JP2010182943A - 窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1上に核生成層2を形成し、その核生成層2上に第一の窒化物半導体層3を形成し、その第一の窒化物半導体層3上に、前記第一の窒化物半導体層3よりも電子親和力の小さい第二の窒化物半導体層4を形成する窒化物半導体エピタキシャルウェハ10の製造方法において、前記第一の窒化物半導体層3を形成する際の成長温度が、前記第二の窒化物半導体層4を形成する際の成長温度よりも低くするものである。
【選択図】図1
Description
その後に、窒化アルミニウム層(核生成層2)上に、同一のMOCVD装置を引き続き使用し、また原料としてアンモニアガスとTMG(Tri Methyl Gallium)を用いて、例えば膜厚1000nmの窒化ガリウム層(第一の窒化物半導体層3)を形成することができる。
2 核生成層
3 第一の窒化物半導体層
4 第二の窒化物半導体層
10 窒化物半導体エピタキシャルウェハ
Claims (6)
- 基板上に核生成層を形成し、その核生成層上に第一の窒化物半導体層を形成し、その第一の窒化物半導体層上に、前記第一の窒化物半導体層よりも電子親和力の小さい第二の窒化物半導体層を形成する窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、
前記第一の窒化物半導体層を形成する際の成長温度を、前記第二の窒化物半導体層を形成する際の成長温度よりも低くすることを特徴とする窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法。 - 前記第二の窒化物半導体層を形成する際の成長温度を980℃以上1100℃以下とし、かつ、前記第一の窒化物半導体層を形成する際の成長温度を、前記第二の窒化物半導体層を形成する際の成長温度よりも20℃以上低くする請求項1に記載の窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記第二の窒化物半導体層を形成する際の成長温度を980℃以上1100℃以下とし、かつ、前記第一の窒化物半導体層を形成する際の成長温度を、前記第二の窒化物半導体層を形成する際の成長温度よりも40℃以上低くする請求項1に記載の窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記基板が、炭化ケイ素、サファイア、シリコンのいずれかからなる請求項1〜3のいずれかに記載の窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記第一の窒化物半導体層が、窒化ガリウムからなる請求項1〜4のいずれかに記載の窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記第二の窒化物半導体層が、ガリウム成分が90%以上の窒化アルミニウムガリウムからなる請求項1〜5のいずれかに記載の窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法。
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Citations (5)
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---|---|---|---|---|
JPH08148718A (ja) * | 1994-09-19 | 1996-06-07 | Toshiba Corp | 化合物半導体装置 |
JP2000077783A (ja) * | 1998-08-27 | 2000-03-14 | Nec Corp | インジウムを含む窒化物半導体結晶の成長方法 |
JP2001077480A (ja) * | 1999-09-06 | 2001-03-23 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2004288893A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Toshiba Corp | 3族窒化物半導体の積層構造、その製造方法、及び3族窒化物半導体装置 |
WO2008116046A1 (en) * | 2007-03-20 | 2008-09-25 | Velox Semiconductor Corporation | High voltage gan-based heterojunction transistor structure and method of forming same |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08148718A (ja) * | 1994-09-19 | 1996-06-07 | Toshiba Corp | 化合物半導体装置 |
JP2000077783A (ja) * | 1998-08-27 | 2000-03-14 | Nec Corp | インジウムを含む窒化物半導体結晶の成長方法 |
JP2001077480A (ja) * | 1999-09-06 | 2001-03-23 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2004288893A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Toshiba Corp | 3族窒化物半導体の積層構造、その製造方法、及び3族窒化物半導体装置 |
WO2008116046A1 (en) * | 2007-03-20 | 2008-09-25 | Velox Semiconductor Corporation | High voltage gan-based heterojunction transistor structure and method of forming same |
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