JP2010212869A - 密着イメージセンサ - Google Patents

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Abstract

【課題】 最小単位のセンサユニットを設け、これらを連結することにより所定の読み取り幅に対応したサイズの密着イメージセンサを提供する。
【解決手段】 光源からの光を被照射物に照射する導光体と、被照射物で反射した散乱光を互いに逆方向の副走査側に反射させる反射面を有するミラーで反射させた第1反射光束及び第2反射光束のそれぞれを副走査方向側の異なる位置で収束させる結像手段と、結像手段で収束された第1反射光束をデジタル変換して画像信号を第1内部端子から出力する第1センサ基板と、結像手段で収束された第2反射光束をデジタル変換して画像信号を第2内部端子から出力する第2センサ基板と、第1センサ基板及び第2センサ基板と電気接続され、バスラインを介して第1センサ基板及び第2センサ基板からの画像信号出力を信号処理する信号処理基板と、それらを収納する筐体とを備えるようにした。
【選択図】 図1

Description

この発明は、複写機や金融端末装置などの画像の読み取りや画像識別に用いる密着イメージセンサに関するものである。
画像情報を読み取るイメージセンサとして、例えば、特開平2−177761号公報図1(特許文献1参照)には、LEDアレイ3、ロッドレンズアレイ5及びセンサモジュール40を各面に支持したシャーシ51と、このシャーシ51を覆うように構成したシャーシ52で互いに固定した光センサ装置が開示されている。
特開平10−290336号公報図1(特許文献2参照)には、画像読み取り装置本体に反射用照明ユニット18、反射原稿用結像レンズ23及び固体撮像素子24が組み込まれた画像読み取り装置が開示されている。
特開平2−177761号公報(第1図) 特開平10−290336号公報(第1図)
しかしながら、特許文献1に記載のものは、各面を加工したシャーシ51にLEDアレイ3、ロッドレンズアレイ5及びセンサモジュール40を支持するので、LEDアレイ3による照明光学系とロッドレンズアレイとセンサモジュール40で構成する結像光学系とが合体した構成となり、シャーシ51の精密な加工精度が要求されると共に光の照射経路から画像の結像までの光路調整が複雑になるという課題がある。
特許文献2に記載のものは、反射ミラー19〜21、反射用照明ユニット18、反射原稿用結像レンズ23及び固体撮像素子24をキャリッジ枠体17の周囲に分散配置しているものの、照明光学系と結像光学系との具体的な結合については記載されていない。
この発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、最小単位のセンサユニットを設け、これらを連結することにより所定の読み取り幅に対応したサイズの密着イメージセンサを提供することを目的とする。
請求項1に係る発明の密着イメージセンサは、主走査方向に延在する光源と、この光源からの光を被照射物の照射部に照射する導光体と、前記被照射物で反射した散乱光を互いに逆方向の副走査側に反射させる反射面を有するミラーで反射させた第1反射光束及び第2反射光束のそれぞれを副走査方向側の異なる位置で収束させる主走査方向に沿って設けた結像手段と、この結像手段で収束された前記第1反射光束を受光部で光電変換し、この光電変換されたアナログ信号をデジタル変換して画像信号を第1内部端子から出力する第1センサ基板と、前記結像手段で収束された前記第2反射光束を受光部で光電変換し、この光電変換されたアナログ信号をデジタル変換して画像信号を第2内部端子から出力する第2センサ基板と、前記第1センサ基板及び前記第2センサ基板と電気接続され、バスラインを介して前記第1センサ基板及び前記第2センサ基板からの画像信号出力を信号処理する信号処理ICを有する信号処理基板と、少なくとも前記結像手段、前記第1センサ基板、前記第2センサ基板及び前記信号処理基板を収納又は保持する筐体とを備えたものである。
請求項2に係る発明の密着イメージセンサは、前記バスラインは、前記第1センサ基板から出力された画像信号と前記第2センサ基板から出力された画像信号とは分離されている請求項1に記載のものである。
請求項3に係る発明の密着イメージセンサは、 筐体と、主走査方向に延在する光源と、この光源からの光を被照射物の照射部に照射する導光体と、前記被照射物で反射した散乱光を互いに逆方向の副走査側に反射させる反射面を有するミラーで反射させた第1反射光束及び第2反射光束のそれぞれを副走査方向側の異なる位置で収束させる主走査方向に沿って設けた結像手段と、この結像手段を主走査方向に複数配列して前記筐体と固定する取り付け手段と、並べられた複数の前記結像手段で収束された前記第1反射光束を受光部で光電変換し、この光電変換されたアナログ信号をデジタル変換して画像信号を複数の第1内部端子から出力する複数の第1センサ基板と、前記複数の結像手段で収束された前記第2反射光束を受光部で光電変換し、この光電変換されたアナログ信号をデジタル変換して画像信号を複数の第2内部端子から出力する複数の第2センサ基板と、前記複数の第1センサ基板及び前記複数の第2センサ基板と電気接続され、バスラインを介して前記複数の第1センサ基板及び前記複数の第2センサ基板からの画像信号出力を信号処理する信号処理ICを有する信号処理基板とを備えたものである。
請求項4に係る発明の密着イメージセンサは、前記バスラインは、前記複数の第1センサ基板から出力された画像信号と前記複数の第2センサ基板から出力された画像信号とは分離されている請求項3に記載のものである。
請求項5に係る発明の密着イメージセンサは、隣接する前記第1センサ基板の画像信号出力線同士を前記第1内部端子を介して相互に共通接続し、隣接する前記第2センサ基板の画像信号出力線同士を前記第2内部端子を介して相互に共通接続し、共通接続された前記第1センサ基板の画像信号出力及び共通接続された前記第2センサ基板の画像信号出力をそれぞれ前記信号処理基板の前記バスラインに電気接続した請求項3又は4に記載のものである。
請求項6に係る発明の密着イメージセンサは、前記導光体は、前記光源からの光を副走査方向に導光してから被照射物の照射部に照射する請求項1乃至5のいずれか1項に記載のものである。
請求項7に係る発明の密着イメージセンサは、主走査方向に光射出部を有する棒状の導光部の端部にLEDを設け、このLED光源からの光を前記導光体に入射させる請求項1乃至6のいずれか1項に記載のものである。
この発明に係る密着イメージセンサによれば、最小単位のセンサユニットを設け、これらを連結することにより所定の読み取り幅に対応したサイズの密着イメージセンサを得ることが可能となる。
この発明の実施の形態1による密着イメージセンサの断面図である。 この発明の実施の形態1による密着イメージセンサの照明光学系の一部を表した平面図である。 この発明の実施の形態1による密着イメージセンサの結像光学系の一部を表した平面図である。 この発明の実施の形態1による密着イメージセンサのセンサ基板及び信号処理基板の一部を表した平面図である。 この発明の実施の形態1による密着イメージセンサの結像光学系の外観図である。 この発明の実施の形態1による密着イメージセンサの結像光学系の位置を説明する側面図である。 この発明の実施の形態1による密着イメージセンサの結像光学系の内部を説明する外観図である。 この発明の実施の形態1による密着イメージセンサのセンサICの平面図である。 この発明の実施の形態1による密着イメージセンサのセンサ基板と信号処理基板との関係を説明する図である。 この発明の実施の形態2による密着イメージセンサのセンサ基板と信号処理基板との関係を説明する図である。 この発明の実施の形態3による密着イメージセンサのセンサ基板と信号処理基板との関係を説明する図である。 この発明の実施の形態4による密着イメージセンサの光源ユニット側から見た平面図である。 この発明の実施の形態4による密着イメージセンサの隣接する導光部端部周辺の平面図である。 この発明の実施の形態5による密着イメージセンサの光源ユニット側から見た隣接する導光部端部周辺の平面図である。 この発明の実施の形態5による密着イメージセンサの光源ユニット側から見た隣接する導光部端部周辺の平面図である。
実施の形態1.
以下、この発明の実施の形態1に係る密着イメージセンサについて図を用いて説明する。図1は実施の形態1による密着イメージセンサの断面図である。図1において、1は紙幣や帳票等の被照射物(原稿とも呼ぶ)、2は被照射物1を搬送する搬送ローラ、3は主走査方向(読み取り幅方向)に沿って設けたLEDからなる光源、4は光源3からの光を副走査方向(主走査方向と直交する方向)に導光するポリカボネートやアクリル、又はガラスなどの透明部材で構成した導光体、5は光源3から照射された光が被照射物1を照明する領域を示す照射部、6は光源3で発生した熱を効率良く外部に伝えるための放熱ブロックである。
7は密着イメージセンサ本体の外枠となるフレーム(筐体)、8は被照射物1の搬送経路を形成すると共に内部への異物の混入を防止するために設けたポリカボネートやアクリル樹脂又はガラスなどの透明部材で構成した透過体、9はミラーやレンズなど結像光学系を内包又は固定すると共にフレーム7の基部(ベース)などと固定する樹脂成型で形成した光学セルである。
10は被照射物1からの反射光(散乱光)を副走査方向に反射させる第1ミラーであり、互いに逆方向の副走査側に反射させる反射面を有するミラー10a及びミラー10bからなる。11は第1ミラー10からの反射光(反射光束)を受光する凹面の第1レンズミラー、12は第1レンズミラー11からの平行光を受光するアパーチャ、13は第1レンズミラー11で集光され、アパーチャ12を通過して到達した光を受光する凹面の第2レンズミラー、14は第2レンズミラー13からの光を受光し反射させる第2ミラーである。なお、第1ミラー10、第1レンズミラー11、アパーチャ12、第2レンズミラー13、第2ミラー14で反射光を収束するので合わせて結像手段とも呼び、第1反射光束で結像される領域と第2反射光束で結像される領域とは主走査方向側に交互に配置される。
15はフレーム7に支持されたセンサ基板、16はセンサ基板15に実装され、第2ミラー14によって反射された光を受光し、光電変換する光電変換回路及びその駆動部からなる半導体で構成されたセンサIC(受光部)、17はセンサ基板15に実装され、センサIC16で光電変換された電気出力をアナログ信号からデジタル信号に変換するアナログデジタルコンバータ(A/D変換器)、18はデジタル変換された読み取り信号(画像信号)を含み外部に出力又は外部から入力される入出力インタフェース(内部端子)である。
19は入出力インタフェース18を経由する入出力信号を受け渡しすると共に、センサ基板15でデジタル変換された読み取り信号を入出力インタフェース18を経由して取りこみデジタル処理を行う信号処理基板、20は信号処理基板19に載置され、センサIC16やA/D変換器17に制御信号を送出する信号処理回路や、読み取り信号を並べ替えする結合処理回路を搭載した信号処理IC(ASIC)、21は密着イメージセンサの画像信号を送出すると共にシステム側との入出力信号や電源を受け渡しする外部インタフェース(外部端子)である。
次にセンサユニットについて説明する。図2は、この発明の実施の形態1による密着イメージセンサの照明光学系の一部を表した平面図である。図2において、光源3、導光体4、及び放熱ブロック6は副走査方向に相対する1対の照明ブロック23を構成し、フレーム7に沿って、複数の照明ブロック23が等間隔に並んだ構造となっている。
図3は、この発明の実施の形態1による密着イメージセンサの結像光学系の一部を表した平面図である。図3において、フレーム7に沿って複数の光学セル9が互い違いに等間隔に並んだ様子を示している。この実施の形態1では光学セル9の主走査方向間隔は照明ブロック23の主走査方向間隔と同一であり、各々の光学セル9の上部に照明ブロック23を1対1で配置することとしている。
図4は、この発明の実施の形態1による密着イメージセンサのセンサ基板及び信号処理基板の一部を表した平面図である。図4において、センサ基板15は光学セル9に1対1で対応するように配置され、各々のセンサ基板15に実装されたセンサIC16はフレーム7に沿ってちどり状に並ぶ構造としている。また、信号処理基板19は主走査方向に延在するようにし、複数のセンサ基板15とそれぞれインタフェースするように配置する。なお、図2〜図4中、図1と同一符号は、同一又は相当部分を示す。
以上から、図2、図3、図4で示すように照明ブロック23、光学セル9、センサ基板15を上下に積み重ねたものを一つのセンサユニットとし、複数のセンサユニットを主走査方向に等間隔に並べた構造としている。
図5は、この発明の実施の形態1による密着イメージセンサの結像光学系の外観図である。図5において、25は上部に照明光学系を載置するための当接板又はクッション材、26は筐体7の基部と嵌合させて固定すると共に読み取り幅方向にセンサユニットを連結させるための位置決めピン(取り付け手段)、27は隣接するセンサユニットを結合させる当接板又はクッション材である。本実施の形態1では、隣接する個々のセル9を互いに点対称となるように千鳥状配置した一対のセンサユニットを最小ユニット単位としており、これを読み取り幅方向に延在させて所定の読み取り幅(有効読み取り幅)としている。したがって、被照射物1で反射した光は、隣接するセル9毎に第1ミラー10で互いに異なる副走査方向に反射する。また、第1ミラー10で異なる方向に反射された光はそれぞれが対応する副走査方向側に隔離されたセンサIC16列で別々に受光される。図中、図1と同一符号は、同一又は相当部分を示す。
図6は、この発明の実施の形態1による密着イメージセンサの結像光学系の位置を説明する側面図である。図6において、28は照明光学系と結像光学系との間に設けられたウレタンシートなどで構成した弾性部材、29は照明光学系を載置する当接板又はクッション材である。なお、図6ではセンサユニットは、最小ユニット単位でフレーム7の基部と位置決めピン26で固定したが、ねじなどの取り付け手段を用いて固定しても良い。図中、図5と同一符号は、同一又は相当部分を示す。
図7は、この発明の実施の形態1による密着イメージセンサの結像光学系の内部を説明する外観図である。センサユニットの結像光学系は第1ミラー10側にある上部ブロックと下部ブロックからなり、固定ピンで嵌め合わされる。下部ブロックには、センサ基板15に搭載するセンサIC16の画素に対応する位置に貫通溝が形成される構造となっている。図中、図5と同一符号は、同一又は相当部分を示す。したがって、図5、図6、図7から被照射物1で反射した反射光束はセル9に内包された空間を通過して主走査方向に2系列並べたちどり配置された受光部(センサIC)16に到達する。
次に動作について説明する。図1において、光源3より発せられた照明光は導光体4によって被照射物1に導かれ、明るく照らされた被照射物1の表面の画像情報は照明ブロック(光源ユニット)23に対応した光学セル9に実装された第1ミラー10、第1レンズミラー11、アパーチャ12、第2レンズミラー13、第2ミラー14と順次伝播し、対応するセンサ基板15上に実装されたセンサIC16上に結像する。
次に結像された画像情報の処理について説明する。図8は、この発明の実施の形態1による密着イメージセンサのセンサICの平面図である。図8において、16aは個々の画素(光電変換部)、16bはセンサIC16の各入出力パッドである。CLKは連続して送出されるクロック信号(端子)、SIはCLKに同期して各画素の蓄積電荷を順次開閉するスタート信号(端子)、CSは各センサIC16の動作を制御するチップセレクト(センサセレクト)端子、RSはセンサIC16を初期状態に戻すリセット端子、CNTは、カラー・モノクロ読み取りを選択するコントロール端子、Rは赤色検出出力信号端子、Gは緑色検出出力信号端子、Bは青色検出出力信号端子、SOは、次段接続用端子である。なお、モノクロ読み取り時は、RGB各端子のいずれかの端子又は全部から出力信号を送出する。
図9は、この発明の実施の形態1による密着イメージセンサのセンサ基板と信号処理基板との関係を説明する図である。図9において、複数のセンサ基板15に実装されたセンサIC16によって光電変換された画像信号は、アナログデジタルコンバータ17によってデジタル変換され、センサ基板15と信号処理基板19とに介在する内部端子18を通じて信号処理基板19に伝達され、信号バス(バスライン)30を経由して信号処理基板19上に実装されたASIC20の信号処理回路で必要な画像処理を施した後、外部端子21から画像信号(SIG)としてシステムに伝播される。なお、センサセレクト信号31は、信号処理基板19に実装された信号処理回路より各センサIC16にチップセレクト(CS)信号として送出される。
画像信号は、デジタル信号に変換・保持された後、信号処理基板19より送出されるセンサセレクト信号31によって出力のタイミングを規定され、複数のセンサ基板15から順次読み出されて、内部端子18及び信号処理基板19上の信号バス30を通じて信号処理回路に入力される。ASIC20に搭載した信号処理回路と結合処理回路は、複数のセンサ基板15より得られた画像情報を並べ替え、つなぎ合わせて一繋がりの画像データとして再構築し、更に必要な画像処理を適宜加えた後に、外部端子21を通じて外部システムに対して出力する。
このように、被照射物1の照明から画像情報のデジタル変換までの一連の流れを、対応する照明ブロック23、光学セル9、センサ基板15からなるセンサユニット内で完結させることにより、複数のセンサユニットを制御し、出力を統合する処理のみを共通に行うよう動作させる。
実施の形態2.
実施の形態1では、複数のセンサ基板15からの出力を信号処理基板19内の一つの信号バスに導いた例について説明したが、例えば図10に示すように信号処理基板19内に信号バス30a及び信号バス30bの2つの信号バスを設け、各々の信号バスに対して、接続するセンサ基板15の数を折半するように構成することで信号処理基板上の信号の伝播周期が高速になり過ぎるのを防ぎ、回路動作マージンが向上すると共に電磁ノイズ輻射を低減する効果がある。
実施の形態3.
また、実施の形態1では、複数のセンサ基板15の画像信号出力を内部端子18を介してそれぞれ信号処理基板19の信号バス30に接続する例を説明したが、例えば図11に示すように信号バス30を複数のセンサ基板15内を通過するように構成することにより、RGB個々のバス数が8などの256段階以上になる場合など、センサ基板15側のパターンを利用することにより信号処理基板19側におけるバス数を低減することになるので信号処理基板19をコンパクト化することが可能である。
さらに実施の形態1〜3において、図3では第1ミラー10、第1レンズミラー11の主走査方向幅が光学セル9を主走査方向に等間隔に並べる際の間隔を上回るように図示し、また図4ではセンサ基板15上のセンサIC16も光学セル9を主走査方向に等間隔に並べる際の間隔を上回るように図示しているが、このように構成することで隣接する光学セル9の継ぎ目を互いに覆うように画像を取得することができ、相互の重複取得領域で画像を滑らかに混合することによって隣接する光学セル9間に発生する隙間の影響を補うことが可能となる効果もある。
なお、実施の形態1〜3では照明ブロック23、光学セル9、センサ基板15をそれぞれ最小ユニット単位で構成したセンサユニットとして説明しているが、例えば、照明ブロック23は光学セル9に対応させて主走査方向にブロック分けせずに主走査方向全長をカバーするように構成しても良い。また、図12に示すように光源3の光を主走査方向に導光するとともに主走査方向に導光した光を導光体4で副走査方向に導光して照射部5を照明しても良い。
実施の形態1〜3では光学セル9を最小ユニット単位で構成したセンサユニットとしているが、最小ユニットを2系列以上主走査方向に配列したものを最小ユニット単位としてもよく、センサIC16毎にセンサ基板15を対応させたが、複数個のセンサIC16毎に1個のセンサ基板15とすることにより、このセンサ基板15に対応する複数のセルを最小ユニット単位とすることでも部品点数の削減や工数削減などの効果がある。
実施の形態4.
実施の形態1〜3では、照明ブロック23は主走査方向にアレイ配列した光源3を使用した場合について説明したが、実施の形態4では、透明な棒状の端部にLEDを搭載したサイドライト型の光源及び導光部を使用した場合について説明する。図12は、この発明の実施の形態4による密着イメージセンサの光源ユニット側から見た平面図である。図12において、33はLED光源、34はLED光源を固定するLEDホルダ、40は両端部にLED光源33を設けた分割して直線状に配列された棒状の導光部であり、40aは導光部40に設けられた光散乱層である。
40bは光散乱層40aに対向する領域であり、光散乱層40aで反射・散乱された光が導光部40から導光体4の入射面に光を照射する射出部(光出射領域)を示す。40cは分割して直線状に配列された隣接する導光部40同士の境界領域に設けた透過樹脂であり、屈折率を導光部40の材質と略合わせた値としている。70は光源ユニットや結像光学系などを収納するフレームであり、光源ユニット部分の一部を除き実施の形態1〜3で説明したフレーム7と同様である。図中、図1と同一符号は同一、又は相当部分を示す。
次に光源ユニットの動作について説明する。照明ブロックが分割された光源ユニットでは、図13に示すように隣接する導光部40の端部には光を透過する透過樹脂40cを塗布することにより、隣接する導光部40で発生する不要な方向へ放散される光の反射や屈折現象を防止する。すなわち、導光部40がアクリルやポリカボネートなどの樹脂で形成されている場合には、屈折率が1.3〜1.4程度の透過樹脂40cを使用し、導光部40がソーダガラスなどのガラス材で形成されている場合には、屈折率が1.5程度の透過樹脂40cを端部に充填して隣接する導光部40同士を接続する。
以上のような光源ユニット構成とすることにより、LED光源33から照射された光は主走査方向に導光されるとともに主走査方向に導光された光は射出部40bから出射し導光体4で副走査方向に導光されて照射部5を照明する。したがって、導光部40が分割されていてもLED光源33から照射された光は、隣接する導光部40の境界で発生する照明損失が透過樹脂40cの介在で軽減されるので、効率よく主走査方向に伝達される。
実施の形態5.
実施の形態4では、直線状に配列された導光部40の両端部にLED光源33を設置した場合について説明したが、実施の形態5では、分割された個々の導光部にLED光源を設けた場合について説明する。図14は、この発明の実施の形態5による密着イメージセンサの光源ユニット側から見た隣接する導光部端部周辺の平面図である。図14において、41は両端部にLED光源33を設けた個々の導光部であり、41aは導光部41に設けられた光散乱層、41bは光散乱層41aに対向する領域の射出部である。なお、光散乱層41a、射出部41bについては実施の形態4で説明したものと同一なので説明を省略する。
50はLED光源33を載置し、電源供給ラインなどをパターン配線した柔軟性のあるフレキシブル基板であり、50aはフレキシブル基板50の屈曲部である。71は光源ユニットや結像光学系などを収納するフレーム(筐体)であり、71aはフレーム71の突起部である。なおフレーム71は光源ユニット部分の一部を除き実施の形態1〜3で説明したフレーム7と同様である。図中、図12と同一符号は同一、又は相当部分を示す。
次に機能について説明する。フレキシブル基板50に載置されたLED光源33は端部に切り欠きを設けた導光部41の隙間に設置される。隣接する導光部41の隙間には、フレーム71の突起部71aが設けられており、この導光部41の切り欠きに沿うようにLED光源33を配置する。フレキシブル基板50は柔軟性があり、これを折り曲げて屈曲部50aを形成することでLED光源33は導光部41の端部に対して斜めから照射することになる。光は導光部41内を全反射して伝播されるとともに光散乱層41aに入射した光は散乱し、射出部41bから導光体4に入射する。なお、図15に示すように離間された導光部41同士の隙間に透過樹脂40cを塗布し、連結した導光部41間相互の光の伝播を促すようにしても良い。
以上のような光源ユニット構成とすることにより、LED光源33から照射された光は主走査方向に導光されるとともに主走査方向に導光された光は射出部41bから出射し導光体4で副走査方向に導光されて照射部5を照明する。したがって、導光部41が分割されていてもLED光源33から照射された光は、個々の導光部41にLED光源を設けているので照射部5における照明照度が大幅に向上するという効果があり、透過樹脂41cの介在でさらに効率よく主走査方向に照明光が伝達されるという利点もある。
実施の形態4〜5では、LED光源33は単体で表示しているが、複数の光学波長を有する樹脂などでまとめたLED光源であってもよい。なお、導光部40、41から導光体4に照射される以降の動作については実施の形態1〜3で説明したものと同一である。
1・・・被照射物 2・・・搬送ローラ
3・・・光源 4・・・導光体 5・・・照射部
6・・・放熱ブロック 7・・・フレーム(筐体)
8・・・透過体 9・・・光学セル
10・・・第1ミラー 10a・・・一方の第1ミラー 10b・・・他方の第ミラー
11・・・第1レンズミラー(凹面の第レンズミラー)
12・・・アパーチャ
13・・・第2レンズミラー(凹面の第2レンズミラー)
14・・・第2ミラー
15・・・センサ基板
15a・・・一方のセンサ基板(第1センサ基板)
15b・・・他方のセンサ基板(第2センサ基板)
16・・・センサIC(受光部)16a・・・個々の画素、16b・・・入出力パッド
17・・・アナログデジタルコンバータ(A/D変換器)
18・・・入出力インタフェース(内部端子)
18a・・・一方の入出力インタフェース(第1内部端子)
18b・・・他方の入出力インタフェース(第2内部端子)
19・・・信号処理基板
20・・・信号処理IC(ASIC)
21・・・外部インタフェース(外部端子)
23・・・照明ブロック
25・・・当接板又はクッション材
26・・・位置決めピン(取り付け手段)
27・・・当接板又はクッション材
28・・・弾性部材
29・・・当接板又はクッション材
30・・・バスライン(画像信号出力ライン)
30a・・・信号バス 30b・・・信号バス
31・・・センサセレクト(CS)信号
33・・・LED光源
34・・・ホルダ
40・・・導光部
40a・・・光散乱層 40b・・・射出部(光出射領域) 40c・・・透過樹脂
41・・・導光部
41a・・・光散乱層 41b・・・射出部(光出射領域) 41c・・・透過樹脂
50・・・フレキシブル基板 50a・・・屈曲部
70・・・フレーム(筐体)
71・・・フレーム(筐体) 71a・・・突起部

Claims (7)

  1. 主走査方向に延在する光源と、この光源からの光を被照射物の照射部に照射する導光体と、前記被照射物で反射した散乱光を互いに逆方向の副走査側に反射させる反射面を有するミラーで反射させた第1反射光束及び第2反射光束のそれぞれを副走査方向側の異なる位置で収束させる主走査方向に沿って設けた結像手段と、この結像手段で収束された前記第1反射光束を受光部で光電変換し、この光電変換されたアナログ信号をデジタル変換して画像信号を第1内部端子から出力する第1センサ基板と、前記結像手段で収束された前記第2反射光束を受光部で光電変換し、この光電変換されたアナログ信号をデジタル変換して画像信号を第2内部端子から出力する第2センサ基板と、前記第1センサ基板及び前記第2センサ基板と電気接続され、バスラインを介して前記第1センサ基板及び前記第2センサ基板からの画像信号出力を信号処理する信号処理ICを有する信号処理基板と、少なくとも前記結像手段、前記第1センサ基板、前記第2センサ基板及び前記信号処理基板を収納又は保持する筐体とを備えた密着イメージセンサ。
  2. 前記バスラインは、前記第1センサ基板から出力された画像信号と前記第2センサ基板から出力された画像信号とは分離されている請求項1に記載の密着イメージセンサ。
  3. 筐体と、主走査方向に延在する光源と、この光源からの光を被照射物の照射部に照射する導光体と、前記被照射物で反射した散乱光を互いに逆方向の副走査側に反射させる反射面を有するミラーで反射させた第1反射光束及び第2反射光束のそれぞれを副走査方向側の異なる位置で収束させる主走査方向に沿って設けた結像手段と、この結像手段を主走査方向に複数配列して前記筐体と固定する取り付け手段と、並べられた複数の前記結像手段で収束された前記第1反射光束を受光部で光電変換し、この光電変換されたアナログ信号をデジタル変換して画像信号を複数の第1内部端子から出力する複数の第1センサ基板と、前記複数の結像手段で収束された前記第2反射光束を受光部で光電変換し、この光電変換されたアナログ信号をデジタル変換して画像信号を複数の第2内部端子から出力する複数の第2センサ基板と、前記複数の第1センサ基板及び前記複数の第2センサ基板と電気接続され、バスラインを介して前記複数の第1センサ基板及び前記複数の第2センサ基板からの画像信号出力を信号処理する信号処理ICを有する信号処理基板とを備えた密着イメージセンサ。
  4. 前記バスラインは、前記複数の第1センサ基板から出力された画像信号と前記複数の第2センサ基板から出力された画像信号とは分離されている請求項3に記載の密着イメージセンサ。
  5. 隣接する前記第1センサ基板の画像信号出力線同士を前記第1内部端子を介して相互に共通接続し、隣接する前記第2センサ基板の画像信号出力線同士を前記第2内部端子を介して相互に共通接続し、共通接続された前記第1センサ基板の画像信号出力及び共通接続された前記第2センサ基板の画像信号出力をそれぞれ前記信号処理基板の前記バスラインに電気接続した請求項3又は4に記載の密着イメージセンサ。
  6. 前記導光体は、前記光源からの光を副走査方向に導光してから被照射物の照射部に照射する請求項1乃至5のいずれか1項に記載の密着イメージセンサ。
  7. 主走査方向に光射出部を有する棒状の導光部の端部にLEDを設け、このLED光源からの光を前記導光体に入射させる請求項1乃至6のいずれか1項に記載の密着イメージセンサ。
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