JP2010197066A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 基板と、
   前記基板に対向して設けられ、前記基板と対向した面に反射面を備えた受圧板と、
   前記基板と前記受圧板の間に設けられ、前記受圧板に圧力が作用されると前記基板と前記受圧板との距離を前記圧力の大きさに応じて変化させる、弾性体を有する支持部と、
   前記基板上の、前記受圧板と対向する位置に設けられた複数の受光素子と、
   前記反射面に対して斜交いとなる平行光を前記反射面に向けて照射する光照射源と、を備え、
   前記複数の受光素子のいずれかが前記反射面で反射された反射平行光を受光し、
   前記反射平行光を受光した前記受光素子の位置に基づいて前記受圧板に作用した力の大きさを検出することを特徴とする圧力センサ。
2. 前記反射面は、前記光照射源から照射された平行光を前記複数の受光素子が設けられた前記基板上面に向けて反射させるように前記受圧板の前記基板と対向した面に傾斜した角度で設けられていることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
3. 前記基板の前記複数の受光素子が設けられた面と逆側の面に設けられ、遮光性を有する遮光板を有し、
   前記光照射源は前記遮光板に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の圧力センサ。
4. 前記支持部は、前記圧力の大きさに比例して前記基板と前記受圧板との距離を変化させることを特徴とする請求項３に記載の圧力センサ。
5. 前記基板は透光性の部材からなり、
   前記複数の受光素子が、
   前記基板上に形成された遮光性の第一電極と、
   前記第一電極上に形成された透明な第一絶縁膜と、
   前記第一電極に対向した状態で前記第一絶縁膜上に形成された半導体膜と、
   前記半導体膜に接し、互いに離れた２つの不純物半導体膜と、
   前記２つの不純物半導体膜のうち一方の上に形成された第二電極と、
   前記２つの不純物半導体膜のうち他方の上に形成された第三電極と、
   前記半導体膜、前記不純物半導体膜、前記第二電極及び前記第三電極を被覆した透明な第二絶縁膜と、
   前記半導体膜に対向した状態で前記第二絶縁膜の上に形成された第四電極と、を有することを特徴とする請求項４に記載の圧力センサ。
6. 基板と、前記基板に対向して設けられ、前記基板と対向した面に反射面を備えた受圧板と、前記基板と前記受圧板の間に設けられ、前記受圧板に力が作用されると前記基板と前記受圧板との距離を前記力の大きさに応じて変化させる弾性体を有する支持部と、前記基板上の、前記受圧板と対向する位置に設けられた複数の受光素子と、前記反射面に対して斜交いとなる平行光を前記反射面に向けて照射する光照射源と、を備える圧力センサの前記受圧板に圧力を作用させ、前記基板と前記受圧板との距離の変化にしたがって、前記複数の受光素子のうち前記反射面で反射した反射平行光を受光した前記受光素子の位置に基づいて、前記圧力の大きさを測定することを特徴とする圧力センサの圧力測定方法。