JP2010201768A - 画像形成装置、露光装置および発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】各露光装置相互間における発光素子の主走査方向位置のずれを、より簡易な構成で抑制する。
【解決手段】各画像形成部に設けられたＬＥＤプリントヘッドを構成する複数の発光チップＣを、基板に搭載され、発光信号φＩにて発光／非発光が制御される発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６、発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６にそれぞれ対応して設けられオン状態に設定された際に対応する発光サイリスタを発光可能状態とする転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６、発光信号φＩにて発熱／非発熱が制御される加熱用発光サイリスタＬｈ、加熱用発光サイリスタＬｈに対応して設けられ転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６よりも先にオン状態に設定されることによってこれらがオン状態になるのを制限し加熱用発光サイリスタＬｈを発熱可能状態とする加熱用転送サイリスタＴｈを含んで構成する。
【選択図】図６

Description

本発明は画像形成装置、露光装置および発光装置に関する。

プリンタや複写機等の電子写真方式のカラー画像形成装置において、各色トナー像を形成する際に用いられる露光装置として、例えばＬＥＤ等の発光素子を主走査方向に配列して構成されたものが知られている。このような露光装置では、発光素子を発光させた際に熱が発生することから、発光素子を搭載する基板が熱の影響を受けて伸縮する。そのため、露光装置毎に搭載される発光素子の位置にずれが生じ、結果として各色トナー像が合成された際に色ずれが発生する場合がある。

公報記載の従来技術として、例えば発光素子の駆動に伴って発生する熱に対応させて、予め定められた箇所に予め熱を発生させる予熱手段を配置する技術が存在する（特許文献１参照）。
また、他の公報記載の従来技術として、複数の像保持体と、これら複数の像保持体各々に対応して配置され、各像保持体を露光する列状に配列された複数の発光素子と、これら複数の像保持体各々に対応して配置された複数の発光素子が配置される基板と、複数の発光素子の配列方向に沿って基板の温度を計測する複数の温度計測手段と、複数の温度計測手段による温度計測結果に基づいて基板を加熱する複数の加熱手段とを設ける技術が存在する（特許文献２参照）。

特開２００２−３７０４００号公報 特開２００８−２２９９０８号公報

本発明は、各露光装置相互間における発光素子の主走査方向位置のずれを、より簡易な構成で抑制することを目的とする。

請求項１記載の発明は、像保持体と、前記像保持体を帯電する帯電装置と、基板に搭載され、発光信号により発光／非発光が制御され一列に並べて設けられる複数の発光素子、当該複数の発光素子にそれぞれ対応して設けられオン状態に設定されることによって対応する発光素子を発光可能状態とする複数のスイッチ素子、当該発光信号により発熱／非発熱が制御される発熱素子、および当該発熱素子に対応して設けられ前記複数のスイッチ素子よりも先にオン状態に設定されることによって当該複数のスイッチ素子がオン状態になるのを制限し当該発熱素子を発熱可能状態とする制限素子を有する発光チップを用いて、帯電された前記像保持体を露光して静電潜像を形成する露光装置と、前記像保持体に形成された前記静電潜像を現像して画像を形成する現像装置と、前記像保持体に形成された画像を記録材に転写する転写装置とをそれぞれ備える複数の画像形成部と、前記複数の画像形成部を構成する一部の画像形成部を使用し且つ残りの画像形成部を使用しないで画像形成を行う際に、当該一部の画像形成部に設けられた前記露光装置の前記発光チップに対し、前記制限素子よりも先に前記複数のスイッチ素子をオン状態に設定するための制御信号を供給し、且つ、当該残りの画像形成部に設けられた前記露光装置の前記発光チップに対し、当該複数のスイッチ素子よりも先に当該制限素子をオン状態に設定するための制御信号を供給する制御部とを含む画像形成装置である。

請求項２記載の発明は、前記制御部は、前記一部の画像形成部を使用し且つ残りの画像形成部を使用しないで画像形成を行う際に、当該一部の画像形成部に設けられた前記露光装置の前記発光チップおよび当該残りの画像形成部に設けられた前記露光装置の前記発光チップに対し、当該一部の画像形成部に対応する画像データに基づいて作成した前記発光信号を供給することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置である。
請求項３記載の発明は、前記制御部は、前記一部の画像形成部を使用し且つ残りの画像形成部を使用しないで画像形成を行う際に、当該一部の画像形成部に設けられた前記露光装置の前記発光チップに対し、前記複数のスイッチ素子の１つのスイッチ素子をオン状態とさせる動作と１つのスイッチ素子を含み隣接する２つのスイッチ素子をオン状態とさせる動作を繰り返し行わせることで、スイッチ素子のオン状態を転送する前記制御信号を供給し、当該残りの画像形成部に設けられた前記露光装置の前記発光チップに対し、前記制限素子のオン状態を維持させることで、前記複数のスイッチ素子がオン状態となるのを阻止する当該制御信号を供給することを特徴とする請求項１または２記載の画像形成装置である。

請求項４記載の発明は、基板に搭載され、発光信号により発光／非発光が制御され一列に並べて設けられる複数の発光素子、当該複数の発光素子にそれぞれ対応して設けられオン状態に設定されることによって対応する発光素子を発光可能状態とする複数のスイッチ素子、当該発光信号により発熱／非発熱が制御される発熱素子、および当該発熱素子に対応して設けられ前記複数のスイッチ素子よりも先にオン状態に設定されることによって当該複数のスイッチ素子がオン状態になるのを制限し当該発熱素子を発熱可能状態とする制限素子、を有する発光チップと、前記発光チップを構成する前記複数の発光素子から出力される光を像保持体に結像させる光学部材と、前記発光チップに対し、前記制限素子よりも先に前記複数のスイッチ素子をオン状態に設定するための第１制御信号または当該複数のスイッチ素子よりも先に当該制限素子をオン状態に設定するための第２制御信号を選択的に供給し、且つ、前記複数の発光素子を発光させまたは前記発熱素子を発熱させるための前記発光信号を供給する制御信号供給部とを含む露光装置である。

請求項５記載の発明は、前記制御信号供給部は、前記複数のスイッチ素子の１つのスイッチ素子をオン状態とさせる動作と１つのスイッチ素子を含み隣接する２つのスイッチ素子をオン状態とさせる動作を繰り返し行わせることで、スイッチ素子のオン状態を転送する前記第１制御信号を供給することを特徴とする請求項４記載の露光装置である。
請求項６記載の発明は、前記制御信号供給部は、前記制限素子のオン状態を維持させることで、前記複数のスイッチ素子がオン状態となるのを阻止する前記第２制御信号を供給することを特徴とする請求項４または５記載の露光装置である。
請求項７記載の発明は、前記発光チップが複数設けられるとともに当該複数の発光チップが取り付けられる取り付け部材をさらに含み、前記制御信号供給部は、前記複数の発光チップに対し前記第１制御信号および前記第２制御信号を共通に供給し、当該複数の発光チップに対し前記発光信号を個別に供給することを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項記載の露光装置である。

請求項８記載の発明は、基板と、前記基板に一列に並べて搭載され、発光信号により発光／非発光が制御される複数の発光素子と、前記基板に前記複数の発光素子にそれぞれ対応して搭載され、オン状態に設定されることによって対応する発光素子を発光可能状態とする複数のスイッチ素子と、前記基板に搭載され、前記発光信号により発熱／非発熱が制御される発熱素子と、前記基板に前記発熱素子に対応して搭載され、前記複数のスイッチ素子よりも先にオン状態に設定されることによって当該複数のスイッチ素子がオン状態になるのを制限するとともに当該発熱素子を発熱可能状態とする制限素子とを含む発光装置である。

請求項９記載の発明は、前記制限素子が前記スイッチ素子と同じ構成を有し、且つ、前記発熱素子が前記発光素子と同じ構成を有していることを特徴とする請求項８記載の発光装置である。
請求項１０記載の発明は、前記複数の発光素子および前記発熱素子が前記基板の一方の面に設けられ、前記基板の前記一方の面側には、前記発熱素子の全体を覆う金属被覆部が形成されることを特徴とする請求項８または９記載の発光装置である。
請求項１１記載の発明は、前記複数の発光素子および前記複数のスイッチ素子がサイリスタで構成されることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項記載の発光装置である。

請求項１２記載の発明は、基板と、前記基板上に、複数の転送サイリスタを一列に並べて配置し、隣接する転送サイリスタのゲート間をそれぞれダイオードにて一方向に電流が流れるように接続し、当該ダイオードの接続方向の上流側からみて偶数番目に配列される転送サイリスタのアノードまたはカソードを第１転送信号が供給される第１転送信号端子に接続するとともに奇数番目に配列される転送サイリスタのアノードまたはカソードを第２転送信号が供給される第２転送信号端子に接続し、当該ダイオードの接続方向の最上流側となる転送サイリスタのゲートを当該第１転送信号端子に接続してなる転送サイリスタ列と、前記基板上に、複数の発光サイリスタを一列に並べて配置し、各々の発光サイリスタのゲートと各々の前記転送サイリスタのゲートとをそれぞれ接続し、各々の発光サイリスタのアノードまたはカソードには共通の発光信号が供給される発光サイリスタ列と、サイリスタ構造を有して前記基板上に搭載され、そのゲートが前記第２転送信号端子に接続されるとともにそのアノードまたはカソードが前記第２転送信号端子に接続されてなる他の転送サイリスタと、サイリスタ構造を有して前記基板上に搭載され、そのゲートと前記他の転送サイリスタのゲートとが接続され、そのアノードまたはカソードには前記発光信号が供給される他の発光サイリスタとを含む発光装置である。

請求項１３記載の発明は、前記複数の転送サイリスタ、前記ダイオード、前記複数の発光サイリスタ、前記他の転送サイリスタおよび前記他の発光サイリスタは、前記基板の一方の面に積層された半導体層によって構成され、前記基板上の前記他の発光サイリスタの上に設けられ、当該他の発光サイリスタに対する給電を行うと共に当該他の発光サイリスタから出射される光を遮る遮光部をさらに含むことを特徴とする請求項１２記載の発光装置である。

請求項１記載の発明によれば、本発明を採用しない場合と比較して、各露光装置相互間における発光素子の主走査方向位置のずれを、より簡易な構成で抑制することができる。
請求項２記載の発明によれば、本発明を採用しない場合と比較して、各露光装置相互間における発光素子の主走査方向位置のずれを、さらに小さくすることができる。
請求項３記載の発明によれば、本発明を採用しない場合と比較して、画像形成に使用しない残りの画像形成部において発光素子が発光するのを抑制することができる。
請求項４記載の発明によれば、本発明を採用しない場合と比較して、各露光装置相互間における発光素子の主走査方向位置のずれを、より簡易な構成で抑制することができる。
請求項５記載の発明によれば、本発明を採用しない場合と比較して、露光装置を画像形成に使用する際に各発光素子を順次発光可能状態にすることができる。
請求項６記載の発明によれば、本発明を採用しない場合と比較して、露光装置を画像形成に使用しない際に各発光素子が順次発光可能状態となるのを制限することができる。
請求項７記載の発明によれば、本発明を採用しない場合と比較して、複数の発光チップに接続する配線の数を低減することができる。
請求項８記載の発明によれば、本発明を採用しない場合と比較して、露光装置に用いた際に、各露光装置相互間における発光素子の主走査方向位置のずれを、より簡易な構成で抑制することができる。
請求項９記載の発明によれば、本構成を採用しない場合と比較して、回路構成を簡易化することができる。
請求項１０記載の発明によれば、本構成を採用しない場合と比較して、発熱素子から出射される光が外部に漏れるのを抑制することができる。
請求項１１記載の発明によれば、本構成を採用しない場合と比較して、回路構成を簡易化することができる。
請求項１２記載の発明によれば、本発明を採用しない場合と比較して、露光装置に用いた際に、各露光装置相互間における発光素子の主走査方向位置のずれを、より簡易な構成で抑制することができる。
請求項１３記載の発明によれば、本構成を採用しない場合と比較して、より簡易な構成で、他のサイリスタから出射される光が外部に漏れるのを抑制することができる。

本実施の形態が適用される画像形成装置の全体構成の一例を示す図である。 ＬＰＨの構成を示した断面図である。 （ａ）はＬＰＨにおける回路基板および発光部の上面図であり、（ｂ）はＬＰＨにおけるロッドレンズアレイおよびホルダの上面図である。 発光部のうち、３つの発光チップの連結部位を拡大した図である。 回路基板に搭載される信号発生回路の構成および回路基板の配線構成を示した図である。 発光チップの回路構成を説明するための図である。 （ａ）〜（ｃ）は発光チップの具体的な構成の一例を説明するための図である。 発光信号発生部の構成の一例を示す図である。 転送信号発生部の構成の一例を示す図である。 稼働モードにおける第１転送信号および第２転送信号の波形と、稼働モードの第１転送信号および第２転送信号によってオン状態となる転送サイリスタと、転送サイリスタのオンに伴って発光可能な状態に設定される発光サイリスタとの関係の一例を説明するためのタイミングチャートである。 休止モードにおける第１転送信号および第２転送信号の波形と、休止モードの第１転送信号および第２転送信号によってオン状態となる転送サイリスタと、転送サイリスタのオンに伴って発光可能な状態に設定される発光サイリスタとの関係の一例を説明するためのタイミングチャートである。 （ａ）は、フルカラーモードにおいて制御部からＹＭＣＫ各色のＬＰＨに供給されるモード信号およびビデオデータの関係を、（ｂ）はモノクロモードにおいて制御部からＹＭＣＫ各色のＬＰＨに供給されるモード信号およびビデオデータＶｄａｔａの関係を、それぞれ示す図である。 フルカラーモードにおけるＹＭＣＫ各色のＬＰＨの動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。 モノクロモードにおけるＹＭＣＫ各色のＬＰＨの動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。 発光チップにおける加熱用回路の他の構成の一例を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本実施の形態が適用される所謂タンデム型の画像形成装置１の全体構成の一例を示した図である。この画像形成装置１は、各色の画像データに対応して画像形成を行う画像形成プロセス部１０と、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）２、画像読取装置３、あるいはＦＡＸモデム４等に接続され、これらから入力される画像データに画像処理を施し、さらには画像形成装置１全体の動作を制御する制御部２０とを備えている。

画像形成プロセス部１０は、複数の画像形成部の一例としての４つの画像形成ユニット１１（具体的には１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋ）を備える。各画像形成ユニット１１は、像保持体の一例としての感光体ドラム１２、感光体ドラム１２を帯電する帯電装置の一例としての帯電器１３、帯電された感光体ドラム１２を制御部２０から送られてくる画像データに基づいて露光する露光装置の一例としてのＬＥＤプリントヘッド（ＬＰＨ）１４、感光体ドラム１２上に形成された静電潜像をトナーで現像する現像装置の一例としての現像器１５を備えている。また、画像形成プロセス部１０は、画像形成ユニット１１の各感光体ドラム１２にて画像形成された各色のトナー像を多重転写させるための用紙を搬送する搬送ベルト１６、搬送ベルト１６を駆動させる駆動ロール１７、感光体ドラム１２のトナー像を用紙に転写させる転写装置の一例としての転写ロール１８、転写後の用紙上の未定着トナー像を加熱・加圧して定着する定着器１９を備えている。

この画像形成装置１は、イエローの画像を形成するイエロー画像形成ユニット１１Ｙ、マゼンタの画像を形成するマゼンタ画像形成ユニット１１Ｍ、シアンの画像を形成するシアン画像形成ユニット１１Ｃおよび黒の画像を形成する黒画像形成ユニット１１Ｋを用いて、用紙上に多色からなる所謂フルカラー画像を形成するフルカラーモードと、黒画像形成ユニット１１Ｋのみを用いて、用紙上に単色からなる所謂モノクロ画像を形成するモノクロモードとで動作するようになっている。つまり、モノクロモードは、複数の画像形成部（例えば１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋ）を構成する一部の画像形成部（１１Ｋ）を使用し且つ残りの画像形成部（１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ）を使用しないで画像形成を行う場合に対応している。そして、フルカラーモードとモノクロモードとの動作切り換えは、制御部２０によって行われる。

図２は、各画像形成ユニット１１に設けられるＬＰＨ１４の構成を示した断面図である。このＬＰＨ１４は、複数のＬＥＤを備えた発光部６３、発光部６３や発光部６３を駆動する信号発生回路１００（後段の図５参照）等を搭載する回路基板６２、発光部６３から出射された光を感光体ドラム１２表面に結像させる光学部材の一例としてのロッドレンズアレイ６４、回路基板６２およびロッドレンズアレイ６４を支持するとともに発光部６３を外部から遮蔽するホルダ６５を備えている。

図３（ａ）はＬＰＨ１４における回路基板６２および発光部６３の上面図であり、図３（ｂ）はＬＰＨ１４におけるロッドレンズアレイ６４およびホルダ６５の上面図である。図３（ａ）に示すように、発光部６３は、取り付け部材の一例としての回路基板６２上に、複数の発光素子チップの一例としての６０個の発光チップＣ（Ｃ１〜Ｃ６０）を、副走査方向に二列に千鳥状に配置して構成されている。

そして、各発光チップＣ１〜Ｃ６０には、後述するようにそれぞれ２５６個の発光サイリスタが搭載されており、発光部６３全体では１５３６０個の発光サイリスタが設けられている。また、発光チップＣ１（後述する発光素子アレイ７１）の外側端部から発光チップＣ６０（後述する発光素子アレイ７１）の外側端部までの距離(発光部６３の主走査方向長さ)は、Ａ３ノビの用紙Ｐへの画像形成に対応するために３２４ｍｍに設定される。このため、隣接する発光サイリスタはそれぞれ約２１.１５μｍの等間隔に配置され、このＬＰＨ１４の主走査方向解像度は１２００ｄｐｉ(dot per inch)となっている。

また、図３（ｂ）に示すように、ロッドレンズアレイ６４は、複数のロッドレンズ６４ａを、互い違いとなるように副走査方向に二列に整列配置した状態で、ホルダ６５に保持させることによって構成されている。各ロッドレンズ６４ａは例えば円柱状の形状を有しており、その半径方向に屈折率分布を有し正立等倍実像を形成する屈折率分布型レンズにて構成される。このような屈折率分布型レンズとしては、例えばセルフォック（日本板硝子株式会社の登録商標）レンズが挙げられる。

図４は、上記発光部６３のうち、発光チップＣ１、Ｃ２、Ｃ３の連結部位を拡大した図である。ここで、発光チップＣ１〜Ｃ６０はすべて同一の構成を有しており、例えば発光チップＣ２を例とすると、基板の一例としての矩形状のチップ基部７０と、このチップ基部７０の表面に長手方向に沿って一列に配置された発光素子アレイ７１とを備えている。この発光素子アレイ７１は、主走査方向に一列に並べられた２５６個の発光サイリスタＬを有している。そして、図４に示したように、発光チップＣ１、Ｃ２、Ｃ３のそれぞれに配置された発光素子アレイ７１の端部境界において、発光素子アレイ７１が、発光チップＣ１、Ｃ２の連結部および発光チップＣ２、Ｃ３の連結部で主走査方向に連続するように配列されている。

図５は、回路基板６２（図２参照）に搭載される信号発生回路１００の構成および回路基板６２の配線構成を示した図である。
制御信号供給部の一例としての信号発生回路１００には、制御部２０（図１参照）より、ライン同期信号Ｌｓｙｎｃ、ビデオデータＶｄａｔａ、クロック信号ｃｌｋ、リセット信号ＲＳＴおよびモード信号Ｍｏｄｅ等の各種信号が入力されるようになっている。そして、信号発生回路１００は、外部から入力されてくる各種信号に基づいて、例えばビデオデータＶｄａｔａの並べ替えや出力値の補正等を行い、各発光チップＣ（Ｃ１〜Ｃ６０）のそれぞれに対して発光信号φＩ（φＩ１〜φＩ６０）を出力する発光信号発生部１１０を備えている。なお、本実施の形態では、各発光チップＣ（Ｃ１〜Ｃ６０）のそれぞれに、１個ずつ発光信号φＩ（φＩ１〜φＩ６０）が供給されるようになっている。また、上述したモード信号Ｍｏｄｅは、次のジョブすなわち画像形成動作をフルカラーモードで行うのかあるいはモノクロモードで行うのかに基づいて決定されている。

また、信号発生回路１００は、外部から入力されてくる各種信号に基づき、各発光チップＣ１〜Ｃ６０に対して制御信号の一例としての第１転送信号φ１および第２転送信号φ２を出力する転送信号発生部１２０をさらに備えている。なお、本実施の形態では、各発光チップＣ（Ｃ１〜Ｃ６０）に、共通の第１転送信号φ１および第２転送信号φ２が供給されるようになっている。

回路基板６２には、各発光チップＣ１〜Ｃ６０のＶｇａ端子に接続される電力供給用のＶｇａ＝−５．０Ｖの電源ライン１０１およびＧＮＤ端子に接続される接地用の電源ライン１０２が設けられている。また、回路基板６２には、信号発生回路１００の転送信号発生部１２０から第１転送信号φ１、第２転送信号φ２をそれぞれ送信する第１転送信号ライン１０４、第２転送信号ライン１０５も設けられている。さらに、回路基板６２には、信号発生回路１００の発光信号発生部１１０から各発光チップＣ（Ｃ１〜Ｃ６０）に対して発光信号φＩ（φＩ１〜φＩ６０）を出力する６０本の発光信号ライン１０６（１０６_１〜１０６_６０）も設けられている。なお、発光信号φＩ１〜φＩ６０、第１転送信号φ１、第２転送信号φ２は、それぞれ、後述するようにハイレベル（Ｈ）およびローレベル（Ｌ）の２状態を取りうる。そして、ローレベルは−５．０Ｖの電位、ハイレベルは±０．０Ｖの電位となっている。

図６は、発光装置の一例としての発光チップＣの回路構成を説明するための図である。
発光チップＣは、２５６個の転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６および１個の加熱用転送サイリスタＴｈと、２５６個の発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６および１個の加熱用発光サイリスタＬｈとを備えている。なお、発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６および加熱用発光サイリスタＬｈは、転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６および加熱用転送サイリスタＴｈと同じｐｎｐｎ接続を有しており、その中のｐｎ接続を利用することで発光ダイオード（ＬＥＤ）としても機能するようになっている。ただし、加熱用発光サイリスタＬｈは、後述する構成を採用することにより、発光チップＣの表面に露出しないようになっている。なお、本実施の形態では、これらの複数の転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６によって転送サイリスタ列が形成され、また、これらの複数の発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６によって発光サイリスタ列が形成されている。

また、発光チップＣは、１個のスタートダイオードＤｓ、２５５個の接続ダイオードＤ１〜Ｄ２５５および１個の加熱用接続ダイオードＤｈと、２５６個の抵抗Ｒ１〜Ｒ２５６および１個の加熱用抵抗Ｒｈとを有している。さらに、発光チップＣは、第１転送信号φ１、第２転送信号φ２が供給される各信号線に過剰な電流が流れるのを防止するための転送電流制限抵抗Ｒ１Ａ、Ｒ２Ａと、発光信号φＩ（発光チップＣ１の場合は発光信号φＩ１）が供給される信号線に過剰な電流が流れるのを防止するための発光電流制限抵抗ＲＩＤとを有している。

なお、加熱用発光サイリスタＬｈおよび発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６は、図中左側からＬｈ、Ｌ１、Ｌ２、…、Ｌ２５５、Ｌ２５６の順で配列され、発光素子アレイ７１を形成している。また、加熱用転送サイリスタＴｈおよび転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６も、図中左側からＴｈ、Ｔ１、Ｔ２、…、Ｔ２５５、Ｔ２５６の順で配列され、スイッチ素子アレイ７２を形成している。さらに、加熱用接続ダイオードＤｈ、スタートダイオードＤｓおよびダイオードＤ１〜Ｄ２５５も、図中左からＤｈ、Ｄｓ、Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄ２５４、Ｄ２５５の順で配列されている。さらにまた、加熱用抵抗Ｒｈおよび抵抗Ｒ１〜Ｒ２５６も、図中左からＲｈ、Ｒ１、Ｒ２、…Ｒ２５５、Ｒ２５６の順で配列されている。そして、発光素子アレイ７１およびスイッチ素子アレイ７２は、ほぼ平行となるように並べて配置されている。
なお、以下の説明においては、制限素子の一例としての加熱用転送サイリスタＴｈ、発熱素子の一例としての加熱用発光サイリスタＬｈ、加熱用接続ダイオードＤｈおよび加熱用抵抗Ｒｈを、まとめて加熱用回路７３と呼ぶことにする。

次に、発光チップＣにおける各素子の電気的な接続について説明する。
まず、各転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６のアノード端子は、発光チップＣを構成する基板を介してＧＮＤ端子（図示せず）に接続されている。このＧＮＤ端子には電源ライン１０２（図５参照）が接続され、接地される。

また、奇数番目の転送サイリスタＴ１、Ｔ３、…、Ｔ２５５のカソード端子は、転送電流制限抵抗Ｒ１Ａを介してφ１端子に接続されている。このφ１端子には第１転送信号ライン１０４（図５参照）が接続され、第１転送信号φ１が供給される。

一方、偶数番目の転送サイリスタＴ２、Ｔ４、…、Ｔ２５６のカソード端子は、転送電流制限抵抗Ｒ２Ａを介してφ２端子に接続されている。このφ２端子には第２転送信号ライン１０５（図５参照）が接続され、第２転送信号φ２が供給される。

また、各転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６のゲート端子は、それぞれに対応して設けられた抵抗Ｒ１〜Ｒ２５５を介して、Ｖｇａ端子に接続されている。このＶｇａ端子には電源ライン１０１（図５参照）が接続され、電源電圧Ｖｇａ（−５．０Ｖ）が供給される。

さらに、各転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６のゲート端子は、対応する同番号の発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６のゲート端子に、１対１でそれぞれ接続されている。なお、以下の説明においては、各転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６のゲート端子と対応する同番号の発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６のゲート端子との接続点を、ゲート端子Ｇ１〜Ｇ２５６と呼ぶことにする。

また、各ゲート端子Ｇ１〜Ｇ２５５には、それぞれ接続ダイオードＤ１〜Ｄ２５５のアノード端子が接続されており、これら接続ダイオードＤ１〜Ｄ２５５のカソード端子は、それぞれに隣接する次段の転送サイリスタＴ２〜Ｔ２５６のゲート端子Ｇ２〜Ｇ２５６に接続されている。

これに対し、スタートダイオードＤｓのアノード端子は、偶数番目の転送サイリスタＴ２、Ｔ４、…、Ｔ２５６のカソード端子と同様に、転送電流制限抵抗Ｒ２Ａを介してφ２端子に接続されており、このスタートダイオードＤｓのカソード端子は、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１に接続されている。
したがって、スタートダイオードＤｓおよび接続ダイオードＤ１〜Ｄ２５５は、転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５５それぞれのゲート端子Ｇ１〜Ｇ２５５を挟んで、直列に接続されている。

また、各発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６のアノード端子は、各転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６のアノード端子と同様、発光チップＣを構成する基板を介してＧＮＤ端子（図示せず）に接続されている。

さらに、各発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６のカソード端子は、発光電流制限抵抗ＲＩＤを介してφＩ端子に接続されている。このφＩ端子には、発光信号ライン１０６（発光チップＣ１の場合は発光信号ライン１０６_１：図５参照）が接続され、発光信号φＩ（発光チップＣ１の場合は発光信号φＩ１）が供給される。なお、他の発光チップＣ２〜Ｃ６０には、それぞれ、対応する発光信号φＩ２〜φＩ６０が供給される。

続いて、発光チップＣを構成する加熱用回路７３の電気的な接続について説明する。
まず、加熱用転送サイリスタＴｈのアノード端子は、各転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６のアノード端子と同様、発光チップＣを構成する基板を介してＧＮＤ端子（図示せず）に接続されている。

また、加熱用転送サイリスタＴｈのカソード端子は、偶数番目の転送サイリスタＴ２、Ｔ４、…、Ｔ２５６のカソード端子と同様、転送電流制限抵抗Ｒ２Ａを介してφ２端子に接続されている。
さらに、加熱用転送サイリスタＴｈのゲート端子は、加熱用抵抗Ｒｈを開始してＶｇａ端子に接続されている。
さらにまた、加熱用転送サイリスタＴｈのゲート端子は、加熱用発光サイリスタＬｈのゲート端子に接続されている。なお、以下の説明においては、加熱用転送サイリスタＴｈのゲート端子と加熱用発光サイリスタＬｈのゲート端子との接続点を、ゲート端子Ｇｈと呼ぶことにする。
そして、ゲート端子Ｇｈには加熱用接続ダイオードＤｈのカソード端子が接続されており、この加熱用接続ダイオードＤｈのアノード端子は、奇数番目の転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５５のカソード端子と同様、転送電流制限抵抗Ｒ１Ａを介してφ１端子に接続されている。
なお、加熱用転送サイリスタＴｈのゲート端子Ｇｈは、転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６のゲート端子Ｇ１〜Ｇ２５６とは接続されていない。より具体的に説明すると、加熱用接続ダイオードＤｈは、スタートダイオードＤｓおよび接続ダイオードＤ１〜Ｄ２５５とは直列接続されていない。

次に、加熱用発光サイリスタＬｈのアノード端子は、発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６のアノード端子と同様、発光チップＣを構成する基板を介してＧＮＤ端子（図示せず）に接続されている。
また、加熱用発光サイリスタＬｈのカソード端子は、発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６と同様、発光電流制限抵抗ＲＩＤを介してφＩ端子に接続されている。

図７は、図６に示す回路を備えた発光チップＣの具体的な構成の一例を説明するための図である。ここで、図７（ａ）は発光チップＣを発光面側からみた上面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）に示す発光チップＣのＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ断面図であり、図７（ｃ）は図７（ａ）に示す発光チップＣのＶＩＩＣ−ＶＩＩＣ断面図である。なお、図７では、発光チップＣのうち、加熱用転送サイリスタＴｈ、加熱用発光サイリスタＬｈおよび加熱用抵抗Ｒｈが形成される側の端部を拡大して示している。

発光チップＣは、ｐ型半導体で構成された基板８０と、ｐ型半導体で構成され基板８０上に積層された第１半導体層８１と、ｎ型半導体で構成され第１半導体層８１上に積層された第２半導体層８２と、ｐ型半導体で構成され第２半導体層８２上に積層された第３半導体層８３と、ｎ型半導体で構成され第３半導体層８３上に積層された第４半導体層８４とを基本構成としている。なお、これら基板８０、第１半導体層８１、第２半導体層８２、第３半導体層８３および第４半導体層８４は、それぞれがＡｌＧａＡｓ等の化合物半導体をベースに、ドナーあるいはアクセプタを発生させるための微量のドーパントが添加されて構成されている。そして、各半導体層の一部を第４半導体層８４側から選択的に除去することによって、各サイリスタ（転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６、加熱用転送サイリスタＴｈ、発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６、加熱用発光サイリスタＬｈ）、各ダイオード（接続ダイオードＤ１〜Ｄ２５５、スタートダイオードＤｓ、加熱用接続ダイオードＤｈ）および各抵抗（抵抗Ｒ１〜Ｒ２５６、転送電流制限抵抗Ｒ１Ａ、Ｒ２Ａ、発光電流制限抵抗ＲＩＤ、加熱用抵抗Ｒｈ）等の素子が形成されている。

より具体的に説明すると、転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６、加熱用転送サイリスタＴｈ、発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６および加熱用発光サイリスタＬｈは、第１半導体層８１、第２半導体層８２、第３半導体層８３および第４半導体層８４を用い、第１半導体層８１をアノード、第４半導体層８４をカソード、そして第３半導体層８３をゲートとして構成されている。
また、接続ダイオードＤ１〜Ｄ２５５、スタートダイオードＤｓ、加熱用接続ダイオードＤｈは、第３半導体層８３および第４半導体層８４を用い、第３半導体層８３をアノード、第４半導体層８４をカソードして構成されている。
さらに、抵抗Ｒ１〜Ｒ２５６、転送電流制限抵抗Ｒ１Ａ、Ｒ２Ａ、発光電流制限抵抗ＲＩＤ、加熱用抵抗Ｒｈは、第３半導体層８３を用いて構成されている。

また、発光チップＣの表面側において、各素子にはそれぞれ電極が形成されている。ここで、ｐ型半導体からなる第３半導体層８３には、第３半導体層８３とオーミック接続をとるためのｐ型電極８５が形成されている。一方、ｎ型半導体からなる第４半導体層８４には、第４半導体層８４とオーミック接続を取るためのｎ型電極８６が形成されている。

さらに、発光チップＣの表面側のうち、ｐ型電極８５およびｎ型電極８６が形成されていない領域には、絶縁性および加熱用発光サイリスタＬｈおよび発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６より出射される光に対する透光性を有する保護層８７が形成されている。なお、図７（ａ）においては、保護層８７の記載を省略している。

そして、発光チップＣは、保護層８７上に形成され、保護層８７の間に露出する各電極を、基板８０上に形成された各素子が図６に示す回路構成となるように電気的に接続する配線層をさらに備えている。
ここで、配線層は、加熱用抵抗Ｒｈおよび抵抗Ｒ１〜Ｒ２５６をＶｇａ端子（図示せず、図６参照）に接続するための電源用配線９１と、転送電流制限抵抗Ｒ１Ａ（図示せず、図６参照）を介して加熱用接続ダイオードＤｈのアノード端子および奇数番目の転送サイリスタＴ１、Ｔ３、…、Ｔ２５５のカソード端子をφ１端子（図示せず、図６参照）に接続するための第１転送信号用配線９２と、転送電流制限抵抗Ｒ２Ａ（図示せず、図６参照）を介してスタートダイオードＤｓのアノード端子および偶数番目の転送サイリスタＴ２、Ｔ４、…、Ｔ２５６のカソード端子をφ２端子（図示せず、図６参照）に接続するための第２転送信号用配線９３と、発光電流制限抵抗ＲＩＤ（図示せず、図６参照）を介して加熱用発光サイリスタＬｈのカソード端子および発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６のカソード端子をφＩ端子（図６参照）に接続するための発光信号用配線９４とを備えている。また、配線層は、加熱用転送サイリスタＴｈのゲート端子Ｇｈと加熱用抵抗Ｒｈとを接続するための第１の接続用配線９５と、各転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６および対応する各発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６のゲート端子Ｇ１〜Ｇ２５６と、各接続ダイオードＤ１〜Ｄ２５６のアノード端子およびカソード端子、各抵抗Ｒ１〜Ｒ２５６とをそれぞれ接続するための複数の第２の接続用配線９６とを備えている。

なお、本実施の形態において、電源用配線９１、第１転送信号用配線９２、第２転送信号用配線９３、発光信号用配線９４、第１の接続用配線９５および第２の接続用配線９６は、導電性を有すると共に加熱用発光サイリスタＬｈおよび発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６より出射される光に対する遮光性を有するアルミニウム膜によって形成されている。なお、これら電源用配線９１、第１転送信号用配線９２、第２転送信号用配線９３、発光信号用配線９４、第１の接続用配線９５および第２の接続用配線９６の層厚さは、例えば透過率を１％以下とするために３００ｎｍ以上とすることが好ましい。
また、本実施の形態では、基板８０の裏面側に図示しない金属層（例えばアルミニウム膜またはクロム密着層を介した金膜）が形成されており、この金属層がＧＮＤ端子として機能するようになっている。

ここで、発光信号用配線９４は、加熱用発光サイリスタＬｈおよび発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６のカソードとなる第４半導体層８４上に形成されたｎ型電極８６とそれぞれ接続されている。そして、発光信号用配線９４は、発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６に対しては、光の取り出し効率を向上させる観点から、最も表面側となる第４半導体層８４を露出させるべく、第４半導体層８４の一部のみを覆うように形成される。これに対し、発光信号用配線９４は、加熱用発光サイリスタＬｈに対しては、光を外部に出射させない観点から、最も表面側となる第４半導体層８４を遮蔽すべく、第４の半導体層８４の全部およびその周囲までを覆うように形成される。このため、本実施の形態では、発光信号用配線９４が、金属被覆部あるいは遮光部の一例として機能するようになっている。
なお、ここでは詳細に説明しないが、発光チップＣにおいて、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とを反転させた構成を採用してもよい。

図８は、図５に示す発光信号発生部１１０の構成の一例を示す図である。
この発光信号発生部１１０は、入力されてくるビデオデータＶｄａｔａの並べ替えを行い、各発光チップＣ１〜Ｃ６０のそれぞれに対し個別の発光チップ用の画像データを出力する画像データ並べ替え部１１１を備える。また、発光信号発生部１１０は、各発光チップＣ１〜Ｃ６０のそれぞれに設けられた各発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６に対し予め定められた光量の補正データを記憶する光量補正データ記憶部１１２を備える。さらに、発光信号発生部１１０は、各発光チップＣ１〜Ｃ６０のそれぞれに対応して設けられ、画像データ並べ替え部１１１から入力されてくる個別の発光チップ用の画像データに、光量補正データ記憶部１１２から読み出した個別の発光チップＣの光量補正データを用いた補正を行い、得られた発光信号φＩ１〜φＩ６０を出力する６０個の発光信号生成部１１４（１１４_１〜１１４_６０）を備える。

また、図９は、図５に示す転送信号発生部１２０の構成の一例を示す図である。
この転送信号発生部１２０は、入力されてくるモード信号Ｍｏｄｅが稼働モードである場合に、稼働モードに対応する第１転送信号φ１および第２転送信号φ２の出力を指示し、また、入力されてくるモード信号Ｍｏｄｅが休止モードである場合に休止モードに対応する第１転送信号φ１および第２転送信号φ２の出力を指示する転送モード指示部１２１を備えている。また、転送信号発生部１２０は、転送モード指示部１２１からの指示に基づいて稼働モードと休止モードとで異なる波形の第１転送信号φ１を発生する第１転送信号発生部１２２と、転送モード指示部１２１からの指示に基づいて稼働モードと休止モードとで異なる波形の第２転送信号φ２を発生する第２転送信号発生部１２３とをさらに備えている。したがって、転送信号発生部１２０からは、稼働モードにおける第１転送信号φ１および第２転送信号φ２を組とする転送信号、あるいは、休止モードにおける第１転送信号φ１および第２転送信号φ２を組とする転送信号が、発光チップＣ１〜Ｃ６０に共通に出力されるようになっている。なお、稼働モードおよび休止モードの詳細については後述する。

では次に、上述した稼働モードおよび休止モードと、各モードにおける第１転送信号φ１および第２転送信号φ２との関係について、より具体的に説明を行う。

図１０は、稼働モードにおける第１転送信号φ１および第２転送信号φ２の波形と、稼働モードの第１転送信号φ１および第２転送信号φ２によってオン状態となる転送サイリスタと、転送サイリスタのオンに伴って発光可能な状態に設定される発光サイリスタとの関係の一例を説明するためのタイミングチャートである。なお、稼働モードの初期状態において、第１転送信号φ１および第２転送信号φ２は、共にハイレベル（Ｈ）に設定されている。また、稼働モードの初期状態においては、スイッチ素子アレイ７２を構成する加熱用転送サイリスタＴｈおよび転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６と、発光素子アレイ７１を構成する加熱用発光サイリスタＬｈおよび発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６とが、すべてオフ状態となっている。

初期状態において、加熱用転送サイリスタＴｈのゲート端子Ｇｈには、加熱用接続ダイオードＤｈを介してハイレベルの第１転送信号φ１が供給されている。したがって、加熱用転送サイリスタＴｈのゲート端子Ｇｈは、加熱用接続ダイオードＤｈによる電圧降下を差し引いた電位となっている。

また、初期状態において、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１には、スタートダイオードＤｓを介してハイレベルの第２転送信号φ２が供給されている。したがって、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１は、スタートダイオードＤｓによる電圧降下を差し引いた電位となっている。このとき、接続ダイオードＤ１〜Ｄ２５５を介して後段の転送サイリスタＴ２〜Ｔ２５６のゲート端子Ｇ２〜Ｇ２５６にも第２転送信号φ２が供給される。ただし、スタートダイオードＤｓおよび接続ダイオードＤ１〜Ｄ２５５のそれぞれにおいて電圧降下が生じるため、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１の電位が最も高くなっている。

ここで、加熱用接続ダイオードＤｈおよびスタートダイオードＤｓは同じ構成を有しており、それぞれにおける電圧降下の大きさはほぼ等しい。このため、初期状態における加熱用転送サイリスタＴｈのゲート端子Ｇｈおよび転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１の電位は、ほぼ等しくなっている。

稼働モードでは、まず、第２転送信号φ２がハイレベルに維持されている状態で、第１転送信号φ１がハイレベルからローレベル（Ｌ）に変更される（図１０（ａ））。すると、ローレベルの第１転送信号φ１がカソード端子に供給される奇数番目の転送サイリスタＴ１、Ｔ３、…、Ｔ２５５のうち、ゲート電位が最も高く、閾値以上となる転送サイリスタＴ１がターンオンする。また、このとき、第２転送信号φ２はハイレベルとなっているので、加熱用転送サイリスタＴｈおよび偶数番目の転送サイリスタＴ２、Ｔ３、…、Ｔ２５６のカソード電位は高いままとなり、オフの状態が維持される。
なお、第１転送信号φ１がハイレベルからローレベルに変更されることに伴い、加熱用転送サイリスタＴｈのゲート端子Ｇｈの電位は、加熱用抵抗Ｒｈを介して電流が流れることによって徐々に低下していく。

次に、転送サイリスタＴ１がオンしている状態において、第２転送信号φ２がハイレベルからローレベルに変更される（図１０（ｂ））。すると、ローレベルの第２転送信号φ２がカソード端子に供給される加熱用転送サイリスタＴｈおよび偶数番目の転送サイリスタＴ２、Ｔ４、…、Ｔ２５６のうち、ゲート電位が最も高く、閾値以上となる転送サイリスタＴ２がターンオンする。このとき、発光チップＣでは、奇数番目の転送サイリスタＴ１とその後段に隣接する偶数番目の転送サイリスタＴ２とが、共にオンした状態となる。
なお、この状態で加熱用転送サイリスタＴｈがターンオンしないのは、第１転送信号φ１がローレベルとなっているために、加熱用転送サイリスタＴｈのゲート端子Ｇｈの電位が、既に転送サイリスタＴ２のゲート端子Ｇ２の電位よりも低下しているためである。

続いて、転送サイリスタＴ１およびＴ２が共にオンしている状態において、第１転送信号φ１がローレベルからハイレベルに変更される（図１０（ｃ））。これに伴い、偶数番目の転送サイリスタＴ２はオン状態を維持する一方、その前段に隣接する奇数番目の転送サイリスタＴ１はオン状態からオフ状態へと移行する。
なお、このとき、加熱用転送サイリスタＴｈのゲート端子Ｇｈには、加熱用接続ダイオードＤｈを介してハイレベルの第１転送信号φ１が供給されることとなり、さらに、加熱用転送サイリスタＴｈのカソード端子に供給される第２転送信号φ２がローレベルに維持されていることから、加熱用転送サイリスタＴｈがオンしやすい状態となっている。しかしながら、この時点で、同じローレベルの第２転送信号φ２がカソード端子に供給されている偶数番目の転送サイリスタＴ２が既にオン状態となっていることから、加熱用転送サイリスタＴｈがオン状態に移行することはなく、オフ状態を維持する。
したがって、このとき、発光チップＣでは、偶数番目の転送サイリスタＴ２のみがオンした状態となる。そして、転送サイリスタＴ１のオフ状態への移行に伴い、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１の電位は、抵抗Ｒ１を介して電流が流れることによって徐々に低下していく。一方、転送サイリスタＴ１のオフ状態への移行に伴い、接続ダイオードＤ１を介して順方向に隣接する転送サイリスタＴ２のゲート端子Ｇ２の電位が上昇し、また、接続ダイオードＤ１および接続ダイオードＤ２を介して順方向に隣接する転送サイリスタＴ３のゲート端子Ｇ３の電位も上昇していく。

さらに、転送サイリスタＴ２がオンしている状態において、第１転送信号φ１がハイレベルからローレベルに変更される（図１０（ｄ））。すると、ローレベルの第１転送信号φ１がカソード端子に供給される奇数番目の転送サイリスタのＴ１、Ｔ３、…、Ｔ２５５のうち、ゲート電位が最も高く、閾値以上となる転送サイリスタＴ３がターンオンする。
なお、この状態で転送サイリスタＴ１がターンオンしないのは、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１の電位が、既に転送サイリスタＴ３のゲート端子Ｇ３の電位よりも低下しているためである。
また、第１転送信号φ１がハイレベルからローレベルに変更されることに伴い、加熱用転送サイリスタＴｈのゲート端子Ｇｈの電位は、加熱用抵抗Ｒｈを介して電流が流れることによって徐々に低下していく。

次いで、転送サイリスタＴ２およびＴ３が共にオンしている状態において、第２転送信号φ２がローレベルからハイレベルに変更される（図１０（ｅ））。これに伴い、奇数番目の転送サイリスタＴ３はオン状態を維持する一方、その前段に隣接する偶数番目の転送サイリスタＴ２はオン状態からオフ状態へと移行する。
なお、このとき、加熱用転送サイリスタＴｈのゲート端子Ｇｈには、加熱用接続ダイオードＤｈを介したローレベルの第１転送信号φ１の供給が続いており、さらに、加熱用転送サイリスタＴｈのカソード端子にはハイレベルの第２転送信号φ２が供給されることとなることから、加熱用転送サイリスタＴｈはオフ状態を維持する。
したがって、このとき、発光チップＣでは、奇数番目の転送サイリスタＴ３のみがオンした状態となる。そして、転送サイリスタＴ２のオフ状態への移行に伴い、転送サイリスタＴ２のゲート端子Ｇ２の電位は、抵抗Ｒ２を介して電流が流れることによって徐々に低下していく。一方、転送サイリスタＴ２のオフ状態への移行に伴い、接続ダイオードＤ２を介して順方向に隣接する転送サイリスタＴ３のゲート端子Ｇ３の電位が上昇し、また、接続ダイオードＤ２および接続ダイオードＤ３を介して順方向に隣接する転送サイリスタＴ４のゲート端子Ｇ４の電位も上昇していく。

次に、転送サイリスタＴ３がオンしている状態において、第２転送信号φ２がハイレベルからローレベルに変更される（図１０（ｆ））。すると、ローレベルの第２転送信号φ２がカソード端子に供給される加熱用転送サイリスタＴｈおよび偶数番目の転送サイリスタＴ２、Ｔ４、…、Ｔ２５６のうち、ゲート電位が最も高く、閾値以上となる転送サイリスタＴ４がターンオンする。このとき、発光チップＣでは、奇数番目の転送サイリスタＴ３とその後段に隣接する偶数番目の転送サイリスタＴ４とが、共にオンした状態となる。
なお、この状態で転送サイリスタＴ２がターンオンしないのは、転送サイリスタＴ２のゲート端子Ｇ２の電位が、既に転送サイリスタＴ４のゲート端子Ｇ４の電位よりも低下しているためである。
また、この状態で加熱用転送サイリスタＴｈがターンオンしないのは、第１転送信号φ１がローレベルとなっているために、加熱用転送サイリスタＴｈのゲート端子Ｇｈの電位が、既に転送サイリスタＴ４のゲート端子Ｇ４の電位よりも低下しているためである。

続いて、転送サイリスタＴ３およびＴ４が共にオンしている状態において、第１転送信号φ１がローレベルからハイレベルに変更される（図１０（ｇ））。これに伴い、偶数番目の転送サイリスタＴ４はオン状態を維持する一方、その前段に隣接する奇数番目の転送サイリスタＴ３はオン状態からオフ状態へと移行する。
なお、このとき、加熱用転送サイリスタＴｈのゲート端子Ｇｈには、加熱用接続ダイオードＤｈを介してハイレベルの第１転送信号φ１が供給されることとなり、さらに、加熱用転送サイリスタＴｈのカソード端子に供給される第２転送信号φ２がローレベルに維持されていることから、加熱用転送サイリスタＴｈがオンしやすい状態となっている。しかしながら、この時点で、同じローレベルの第２転送信号φ２がカソード端子に供給されている偶数番目の転送サイリスタＴ４が既にオン状態となっていることから、加熱用転送サイリスタＴｈがオン状態に移行することはなく、オフ状態を維持する。
したがって、このとき、発光チップＣでは、偶数番目の転送サイリスタＴ４のみがオンした状態となる。そして、転送サイリスタＴ３のオフ状態への移行に伴い、転送サイリスタＴ３のゲート端子Ｔ３の電位は、抵抗Ｒ３を介して電流が流れることによって徐々に低下していく。一方、転送サイリスタＴ３のオフ状態への移行に伴い、接続ダイオードＤ３を介して順方向に隣接する転送サイリスタＴ４のゲート端子Ｇ４の電位が上昇し、また、接続ダイオードＤ３および接続ダイオードＤ４を介して順方向に隣接する転送サイリスタＴ５のゲート端子Ｇ５の電位も上昇していく。

さらに、転送サイリスタＴ４がオンしている状態において、第１転送信号φ１がハイレベルからローレベルに変更される（図１０（ｈ））。すると、ローレベルの第１転送信号φ１がカソード端子に供給される奇数番目の転送サイリスタのＴ１、Ｔ３、…、Ｔ２５５のうち、ゲート電位が最も高く、閾値以上となる転送サイリスタＴ５がターンオンする。
なお、この状態で転送サイリスタＴ３がターンオンしないのは、転送サイリスタＴ３のゲート端子Ｇ３の電位が、既に転送サイリスタＴ５のゲート端子Ｇ５の電位よりも低下しているためである。
また、第１転送信号φ１がハイレベルからローレベルに変更されることに伴い、加熱用転送サイリスタＴｈのゲート端子Ｇｈの電位は、加熱用抵抗Ｒｈを介して電流が流れることによって徐々に低下していく。

このように、稼働モードでは、第１転送信号φ１および第２転送信号φ２が共にローレベルに設定される重なり期間を設けつつ、これらを交互にハイレベル、ローレベルに切り替えることにより、各発光チップＣにおいて転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６が番号順に順次オン状態に設定される。また、稼働モードにおいて、加熱用転送サイリスタＴｈがオン状態となることはない。
なお、本実施の形態では、図１０に示す波形を有する第１転送信号φ１および第２転送信号φ２の組み合わせが、第１制御信号として働くようになっている。

そして、稼働モードにおいて、発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６を選択的に発光させる場合には、発光対象となる発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６とゲート同士が接続された転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６が、それぞれ単独でオン状態となっている期間内に、発光信号φＩをハイレベルからローレベルに切り換え、且つ、ローレベルからハイレベルに切り換えるようにすればよい。ここで、「それぞれ単独でオン状態となっている期間」とは、例えば転送サイリスタＴ１においては図１０（ａ）〜（ｂ）の期間、転送サイリスタＴ２においては図１０（ｃ）〜（ｄ）の期間、転送サイリスタＴ３においては図１０（ｅ）〜（ｆ）に示す期間、転送サイリスタＴ４においては図１０（ｇ）〜（ｈ）に示す期間をいう。
なお、図１０には、すべての発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６（ただし図１０においては発光サイリスタＬ１〜Ｌ８のみを示す）を発光させる際の発光信号φＩの波形を例示している。

例えば奇数番目の転送サイリスタＴ３のみがオン状態となる図１０（ｅ）〜（ｆ）の期間において、発光信号φＩがハイレベルからローレベルに変更されたとする。このとき、ローレベルの発光信号φＩがカソード端子に供給される加熱用発光サイリスタＬｈおよび発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６のうち、ゲート電位が最も高い発光サイリスタＬ３がオン状態となって発光する。なお、この期間において発光サイリスタＬ３のゲート端子Ｇ３の電位が最も高くなるのは、この発光サイリスタＬ３とゲート同士が接続された転送サイリスタＴ３がオン状態に設定されており、他の転送サイリスタＴ１、Ｔ２、Ｔ４〜Ｔ２５６および加熱用転送サイリスタＴｈがオフ状態に設定されていることによるものである。

また、例えば偶数番目の転送サイリスタＴ４のみがオン状態となる図１０（ｇ）〜（ｈ）の期間において、発光信号φＩがハイレベルからローレベルに変更されたとする。このとき、ローレベルの発光信号φＩがカソード端子に供給される加熱用発光サイリスタＬｈおよび発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６のうち、ゲート電位が最も高い発光サイリスタＬ４がオン状態となって発光する。なお、この期間において発光サイリスタＬ４のゲート端子Ｇ４の電位が最も高くなるのは、この発光サイリスタＬ４とゲート同士が接続された転送サイリスタＴ４がオン状態に設定されており、他の転送サイリスタＴ１〜Ｔ３、Ｔ５〜Ｔ２５６および加熱用転送サイリスタＴｈがオフ状態に設定されていることによるものである。

したがって、稼働モードでは、転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６が番号順にそれぞれ単独でオン状態となる期間内において、発光信号φＩをハイレベルからローレベル且つローレベルからハイレベルに切り換えることで、オン状態となっている転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６に接続された発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６をそれぞれ発光させることができる。また、稼働モードでは、転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６が番号順にそれぞれ単独でオン状態となる期間内において、発光信号φＩをハイレベルに維持することで、オン状態となっている転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６にそれぞれ接続された発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６をそれぞれ発光させないようにできる。

そして、対象となる発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６を発光させる場合において、発光信号φＩをハイレベルからローレベルにすることで発光を開始させるタイミングと、その発光信号をローレベルからハイレベルにすることで発光を終了させるタイミングとを、発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６に対し個別に調整することで、発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６から出射される光の光量の補正がなされる。本実施の形態では、図８に示す発光信号発生部１１０が、発光を開始させるタイミング（発光信号φＩをハイレベルからローレベルに切り換えるタイミング）を一律とする一方、発光を終了させるタイミング（発光信号φＩをローレベルからハイレベルに切り換えるタイミング）を、光量補正データ記憶部１１２（図８参照）から読み出した光量補正データに基づいて変更することで、発光チップＣ１〜Ｃ６０のそれぞれを構成する発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６に対し、光量補正を行っている。

一方、図１１は、休止モードにおける第１転送信号φ１および第２転送信号φ２の波形と、休止モードの第１転送信号φ１および第２転送信号φ２によってオン状態となる転送サイリスタと、転送サイリスタのオンに伴って発光可能な状態に設定される発光サイリスタとの関係の一例を説明するためのタイミングチャートである。なお、休止モードの初期状態において、第１転送信号φ１および第２転送信号φ２は、稼働モードと同様に、共にハイレベルに設定されている。また、休止モードの初期状態においては、稼働モードと同様に、スイッチ素子アレイ７２を構成する加熱用転送サイリスタＴｈおよび転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６と、発光素子アレイを構成する加熱用発光サイリスタＬｈおよび発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６とが、すべてオフ状態となっている。

また、稼働モードと同様に、初期状態において、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１には、スタートダイオードＤｓを介してハイレベルの第２転送信号φ２が供給されている。したがって、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１は、スタートダイオードＤｓによる電圧降下を差し引いた電位となっている。このとき、接続ダイオードＤ１〜Ｄ２５５を介して後段の転送サイリスタＴ２〜Ｔ２５６のゲート端子Ｇ２〜Ｇ２５６にも第２転送信号φ２が供給される。ただし、スタートダイオードＤｓおよび接続ダイオードＤ１〜Ｄ２５５のそれぞれにおいて電圧降下が生じるため、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１の電位が最も高くなっている。したがって、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１の電位よりも、転送サイリスタＴ２のゲート端子Ｇ２の電位の方が低くなっている。

ここで、加熱用接続ダイオードＤｈおよびスタートダイオードＤｓは同じ構成を有しており、それぞれにおける電圧降下の大きさはほぼ等しい。このため、初期状態における加熱用転送サイリスタＴｈのゲート端子Ｇｈおよび転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１の電位は、ほぼ等しくなっている。その結果、加熱用転送サイリスタＴｈのゲート端子Ｇｈの電位は、転送サイリスタＴ２のゲート端子Ｇ２の電位よりも高くなっている。

休止モードでは、まず、第１転送信号φ１がハイレベルに維持されている状態で、第２転送信号φ２がハイレベルからローレベルに変更される（図１１（ａ））。すなわち、稼働モードでは最初に第１転送信号φ１をハイレベルからローレベルに変更していたのに対し、休止モードでは最初に第２転送信号φ２をハイレベルからローレベルに変更する。すると、ローレベルの第２転送信号φ２がカソード端子に供給される加熱用転送サイリスタＴｈおよび偶数番目の転送サイリスタＴ２、Ｔ４、…、Ｔ２５６のうち、ゲート電位が最も高く、閾値以上となる加熱用転送サイリスタＴｈがターンオンする。また、このとき、第１転送信号φ１はハイレベルとなっているので、奇数番目の転送サイリスタＴ１、Ｔ３、…、Ｔ２５５のカソード電位は高いままとなり、オフの状態が維持される。これにより、発光チップＣでは、加熱用転送サイリスタＴｈのみがオン状態となり、転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６はすべてオフ状態となる。

そして、休止モードでは、その後も第１転送信号φ１がハイレベルに維持され、且つ、第２転送信号φ２がローレベルに維持される。これに伴い、発光チップＣでは、加熱用転送サイリスタＴｈのみがオンとなり、他の転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６がすべてオフとなる状態が維持される。このように、休止モードでは、第１転送信号φ１をハイレベルに維持する一方、第２転送信号φ２をローレベルに維持することで、各発光チップにおいて加熱用転送サイリスタＴｈがオン状態を持続するように設定される。
なお、本実施の形態では、図１１に示す波形を有する第１転送信号φ１および第２転送信号φ２の組み合わせが、第２制御信号として働くようになっている。

ここで、休止モードにおいて、図１０に示す発光信号φＩ、すなわち、稼働モードにおいて全発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６（ただし図１１においては発光サイリスタＬ１〜Ｌ８のみを示す）を発光させるための波形を有する発光信号φＩを供給した場合について考える。

休止モードでは、上述したような第１転送信号φ１および第２転送信号φ２を供給することで、加熱用転送サイリスタＴｈが継続的にオン状態となっている。このため、この状態で発光信号φＩをハイレベルからローレベルにすると、ローレベルの発光信号φＩがカソード端子に供給される加熱用発光サイリスタＬｈおよび発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６のうち、ゲート電位が最も高い加熱用発光サイリスタＬｈがオン状態となって発光する。なお、この期間において加熱用発光サイリスタＬｈのゲート端子Ｇｈの電位が最も高くなるのは、この加熱用発光サイリスタＬｈとゲート同士が接続された加熱用転送サイリスタＴｈがオン状態に設定されており、他の転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６がオフ状態に設定されていることによるものである。

このように、稼働モードでは、供給される発光信号φＩによって発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６が番号順に発光／非発光に設定されていたのに対し、休止モードでは、供給される発光信号φＩによって加熱用発光サイリスタＬｈのみが発光／非発光を繰り返すことになる。
ここで、発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６は、図７を用いて説明したように、発光信号用配線９４で覆われる一部の領域を除いて露出して形成されている。このため、発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６より出射された光は、外部に取り出されて例えば感光体ドラム１２（図２参照）を露光するようになっている。
これに対し、加熱用発光サイリスタＬｈは、図７を用いて説明したように、発光信号用配線９４によって全域が覆われている。このため、加熱用発光サイリスタＬｈから出射された光は、発光信号用配線９４によって遮られることとなり、感光体ドラム１２を露光しないようになっている。

したがって、稼働モードでは、ＬＰＨ１４において発光チップＣ１〜Ｃ６０を動作させるとともに、それぞれに設けられた発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６からの光を外部に出射させることで、結果として感光体ドラム１２の露光を行うことになる。一方、休止モードでは、ＬＰＨ１４において発光チップＣ１〜Ｃ６０を動作させるものの、それぞれに設けられた加熱用発光サイリスタＬｈからの光を外部に出射させないことで、結果として感光体ドラム１２の露光を行わないことになる。

では、図１に示す画像形成装置１における各ＬＰＨ１４の露光動作について説明する。
画像形成動作が開始されると、制御部２０は、各画像形成ユニット１１を構成する各ＬＰＨ１４の信号発生回路１００に対し、各種信号を送る。そして、各ＬＰＨ１４に設けられた信号発生回路１００では、転送信号発生部１２０が、入力されてくる信号の一つであるＭｏｄｅ信号に基づいて作成した第１転送信号φ１および第２転送信号φ２を、発光部６３を構成する６０個の発光チップＣ（Ｃ１〜Ｃ６０）に出力する。また、信号発生回路１００では、発光信号発生部１１０が、入力されてくる信号の一つであるビデオデータＶｄａｔａに基づいて作成した、主走査方向１ライン分に対応する６０個の発光信号φＩ（φＩ１〜φＩ６０）を、発光部６３を構成する６０個の発光チップＣ（Ｃ１〜Ｃ６０）に出力する。そして、各ＬＰＨ１４の発光部６３では、各発光チップＣ１〜Ｃ６０が、それぞれに入力される第１転送信号φ１、第２転送信号φ２および各発光信号φＩ１〜φＩ６０に応じて、搭載する発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６および加熱用発光サイリスタＬｈを、それぞれ発光／非発光に設定する。そして、この動作を副走査ライン分だけ繰り返すことで、用紙１枚分の画像に対応する露光データの出力を完了する。

さて、図１に示す画像形成装置１は、上述したようにフルカラーモードとモノクロモードとで動作する。そして、本実施の形態では、次に行われる画像形成動作がフルカラーモードであるかモノクロモードであるかに基づいて、制御部２０が各色用のＬＰＨ１４の信号発生回路１００に供給するモード信号ＭｏｄｅおよびビデオデータＶｄａｔａ（図５、図８、図９参照）の設定を行っている。

図１２（ａ）は、フルカラーモードにおいて制御部２０からＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４に供給されるモード信号ＭｏｄｅおよびビデオデータＶｄａｔａの関係を示している。また、図１２（ｂ）は、モノクロモードにおいて制御部２０からＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４に供給されるモード信号ＭｏｄｅおよびビデオデータＶｄａｔａの関係を示している。なお、図１２（ａ）、（ｂ）に示す関係は、制御部２０に設けられた図示しないメモリにテーブルとして格納されている。そして、制御部２０は、外部からフルカラーモードによる画像形成の指示を受け付けた場合に、図示しないメモリから図１２（ａ）に示したテーブルを読み出して、ＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４にそれぞれ信号を出力する。また、制御部２０が外部からモノクロモードによる画像形成の指示を受け付けた場合に、図示しないメモリから図１２（ｂ）に示したテーブルを読み出して、ＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４にそれぞれ信号を出力する。

図１２（ａ）に示すように、例えばフルカラーモードの場合は、ＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４に対しモード信号Ｍｏｄｅとして共通に稼働モードが設定され、また、ＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４に対しビデオデータＶｄａｔａとして各色のデータ（Ｙ色データ、Ｍ色データ、Ｃ色データ、Ｋ色データ）がそれぞれ出力されるようになっている。これに対し、図１２（ｂ）に示すように、例えばモノクロモードの場合は、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４に対しモード信号Ｍｏｄｅとして休止モードが、Ｋ色のＬＰＨ１４に対しモード信号Ｍｏｄｅとして稼働モードがそれぞれ設定され、また、ＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４に対しビデオデータＶｄａｔａとしてＫ色のデータ（Ｋ色データ）が共通に出力されるようになっている。

図１３は、フルカラーモードにおけるＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４の動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。ただし、図１３は、ＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４において同じ番号が付された発光チップＣ（例えば発光チップＣ１）のそれぞれにおける発光サイリスタＬ１〜Ｌ８の動作を例示している。

フルカラーモードでは、図１２（ａ）に示したように、ＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４に対しモード信号Ｍｏｄｅとして一律に稼働モードが設定される。このため、ＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４に設けられた信号発生回路１００（転送信号発生部１２０）は、図１０に示す波形の第１転送信号φ１および第２転送信号φ２を供給する。また、フルカラーモードでは、図１２（ａ）に示したように、ＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４に対し、ビデオデータＶｄａｔａとしてそれぞれ個別の色データ（イエローのＬＰＨ１４にはＹ色データ、マゼンタのＬＰＨ１４にはＭ色データ、シアンのＬＰＨ１４にはＣ色データ、黒のＬＰＨ１４にはＫ色データ）が供給され、ＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４に設けられた信号発生回路１００（発光信号発生部１１０）は、Ｙ色データ、Ｍ色データ、Ｃ色データ、Ｋ色データに基づく発光信号φＩをそれぞれ出力する。

これにより、図１３に示す例において、稼働モードで動作するイエローのＬＰＨ１４の発光チップＣ１では、転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６が順次オン状態となる転送動作が行われることで加熱用転送サイリスタＴｈがオン状態とはならないことから、発光信号φＩに基づいて発光サイリスタＬ１〜Ｌ４が発光する。また、同じく稼働モードで動作するマゼンタのＬＰＨ１４の発光チップＣ１では、転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６が順次オン状態となる転送動作が行われることで加熱用転送サイリスタＴｈがオン状態とはならないことから、発光信号φＩに基づいて発光サイリスタＬ１、Ｌ２およびＬ８が発光する。さらに、同じく稼働モードで動作するシアンのＬＰＨ１４の発光チップＣ１では、転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６が順次オン状態となる転送動作が行われることで加熱用転送サイリスタＴｈがオン状態とはならないことから、発光信号φＩに基づいて発光サイリスタＬ４、Ｌ５およびＬ８が発光する。さらにまた、同じく稼働モードで動作する黒の発光チップＣ１では、転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６が順次オン状態となる転送動作が行われることで加熱用転送サイリスタＴｈがオン状態とはならないことから、発光信号φＩに基づいて発光サイリスタＬ１、Ｌ５〜Ｌ７が発光する。

このように、フルカラーモードでは、ＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４をそれぞれ構成する発光チップＣ１〜Ｃ６０において、Ｙ色データ、Ｍ色データ、Ｃ色データ、Ｋ色データからそれぞれ生成された発光信号φＩに基づき、発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６が発光または非発光に設定される一方、加熱用発光サイリスタＬｈはすべて非発光に設定される。

その結果、フルカラーモードにおいては、ＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４をそれぞれ構成する発光チップＣ１〜Ｃ６０の発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６から、選択的に光が出射される。そして、ＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４から出射された光は、それぞれに対応して設けられたＹＭＣＫ各色の感光体ドラム１２に照射され、ＹＭＣＫ各色の感光体ドラム１２の露光が行われる。

一方、図１４は、モノクロモードにおけるＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４の動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。ただし、図１４では、図１３と同様、ＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４において同じ番号が付された発光チップＣ（例えば発光チップＣ１）のそれぞれにおける発光サイリスタＬ１〜Ｌ８の動作を例示している。

モノクロモードでは、図１２（ｂ）に示したように、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４に対し休止モードが、Ｋ色のＬＰＨ１４に対し稼働モードが、それぞれ設定される。このため、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４に設けられた信号発生回路１００（転送信号発生部１２０）は、図１１に示す波形の第１転送信号φ１および第２転送信号φ２を供給し、Ｋ色のＬＰＨ１４に設けられた信号発生回路１００（転送信号発生部１２０）は、図１０に示す波形の第１転送信号φ１および第２転送信号φ２を供給する。また、モノクロモードでは、図１２（ｂ）に示したように、ＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４に対しビデオデータＶｄａｔａとして共通にＫ色データが供給され、ＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４に設けられた信号発生回路１００（発光信号発生部１１０）は、Ｋ色データに基づく発光信号φＩをそれぞれ出力する。なお、図１４は、図１３に示したものと同じＫ色データに基づく発光信号φＩを供給した場合を例示している。

これにより、図１４に示す例において、稼働モードで動作するＫ色のＬＰＨ１４の発光チップＣ１では、転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６が順次オン状態となる転送動作が行われることで加熱用転送サイリスタＴｈがオン状態とはならないことから、発光信号φＩに基づいて発光サイリスタＬ１、Ｌ５〜Ｌ７が発光する。これに対し、休止モードで動作するＹＭＣ各色のＬＰＨ１４の発光チップＣ１では、それぞれにおいて加熱用転送サイリスタＴｈがオン状態となった後にオン状態を維持する固定動作が行われることで転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６がオン状態とはならないことから、発光信号φＩに基づいて発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６ではなく加熱用発光サイリスタＬｈが発光することになる。

このように、モノクロモードでは、Ｋ色のＬＰＨ１４を構成する発光チップＣ１〜Ｃ６０において、Ｋ色データから生成された発光信号φＩに基づき、発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６が発光または非発光に設定される一方、加熱用サイリスタＬｈはすべて非発光に設定される。また、モノクロモードでは、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４をそれぞれ構成する発光チップＣ１〜Ｃ６０において、Ｋ色データから生成された発光信号φＩに基づき、加熱用発光サイリスタＬｈが発光または非発光に設定される一方、発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６はすべて非発光に設定される。

その結果、モノクロモードにおいては、Ｋ色のＬＰＨ１４を構成する発光チップＣ１〜Ｃ６０の発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６から、選択的に光が出射される。そして、黒のＬＰＨ１４から出射された光は、これに対応して設けられたＫ色の感光体ドラム１２に照射され、Ｋ色の感光体ドラム１２の露光がなされる。また、モノクロモードにおいては、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４を構成する発光チップＣ１〜Ｃ６０の加熱用発光サイリスタＬｈからＫ色のＬＰＨ１４と同じタイミングで光が出射される。ここで、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４を構成する発光チップＣ１〜Ｃ６０の加熱用発光サイリスタＬｈから出射された光は、各発光チップＣ１〜Ｃ６０において加熱用発光サイリスタＬｈを覆うように設けられた発光信号用配線９４によって遮られ、外部に取り出されない。したがって、モノクロモードにおいて、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４からは光が出射されないことになり、これらＹＭＣ各色のＬＰＨ１４に対応して設けられたＹＭＣ各色の感光体ドラム１２の露光は行われないことになる。

そして、この例では、休止モードで動作するＹＭＣ各色のＬＰＨ１４に、ビデオデータＶｄａｔａとしてＫ色データの供給が行われている。このため、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４を構成するそれぞれの発光チップＣ１に設けられた加熱用発光サイリスタＬｈは、Ｋ色のＬＰＨ１４を構成する発光チップＣ１に設けられた発光サイリスタＬ１、Ｌ５〜Ｌ７と同じタイミングで発光を開始し且つ発光を終了する。したがって、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４を構成するそれぞれの発光チップＣ１に設けられた加熱用発光サイリスタＬｈが発光する回数は、Ｋ色のＬＰＨ１４を構成する発光チップＣ１に設けられた発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６が発光する回数の総数と同じになる。また、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４を構成するそれぞれの発光チップＣ１に設けられた加熱用発光サイリスタＬｈが発光する総時間は、Ｋ色のＬＰＨ１４を構成する発光チップＣ１に設けられた発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６が発光する時間の合計値と同じになる。また、全体でみた場合においても、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４に設けられた加熱用発光サイリスタＬｈが発光する回数は、Ｋ色のＬＰＨ１４に設けられた発光サイリスタＬが発光する回数の総数と同じになり、ＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４における発光時間の総時間も等しくなる。

ところで、本実施の形態では、図１に示したように、フルカラーモードにおいて、複数の画像形成ユニット１１を用いてＹＭＣＫ各色の画像を形成し、形成された画像を用紙上に転写して重ね合わせている。このため、ＬＰＨ１４も、各画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋにそれぞれ１つずつ設けられている。そして、ＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４は、図１において手前側となるＩＮ側端部に位置する発光サイリスタ（図５に示す「１ｄｏｔ」参照）および奥側となる奥側端部に位置する発光サイリスタ（図５に示す「１５３６０ｄｏｔ」参照）の主走査方向位置が、初期状態において揃うように、画像形成装置１に設けられた図示しないフレームに取り付けられている。

また、本実施の形態が適用される画像形成装置１では、モノクロモードによる画像形成動作とフルカラーモードによる画像形成動作とが選択的に行われる。このため、例えば長時間にわたってモノクロモードによる画像形成動作を行った後、引き続きフルカラーモードによる画像形成動作を行うことがあり得る。ここで、例えばフルカラーモードでは、ＹＭＣＫ各色のＬＰＨ１４を用いた露光動作が必要である。これに対し、モノクロモードでは、Ｋ色のＬＰＨ１４を用いた露光動作が必要であり、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４を用いた露光動作は不要である。

ここで、モノクロモードにおいてＹＭＣ各色のＬＰＨ１４による露光動作を行わせないための第１の手法として、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４に供給する第１転送信号φ１および第２転送信号φ２をハイレベルに維持することが考えられる。このようにすることで、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４の発光チップＣ１〜Ｃ６０のそれぞれにおいて転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６はオン状態とならなくなる。その結果、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４に供給する発光信号φＩの状態に関わらず、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４の発光チップＣ１〜Ｃ６０のそれぞれにおいて発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６は発光できなくなる。

また、モノクロモードにおいてＹＭＣ各色のＬＰＨ１４による露光動作を行わせないための第２の手法として、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４に供給する第１転送信号φ１および第２転送信号φ２を、Ｋ色のＬＰＨ１４に供給する第１転送信号φ１および第２転送信号φ２と同じ波形とし、且つ、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４に供給する発光信号φＩをハイレベルに維持することが考えられる。このようにすることで、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４の発光チップＣ１〜Ｃ６０のそれぞれにおいて、転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６のオン状態の転送は行われるものの、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４の発光チップＣ１〜Ｃ６０のそれぞれにおいて発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６は発光できなくなる。

ここで、例えば上記第１の手法を採用した場合には、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４を構成する発光チップＣ１〜Ｃ６０のそれぞれにおいて、転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６および発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６が一度もオン状態にならないことになる。
一方、例えば上記第２の手法を採用した場合には、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４を構成する発光チップＣ１〜Ｃ６０のそれぞれにおいて、転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６は順次オン状態になるが発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６はオン状態とはならないことになる。
これに対し、モノクロモードにおけるＫ色のＬＰＨ１４では、Ｋ色のＬＰＨ１４を構成する発光チップＣ１〜Ｃ６０のそれぞれにおいて、転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６が順次オン状態となるとともに発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６がオン状態となった場合に発光することになる。

一般に、サイリスタ等の半導体素子は、オン状態すなわち導通状態となることによって発熱する。そして、オン状態を経た転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６および発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６を搭載する発光チップＣ１〜Ｃ６０の温度が発熱により上昇し、これに伴って発光チップＣ１〜Ｃ６０が搭載された回路基板６２の温度も上昇する。そして、回路基板６２の温度が上昇すると、ＬＰＨ１４は熱膨張に伴って主走査方向に伸びる。

したがって、モノクロモードにおいて、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４に対し上記第１の手法あるいは上記第２の手法を採用した場合には、モノクロモードの画像形成動作を終了した時点でＫ色のＬＰＨ１４とＹＭＣ各色のＬＰＨ１４との温度差が大きくなり、Ｋ色のＬＰＨ１４とＹＭＣ各色のＬＰＨ１４とで主走査方向の伸び量に違いが生じるおそれがある。そして、例えばこのモノクロモードでの画像形成動作の直後にフルカラーモードで画像形成動作を行った場合には、Ｋ色のＬＰＨ１４とＹＭＣ各色のＬＰＨ１４とで主走査方向の長さ（１ｄｏｔ目から１５３６０ｄｏｔ目に至る距離：図５参照）に違いが生じ、結果として形成される画像に、主走査方向の位置ずれが生じるおそれがある。より具体的に説明すると、用紙上において、ＹＭＣ各色の画像よりもＫ色の画像が主走査方向に長くなってしまうことになる。

これに対し、本実施の形態では、ＬＰＨ１４を構成する発光チップＣ１〜Ｃ６０に、それぞれ、加熱用転送サイリスタＴｈおよび加熱用発光サイリスタＬｈを有する加熱用回路７３を設けるようにした。そして、本実施の形態では、モノクロモードにおいて、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４を構成する発光チップＣ１〜Ｃ６０で、それぞれ、加熱用転送サイリスタＴｈをオン状態に設定させると共に、その結果として、発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６に代えて加熱用発光サイリスタＬｈを発光すなわちオン状態とさせるようにした。これにより、上述した第１の手法あるいは第２の手法を採用した場合と比較して、モノクロモードにおいて、露光動作に使用されるＫ色のＬＰＨ１４の発熱量と露光動作に使用されないＹＭＣ各色のＬＰＨ１４の発熱量との差が小さくなる。したがって、上述した第１の手法あるいは第２の手法を採用した場合と比較して、モノクロモードによる画像形成動作を終了した時点におけるＫ色のＬＰＨ１４とＹＭＣ各色のＬＰＨ１４との主走査方向の伸び量の差も小さくなる。このため、例えばこのモノクロモードでの画像形成動作の直後にフルカラーモードで画像形成動作を行った場合において、形成されるフルカラー画像における主走査方向の位置ずれは抑制されることになる。

特に、本実施の形態では、モノクロモードにおいて、露光動作に使用しないＹＭＣ各色のＬＰＨ１４に対し、露光動作に使用するＫ色のＬＰＨ１４と同じＫ色データに基づく発光信号φＩを供給するようにした。これにより、露光動作に使用されるＫ色のＬＰＨ１４の発熱量と露光動作に使用されないＹＭＣ各色のＬＰＨ１４の発熱量との差はさらに小さくなる。したがって、例えばこのモノクロモードでの画像形成動作の直後にフルカラーモードで画像形成動作を行った場合であっても、形成されるフルカラー画像における主走査方向の位置ずれはさらに抑制されることになる。

さらに、本実施の形態では、ＬＰＨ１４を構成する発光チップＣ１〜Ｃ６０にそれぞれ設けられる加熱用発光サイリスタＬｈを、アルミニウム膜からなる発光信号用配線９４にて覆うようにした。これにより、モノクロモードにおいて、ＹＭＣ各色のＬＰＨ１４を構成する発光チップＣ１〜Ｃ６０にそれぞれ設けられる加熱用発光サイリスタＬｈが発光した場合であっても、その光が外部に漏れにくくなる。このため、モノクロモードにおいて、ＹＭＣ各色の画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃで画像が形成されてしまうという事態は回避される。

また、本実施の形態では、発光チップＣ１〜Ｃ６０において、奇数番目の転送サイリスタＴ１、Ｔ３、…、Ｔ２５５のカソード端子に共通の第１転送信号φ１を供給すると共に、偶数番目の転送サイリスタＴ２、Ｔ４、…、Ｔ２５６および加熱用転送サイリスタＴｈのカソード端子に共通の第２転送信号φ２を供給するようにした。さらに、本実施の形態では、発光チップＣ１〜Ｃ６０において、転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６のゲート端子Ｇ１〜Ｇ２５６を接続ダイオードＤ１〜Ｄ２５５を用いて直列に接続するとともに、転送動作の最上流側となる転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇ１には、スタートダイオードＤｓを介して第２転送信号φ２を供給するようにした。これに対し、発光チップＣ１〜Ｃ６０において、加熱用転送サイリスタＴｈのゲート端子Ｔｈには、加熱用ダイオードＤｈを介して第１転送信号φ１を供給するようにした。

このような構成を採用することにより、第１転送信号φ１および第２転送信号φ２のうち第１転送信号φ１を先に変化させた場合には、転送サイリスタＴ１がオン状態に設定されて発光サイリスタＬ１が発光可能状態となる一方、加熱用転送サイリスタＴｈがオフ状態に維持されて加熱用発光サイリスタＬｈが発光不能状態となり、その後、第１転送信号φ１及び第２転送信号φ２の周期的な変化に伴ってオン状態が転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６に番号順に転送される。その結果、加熱用発光サイリスタＬｈが発光不能状態を維持する一方で発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６が順次発光可能状態となる稼働モードが実行されることになる。

一方、第１転送信号φ１および第２転送信号φ２のうち第２転送信号φ２を先に変化させた場合には、加熱用転送サイリスタＴｈがオン状態に設定されて加熱用発光サイリスタＬｈが発光可能状態となる一方、転送用サイリスタＴ１がオフ状態に維持されて発光サイリスタＬ１が発光不能状態となり、その後、第１転送信号φ１および第２転送信号φ２の関係が維持されることによってオン状態が加熱用転送サイリスタＴｈで固定されて保持される。その結果、加熱用発光サイリスタＬｈが発光可能状態を維持する一方で発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６が発光不能状態を維持する休止モードが実行されることになる。

なお、本実施の形態では、モノクロモードを例とし、Ｋ色のＬＰＨ１４を稼働モードで動作させるとともにＹＭＣ各色のＬＰＨ１４を休止モードで動作させる場合について説明を行った。ただし、これに限られるものではなく、例えば黒の文字画像に加えてイエローのウォーターマークを形成する場合においては、ＹＫ各色のＬＰＨ１４を稼働モードで動作させる一方、ＭＣ各色のＬＰＨ１４を休止モードで動作させるようにしてもよい。

また、本実施の形態では、発光チップＣに設けられる加熱用回路７３を、加熱用ダイオードＤｈ、加熱用抵抗Ｒｈ、加熱用転送サイリスタＴｈおよび加熱用発光サイリスタＬｈで構成していたが、加熱用回路７３の構成はこれに限られるものではない。

図１５は、発光チップＣにおける加熱用回路７３の他の構成の一例を示している。
この加熱用回路７３は、加熱用ダイオードＤｈ、加熱用抵抗Ｒｈ、加熱用転送サイリスタＴｈ、および加熱用発光サイリスタＬｈの代わりに設けられる加熱用トランジスタＴｒｈを備えている。ここで、加熱用ダイオードＤｈ、加熱用抵抗Ｒｈおよび加熱用転送サイリスタＴｈについては、図６に示したものと同じ構成を有すると共に同じ接続がなされている。
また、転送サイリスタＴ１〜Ｔ２５６、スタートダイオードＤｓおよび接続ダイオードＤ１〜Ｄ２５５、発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６についても、図６に示したものと同じ構成を有すると共に同じ接続がなされている。

ここで、加熱用回路７３に新たに設けられた加熱用トランジスタＴｒｈは、ｐｎｐ型の構造を有している。そして、加熱用トランジスタＴｒｈのベース端子は、加熱用転送サイリスタＴｈのゲート端子Ｇｈに接続されている。また、加熱用トランジスタＴｒｈのエミッタ端子は、発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６のアノード端子と同様、発光チップＣを構成する基板を介してＧＮＤ端子（図示せず）に接続されている。さらに、加熱用トランジスタＴｒｈのコレクタ端子は、発光サイリスタＬ１〜Ｌ２５６と同様、発光電流制限抵抗ＲＩＤを介してφＩ端子に接続されている。

このような構成を採用した場合、加熱用回路７３に加熱用発光サイリスタＬｈを設けた場合と比較して、通電時の発熱量はほとんど変わらないものの、通電時に出射される光の量が低減されることにより、休止モードでの動作における漏れ光の減少が期待される。

１…画像形成装置、１０…画像プロセス部、１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋ…画像形成ユニット、１２…感光体ドラム、１３…帯電器、１４…ＬＥＤプリントヘッド(ＬＰＨ)、１５…現像器、１６…搬送ベルト、１７…駆動ロール、１８…転写ロール、１９…定着器、２０…制御部、６２…回路基板、６３…発光部、６４…ロッドレンズアレイ、７０…チップ基部、７１…発光素子アレイ、７２…スイッチ素子アレイ、７３…加熱用回路、１００…信号発生回路、１１０…発光信号発生部、１２０…転送信号発生部、Ｃ１〜Ｃ６０…発光チップ、Ｔ１〜Ｔ２５６…転送サイリスタ、Ｔｈ…加熱用転送サイリスタ、Ｌ１〜Ｌ２５６…発光サイリスタ、Ｔｈ…加熱用発光サイリスタ、Ｄｓ…スタートダイオード、Ｄｈ…加熱用接続ダイオード、Ｄ１〜Ｄ２５５…接続ダイオード、Ｒ１〜Ｒ２５６…抵抗、Ｒｈ…加熱用抵抗、φＩ…発光信号、φ１…第１転送信号、φ２…第２転送信号

Claims (13)

1. 像保持体と、
   前記像保持体を帯電する帯電装置と、
   基板に搭載され、発光信号により発光／非発光が制御され一列に並べて設けられる複数の発光素子、当該複数の発光素子にそれぞれ対応して設けられオン状態に設定されることによって対応する発光素子を発光可能状態とする複数のスイッチ素子、当該発光信号により発熱／非発熱が制御される発熱素子、および当該発熱素子に対応して設けられ前記複数のスイッチ素子よりも先にオン状態に設定されることによって当該複数のスイッチ素子がオン状態になるのを制限し当該発熱素子を発熱可能状態とする制限素子を有する発光チップを用いて、帯電された前記像保持体を露光して静電潜像を形成する露光装置と、
   前記像保持体に形成された前記静電潜像を現像して画像を形成する現像装置と、
   前記像保持体に形成された画像を記録材に転写する転写装置と
   をそれぞれ備える複数の画像形成部と、
   前記複数の画像形成部を構成する一部の画像形成部を使用し且つ残りの画像形成部を使用しないで画像形成を行う際に、当該一部の画像形成部に設けられた前記露光装置の前記発光チップに対し、前記制限素子よりも先に前記複数のスイッチ素子をオン状態に設定するための制御信号を供給し、且つ、当該残りの画像形成部に設けられた前記露光装置の前記発光チップに対し、当該複数のスイッチ素子よりも先に当該制限素子をオン状態に設定するための制御信号を供給する制御部と
   を含む画像形成装置。
2. 前記制御部は、前記一部の画像形成部を使用し且つ残りの画像形成部を使用しないで画像形成を行う際に、当該一部の画像形成部に設けられた前記露光装置の前記発光チップおよび当該残りの画像形成部に設けられた前記露光装置の前記発光チップに対し、当該一部の画像形成部に対応する画像データに基づいて作成した前記発光信号を供給することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
3. 前記制御部は、前記一部の画像形成部を使用し且つ残りの画像形成部を使用しないで画像形成を行う際に、当該一部の画像形成部に設けられた前記露光装置の前記発光チップに対し、前記複数のスイッチ素子の１つのスイッチ素子をオン状態とさせる動作と１つのスイッチ素子を含み隣接する２つのスイッチ素子をオン状態とさせる動作を繰り返し行わせることで、スイッチ素子のオン状態を転送する前記制御信号を供給し、当該残りの画像形成部に設けられた前記露光装置の前記発光チップに対し、前記制限素子のオン状態を維持させることで、前記複数のスイッチ素子がオン状態となるのを阻止する当該制御信号を供給することを特徴とする請求項１または２記載の画像形成装置。
4. 基板に搭載され、発光信号により発光／非発光が制御され一列に並べて設けられる複数の発光素子、当該複数の発光素子にそれぞれ対応して設けられオン状態に設定されることによって対応する発光素子を発光可能状態とする複数のスイッチ素子、当該発光信号により発熱／非発熱が制御される発熱素子、および当該発熱素子に対応して設けられ前記複数のスイッチ素子よりも先にオン状態に設定されることによって当該複数のスイッチ素子がオン状態になるのを制限し当該発熱素子を発熱可能状態とする制限素子、を有する発光チップと、
   前記発光チップを構成する前記複数の発光素子から出力される光を像保持体に結像させる光学部材と、
   前記発光チップに対し、前記制限素子よりも先に前記複数のスイッチ素子をオン状態に設定するための第１制御信号または当該複数のスイッチ素子よりも先に当該制限素子をオン状態に設定するための第２制御信号を選択的に供給し、且つ、前記複数の発光素子を発光させまたは前記発熱素子を発熱させるための前記発光信号を供給する制御信号供給部と
   を含む露光装置。
5. 前記制御信号供給部は、前記複数のスイッチ素子の１つのスイッチ素子をオン状態とさせる動作と１つのスイッチ素子を含み隣接する２つのスイッチ素子をオン状態とさせる動作を繰り返し行わせることで、スイッチ素子のオン状態を転送する前記第１制御信号を供給することを特徴とする請求項４記載の露光装置。
6. 前記制御信号供給部は、前記制限素子のオン状態を維持させることで、前記複数のスイッチ素子がオン状態となるのを阻止する前記第２制御信号を供給することを特徴とする請求項４または５記載の露光装置。
7. 前記発光チップが複数設けられるとともに当該複数の発光チップが取り付けられる取り付け部材をさらに含み、
   前記制御信号供給部は、前記複数の発光チップに対し前記第１制御信号および前記第２制御信号を共通に供給し、当該複数の発光チップに対し前記発光信号を個別に供給することを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項記載の露光装置。
8. 基板と、
   前記基板に一列に並べて搭載され、発光信号により発光／非発光が制御される複数の発光素子と、
   前記基板に前記複数の発光素子にそれぞれ対応して搭載され、オン状態に設定されることによって対応する発光素子を発光可能状態とする複数のスイッチ素子と、
   前記基板に搭載され、前記発光信号により発熱／非発熱が制御される発熱素子と、
   前記基板に前記発熱素子に対応して搭載され、前記複数のスイッチ素子よりも先にオン状態に設定されることによって当該複数のスイッチ素子がオン状態になるのを制限するとともに当該発熱素子を発熱可能状態とする制限素子と
   を含む発光装置。
9. 前記制限素子が前記スイッチ素子と同じ構成を有し、且つ、前記発熱素子が前記発光素子と同じ構成を有していることを特徴とする請求項８記載の発光装置。
10. 前記複数の発光素子および前記発熱素子が前記基板の一方の面に設けられ、
    前記基板の前記一方の面側には、前記発熱素子の全体を覆う金属被覆部が形成されることを特徴とする請求項８または９記載の発光装置。
11. 前記複数の発光素子および前記複数のスイッチ素子がサイリスタで構成されることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項記載の発光装置。
12. 基板と、
    前記基板上に、複数の転送サイリスタを一列に並べて配置し、隣接する転送サイリスタのゲート間をそれぞれダイオードにて一方向に電流が流れるように接続し、当該ダイオードの接続方向の上流側からみて偶数番目に配列される転送サイリスタのアノードまたはカソードを第１転送信号が供給される第１転送信号端子に接続するとともに奇数番目に配列される転送サイリスタのアノードまたはカソードを第２転送信号が供給される第２転送信号端子に接続し、当該ダイオードの接続方向の最上流側となる転送サイリスタのゲートを当該第１転送信号端子に接続してなる転送サイリスタ列と、
    前記基板上に、複数の発光サイリスタを一列に並べて配置し、各々の発光サイリスタのゲートと各々の前記転送サイリスタのゲートとをそれぞれ接続し、各々の発光サイリスタのアノードまたはカソードには共通の発光信号が供給される発光サイリスタ列と、
    サイリスタ構造を有して前記基板上に搭載され、そのゲートが前記第２転送信号端子に接続されるとともにそのアノードまたはカソードが前記第２転送信号端子に接続されてなる他の転送サイリスタと、
    サイリスタ構造を有して前記基板上に搭載され、そのゲートと前記他の転送サイリスタのゲートとが接続され、そのアノードまたはカソードには前記発光信号が供給される他の発光サイリスタと
    を含む発光装置。
13. 前記複数の転送サイリスタ、前記ダイオード、前記複数の発光サイリスタ、前記他の転送サイリスタおよび前記他の発光サイリスタは、前記基板の一方の面に積層された半導体層によって構成され、
    前記基板上の前記他の発光サイリスタの上に設けられ、当該他の発光サイリスタに対する給電を行うと共に当該他の発光サイリスタから出射される光を遮る遮光部をさらに含むことを特徴とする請求項１２記載の発光装置。

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