JP2010199381A - 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
本発明の半導体発光装置の製造方法によれば、成長用基板の上に第1導電型クラッド層、アンドープの活性層、平均キャリア濃度が1×1017cm-3乃至1×1018cm-3の第2導電型拡散制御層及び第2導電型クラッド層を順次成長して積層構造体を形成する工程と、積層構造体の成長温度より高い成長温度で第2導電型半導体層を成長し、第2導電型拡散制御層から活性層に第2導電型不純物を拡散させて活性層の平均キャリア濃度を2×1016cm-3乃至4×1016cm-3に制御する第2導電型半導体層形成工程と、を有すること。
【選択図】図2
Description
次に、電子線加熱蒸着法によって第2のTaN層136上に、第2のNi層137が形成される。更に、電子線加熱蒸着法によって第2のNi層137上に、Au層138が形成される(図13(e))。本実施例においては、第2のNi層137とAu層138とから第2の接合金属層が形成されている。本工程の終了により、発光体部140の形成が完了する。
11 n型GaAs基板
12 n型クラッド層
13 活性層
14 p型拡散制御層
15 p型クラッド層
16 p型電流拡散層
17 n側電極
18 p側電極
21 アンドープ活性層
22 積層構造体
Claims (10)
- 半導体発光装置の製造方法であって、
成長用基板の上に第1導電型クラッド層、アンドープであって(AlxGa1-x)yIn1-yP(0≦x≦1、0<y≦1)からなる活性層、平均キャリア濃度が1×1017cm-3乃至1×1018cm-3であってAlxIn1-xP(0<x<1)からなる第2導電型拡散制御層及び第2導電型クラッド層を順次成長して積層構造体を形成する工程と、
前記積層構造体の成長温度より高い成長温度で第2導電型半導体層を成長し、前記第2導電型拡散制御層から前記活性層に第2導電型不純物を拡散させて前記活性層の平均キャリア濃度を2×1016cm-3乃至4×1016cm-3に制御する第2導電型半導体層形成工程と、を有することを特徴とする製造方法。 - 前記第2導電型半導体層の成長温度は、前記積層構造体の成長温度より30乃至100℃高いことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記第2導電型半導体層は、Ga1-xInxP(0≦x<1)からなることを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
- 前記第2導電型半導体層の膜厚は3μm以下であって前記第2導電型半導体層の平均キャリア濃度が1×1018cm-3乃至5×1018cm-3であることを特徴とする請求項3に記載の製造方法。
- 前記第2導電型半導体層は3μmを超える膜厚を有し、前記第2導電型半導体層のキャリア濃度が前記第2導電型半導体層の表面から前記第2導電型半導体層と前記第2導電型クラッド層との界面に近づくにつれて減少し、且つ、前記第2導電型半導体層の平均キャリア濃度が1×1018cm-3乃至5×1018cm-3であることを特徴とする請求項3に記載の製造方法。
- 前記第2導電型半導体層上に接合部材を介して支持基板を貼り合わせるとともに、前記積層構造体から前記成長用基板を除去する工程を更に有することを特徴とする請求項2乃至5のいずれか1に記載の製造方法。
- 半導体基板の上に形成された第1導電型クラッド層と、
前記第1導電型クラッド層の上に形成され、平均キャリア濃度が2×1016cm-3乃至4×1016cm-3であって(AlxGa1-x)yIn1-yP(0≦x≦1、0<y≦1)からなる活性層と、
前記活性上の上に形成され、平均キャリア濃度が1×1017cm-3乃至1×1018cm-3であってAlxIn1-xP(0<x<1)からなる第2導電型拡散制御層と、
前記第2導電型拡散制御層の上に形成された第2導電型クラッド層と、
前記第2導電型クラッド層の上に形成されたGa1-xInxP(0≦x<1)からなる第2導電型半導体層と、有することを特徴とする半導体発光装置。 - 前記活性層、前記第2導電型拡散制御層、前記第2導電型クラッド層及び前記第2導電型半導体層におけるキャリア濃度は、前記第2導電型半導体層から前記活性層に向かうにつれて減少していることを特徴とする請求項7に記載の半導体発光装置。
- 前記第2導電型半導体層の膜厚は3μm以下であって、前記第2導電型半導体層の平均キャリア濃度が1×1018cm-3乃至5×1018cm-3であることを特徴とする請求項8に記載の半導体発光装置。
- 前記第2導電型半導体層は3μmを超える膜厚を有し、前記第2導電型半導体層のキャリア濃度が前記第2導電型半導体層の表面から前記第2導電型半導体層と前記第2導電型クラッド層との界面に近づくにつれて減少し、且つ、前記第2導電型半導体層の平均キャリア濃度が1×1018cm-3乃至5×1018cm-3であることを特徴とする請求項8に記載の半導体発光装置。
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