧＮＤ部９を、インピーダンス整合が図られたグランド（ＧＮＤ）として機能させることができ、所定の長さを有するプローブ８８ａの高周波の減衰が抑制されて、高周波特性を改善させることができる。

なお、上述した基板接続検査装置では、ブロック状の導体からなるＧＮＤ部と、前述したピン形状のＧＮＤ部とを組み合わせた態様のＧＮＤ部としてもよい。

実施の形態３
ここでは、プローブの断面形状に対応させて断面形状を変えたＧＮＤ部を備えた基板接続検査装置について説明する。まず、図３について説明したように、プローブ８の両端部分は弾性力によって伸縮する可動型とされ、その両端部分は中央部分よりも細く形成されている。

図１２および図１３に示すように、この基板接続検査装置のプローブ部６におけるＧＮＤ部９では、プローブ８の両端部分に沿って位置する部分９９ａは相対的に細く形成され、プローブ８の中央部分に沿って位置する部分９９ｂは相対的に太く形成されている。ＧＮＤ部９において、細い部９９ａ分は、たとえば、プローブ８８ａを取り囲むように配置され、太い部分９９ｂは、プローブ８８ａ間の領域を充填するように形成されている。

ＧＮＤ部９の形状、プローブ８８ａとＧＮＤ部９との距離、ＧＮＤ部９の配置パターン等は、インターフェース基板５とインピーダンスの整合が取れるように、計算とシミュレーションによって算出される。なお、これ以外の構成については、図６および図７に示す基板接続検査装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を省略する。

図１４に示すように、この基板接続検査装置を用いて基板を検査する際には、複数のプローブ８８ａは、プリント基板２に設けられた対応する所定のランド４ｂにそれぞれ接触することになり、ＧＮＤプローブ８８ｂは、プリント基板２に設けられた接地電位のランド４ｃに接触することになる。

上述したＧＮＤ部を備えた基板接続検査装置では、ＧＮＤプローブ８８ｂと電気的に接続されたピン形状のＧＮＤ部９が、インターフェース基板５とインピーダンスの整合を図る態様で、プローブ８８ａを取り囲むように配置されている。これにより、ＧＮＤ部９を、インピーダンス整合が図られたグランド（ＧＮＤ）として機能させることができ、所定の長さを有するプローブ８８ａの高周波の減衰を抑制することができる。

しかも、プローブ８の両端部分に沿って位置する部分９９ａは相対的に細く形成され、プローブ８の中央部分に沿って位置する部分９９ｂは相対的に太く形成されており、プローブ８８ａの太さに対応させてＧＮＤ部９の太さが変えられている。これにより、高周波の減衰をさらに効果的に抑制することができて、高周波特性をより改善することができる。

実施の形態４
ここでは、ＧＮＤ部として、伸縮可能としたＧＮＤ部を備えた基板接続検査装置について説明する。図１５および図１６に示すように、複数のプローブ８８ａのそれぞれに対して、プローブ８８ａを取り囲む態様で、ピン形状のＧＮＤ部９が、プローブ８８ａと距離を隔てられて、プローブ８８ａの周方向に間隔を隔てて配置されている。ＧＮＤ部９の先端部９ａは、プローブ８８ａと同様に伸縮可能とされる。

ＧＮＤ部９の形状、プローブ８８ａとＧＮＤ部９との距離、ＧＮＤ部９の配置パターン等は、インターフェース基板５とインピーダンスの整合が取れるように、計算とシミュレーションによって算出される。なお、これ以外の構成については、図６および図７に示す基板接続検査装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を省略する。

図１７に示すように、この基板接続検査装置を用いて基板を検査する際には、複数のプローブ８８ａは、プリント基板２に設けられた対応する所定のランド４ｂにそれぞれ接触することになり、ＧＮＤプローブ８８ｂは、プリント基板２に設けられた接地電位のランド４ｃに接触することになる。

上述したＧＮＤ部を備えた基板接続検査装置では、ＧＮＤプローブ８８ｂと電気的に接続されたピン形状のＧＮＤ部９が、プローブ８８ａを取り囲むように配置されている。しかも、ＧＮＤ部９に、プローブ８８ａの先端部８ａと同様に、伸縮可能の先端部９ａが形成されている。これにより、プローブ８８ａの先端部８ａに対しても、これを周方向から取り囲むようにＧＮＤ部９の先端部９ａが配置されることになる。その結果、ＧＮＤ部９を、インピーダンス整合が図られたグランド（ＧＮＤ）として機能させて、所定の長さを有するプローブ８８ａの先端部８ａに至るまで高周波の減衰を抑制することができ、高周波特性をさらに改善させることができる。

今回開示された実施の形態は例示であってこれに制限されるものではない。本発明は上記で説明した範囲ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明は、ＩＣチップ等が実装されたプリント基板の検査に有効に利用される。

１ 基板接続検査装置、２ プリント基板、３ スルーホール、４ ランド、４ａ ランドの部分、４ｂ ランドの部分、４ｃ ＧＮＤのランド、５ インターフェース基板、６ プローブ部、７ 支持体、８ プローブ、８ａ 先端部、８８ａ プローブ、８８ｂ ＧＮＤプローブ、９ ＧＮＤ部、９ａ 先端部、９９ グランド共通部、１０ ＴＤＲ測定器、１５ パーソナルコンピュータ、２０ パルス、２１ パルス波形、２２ 測定波形、５０ 半導体装置、５１ はんだボール、６１ クラック。

Claims (6)

1. 半導体装置を実装した実装基板上の複数の接続部に同時に接続される態様で配置された複数のプローブと、
   接地電位に接続されるＧＮＤプローブと、
   前記ＧＮＤプローブと電気的に接続されて、前記ＧＮＤプローブとともにインピーダンス整合を図り、複数の前記プローブとは電気的に絶縁される態様で、複数の前記プローブのそれぞれを取り囲むように配置されたＧＮＤ部と
   を備えた、基板接続検査装置。
2. 前記ＧＮＤ部はピン形状であり、
   前記ピン形状の前記ＧＮＤ部が、複数の前記プローブと距離を隔てられるとともに前記プローブの周方向に間隔を隔てて配置された、請求項１記載の基板接続検査装置。
3. 複数の前記プローブのうち、互いに隣接する２つのプローブのそれぞれの周方向に配置される前記ＧＮＤ部では、一方のプローブと他方のプローブとの間に位置するＧＮＤ部が共通化された、請求項２記載の基板接続検査装置。
4. 前記プローブには、長手方向に沿って、相対的に太い部分と細い部分とが設けられ、
   前記ＧＮＤ部は前記プローブの長手方向に沿って位置し、
   前記ＧＮＤ部では、前記プローブの前記太い部分に沿って位置する部分は相対的に細く形成され、前記プローブの前記細い部分に沿って位置する部分は相対的に太く形成された、請求項１〜３のいずれかに記載の基板接続検査装置。
5. 複数の前記プローブのそれぞれには、伸縮機能を有するプローブ先端部が設けられ、
   前記ＧＮＤ部には、前記プローブ先端部を取り囲むように伸縮機構を有するＧＮＤ先端部が設けられた、請求項１〜４のいずれかに記載の基板接続検査装置。
6. 前記ＧＮＤ部は、複数の前記プローブ間の領域を充填する態様で形成された部分を含む、請求項１〜５のいずれかに記載の基板接続検査装置。

Images