JP2010207044A - 充電装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】二次電池の充電装置において、発熱する電子部品による温度検出素子の温度検出への影響を抑制し、二次電池の温度を充電装置側で検出する際の検出精度を向上させる。
【解決手段】充電装置に設けられた電池挿入部には、充電時に二次電池が挿入される。充電装置は、電池挿入部の位置と、温度検出素子の位置と、回路基板に実装される電子部品について、(1)電池挿入部と温度検出素子の距離、(2)各電子部品と温度検出素子の距離、が適切となるようにして温度検出素子の位置を決定する。各電子部品は、それぞれ発熱温度が異なるため、発熱温度に応じて電子部品と温度検出素子との間の最低距離を決定する。複数の電子部品それぞれの温度検出素子との間の最低距離と、電池挿入部と温度検出素子間の距離に基づいて温度検出素子の位置を特定する。
【選択図】図8
【解決手段】充電装置に設けられた電池挿入部には、充電時に二次電池が挿入される。充電装置は、電池挿入部の位置と、温度検出素子の位置と、回路基板に実装される電子部品について、(1)電池挿入部と温度検出素子の距離、(2)各電子部品と温度検出素子の距離、が適切となるようにして温度検出素子の位置を決定する。各電子部品は、それぞれ発熱温度が異なるため、発熱温度に応じて電子部品と温度検出素子との間の最低距離を決定する。複数の電子部品それぞれの温度検出素子との間の最低距離と、電池挿入部と温度検出素子間の距離に基づいて温度検出素子の位置を特定する。
【選択図】図8
Description
この発明は、充電装置に関し、特にリチウムイオン二次電池を充電するための充電装置に関する。
近年、デジタルカメラ、携帯電話あるいはラップトップコンピュータなどのポータブル電子機器が多く登場し、それらの小型化、軽量化が図られている。それに伴い、ポータブル電子機器の電源として用いられる電池の需要が急速に伸びており、機器の小型化実現のために、電池設計も軽く、薄型であり、かつ機器内の収納スペースを効率的に使うことが求められている。このような要求を満たす電池パックとして、エネルギー密度および出力密度の大きいリチウムイオン二次電池を用いた電池パックが広く用いられている。
リチウムイオン二次電池を充電する場合には、例えば、定電流充電を行い、所定の電圧値に達すると定電圧充電に切り替える定電流定電圧法が広く用いられている。充電時には、リチウムイオン二次電池の温度、もしくは電池パック自体の温度を測定することにより、充電の制御を行うようにしている。
従来、下記の特許文献1のように、二次電池を収容した電池パックの内部に、二次電池の温度を測定するための温度検出素子を設けた構成が提案されている。特許文献1では、充電時に、電池パック内部の温度検出素子を利用して、充電器で二次電池の温度を検出するようにしている。
そして、特許文献2のように、充電器および電池パックのそれぞれに温度検出素子を設けて、少なくともいずれかの温度検出素子の出力によって二次電池の充電を制御する技術も提案されている。
さらに、特許文献3のように、二次電池を充電器にはめ込んだ際に、二次電池の表面に温度検出素子が接触するようにした充電器も提案されている。
しかしながら、引用文献1のような構成では、内部に温度検出素子を持たない電池パックを用いた場合、充電器側で電池パックの温度を検出することができないという問題が生じる。
また、引用文献2のような構成では、電池パックと充電器の双方に温度検出素子を設けるため、コストが高くなる。
さらに、引用文献3の構成では、温度検出素子が充電器外部に露出するため、外気の温度が大きく影響し、電池温度を高精度で測定することが困難となる。また、引用文献3の充電器では、温度検出素子として製品コスト、実装コストの高いディスクリートサーミスタを用いており、充電器自体が高価になってしまう。また、二次電池に温度検出素子を接触させる場合は、例えばリード形状を有し、設置状態が不安定な温度検出素子を用いることも考えられる。設置状態が不安定な温度検出素子は、固定部品および組立工程の追加が必要となり、製造コストの増加につながる。
そして、どのような構成であっても、温度検出素子が電池以外の部品等の発熱を検出してしまう場合は、電池温度を高精度で検出することが困難となる。
したがって、この発明は、上述の問題点を解消し、電子部品設置位置の条件を明確にして、充電する電池の電池温度を簡易な構成で高精度に検出することを目的とする。
課題を解決するために、この発明は、充電すべき二次電池が挿入される挿入部から外部に露出するように設けられ、二次電池と電気的に接続される端子部と、
外部電源から電圧を得て二次電池に対して充電電流を供給する電源回路部と、
二次電池の電池温度を検出する温度検出部と、
充電電流をON/OFFする充電制御スイッチと、
電源回路部の電圧および電流、ならびに二次電池の電池温度を基に、電源回路部または充電制御スイッチの制御を行う制御部と
を備える回路基板を有し、
温度検出部は、挿入部に対向する回路基板の一部に設けられ、かつ、電源回路部および制御部を構成する複数の電子部品のそれぞれの発熱温度に応じて設定された所定の距離以上、複数の電子部品のそれぞれと距離を有する位置に設けられる
充電装置である。
外部電源から電圧を得て二次電池に対して充電電流を供給する電源回路部と、
二次電池の電池温度を検出する温度検出部と、
充電電流をON/OFFする充電制御スイッチと、
電源回路部の電圧および電流、ならびに二次電池の電池温度を基に、電源回路部または充電制御スイッチの制御を行う制御部と
を備える回路基板を有し、
温度検出部は、挿入部に対向する回路基板の一部に設けられ、かつ、電源回路部および制御部を構成する複数の電子部品のそれぞれの発熱温度に応じて設定された所定の距離以上、複数の電子部品のそれぞれと距離を有する位置に設けられる
充電装置である。
この発明の発明では、温度検出部を、二次電池が挿入される挿入部の近傍に設けて電池温度を精度よく検出するとともに、発熱する電子部品を、発熱温度に応じて定めた距離以上遠ざけることにより、温度検出部が電池温度以外を検出しないようにしている。
この発明によれば、充電装置側で精度よく電池パックの温度を検出することができる。そして、電池パックの温度に応じた充電制御を好適に行うことができる。
することができる。
することができる。
以下、発明を実施するための形態(以下、実施の形態とする)について説明する。なお、説明は以下のように行う。
1.第1の実施の形態(充電装置内において、温度検出素子と他の電子部品との適切な位置関係を決定して配置する例)
1.第1の実施の形態(充電装置内において、温度検出素子と他の電子部品との適切な位置関係を決定して配置する例)
<1.第1の実施の形態>
以下、この発明の第1の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
以下、この発明の第1の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
(1−1)充電装置の構成
以下、この発明の第1の実施形態について図面を参照しながら説明する。
以下、この発明の第1の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図1は、この発明の充電装置1および充電装置1に挿入されて充電される電池パック30の外観を模式的に示す斜視図である。図2は、この発明の充電装置1の上面図および側面図である。
充電装置1は、電池パック30を嵌合可能な電池挿入部1aを備えている。そして、電池パック30を電池挿入部1aに挿入した際には、電池パック30の外装から外部に露出した接点部(図示せず)と接触するように、充電装置1の一部から外部に露出するように端子4を設ける。
なお、充電装置1には、例えば電池パック30の挿入および取り出しを容易にするために、切り欠き部1bを設けてもよい。また、端子4と電池パック30の接点部との接触性を高めるために、端子4は凸状かつばね性を有するように設けられることが好ましい。
そして、充電装置1には、家庭用交流電源等の外部電源から交流電圧Vacを得るための電源供給端子が設けられている。電源供給端子は、コンセント等の端子が充電装置1に直接設けられていてもよく、また、コンセントを有するケーブル等が差し込まれる差し込み部が設けられるようにしてもよい。
図2に示すように、充電装置1の内部には、電池パック30の充電を行うための電子部品(図示せず)が実装された回路基板1cが備えられている。回路基板1cには、電池パック30の温度を検出する温度検出素子とともに、電源回路部としてスイッチングIC、電力変換パワートランス(以下、トランスと適宜称する)、ダイオード、FET(Field Effect Transistor;電界効果トランジスタ)等の電子部品が実装されている。
[電子部品の実装位置]
この発明では、充電される電池パック30の温度を精度よく検出するために、温度検出素子および各電子部品の実装位置を、下記の2つの点を考慮して決定する。
(i) 温度検出素子と電池パックとの位置関係
(ii) 温度検出素子と電子部品との距離
上述の4つの点について、詳細に説明する
この発明では、充電される電池パック30の温度を精度よく検出するために、温度検出素子および各電子部品の実装位置を、下記の2つの点を考慮して決定する。
(i) 温度検出素子と電池パックとの位置関係
(ii) 温度検出素子と電子部品との距離
上述の4つの点について、詳細に説明する
(i)温度検出素子と電池パックとの位置関係
温度検出素子は、電池パック30に近いほど電池パック30の温度を高精度に検出し、電池パック30から離れるにつれて温度の検出精度が低下する。すなわち、温度検出素子と、温度の測定対象である電池パック30との距離と検出精度は略比例関係にあると考えられる。このため、温度検出素子を充電装置1の電池挿入部1aに近い位置に設けるようにする。
温度検出素子は、電池パック30に近いほど電池パック30の温度を高精度に検出し、電池パック30から離れるにつれて温度の検出精度が低下する。すなわち、温度検出素子と、温度の測定対象である電池パック30との距離と検出精度は略比例関係にあると考えられる。このため、温度検出素子を充電装置1の電池挿入部1aに近い位置に設けるようにする。
上述のような関係について確認するために、図1および2に示すような充電装置1において、温度検出素子の位置を変化させて、電池パック30の温度と、温度検出素子による検出温度との差分を測定する。
<サンプル1−1>
図3に示すように、電池パック30を充電する場合において、電池パック30の表面には電池パック30の温度を測定するための温度検出素子THbを接触させる。そして、サンプル1−1として図4の温度検出素子TH1を回路基板1cに設けた充電装置を用い、温度検出素子THbと温度検出素子TH1の検出温度を測定する。温度検出素子TH1は、電池挿入部1aの設けられた範囲に設置するようにし、この範囲にある場合は、電池パック30と温度検出素子TH1との距離を0mmとする。
図3に示すように、電池パック30を充電する場合において、電池パック30の表面には電池パック30の温度を測定するための温度検出素子THbを接触させる。そして、サンプル1−1として図4の温度検出素子TH1を回路基板1cに設けた充電装置を用い、温度検出素子THbと温度検出素子TH1の検出温度を測定する。温度検出素子TH1は、電池挿入部1aの設けられた範囲に設置するようにし、この範囲にある場合は、電池パック30と温度検出素子TH1との距離を0mmとする。
<サンプル1−2>
温度検出素子TH1の代わりに温度検出素子TH2を設けた以外は、サンプル1−1と同様にして充電装置を作製して温度検出素子THbないし温度検出素子TH2の検出温度をそれぞれ測定した。サンプル1−2において、温度検出素子TH2は電池挿入部1aの端部から10mmの位置に設置した。この場合の電池パック30と温度検出素子TH2との距離を10mmとする。
温度検出素子TH1の代わりに温度検出素子TH2を設けた以外は、サンプル1−1と同様にして充電装置を作製して温度検出素子THbないし温度検出素子TH2の検出温度をそれぞれ測定した。サンプル1−2において、温度検出素子TH2は電池挿入部1aの端部から10mmの位置に設置した。この場合の電池パック30と温度検出素子TH2との距離を10mmとする。
<サンプル1−3>
温度検出素子TH1の代わりに温度検出素子TH3を設けた以外は、サンプル1−1と同様にして充電装置を作製して温度検出素子THbないし温度検出素子TH3の検出温度をそれぞれ測定した。サンプル1−3において、温度検出素子TH3は電池挿入部1aの端部から23mmの位置に設置した。
温度検出素子TH1の代わりに温度検出素子TH3を設けた以外は、サンプル1−1と同様にして充電装置を作製して温度検出素子THbないし温度検出素子TH3の検出温度をそれぞれ測定した。サンプル1−3において、温度検出素子TH3は電池挿入部1aの端部から23mmの位置に設置した。
<サンプル1−4>
温度検出素子TH1の代わりに温度検出素子TH4を設けた以外は、サンプル1−1と同様にして充電装置を作製して温度検出素子THbないし温度検出素子TH4の検出温度をそれぞれ測定した。サンプル1−4において、温度検出素子TH4は電池挿入部1aの端部から35mmの位置に設置した。
温度検出素子TH1の代わりに温度検出素子TH4を設けた以外は、サンプル1−1と同様にして充電装置を作製して温度検出素子THbないし温度検出素子TH4の検出温度をそれぞれ測定した。サンプル1−4において、温度検出素子TH4は電池挿入部1aの端部から35mmの位置に設置した。
上述のようなサンプル1−1ないしサンプル1−4について、充電装置1を交流電圧100Vの外部電源と接続し、電池パック30を充電した。例えばリチウムイオン二次電池が収容された電池パックを用いる場合、一般的には、定電流充電を行って電池電圧が所定の電圧に達した後、定電圧での充電に切り替える。定電圧での充電に切り替わった後は、満充電に近づくにつれて充電電流が小さくなっていく。このため、一定の電流値でもっとも長く流れた時点、すなわち、定電流充電から定電圧充電への切り替え時に、電池パック30の温度が最も高くなる。
したがって、電池パック30について、250mAの電流による定電流充電を電池パック30内の二次電池の電圧が1セルあたり4.2Vとなるまで行って定電圧充電に切り替わる際に、温度検出素子THb、TH1ないしTH4によってそれぞれの温度を検出した。以下、発熱温度とは、定電流充電から定電圧充電に切り替わる時点での温度とする。
以下の表1に、温度検出素子THb、TH1ないしTH4による測定結果を示す。表1では、電池パック30の温度である温度検出素子THbでの検出温度と、回路基板1c上で検出した温度検出素子TH1ないしTH4のいずれかの温度との差分と、温度検出素子THbに対する温度検出素子TH1ないしTH4の距離との関係を示す。
また、図4は測定結果のグラフである。
図4から分かるように、温度検出素子を回路基板1c上に設けたこの発明の充電装置1では、一般的に下記の関係式が成り立つと考えられる。
p=βq+θ ・・・(1)
ここで、pは電池パック30の温度と温度検出素子による検出温度との差分[℃]、qは電池パック30と温度検出素子との距離、βは熱伝導の係数、θは初期検出誤差である。
p=βq+θ ・・・(1)
ここで、pは電池パック30の温度と温度検出素子による検出温度との差分[℃]、qは電池パック30と温度検出素子との距離、βは熱伝導の係数、θは初期検出誤差である。
初期検出誤差θは、電池パック30と温度検出素子との間に存在する基板や、電池パック30の外装ケースによって熱伝導性が低下するために発生する誤差である。
上述の結果より、電池パック30の位置と回路基板1c上の温度検出素子との距離が離れるほど、検出精度が低下することが分かる。このため、高精度な温度検出を行うためには、温度検出素子を電池挿入部1に対向する位置に配置する必要がある。充電装置の大きさに関わらず、高精度な温度検出のためには温度検出素子が電池挿入部1の直下に配置される必要がある。
この発明の充電装置1を用いた場合、表1および図4の結果から、式(1)は具体的に
p=0.011q+0.38 ・・・(1)’
と表すことができる。線形近似式(1)’の係数βおよびθは、最小二乗法(線形近似)により算出したものである。熱伝導の係数βおよび初期検出誤差θは充電装置1によって異なる。
p=0.011q+0.38 ・・・(1)’
と表すことができる。線形近似式(1)’の係数βおよびθは、最小二乗法(線形近似)により算出したものである。熱伝導の係数βおよび初期検出誤差θは充電装置1によって異なる。
(ii)温度検出素子と電子部品との距離
次に、温度検出素子と電子部品との距離を考慮する必要がある。それぞれの電子部品は充電動作によって発熱するため、温度検出素子が電池パック30以外の熱を検出してしまう場合には高精度の温度検出を行うことができない。
次に、温度検出素子と電子部品との距離を考慮する必要がある。それぞれの電子部品は充電動作によって発熱するため、温度検出素子が電池パック30以外の熱を検出してしまう場合には高精度の温度検出を行うことができない。
そこで、電子部品を温度検出素子から離れた位置に設けることが考えられるが、回路基板1cの面積は有限であり、より詳細に電子部品の設置位置を検討する必要がある。
電子部品の発熱が大きいほど、電子部品と温度検出素子との距離を大きくする必要がある。また、検出誤差が大きいほど、電子部品と温度検出素子との距離を大きくする必要がある。したがって、電子部品のそれぞれが温度検出素子3に与える影響は、下記の式で表すことができる。
y=αx ・・・(2)
ここで、yは電子部品と温度検出素子との最低距離、xは電子部品の発熱温度(電子部品の発熱温度と環境温度との差分)、αは温度検出誤差を示す係数である。
y=αx ・・・(2)
ここで、yは電子部品と温度検出素子との最低距離、xは電子部品の発熱温度(電子部品の発熱温度と環境温度との差分)、αは温度検出誤差を示す係数である。
例えば、図5Aに充電装置1の上面図を、図5Bに回路基板1cの上面図を示す。図5Aにおいて、点線で示すのは充電装置1の内部に収容された回路基板1cである。回路基板1cに設けられた切り欠き部は、例えば家庭用交流電源等を得るための電源供給端子(図示せず)の位置に対応して設けたものである。
図5Bにおいて、点線部は電池収容部1bの位置を示す。図5Bに示すように、回路基板1c上には、温度検出素子3とともに、発熱を伴う電子部品の一例としてスイッチングIC12、トランス13、ダイオード14およびFET2の設置位置を示している。スイッチングIC12は、例えばPWM(Pulse Width Modulation:パルス幅変調)により電池パック30への充電電流を調整するものである。FET2は、電池パック30の充電時にはONされるとともに、電池パック30の状態に応じてOFFされて充電電流の遮断を行うものである。
発熱する電子部品が温度検出素子3から遠い位置に設けられているほど電池パック30の温度時における影響を低減できる。一方、電子部品それぞれの発熱温度は異なるため、発熱温度に応じて設置可能位置、すなわち温度検出素子3との間の最低間隔は変化する。以下、各電子部品と温度検出素子3との距離関係について確認するために、電池パック30を充電する充電電流を変化させて電池パック30の表面温度と温度検出素子3の検出温度との差分を測定した結果を示す。
ここで、スイッチングIC、トランス、FET、ダイオードおよび温度検出素子の配置位置は、図5に示す位置とする。
<サンプル2−1>
スイッチングICについて、発熱温度と充電装置内の環境温度との差分を測定した。発熱温度は、定電流充電から定電圧充電に切り替わる際のスイッチングICの温度とした。充電条件は、250mAの電流による定電流充電を電池パック30内の二次電池の電圧が1セルあたり4.2Vとなるまで行うようにした。
スイッチングICについて、発熱温度と充電装置内の環境温度との差分を測定した。発熱温度は、定電流充電から定電圧充電に切り替わる際のスイッチングICの温度とした。充電条件は、250mAの電流による定電流充電を電池パック30内の二次電池の電圧が1セルあたり4.2Vとなるまで行うようにした。
<サンプル2−2>
トランスの発熱温度と充電装置内の環境温度との差分を測定した以外は、サンプル2−1と同様にして測定を行った。
トランスの発熱温度と充電装置内の環境温度との差分を測定した以外は、サンプル2−1と同様にして測定を行った。
<サンプル2−3>
ダイオードの発熱温度と充電装置内の環境温度との差分を測定した以外は、サンプル2−1と同様にして測定を行った。
ダイオードの発熱温度と充電装置内の環境温度との差分を測定した以外は、サンプル2−1と同様にして測定を行った。
<サンプル2−4>
FETの発熱温度と充電装置内の環境温度との差分を測定した以外は、サンプル2−1と同様にして測定を行った。
FETの発熱温度と充電装置内の環境温度との差分を測定した以外は、サンプル2−1と同様にして測定を行った。
以下の表2に、各電子部品と環境温度との差分の測定結果を示す。
また、図6はサンプル2−1ないし2−4の測定結果を示すグラフである。図6中、サンプル2−1は「三角」で示す。サンプル2−2は「×」で示す。サンプル2−3は「丸」で示す。サンプル2−4は「四角」で示す。
図6に示すように、サンプル2−1のスイッチングICでの測定結果を上述の式(2)に適用することにより、充電電流250mAの場合においてα=1.5という結果が得られる。すなわち、充電電流250mAの場合において、温度検出素子と各電子部品との最低距離がy=1.5xで表される。そして、各電子部品の発熱温度に応じて、電子部品の発熱の影響が及ぶ範囲が決定される。
続いて、発熱する各電子部品と温度検出素子との距離を表2で示される距離とし、充電電流を変化させて、検出温度の誤差を測定した。
<サンプル3−1>
充電電流を125mAとして定電流充電を行い、電池パックの温度が4.2Vに達した時点の電池パック表面における検出温度と、温度検出素子の検出温度との差分を測定した。なお、充電電流が125mAの場合の温度検出誤差を示す係数αは、サンプル2−1ないし2−4により充電電流が250mAの場合のαを算出したのと同様の方法により得ることができ、α=2.8であった。
充電電流を125mAとして定電流充電を行い、電池パックの温度が4.2Vに達した時点の電池パック表面における検出温度と、温度検出素子の検出温度との差分を測定した。なお、充電電流が125mAの場合の温度検出誤差を示す係数αは、サンプル2−1ないし2−4により充電電流が250mAの場合のαを算出したのと同様の方法により得ることができ、α=2.8であった。
<サンプル3−2>
充電電流を250mAとした以外はサンプル3−1と同様の方法により電池パック表面における検出温度と、温度検出素子の検出温度との差分を測定した。なお、充電電流が250mAの場合の温度検出誤差を示す係数αは、上述のようにα=1.5であった。
充電電流を250mAとした以外はサンプル3−1と同様の方法により電池パック表面における検出温度と、温度検出素子の検出温度との差分を測定した。なお、充電電流が250mAの場合の温度検出誤差を示す係数αは、上述のようにα=1.5であった。
<サンプル3−3>
充電電流を500mAとした以外はサンプル3−1と同様の方法により電池パック表面における検出温度と、温度検出素子の検出温度との差分を測定した。なお、充電電流が500mAの場合の温度検出誤差を示す係数αは、α=1.0であった。
充電電流を500mAとした以外はサンプル3−1と同様の方法により電池パック表面における検出温度と、温度検出素子の検出温度との差分を測定した。なお、充電電流が500mAの場合の温度検出誤差を示す係数αは、α=1.0であった。
<サンプル3−4>
充電電流を1000mAとした以外はサンプル3−1と同様の方法により電池パック表面における検出温度と、温度検出素子の検出温度との差分を測定した。なお、充電電流が1000mAの場合の温度検出誤差を示す係数αは、α=0.4であった。
充電電流を1000mAとした以外はサンプル3−1と同様の方法により電池パック表面における検出温度と、温度検出素子の検出温度との差分を測定した。なお、充電電流が1000mAの場合の温度検出誤差を示す係数αは、α=0.4であった。
以下の表3に、温度検出誤差を示す係数αと、電池パック表面における検出温度と温度検出素子の検出温度との差分の測定結果を示す。
図7は、サンプル3−1ないし3−4の測定結果を示すグラフである。ここで、図7中、サンプル3−1は「×」で示す。サンプル3−2は「三角」で示す。サンプル3−3は「丸」で示す。サンプル3−4は「四角」で示す。
図7に示すようにこの発明の充電装置では、充電電流が大きくなるほどαの値が小さくなり、かつ温度の検出誤差が増大することが分かる。図7のグラフから、この発明の充電装置1では、一般的に下記の関係式が成り立つと考えられる。
ΔT=γ/αε ・・・(3)
ここで、ΔTは電池パック表面における検出温度と温度検出素子の検出温度との差分、すなわち温度誤差である。αは温度誤差を表す係数である。γおよびεは、充電装置固有の係数である。
ΔT=γ/αε ・・・(3)
ここで、ΔTは電池パック表面における検出温度と温度検出素子の検出温度との差分、すなわち温度誤差である。αは温度誤差を表す係数である。γおよびεは、充電装置固有の係数である。
そして、この発明の充電装置1を用いた場合、表3および図7の結果から、式(3)は具体的に
ΔT=1/α ・・・(3)’
と表すことができる。累乗近似式(3)’の係数γおよびεは、最小二乗法(累乗近似)により算出したものである。
ΔT=1/α ・・・(3)’
と表すことができる。累乗近似式(3)’の係数γおよびεは、最小二乗法(累乗近似)により算出したものである。
式(3)から、温度誤差を表す係数αが大きいほど、検出される温度の誤差が小さいことが分かる。表2に示すように、一定の充電電流の場合において、αが最も大きいFET2は、温度検出素子3に対して最も影響が小さいことが分かる。
上述のように、式(1)ないし(3)から、充電装置1内において温度検出素子と各電子部品の設置位置が特定される。
すなわち、温度検出素子は、電池パック30を挿入する電池挿入部1aの底面部に対向する位置に設ける必要がある。そして、各電子部品は、発熱温度に応じて温度検出素子との最低距離が決定される。
図8に、上述のようにして算出した各電子部品が発熱によって影響を与える領域を示す。図8では、スイッチングIC12、トランス13、ダイオード14およびFET2について、それぞれ式(2)によって算出された距離を略同心円状に示す。温度検出素子3は、それぞれの電子部品の影響が及ばない部分に設けられることが好ましい。そして、式(1)により得られた電池パック30と温度検出素子3との位置関係も考慮する。これにより、高い検出精度で電池パック30の温度を測定することができる温度検出素子3の位置が特定される。
さらに、充電装置1内は、電子部品の発熱によって温度が上昇し、熱対流が起こることが考えられる。温度が上昇した空気は、空間の広い部分に入りこみやすい。このため、やや狭い空間部分に温度検出素子3を配置するようにすることがより好ましい。
この発明では、充電装置1の一方の領域に偏るように電池挿入部1aが設けられているが、充電装置1の中心部等に電池挿入部1aが設けられる場合もある。この場合は、電池挿入部1aの両側面に発熱を伴う電子部品が設けられることが考えられる。このような構成では、上述の式(1)および(2)の位置関係から温度検出素子3の位置を決定することでより電子部品の発熱の影響を除外することができる。
温度検出素子3の位置による検出精度を確認するために、温度検出素子の位置を変えて充電装置を作製し、電池パック30の表面に設けた温度検出素子THbの検出温度との差分を測定する。
<サンプル4−1>
サンプル1−1と同様に、電池パック30を充電する際に、電池パック30の表面に電池パック30の温度を測定するための温度検出素子THbを接触させる。そして、サンプル4−1として図9の温度検出素子TH5を回路基板1Cに設けた充電装置を用い、温度検出素子THbと温度検出素子TH5の検出温度を測定して差分を求める。
サンプル1−1と同様に、電池パック30を充電する際に、電池パック30の表面に電池パック30の温度を測定するための温度検出素子THbを接触させる。そして、サンプル4−1として図9の温度検出素子TH5を回路基板1Cに設けた充電装置を用い、温度検出素子THbと温度検出素子TH5の検出温度を測定して差分を求める。
<サンプル4−2>
図9の温度検出素子TH6を回路基板1Cに設けた充電装置を用い、温度検出素子THbと温度検出素子TH6の検出温度を測定して差分を求めた以外はサンプル4−1と同様にした。
図9の温度検出素子TH6を回路基板1Cに設けた充電装置を用い、温度検出素子THbと温度検出素子TH6の検出温度を測定して差分を求めた以外はサンプル4−1と同様にした。
<サンプル4−3>
図9の温度検出素子TH7を回路基板1Cに設けた充電装置を用い、温度検出素子THbと温度検出素子TH7の検出温度を測定して差分を求めた以外はサンプル4−1と同様にした。
図9の温度検出素子TH7を回路基板1Cに設けた充電装置を用い、温度検出素子THbと温度検出素子TH7の検出温度を測定して差分を求めた以外はサンプル4−1と同様にした。
以下の表4に、測定結果を示す。
また、図10は測定結果のグラフである。
図10に示すように、各電子部品の発熱の影響を受けにくい位置に温度検出素子TH5を設置したサンプル4−1は、温度の誤差が1℃以内となっていた。一方、スイッチングIC12およびFET2の影響を受けやすい位置に温度検出素子TH6を設置したサンプル4−2は、検出温度の誤差がサンプル4−1の略2倍となっていた。そして、全ての電子部品の発熱の影響を受け易い位置に温度検出素子TH7を設置したサンプル4−3は、検出温度の誤差が3.5℃となり、検出精度が大幅に低下することが分かった。
このように、この発明では、温度検出素子3と、各電子部品と、電池パック30が挿入される電池挿入部1aのそれぞれの位置を、電子部品の発熱温度等を基にして決定する。これにより、温度検出素子3による電池パック30の温度の検出精度を向上させることができる。
図11は、上述のようにして位置決めを行った温度検出素子3を有する充電装置1を用いて電池パック30を充電した場合の温度変化を示すグラフである。破線で示されるグラフは、電池パック30の表面温度である。実線は、温度検出素子3によって検出された温度である。点線は、充電装置1内の環境温度である。充電条件は、250mAの定電流にて電池電圧が4.2V/セルとなるまで充電した後、定電圧充電に切り替えて、総充電時間が400分となるまで充電を行ったものである。
図11において、充電開始から200分の時点で電池パック30の表面温度の低下が開始される。これは、この時点で定電流充電から定電圧充電に切り替わったことを示している。充電開始から200分の時点で、電池パック30の表面温度と回路基板に設けた温度検出素子3の検出温度の差分(図11中におけるΔT)は約1℃であり、この発明の充電装置1における温度検出が高い精度で行われていることが分かる。
上述のような、電子部品が実装された回路基板1cの回路構成を説明する。
[充電装置の回路構成]
図12は、この発明が適用された二次電池の充電装置1の回路例である。この回路は、電源回路部10と、FET2と、温度検出素子3と、充電制御部20とから構成されている。そして、この回路の+端子4aと−端子4bとに電池パック30が接続されて、電池パック30の充電が行われる。この回路は、回路基板上に電子部品が実装されることによって形成される。回路基板は、充電装置1内に配置される。また、通信端子4cが設けられ、充電装置1と電池パック30との間で情報の通信が行われる。
図12は、この発明が適用された二次電池の充電装置1の回路例である。この回路は、電源回路部10と、FET2と、温度検出素子3と、充電制御部20とから構成されている。そして、この回路の+端子4aと−端子4bとに電池パック30が接続されて、電池パック30の充電が行われる。この回路は、回路基板上に電子部品が実装されることによって形成される。回路基板は、充電装置1内に配置される。また、通信端子4cが設けられ、充電装置1と電池パック30との間で情報の通信が行われる。
電源回路部10は、例えばスイッチング制御による電圧変換部であり、トランス13を境に高圧部の一次回路と低圧部の二次回路とに分かれている。トランス13は、平滑コンデンサCiが電気的に接続されている一次巻線N1からなる一次コイル13aと、電池パック30がFET2を介して電気的に接続されている二次巻線N2からなる二次コイル13bとからなる。そして、トランス13では、コアに対して一次巻線N1と二次巻線N2とを巻装して形成される。トランス13では、一次コイル13aに電流が供給されることで二次コイル13bにおいて電圧が誘起される。
一次回路には、家庭用交流電源等の外部電源から交流電圧Vacを供給させるコンセント等の電源供給端子に接続されるブリッジ回路BDと、フィルタ回路11と、フィルタ回路11に接続される平滑コンデンサCiと、スイッチングIC12と、トランス13の一次巻線N1とが備えられる。
ブリッジ回路BDは、交流電源Vacの交流電圧を整流して全波整流電圧をフィルタ回路11に供給する。フィルタ回路11は、ブリッジ回路BDから入力された所定の周波数帯域の交流電流を除去し、必要な周波数帯域のパルス波形の交流電流だけを透過させる。平滑コンデンサCiは、例えばフィルタ回路11によって必要な周波数帯域だけにされた交流電流を、所定の直流電流に変換し、安定した電圧を有するパルス波形の直流電流を発生させる。
スイッチングIC12は、例えばトランジスタ等であり、パルス幅変調を行うものである。スイッチングIC12は、一次コイル13aと充電制御部20との間に配置され、充電制御部20から供給されるパルス信号に基づいてON/OFFを切り替える。スイッチングIC12がONの状態では、一次コイル13aに電流が供給されて二次コイル13bで電流が発生する。スイッチングIC12がOFFの状態では、一次コイル13aに電流が供給されず二次コイル13bにも電流が発生しない。
このような構成のスイッチングIC12は、充電制御部20からの電気信号によりスイッチングIC12がONになると、外部電源等から供給された交流電圧をブリッジ回路BD、フィルタ回路11および平滑コンデンサCiを介して直流電流に変換する。そして、直流電流をトランス13の一次コイル13aに供給する。一次コイル13aに直流電圧の電流が供給されることにより、二次コイル13bで電圧が誘起されて二次コイル13bに直流電圧の電流が発生し、充電電流を電池パック30に供給する。
スイッチングIC12は、二次回路側で検出した電圧値および/または電流値を基に充電制御部20から出力される電気信号によりON/OFFすることで直流電流を制御する。スイッチングIC12は、充電制御部20からの電気信号によりスイッチングIC12がOFFになると、トランス13の一次コイル13aに対する直流電流の供給が停止され、電池パック30に供給される充電電流が抑制される。電池パック30に対する充電電流は、スイッチングIC12をON/OFFする信号のデューティ比に応じたものとなる。このため、ON/OFFのデューティ比を変化させることで、直流電流の平均電流量を変化させることができる。
二次回路には、ダイオード14と、平滑コンデンサCoと、電圧検出抵抗R1およびR2と、電流検出抵抗R3とが備えられる。ダイオード14は、二次コイル13bで発生した直流電流を整流するものであり、例えばショットキーダイオードからなる。平滑コンデンサCoは、例えば二次コイル13bから電池パック30に供給される充電電流の電圧を整流平滑する。
そして、電圧検出抵抗R1およびR2と、電流検出抵抗R3とにより、充電制御部20の充電制御IC21において電池パック30の充電電圧および充電電流を検出することができる。
FET2は、例えばMOS(Metal Oxide Semiconductor)−FETからなり、充電電流を流さないように回路を遮断する。FET2は、電池パック30と接続される+端子4aもしくは−端子4bと二次コイル13bとの間に備えられている。図3の回路では、FET2が高電圧側に設けられているため、FET2として例えばPチャネル型のFETが用いられる。FET2は、通常の放電動作および充電動作では、充電制御部20からの制御信号が論理“L”レベル(以下、ローレベルと適宜称する)とされてON状態とされる。FET2はPチャネル型であるので、ソース電位より所定値以上低いゲート電位によってONする。
そして、例えば充電時に検出した電圧が所定の電圧値以上であると検出した場合、充電制御部20からFET2に対して出力される制御信号を論理“H”レベル(以下、ハイレベルと適宜称する)として、FET2がOFF状態とされる。充電電流が過電流状態であると検出した場合や、電池パック30の温度が所定の範囲外であると検出した場合、充電が終了したと判断した場合にも同様に、FET2がOFF状態とされる。これにより、充電動作が遮断される。
なお、FET2が低電圧側に設けられる場合には、Nチャネル型のFETを用いる。そして、充電制御部20からの制御信号がハイレベルとされてON状態とされる。
温度検出素子3は、例えば回路基板1c上に配置したチップサーミスタTHからなり、電池パック30の温度を検出する。温度検出素子3は温度に応じて抵抗値が変化するものであり、検出した電池パック30の温度を充電制御IC21に出力する。
充電制御部20は、充電制御IC21と、発光素子および受光素子(図示せず)を備えるフォトカプラ22とを備えている。
充電制御IC21は、電源回路部10から電池パック30に供給される電流および電圧ならびに電池パック30の温度を検出する。そして、検出した電流および電圧に応じて充電の制御を行う制御信号をフォトカプラ22もしくはFET2に対して出力する。
フォトカプラ22は、発光ダイオードからなる発光素子と、フォトトランジスタ等からなる受光素子とを備えている。発光素子は、充電制御IC21に接続され、充電制御IC21で検出した電流もしくは電圧に応じて光信号を発光する。受光素子は、発光素子からの光信号を受光し、受光した光信号を電気信号に変換してスイッチングIC12に供給する。これにより、フォトカプラ22は、充電制御IC21で検出された電流もしくは電圧に対応した明暗レベルの電気信号をスイッチングIC12に対して出力する。
例えば異常電池等が装着された場合、充電電流が突発的に大電流となった場合、もしくは充電電圧が所定値よりも高くなった場合等に、回路を遮断する制御信号を出力する。この場合、FET2に対してローレベルもしくはハイレベルの制御信号を出力することにより、FET2のON/OFFを行う。
そして、充電電流の調整を行う場合には、フォトカプラ22に対して所望のパルス幅に変調するための制御信号を出力する。
充電制御IC21は、フォトカプラ22の発光素子に電気的に接続され、発光素子に供給される電流を制御する。具体的に、充電制御IC21は、所定の電圧を有する基準電圧源(図示せず)を備え、充電電圧と基準電圧源の電圧との差により、フォトカプラ22の発光素子に供給される電流値を制御する。フォトカプラ22において発光素子は、充電制御IC21によって制御された電圧レベルに則った明暗レベルの光を発光する。
このような構成の充電制御部20は、電池パック30に供給されるパルス波形の充電電流の電圧に対応して制御された電圧レベルの電気信号を出力する。すなわち、充電制御部20は、電池パック30に供給される充電電流、充電電圧および電池パック30の温度を検出し、この検出した情報に基づいた電気信号を出力する。充電制御部20は、電池パック30の充電状態に対応してデューティ比が制御されたパルス信号を、スイッチングIC12に出力する。充電制御IC21とPWMスイッチングIC12とは、フォトカプラ22を介して接続されており、充電状況に応じてリアルタイムにフィードバック制御を行うことができる。
以上のような構成の電源回路部10は、電源供給端子から交流電圧がフィルタ回路11、平滑コンデンサCi等を介して直流電圧にされた状態でトランス13の一次コイル13aに供給されると、二次コイル13bが誘起されて充電電流が生じる。この充電電流は、直流電圧のパルス波形を有しており、電池パック30に供給される。そして、電源回路部10では、電池パック30の充電状態が充電制御ICによって検出され、検出した情報に基づいた電圧レベルの電気信号がフォトカプラ22から出力される。充電制御部20は、電気信号の電圧レベルに対応したパルス幅のパルス信号をスイッチングIC12に出力する。そして、電源回路部10では、パルス信号のデューティ比に応じてスイッチングIC12のON/OFFが制御されて、トランス13の一次コイル13aに供給される電流を制御する。
そして、電源回路部10は、一次コイル13aに供給される、制御された状態の電流に対応した状態の充電電流を二次コイル13bから電池パック30に供給する。このように、電源回路部10は、充電電流の出力状態を確認しながら、平滑コンデンサCoで整流されたパルス波形を有する充電電流を安定した状態で電池パック30に供給する。
このような構成の回路では、電池パック30に収容された二次電池の電圧の変化により満充電検出を行う。この発明においては、二次電池の満充電検出方法については特に制限はなく、種々の方法が使用可能である。
上述のような充電装置では、充電装置側で精度よく電池パックの温度を検出することができる。このため、内部に温度検出機構を備えない電池パックについても、充電装置側で電池温度を基にした充電制御を行うことができる。
また、回路基板上に温度検出素子を設けることにより、温度検出素子の設置が安定する。このため、温度検出を安定して行うことができるとともに、不要な部品の組み込みが不要となる。
以上、この発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施形態において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値を用いてもよい。
1・・・充電装置
2・・・FET
3・・・温度検出素子
4a・・・+端子
4b・・・−端子
4c・・・通信端子
10・・・電源回路部
11・・・フィルタ回路
12・・・スイッチングIC
13・・・トランス
14・・・ダイオード
20・・・充電制御部
21・・・充電制御IC
22・・・フォトカプラ
30・・・電池パック
2・・・FET
3・・・温度検出素子
4a・・・+端子
4b・・・−端子
4c・・・通信端子
10・・・電源回路部
11・・・フィルタ回路
12・・・スイッチングIC
13・・・トランス
14・・・ダイオード
20・・・充電制御部
21・・・充電制御IC
22・・・フォトカプラ
30・・・電池パック
Claims (5)
- 充電すべき二次電池が挿入される挿入部から外部に露出するように設けられ、該二次電池と電気的に接続される端子部と、
外部電源から電圧を得て上記二次電池に対して充電電流を供給する電源回路部と、
上記二次電池の電池温度を検出する温度検出部と、
上記充電電流をON/OFFする充電制御スイッチと、
上記電源回路部の電圧および電流、ならびに上記二次電池の上記電池温度を基に、上記電源回路部または上記充電制御スイッチの制御を行う制御部と
を備える回路基板を有し、
上記温度検出部は、上記挿入部に対向する上記回路基板の一部に設けられ、かつ、上記電源回路部および上記制御部を構成する複数の電子部品のそれぞれの発熱温度に応じて設定された所定の距離以上、複数の該電子部品のそれぞれと距離を有する位置に設けられる
充電装置。 - 上記二次電池の電圧が所定値以下の場合は、一定の充電電流を該二次電池に対して供給し、上記二次電池の電圧が所定の電圧に達した場合は、該所定の電圧を保ったまま充電電流を該二次電池に対して供給する
請求項1に記載の充電装置。 - 上記発熱温度は、上記二次電池の電圧が所定の電圧に達した時点での上記電子部品の温度と、環境温度との差分である
請求項2に記載の充電装置。 - 複数の上記電子部品と上記温度検出素子との間の距離は、それぞれ下記式1で表される最低距離y以上である
請求項3に記載の充電装置。
(式1) y=αx
(ここで、αは上記二次電池に対して供給される充電電流および充電装置内の環境に応じて決定される、温度検出誤差を示す係数である。また、xは上記電子部品の上記発熱温度である。) - 上記式1において、上記二次電池の温度と、上記温度検出部で検出される温度との差分は、1/αで表される
請求項4に記載の充電装置。
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