JP2010185920A - 配向膜の検査装置、配向膜の検査方法及び電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、配向膜の傷の有無を判定することのできる配向膜の検査装置、配向膜の検査方法及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、電気光学装置用の基板上に形成された配向膜を検査する配向膜の検査装置であって、前記配向膜上に液晶を塗布する塗布部と、前記液晶が塗布された前記基板の両側に配置される第１偏光板及び第２偏光板と、前記第１偏光板を介して前記液晶が塗布された状態の前記配向膜に光を入射させる照明部と、前記第２偏光板を介して前記配向膜を撮像し画像を生成する撮像部と、前記画像に所定の画像処理を行う画像処理部と、を具備することを特徴とする。
【選択図】図６

Description

本発明は、配向膜を具備してなる電気光学装置について、配向膜の検査装置、配向膜の検査方法及び電気光学装置の製造方法に関する。

電気光学装置である液晶装置は、ガラス基板、石英基板等の一対の基板間に液晶を挟持して構成される。液晶装置は、一方の基板に、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下、ＴＦＴと称する）等の能動素子をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向する電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることによって、画像表示を可能にする。

両基板間に挟持された液晶層の配向は、少なくとも一方の基板の液晶層に接する面に形成された配向膜により決定される。配向膜は、例えばポリイミドを約数十ナノメートルの厚さだけ塗布してポリイミド膜を形成し、該ポリイミド膜の表面に細かい溝を形成することにより形成される。

ポリイミド膜に細かい溝を形成する方法としては、ラビング処理が一般的である。ラビング処理とは、ラビング布が表面に貼着されたラビングローラを、ポリイミド膜上において回転しながら直線的に移動させることによって、細かい溝を形成するものである。

例えば、ラビング布の製造ロットが変わった場合、ラビング布の毛の堅さや織り方が変化してしまうことに起因して、配向膜に傷が生じたり、ラビングの状態にばらつきが生じてしまうことがある。

配向膜の傷やラビング状態のばらつきは液晶装置の不良の原因となるため、液晶装置の製造工程においては早期に発見されることが好ましい。例えば、特開平１０−２６７５９号公報には、配向膜に一定の偏光状態の単色光を入射させ、このときに生じる透過光の二色比を測定することにより、配向膜の状態を評価する技術が開示されている。また、特開２０００−４７２１３号公報には、ラビング布が所望の特性を有するか否かを評価する技術が開示されている。

特開平１０−２６７５９号公報 特開２０００−４７２１３号公報

しかしながら、特開２０００−４７２１３号公報に開示されているような技術を用いて、使用前のラビング布の特性を測定しラビング布を選別した場合においても、配向膜に傷が発生してしまうことがある。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、配向膜の傷の有無を判定することのできる配向膜の検査装置、配向膜の検査方法及び電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る配向膜の検査装置は、電気光学装置用の基板上に形成された配向膜を検査する配向膜の検査装置であって、前記配向膜上に液晶を塗布する塗布部と、前記液晶が塗布された基板の両側に配置される第１偏光板及び第２偏光板と、前記第１偏光板を介して前記液晶が塗布された状態の前記配向膜に光を入射させる照明部と、前記第２偏光板を介して前記配向膜を撮像し画像を生成する撮像部と、前記画像に所定の画像処理を行う画像処理部と、を具備することを特徴とする。

また、本発明にかかる配向膜の検査方法は、電気光学装置用の基板上に形成された配向膜を検査する配向膜の検査方法であって、前記配向膜上に液晶を塗布する塗布工程と、前記液晶が塗布された前記配向膜に第１偏光板により偏光された光を入射させ、前記配向膜を第２偏光板を介して撮像し画像を取得する撮像工程と、前記画像に基づいて前記配向膜を評価する評価工程と、を具備することを特徴とする。

本発明のこのような構成によれば、配向膜の傷を画像として捉えることが可能となり、得られた画像を用いて配向膜の傷の存在の有無を判定することができる。

また、本発明の配向膜の検査装置は、前記画像を表示する表示部を具備することが好ましい。

このような構成によれば、人物による目視による判断を併用することができ、より確実に配向膜の傷の存在の有無を判定することができる。

また、本発明にかかる電気光学装置の製造方法は、基板上に配向膜を具備する電気光学装置の製造方法であって、所定の検査時期において前記配向膜の検査方法により前記配向膜を検査することを特徴とする。

本発明のこのような構成によれば、配向膜の傷に起因する電気光学装置の不良の発生を防止することができる。

また本発明の電気光学装置の製造方法は、前記配向膜は、樹脂膜にラビング処理を施すことにより形成されるものであって、前記所定の検査時期は、前記ラビング処理に用いられるラビング布の製造ロットの変更直後であることが好ましい。

このような構成によれば、ラビング布の製造ロットの変更に伴うラビング布の特性の変化によって発生し得る配向膜の不良の未然に防止することができ、電気光学装置の歩留まりを向上させることが可能となる。

ＴＦＴアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。 図１のＨ−Ｈ’断面図である。 電気光学装置の製造方法のフローチャートである。 ラビング工程の詳細を示すフローチャートである。 配向膜検査工程の詳細を示すフローチャートである。 配向膜の検査装置の概略的な構成を説明するための図である。 配向膜に傷がある場合の検査用画像の例を示す図である。

以下に、本発明の好ましい形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図においては、各構成要素を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各構成要素毎に縮尺を異ならせてあるものであり、本発明は、これらの図に記載された構成要素の数量、構成要素の形状、構成要素の大きさの比率、及び各構成要素の相対的な位置関係のみに限定されるものではない。

まず、本実施形態の電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここで、図１はＴＦＴアレイ基板を、その上に構成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。ここでは、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の透過型液晶表示装置を例にとる。

電気光学装置１００は、ガラスもしくは石英等からなるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を挟持してなり、液晶の配向状態を変化させることにより、画像表示領域１０ａに対向基板２０側から入射する光を変調しＴＦＴアレイ基板１０側から出射することで、画像表示領域１０ａにおいて画像を表示するものである。

本実施形態に係る電気光学装置１００では、互いに対向して配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間でありシール材５２により囲まれた領域内には、液晶５０が充填されている。シール材５２は、紫外線硬化型樹脂もしくは熱硬化型樹脂からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上又は対向基板２０上の少なくとも一方に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化されたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔を所定値とするためのグラスファイバあるいはガラスビーズ等のギャップ材が散らばって配設されている。

本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を充填するための方法の一例として、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とをシール材５２により貼り合わせた後に、シール材５２に設けられた開口部である液晶注入口１１０から液晶５０を充填する液晶注入方式を用いるものとする。なお、液晶注入口１１０は、複数設けられるものであってもよい。

また、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を充填する方法は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のいずれかにシール材５２を設け、該シール材５２の内側に所定量の液晶５０を滴下した後にＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる滴下貼り合わせ方式であってもよい。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。なお、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。また、本実施形態においては、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、額縁遮光膜５３より以遠を周辺領域として規定する。

周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、かつ額縁遮光膜５３に覆われるように設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺、すなわちデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に対向する辺に沿って設けられ、額縁遮光膜５３に覆われるように設けられた複数の配線１０５によって、二つの走査線駆動回路１０４は互いに接続されている。

また、対向基板２０の４つのコーナー部には、ＴＦＴアレイ基板１０との電気的接続を行う上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらの上下導通材１０６に対応する領域において上下導通端子が設けられている。上下導通材１０６と上下導通端子を介して、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な接続が行われる。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜１６が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜２２が形成されている。

本実施形態では一例として、配向膜１６及び２２は、樹脂膜であるポリイミド膜（以下、ＰＩ膜と称する）にラビング処理を施すことにより形成されるものとする。なお、配向膜１６及び２２は、ポリイミド以外の樹脂膜にラビング処理を施すことによって形成されるものであってもよいし、ＳｉＯ２等の無機膜を斜方蒸着することにより形成されるいわゆる無機配向膜であってもよい。

液晶５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、一対の配向膜１６及び２２の間で、所定の配向状態をとる。液晶５０の液晶の配向状態に応じて、対向基板２０側から入射しＴＦＴアレイ基板１０側から出射する光の偏光状態が変化する。

また、図示しないが対向基板２０の入射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の方向で配置されている。この一対の偏光板により電気光学装置１００の画像表示領域１０ａを透過する光の透過率が液晶の配向状態に応じて変化するのである。

次に、電気光学装置１００の製造方法について、具体的には配向膜１６、２２の検査方法を主に説明する。

図３は、電気光学装置の製造方法のフローチャートである。図４は、ラビング工程の詳細を示すフローチャートである。図５は、配向膜検査工程の詳細を示すフローチャートである。図６は、配向膜の検査装置の概略的な構成を説明するための図である。

まず、ステップＳ１１の積層構造形成工程において、ＴＦＴアレイ基板１０上に、例えばＣＶＤ法やスパッタリング等による成膜、フォトリソグラフィー等によるパターニング、熱処理などによって、データ線や走査線、ＴＦＴ等を形成し、さらにその最上層に、ＩＴＯからなる画素電極９ａを形成する。

次に、ステップＳ１２のＰＩ膜形成工程において、スピンコート法等により、ＴＦＴアレイ基板１０にＰＩからなる膜を形成する。

そして、ステップＳ１３のラビング工程において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＰＩ膜にラビング処理を施すことにより配向膜１６を形成する。ラビング処理は、ラビング布が表面に貼着されたラビングローラを、ＰＩ膜に接した状態において回転させながら所定の方向に相対的に移動させることによって、ＰＩ膜表面に微細な溝を形成するものである。

この、ステップＳ１２及びステップＳ１３は、本実施形態における配向膜形成工程を構成するものである。

一方、対向基板２０についてもステップＳ２１の積層構造形成工程において、対向基板２０上に、例えばＣＶＤ法やスパッタリング等による成膜、フォトリソグラフィー等によるパターニング等によって、遮光膜２３及び対向電極２１等を形成する。

次に、ステップＳ２２のＰＩ膜形成工程において、スピンコート法等により、対向基板２０にＰＩからなる膜を形成する。そして、ステップＳ２３のラビング工程において、対向基板２０上のＰＩ膜にラビング処理を施すことにより配向膜２２を形成する。

この、ステップＳ２２及びステップＳ２３は、本実施形態における配向膜形成工程を構成するものである。

そして、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０について上記工程が終了した後、ステップＳ３１の貼り合わせ工程において、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とをシール材５２を介して、位置決めした状態で貼り合わせる。

次に、ステップＳ３２の液晶充填工程において、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に、シール材５２に設けられた液晶注入口１１０から液晶５０を充填し、液晶注入口１１０を封止する。

なお、滴下貼り合わせ方式によりＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を充填する場合には、ステップＳ３１の貼り合わせ工程とステップＳ３２の液晶充填工程は同時に行われる。

以上に説明した工程により、電気光学装置１００が完成する。次に、上述したステップＳ１３及びステップＳ２３における、ラビング工程について詳細に説明する。

図４は、ラビング工程の詳細を示すフローチャートである。図５は、配向膜検査工程の詳細を示すフローチャートである。図６は、配向膜の検査装置の概略的な構成を説明するための図である。

本実施形態のラビング工程では、まず、ステップＳ４１において、ラビング処理に用いるラビングローラの検査を行うべき検査時期であるか否かを判定し、検査時期である場合にはステップＳ４２へ移行し、検査時期でない場合にはＳ４５へスキップする。

ここで、ラビングローラの検査を行うべき検査時期とは、自動又は手動により適宜に定められるものであり特に限定されるものではないが、本実施形態では、ラビングローラに使用されるラビング布の製造ロットが変化した直後とする。すなわち、本実施形態では、ラビングローラに貼着されるラビング布の製造ロットが変化した場合に、ステップＳ４１からステップＳ４２へ移行する。

なお、ラビングローラの検査時期は、ラビングローラを所定の回数だけ交換した直後として定められるものであってもよいし、所定の時間の経過毎に定期的に定められるものであってもよい。

ステップＳ４１の判定において、検査時期ではないと判定した場合には、ステップＳ４５へ移行し、ＴＦＴアレイ基板１０又は対向基板２０を図示しないラビング装置内に搬入する。そして、ステップＳ４６において、ＴＦＴアレイ基板１０又は対向基板２０のＰＩ膜に対してラビング処理を施し、ステップＳ４７においてＴＦＴアレイ基板１０又は対向基板２０をラビング装置から搬出して当該ラビング工程を終了する。

一方、ステップＳ４１の判定において、検査時期であると判定した場合には、ステップＳ４２において、配向膜検査工程を実施する。ステップＳ４２の配向膜検査工程の詳細は後述するものとするが、概略的には、後述する検査装置２００により当該ラビング工程によって形成される配向膜１６又は２２の表面の傷の有無等を検査し、配向膜１６又は２２の状態の良、不良を判定する工程である。

ステップＳ４２の配向膜検査工程において、配向膜１６又は２２の状態は良であると判定された場合には（ステップＳ４３のＹＥＳ）、ステップＳ４５へ移行し上述したようにＴＦＴアレイ基板１０又は対向基板２０にラビング処理を施す。

一方、ステップＳ４２の配向膜検査工程において、配向膜１６又は２２の状態は不良であると判定された場合には（ステップＳ４３のＮＯ）、ステップＳ４４において、ラビング装置を停止し、音及び光等によりラビング装置の異常を知らせる警告を出力する。

次に、上述したステップＳ４２の配向膜検査工程について詳細に説明する。

配向膜検査工程では、図６に示す検査装置２００が使用される。検査装置２００は、基板保持部２１０、塗布部２４０、表示部２０３、第１偏光板２２１、第２偏光板２２２、照明部２２０、撮像部２３０、制御部２０１及び表示部２０３を具備してなる。

基板保持部２１０は、ガラスもしくは石英等からなる検査用基板２５１を載置可能な載置面２１２を有し、載置面２１２上に載置された検査用基板２５１を保持した状態で検査装置２００内にて移動可能に構成されている。

ここで、検査用基板２５１は、一方の面上にラビング処理が行われた状態のＰＩ膜、すなわち配向膜２５２が配設されているものとする。本実施形態では、一例として検査用基板２５１は、電気光学装置１００に用いられるＴＦＴアレイ基板１０又は対向基板２０と同一のものとする。検査用基板２５１は、基板保持部２１０の載置面２１２上に、配向膜２５２を上方に向けて載置される。

基板保持部２１０の載置面２１２には貫通孔である開口部２１１が形成されている。載置面２１２上に検査用基板２５１を載置した状態において、該開口部２１１を介して、検査用基板２５１の少なくとも一部が下方に露出する。

基板保持部２１０は、図示しない駆動機構を具備しており、後述する塗布部２４０及び撮像部２３０との間において移動可能に構成されている。また、図示しないが、検査装置２００には、検査用基板２５１を基板保持部２１０との間で授受する搬入搬出装置が設けられている。

塗布部２４０は、基板保持部２１０に保持された検査用基板２５１の配向膜２５２の少なくとも一部に液晶２５０を所定の膜厚で塗布する装置である。配向膜２５２上に液晶２５０を塗布する方法は、特に限定されるものではないが、例えばインクジェット法やスピンコート法等が適用され得る。

また、塗布部２４０により配向膜２５２に塗布される液晶２５０は、電気光学装置１００に用いられる液晶５０と同一の種類であることが好ましいが、異なる種類のものであってもよい。

照明部２２０は、光源を有し、基板保持部２１０に保持された検査用基板２５１に、開口部２１１を介して光を照射する装置である。照明部２２０から出射される光は、後述する撮像部２３０が撮像可能な波長の領域内であれば特に限定されるものではなく、白色光であってもよいし単色光であってもよい。

基板保持部２１０と照明部２２０との間であって、照明部２２０から出射される光の光軸上には第１偏光板２２１が配設されている。すなわち、照明部２２０は、第１偏光板２２１を介して検査用基板２５１の配向膜２５２に光を照射する装置である。また図示しないが、第１偏光板２２１には、第１偏光板２２１を照明部２２０から出射される光の光軸周りに回動させる回動機構が配設されている。

撮像部２３０は、ＣＣＤイメージセンサーやＣＭＯＳイメージセンサー等の撮像素子と、該撮像素子の受光面上に光学像を結像するための光学系部材、撮像素子の出力を映像信号に変換する電子回路等を具備し、静止画像又は動画像を撮像可能な装置である。

撮像部２３０は、基板保持部２１０に保持された検査用基板２５１を、照明部２２０とは反対側、本実施形態では上方から撮像可能な位置に配設されている。より具体的には、撮像部２３０は、照明部２２０の出射する光の光軸上に配設されている。

すなわち、照明部２２０から出射され、基板保持部２１０に保持された検査用基板２５１に入射した光の少なくとも一部は、検査用基板２５１を透過した後に撮像部２３０に入射する。

基板保持部２１０と撮像部２３０との間には、第２偏光板２２２が配設されている。すなわち、撮像部２３０は、第２偏光板２２２を介して、検査用基板２５１の配向膜２５２を撮像可能に構成されている。また図示しないが、第２偏光板２２２には、第２偏光板２２２を回動させる回動機構が配設されている。

制御部２０１は、以上に述べた検査装置２００の各部の動作を、所定のプログラムに基づいて制御する装置であり、例えば演算装置、記憶装置及び入出力装置等を具備して構成されるコンピュータにより構成される。制御部２０１には、撮像部２３０により撮像された画像に所定の画像処理を行う画像処理部２０２が配設されている。表示部２０４は、液晶表示装置等の画像を表示可能な画像表示装置である。

次に、上述した検査装置２００を用いて行われる配向膜検査工程の詳細を説明する。なお以下の説明では、ステップＳ２３の対向基板２０に形成されたＰＩ膜のラビング工程中における配向膜検査工程について説明するものとする。

本実施形態の配向膜検査工程では、まず、ステップＳ５１において、検査用基板２５１を作成する。本実施形態では、検査用基板２５１は、対向基板２０と同一のものであることから、ステップＳ５１においては、ステップＳ２２において対向基板２０に形成されたＰＩ膜に対して、現在ラビング装置に装着されているラビングローラを用いてラビング処理を施すことにより検査用基板２５１が形成される。

言い換えれば、ステップＳ５１では、ステップＳ４１において検査時期であると判定されたラビングローラを用いて、検査用基板２５１上のＰＩ膜にラビング処理を施し、配向膜２５０を形成する。検査用基板２５１を検査装置２００内に搬入し、ステップＳ５２へ移行する。

次に、ステップＳ５２の液晶塗布工程において、塗布部２４０により検査用基板２５１の配向膜２５２上に液晶２５０を所定の厚さで塗布する。液晶２５０の塗布後、基板保持部２１０を撮像部２３０と照明部２２０との間に移動させる。

次に、ステップＳ５３の撮像工程において、照明部２２０から出射され第１偏光板２２１により偏光された光を液晶２５０が塗布された配向膜２５２に入射させ、当該配向膜２５２を、第２偏光板２２２を介して撮像部２３０により撮像する。撮像部２３０により撮像された画像は制御部２０１へ出力される。

ここで、撮像部２３０は、第１偏光板２２１及び第２偏光板２２２の回転位置を変更しながら複数の条件において撮像を行う。制御部２０１は、画像処理部２０２を用いて、入力された画像のコントラスト値を算出し、コントラスト値が最も高い画像を検査用画像として選択する。

なお、第１偏光板２２１及び第２偏光板２２２の回転位置を変更しながら撮像し、目視により表示装置２０４に表示される画像の明暗が最もはっきりとする条件を手動で決定する形態であってもよい。

次に、ステップＳ５４の評価工程において、検査用画像に対し画像処理部２０２による所定の画像処理を行い、評価値を算出する。ここで、評価値とは、例えば検査用画像の輝度ムラの大小の度合いを数値化したものである。このような評価値は、検査用画像の輝度のヒストグラムから算出することが可能である。

具体的には、検査用基板２５１の配向膜２５２のラビングの状態が均一、すなわち配向膜２５２に傷がない場合には液晶２５０が均一に配向されるため、検査用画像内の輝度ムラは小さくなる。一方、検査用基板２５１の配向膜２５２に傷が存在する場合、傷の存在する領域において液晶２５０の配向に乱れが生じるため、図７に例示するように、検査用画像中の傷に対応する領域が明るい領域又は暗い領域として現れる。したがって、検査用基板２５１の配向膜２５２に傷が存在する場合には、検査用画像の輝度ムラが大きくなるため、評価値も大きくなる。

次に、ステップＳ５５の結果出力工程において、上述した評価値に基づき検査用基板２５１の配向膜２５２の良、不良を検査結果として出力する。例えば、評価値が所定のしきい値以上である場合に、配向膜２５２は不良であるとの検査結果を出力し、当該配向膜検査工程を終了する。

以上のように、本実施形態では、液晶２５０が塗布された配向膜２５２に第１偏光板２２１により偏光された光を入射させた状態において、配向膜２５２を第２偏光板２２２を介して撮像することにより、配向膜２５２の傷を画像として捉えることが可能となり、得られた画像を用いて配向膜２５２の傷の存在の有無を判定することができる。

また、以上に述べた配向膜検査工程を備える本実施形態の電気光学装置の製造方法によれば、例えばラビング布の製造ロットの変更直後やラビングローラの交換直後に、配向膜検査工程を実施することによって、ラビング布やラビングローラの不具合により発生する配向膜の不良を検出することができる。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う配向膜の検査装置、配向膜の検査方法及び電気光学装置の製造方法の技術的範囲に含まれるものである。

例えば、電気光学装置は、透過型の液晶パネルに限らず、半透過型又は反射型の液晶パネルにも適用できる。反射型の液晶パネルとしては、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ(Liquid Crystal On Silicon)がある。

２００ 検査装置、
２０１ 制御部、
２０２ 画像処理部、
２０４ 表示部、
２１０ 基板保持部、
２１１ 開口部、
２２０ 照明部、
２２１ 第１偏光板、
２２２ 第２偏光板、
２３０ 撮像部、
２４０ 塗布部、
２５０ 液晶、
２５１ 検査用基板、
２５２ 配向膜。

Claims (5)

1. 電気光学装置用の基板上に形成された配向膜を検査する検査装置であって、
   前記配向膜上に液晶を塗布する塗布部と、
   前記液晶が塗布された前記基板の両側に配置される第１偏光板及び第２偏光板と、
   前記第１偏光板を介して前記液晶が塗布された状態の前記配向膜に光を入射させる照明部と、
   前記第２偏光板を介して前記配向膜を撮像し画像を生成する撮像部と、
   前記画像に所定の画像処理を行う画像処理部と、
   を具備することを特徴とする配向膜の検査装置。
2. 前記画像を表示する表示部を具備することを特徴とする請求項１に記載の配向膜の検査装置。
3. 電気光学装置用の基板上に形成された配向膜を検査する配向膜の検査方法であって、
   前記配向膜上に液晶を塗布する塗布工程と、
   前記液晶が塗布された前記配向膜に第１偏光板により偏光された光を入射させ、前記配向膜を第２偏光板を介して撮像し画像を取得する撮像工程と、
   前記画像に基づいて前記配向膜を評価する評価工程と、
   を具備することを特徴とする配向膜の検査方法。
4. 基板上に配向膜を具備する電気光学装置の製造方法であって、
   所定の検査時期において前記請求項３に記載の配向膜の検査方法により前記配向膜を検査することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
5. 前記配向膜は、樹脂膜にラビング処理を施すことにより形成されるものであって、
   前記所定の検査時期は、前記ラビング処理に用いられるラビング布の製造ロットの変更直後であることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。