JP2010175551A - 検査装置及び検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被検査体1に光を照射する第一の光照射部600と、該被検査体1からの散乱光を検出する第一の検出器770と、前記被検査体1に光を照射する第二の光照射部920と、前記第二の光照射部920の光によって前記被検査体1から反射した光を検出する第二の検出器910と、前記被検査体を移動させる被検査体移動ステージ410と、前記光が照射される位置の位置座標の情報を出力する検査座標検査部450と、前記第二の検出器910からの検出信号に基づいて前記被検査体1の高さ情報を出力する昇降駆動制御回路940と、前記検査座標検査部450からの位置座標の情報と前記昇降駆動制御回路940からの高さ情報に基づいて前記被検査体1のそり量を算出するデータ処理部500を備えた。
【選択図】図2
Description
また、検出されたウェーハの変形状態に対するウェーハ形状の矯正については考慮がなされていないため、変形に対するオートフォーカス機構の追従性が低下し、ウェーハ表面に照射される垂直照射ビームスポット及び斜方照射ビームスポットの焦点ズレや照射位置ズレによって異物や欠陥の検出感度や位置座標精度が低下する。検査中のウェーハの変形が著しい場合には、微小な異物や欠陥は、検出できないという課題がある。
めに、仰角を略30度以上(ウェーハ面を基準)、望ましくは35度から65度の範囲に配置されている。
この光源により、特定波長で正反射光を得られなくとも、その他の波長から反射光を受光可能となり、上下動位置を安定して検出できるようになる。白色光源としては、例えば白色レーザ,白色発光ダイオード,キセノンランプ,水銀ランプ,メタルハイドランプ,ハロゲンランプなどを用いることができる。
Hは所定の検査面高さとの距離を表し、その符号は、所定の検査面高さに対して、高いか低いかの位置関係を示している。
表示の形態については、ここで特に限定されるものではないが、オペレータの好みに応じて、前述以外の表示方法も含め、表示選択機能1060により選択可能となっている。
100 ロードポート
110 ウェーハポッド
200 搬送部
210 搬送装置
220 ハンドリングアーム
230 固持側壁部
240 把持ブロック
250 Y軸搬送ユニット
300 プリアライメント部
310 載置台
320 センサー
400 検査部
410 被検査体移動ステージ
411 チャック
412 保持爪
413 リム
414 内部空間
415 ガス供給部
416 ガス供給経路
417 エアーギャップ形成部
418 排気口
420 回転駆動機構
430 昇降駆動機構
440 進退駆動機構
450 検査座標検出部
500 データ処理部
510 コントローラ
511 演算処理装置
512 記憶装置
513 制御装置
520 入力装置
530 表示装置
540 出力装置
550 外部記憶装置
600 第一光照射部
651 レーザ光源
652 シャッタ
653 アッテネータ
654 光軸補正機構
655 照射方向切換え機構
656a,656b ビーム成形機構
657a〜657g ミラー
658 光ビーム
660 出射部
710,910 第二検出器
720,920 第二光照射部
770 第一検出部
771〜780 PMT
800 ガス制御系
801 流量制御器
802 遮断弁
803 電磁弁
804 フィルター
805 配管
820 設定画面
821 流量設定表示部
822 種別選択表示部
823 流量補正表示部
824 スローアップ設定表示部
825 タイミング設定表示部
900 高さ位置制御部
930a,930b 増幅器
940 昇降駆動制御回路
950 A/D変換機
960 照射位置制御機構
1000 表示設定画面
1010 結果表示機能
1020,1120,1140 ポインター
1030 形状表示機能
1040 基点
1050 反り状態表示機能
1060 表示選択機能
1070 供給ガス量試算機能
1080 目標設定機能
1090 条件設定機能
1100 処理指示機能
1110 結果表示機能
1130 試算モード選択機能
Claims (16)
- 被検査体に光を照射する第一の光照射部と、
該被検査体からの散乱光を検出する第一の検出器と、
前記被検査体に光を照射する第二の光照射部と、
前記第二の光照射部の光によって前記被検査体から反射した光を検出する第二の検出器と、
前記第一の光照射部の光と前記第二の光照射部の光が前記被検査物上の照射される位置を変わるように前記被検査体を移動させる被検査体移動ステージと、
前記被検査体の裏面から流量制御したガスを供給するガス供給部と、
前記第二の光照射部の光が照射される位置座標の情報を出力する検査座標検査部と、
前記第二の検出器からの検出信号に基づいて前記被検査体の高さ情報を出力する昇降駆動制御回路と、
前記検査座標検査部からの位置座標の情報と前記昇降駆動制御回路からの高さ情報に基づいて前記被検査体の変形状態を算出するデータ処理部と
を備えたことを特徴とする検査装置。 - 被検査体に光を照射して検査する検査装置において、
前記被検査体の変形状態を算出するデータ処理部を有することを特徴とする検査装置。 - 被検査体に光を照射する第一の光照射部と、
該被検査体からの散乱光を検出する第一の検出器と、
前記被検査体に光を照射する第二の光照射部と、
前記第二の光照射部の光によって前記被検査体から反射した光を検出する第二の検出器と、
前記第一の光照射部の光と前記第二の光照射部の光が前記被検査物上の照射される位置を変わるように前記被検査体を移動させる被検査体移動ステージと、
前記被検査体の裏面から流量制御したガスを供給するガス供給部と、
前記第二の光照射部の光が照射される位置座標の情報を出力する検査座標検査部と、
前記第二の検出器からの検出信号に基づいて前記被検査体の高さ情報を出力する昇降駆動制御回路と、
前記検査座標検査部からの位置座標の情報と前記昇降駆動制御回路からの高さ情報に基づいて前記被検査体の変形状態を算出するデータ処理部と
を備えたことを特徴とする検査装置。 - 被検査体に光を照射して検査する検査装置において、
前記被検査体の形状を矯正する矯正手段を有することを特徴とする検査装置。 - 請求項4において、
前記矯正手段は、前記被検査体へ支持力を与えることを特徴とする検査装置。 - 請求項4において、
前記矯正手段は、前記被検査体の裏面へガスを供給するガス供給部を有することを特徴とする検査装置。 - 被検査体に光を照射する第一の光照射部と、
該被検査体からの散乱光を検出する第一の検出器と、
前記被検査体に光を照射する第二の光照射部と、
前記第二の光照射部の光によって前記被検査体から反射した光を検出する第二の検出器と、
前記第一の光照射部の光と前記第二の光照射部の光が前記被検査物上の照射される位置を変わるように前記被検査体を移動させる被検査体移動ステージと、
前記被検査体の被検査面の裏側へ流量制御したガスを供給するガス供給部と、
前記第二の検出器からの検出信号に基づいて前記被検査体の高さ情報を出力する昇降駆動制御回路と、
前記検査座標検査部からの位置座標の情報と前記昇降駆動制御回路からの高さ情報に基づいて前記被検査体の変形状態を算出するデータ処理部と、
前記算出された変形状態に基づいて前記ガス供給部に供給するガス流量を制御する流量制御器と
を備えたことを特徴とする検査装置。 - 被検査体に光を照射して検査する検査装置において、
前記被検査体の変形状態を算出するデータ処理部と、
前記被検査体の形状を矯正する矯正手段とを有することを特徴とする検査装置。 - 請求項8において、
前記矯正手段は、前記データ処理部により算出された前記被検査体の変形状態に基づいて、前記被検査体へ支持力を与えることを特徴とする検査装置。 - 請求項9において、
前記矯正手段は、前記データ処理部により算出された前記被検査体の変形状態に基づいて、前記被検査体裏面へのガス流量を制御することを特徴とする検査装置。 - 被検査体に光ビームを走査しながら照射して、前記被検査体からの散乱光を検出する検査方法において、
前記光ビームとは別の第二の光ビームを前記被検査体に照射し、
前記第二の光ビームの反射光によって前記被検査体の高さ情報を採取し、
前記高さ情報に応じて前記被検査体の高さを所定位置に制御し、
前記所定位置への制御情報に基づいて前記被検査体の変形状態を算出する
ことを特徴とする検査方法。 - 被検査体に光を照射して検査する検査方法において、
前記被検査体の変形状態を算出することを特徴とする検査方法。 - 被検査体に光ビームを走査しながら照射して、前記被検査体からの散乱光を検出する検査方法において、
前記被検査体の被検査面の裏側へ流量制御したガスを供給しながら、
前記光ビームとは別の第二の光ビームを前記被検査体に照射し、
前記第二の光ビームの反射光によって前記被検査体の高さ情報を採取し、
前記高さ情報に応じて前記被検査体の高さを所定位置に制御し、
前記所定位置への制御情報に基づいて前記被検査体の変形状態を算出し、
前記算出された変形状態に応じて前記被検査面の裏側へ供給するガス流量を制御する
ことを特徴とする検査方法。 - 被検査体に光を照射して検査する検査方法において、
前記被検査体の変形状態を算出し、
前記被検査体の形状を矯正することを特徴とする検査方法。 - 請求項14において、
前記被検査体の形状を矯正することは、算出された前記被検査体の変形状態に基づいて、前記被検査体へ支持力を与えることである検査方法。 - 請求項15において、
前記被検査体の形状を矯正することは、算出された前記被検査体の変形状態に基づいて、前記被検査体裏面へのガス流量を制御することである検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010048556A JP5194040B2 (ja) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | 表示装置、及び検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010048556A JP5194040B2 (ja) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | 表示装置、及び検査装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008003807A Division JP5241245B2 (ja) | 2008-01-11 | 2008-01-11 | 検査装置及び検査方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013012767A Division JP5657039B2 (ja) | 2013-01-28 | 2013-01-28 | 試料搭載装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010175551A true JP2010175551A (ja) | 2010-08-12 |
JP2010175551A5 JP2010175551A5 (ja) | 2012-05-10 |
JP5194040B2 JP5194040B2 (ja) | 2013-05-08 |
Family
ID=42706636
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010048556A Expired - Fee Related JP5194040B2 (ja) | 2010-03-05 | 2010-03-05 | 表示装置、及び検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5194040B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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WO2021130870A1 (ja) * | 2019-12-24 | 2021-07-01 | 株式会社日立ハイテク | 基板検査装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
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JPWO2021130870A1 (ja) * | 2019-12-24 | 2021-07-01 | ||
JP7331139B2 (ja) | 2019-12-24 | 2023-08-22 | 株式会社日立ハイテク | 基板検査装置 |
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---|---|
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A521 | Written amendment |
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|
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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