JP2010189331A - 新規なアンモニウム塩 - Google Patents
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Abstract
Description
式(1)中、R1で示される炭素数1〜4のアルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数1〜4のアルキル基が挙げられる。具体的には例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基が挙げられる。R2で示される炭素数8〜12のアルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数8〜12のアルキル基が挙げられる。具体的には、例えばオクチル基、2−メチルヘプチル基、2−エチルヘキシル基、ノニル基、2−メチルオクチル基、デシル基、2−メチルノニル基、ウンデシル基、ドデシル基等が挙げられる。
ジアリルオクチルメチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリル−2−メチルヘプチルメチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリル−2−エチルヘキシルメチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルノニルメチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリル−2−メチルオクチルメチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルデシルメチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリル−2−メチルノニルメチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルウンデシルメチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルドデシルメチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルエチルオクチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルエチル−2−メチルヘプチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルエチル−2−エチルヘキシルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルエチルノニルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルエチル−2−メチルオクチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルエチルデシルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルエチル−2−メチルノニルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルエチルウンデシルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルエチルドデシルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルオクチルプロピルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリル−2−メチルヘプチルプロピルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリル−2−エチルヘキシルプロピルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルノニルプロピルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリル−2−メチルオクチルプロピルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルデシルプロピルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリル−2−メチルノニルプロピルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルウンデシルプロピルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルドデシルプロピルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルブチルオクチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルブチル−2−メチルヘプチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルブチル−2−エチルヘキシルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルブチルノニルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルエチル−2−メチルオクチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルブチルデシルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルブチル−2−メチルノニルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルブチルウンデシルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート、ジアリルブチルドデシルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート等が挙げられる。
R2−X (4)
(式中、R4及びXは前記に同じ。)で表されるアルキルハライド類(以下、アルキルハライド類(4)という。)と反応させることで製造できる。
ジアリルメチルアミン16.7g(0.15モル)、オクチルブロミド34.8g(0.18モル)及びアセトニトリル51.5gを混合し、105℃で24時間反応させた。その後、反応液を20℃まで冷却し、ヘキサンを添加して未反応のオクチルブロミドをヘキサンに抽出除去し、次いで抽残液を減圧下で濃縮し、液状のジアリルオクチルメチルアンモニウム=ブロミドを42.2g(収率92.5%)得た。
得られたジアリルオクチルメチルアンモニウム=ブロミド32.9g(0.108モル)とイオン交換水59.8gを混合した後、ヘキサフルオロリン酸カリウム20.8g(0.113モル)を添加し、室温で4時間攪拌アニオン交換反応させた。反応終了後、有機層を分液操作により分離し、得られた有機層をイオン交換水61.1gで2回洗浄した。有機層を減圧下で脱水し、液状のジアリルオクチルメチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート33.6g(収率72.4%)を得た。
以下にジアリルオクチルメチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファートのNMRデータを示す。
ジアリルメチルアミン16.7g(0.15モル)、ドデシルブロミド44.9g(0.18モル)及びアセトニトリル61.6gを混合し、105℃で24時間反応させた。その後20℃まで冷却し、ヘキサンを添加して未反応のオクチルブロミドを、ヘキサンに抽出除去し、次いで抽残液を減圧下で濃縮し、液状のジアリルドデシルメチルアンモニウム=ブロミドを53.5g(収率92.0%)得た。
得られたジアリルドデシルメチルアンモニウム=ブロミド37.6g(0.104モル)とイオン交換水59.8gを混合した後、ヘキサフルオロリン酸カリウム 19.7g(0.106モル)を添加し、室温で4時間攪拌アニオン交換させた。反応終了後、有機層を分液操作により分離し、得られた有機層をイオン交換水61.1gで2回洗浄した。有機層を減圧下で乾燥し、液状のジアリルドデシルメチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート44.3g(収率92.0%)を得た。
以下にジアリルドデシルメチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファートのNMRデータを示す。
多官能アクリレートモノマーとしてトリペタエリスリトールオクタアクリレート(T−PE−A)20g、帯電防止付与性モノマーとして実施例1で得られたジアリルオクチルメチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファート10g、光開始剤として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン1g及び溶媒(イソプロパノール10gとトルエン10gの混合溶媒)を混合して、均一で透明な紫外線硬化型コート剤を調製した。このコート剤を用いて、ポリカーボネート上にバーコーダーを用いて乾燥厚み約5μmで被膜を作成した後、80℃で20分間乾燥させ、高圧水銀灯下120W/cmで1J/cm2紫外線を照射し、硬化させて評価用サンプルを作製した。作製した評価用サンプルを23℃、50%RHの雰囲気中に24時間保持した後、23℃、50%RHで硬化被膜面の表面抵抗値を測定した。その結果を表1に示す。
ジアリルオクチルメチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファートに代えて、ジアリルドデシルメチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファートを使用した以外は、応用例1と同様にして均一で透明な紫外線硬化型コート剤を調製した。次いで応用例1と同様にして評価用サンプルを作製し、その表面抵抗値を測定した。その結果を表1に示す。
アンモニウム塩(1)を添加しない以外は、応用例1と同様にして評価用サンプルを作製し、その表面抵抗値を測定した。その結果を表1に示す。
ジアリルオクチルメチルアンモニウム=ヘキサフルオロフォスファートに代えて、2−ヒドロキシ−3−メタクリロイルオキシプロピルトリメチルアンモニウム=クロリドを使用した以外は、応用例1と同様にして紫外線硬化型コート剤を調製したが、均一な紫外線硬化型コート剤を得ることができず、表面抵抗値を測定することができなかった。
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