TW202101604A - 半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202101604A
TW202101604A TW108145034A TW108145034A TW202101604A TW 202101604 A TW202101604 A TW 202101604A TW 108145034 A TW108145034 A TW 108145034A TW 108145034 A TW108145034 A TW 108145034A TW 202101604 A TW202101604 A TW 202101604A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
die
imaging device
crystal grains
aforementioned
control unit
Prior art date
Application number
TW108145034A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI736055B (zh
Inventor
小橋英晴
保坂浩二
Original Assignee
日商捷進科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商捷進科技有限公司 filed Critical 日商捷進科技有限公司
Publication of TW202101604A publication Critical patent/TW202101604A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI736055B publication Critical patent/TWI736055B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

本發明的課題是提供一種即使在晶圓或晶粒的表面的平坦度無法維持時也可反射照明的光而不使輸入至攝影機的技術。 [解決手段] 半導體製造裝置是具備： 攝取晶粒的攝像裝置； 將前述晶粒對於前述攝像裝置的光學軸，以預定的角度來照射光的照明裝置；及 控制前述攝像裝置及前述照明裝置的控制部。 前述預定的角度是在前述晶粒為平坦時，即使從前述照明裝置照射的光在前述晶粒直接反射也不進入至前述攝像裝置的角度。 前述控制部是被構成為在前述晶粒不平坦時，以從前述照明裝置照射的光會在前述晶粒被直接反射而不進入至前述攝像裝置的方式，使前述攝像裝置、前述照明裝置及前述晶粒的其中至少一個移動。

Description

半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法
本案是有關半導體製造裝置，例如可適用於具備辨識晶粒的攝影機的黏晶機。
在半導體裝置的製造工程的一部分，有將半導體晶片(以下簡稱晶粒)搭載於配線基板或導線架等(以下簡稱基板)而組裝封裝的工程，在組裝封裝的工程的一部分，有從半導體晶圓(以下簡稱晶圓)分割晶粒的工程(切割工程)及將分割後的晶粒搭載於基板上的接合工程。被使用在接合工程的半導體製造裝置為黏晶機。
黏晶機是以焊錫、鍍金、樹脂作為接合材料，將晶粒接合(搭載黏合)於基板或接合於已被接合的晶粒上的裝置。將晶粒例如接合於基板的表面的黏晶機(die bonder)中，使用被稱為夾頭(Collet)的吸附噴嘴來從晶圓吸附拾取晶粒，搬送至基板上，賦予推壓力，且藉由加熱接合材來進行接合的動作(作業)會被重複進行。夾頭是具有吸附孔，吸引空氣，吸附保持晶粒的保持具，具有與晶粒同程度的大小。
為了在從晶圓拾取晶粒之前或將晶粒接合於基板等之後檢查晶圓或晶粒的龜裂等的傷或異物的有無，而利用照明裝置來藉由攝影機進行攝像。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2017-117916號公報
(發明所欲解決的課題)
一般檢查微細的傷時是暗視野方式較佳。為了晶圓表面接近鏡面，進行根據暗視野方式的檢查，是傾斜照射光的照明方式的斜光照明為佳。在暗視野方式的檢查中被要求成為背景的晶圓或晶粒表面會反射照明的光而不使輸入至攝影機。在晶圓或晶粒的表面的平坦度可維持時，即使反射照明的光而不使輸入至攝影機，也會有在晶圓或晶粒有彎曲等晶圓或晶粒的表面的平坦度無法維持時，照明的光反射而被輸入至攝影機的情形。 本案的課題是在於提供一種即使在晶圓或晶粒的表面的平坦度無法維持時也可反射照明的光而不使輸入至攝影機的技術。 其他的課題及新穎的特徵是可由本說明書的記述及附圖明確得知。 (用以解決課題的手段)
若簡單地說明本案之中代表性者的概要，則如下述般。 亦即，半導體製造裝置是具備： 攝取晶粒的攝像裝置； 將前述晶粒對於前述攝像裝置的光學軸，以預定的角度來照射光的照明裝置；及 控制前述攝像裝置及前述照明裝置的控制部。 前述預定的角度是在前述晶粒為平坦時，即使從前述照明裝置照射的光在前述晶粒直接反射也不進入至前述攝像裝置的角度。 前述控制部是被構成為在前述晶粒不平坦時，以從前述照明裝置照射的光會在前述晶粒被直接反射而不進入至前述攝像裝置的方式，使前述攝像裝置、前述照明裝置及前述晶粒的其中至少一個移動。 [發明的效果]
若根據上述半導體製造裝置，則即使在晶圓或晶粒的表面的平坦度無法維持時也可反射照明的光而不使輸入至攝影機。
以下，利用圖面來說明有關實施形態及實施例。但，在以下的說明中，有對於同一構成要素附上同一符號而省略重複的說明的情形。另外，為了使說明更為明確，圖面相較於實際的形態，有關各部的寬度、厚度、形狀等有時模式性表示，但只不過是一例，並非限定本發明的解釋。
在斜光照明的暗視野檢查晶粒的龜裂時，照明和攝影機(攝像裝置)與晶粒的相對位置關係是在保持高檢測率上為重要。如後述般，在斜光照明中，以將入射角儘可能對於晶粒表面形成鉛直的方式配置照明裝置，且將入射角形成直接反射的光(直接光)不射入至攝影機的最大限度的角度為佳。若超過，則在晶粒表面鏡面反射的光源的光是成為直接光而射入至攝影機。因此，在龜裂檢查中，晶粒表面是成為明視野。龜裂與背景的對比(contrast)的確保變難，結果使檢測率惡化。
利用圖1~4來說明有關照明的入射角。圖1是模式性地表示同軸照明的圖。圖2是模式性地表示斜光照明的圖。圖3是模式性地表示斜光照明的入射光及反射光的情況的圖。圖4是模式性地表示比圖3的入射角更小的情況的入射光及反射光的情況的圖。圖5是使用圖4的斜光條照明的攝像畫像例。
如圖1所示般，在同軸照明中，照明裝置CEI是被構成為光會沿著攝影機CMR及透鏡LNS的光學軸OA及半透明反射鏡HM來照射至晶粒D的表面。在此，光學軸OA是對於晶粒D的表面大略垂直，入射角是大略0度。因此，若使用照明裝置CEI以攝影機CMR來攝像，則晶粒D的表面是對於龜裂成為明視野，反射率也接近，對比難取，結果檢測感度不佳。
如圖2所示般，在斜光照明中，照明裝置OBL是被構成為對於攝影機CMR及透鏡LNS的光學軸OA以預定的角度來照射光至晶粒D的表面。在此，將對於光學軸的入射角設為θ。若使用照明裝置OBL以攝影機CMR來攝像，則晶粒D的表面是對於龜裂成為暗視野，反射率也不同，對比容易取得。此照明裝置OBL的入射角越接近鉛直(θ變小)，龜裂與背景的對比差越大，容易進行畫像上的分類(2值化等)，結果檢測感度變佳。
此時，如圖3所示般，被配置成在所欲檢查的晶粒D的表面鏡面反射的光RL不會直接入光至透鏡LNS。將此時的入射角設為θ1。但，若將照明裝置OBL的入射角過接近鉛直，則如圖4所示般，在晶粒D的表面鏡面反射的光RL會入光至透鏡LNS內。若將此時的入射角設為θ2，則0＜θ2＜θ1。因此，如圖5所示般，反射後的區域RA是形成明視野，使檢測感度劣化。因此，照明裝置、攝影機、晶粒的位置關係成為重要。
其次，利用圖6來說明有關斜光照明的課題。圖6(a)是模式性地表示往積層堆疊後的晶粒之斜光照明的入射光及反射光的情況的圖。圖6(b)是圖6(a)的積層堆疊後的晶粒的擴大圖。圖6(c)是圖6(a)的積層堆疊後的晶粒的攝像畫像例。
上述的照明、攝影機、晶粒的位置關係是晶粒的表面的平坦度為某程度平坦時成立。但，依進行NAND快閃記憶體等的積層的晶粒的種類是無法維持平坦度。例如圖6(b)所示般，一邊使晶粒D1，D2，D3，D4堆疊，一邊積層的方法的情況，無下層的支撐的區域NSA是有向上翹起的情況。因此，如圖6(a)所示般，即使照明裝置OBL的照射光的入射角為與圖3相同θ1，在晶粒D4的向上翹起的區域WA中直接反射的光(反射角改變的光)RL1也會進入至透鏡LNS，如圖6(c)所示般，無下層的支撐的區域NSA(向上翹起的區域WA)成為明視野，使檢測感度惡化。
其次，利用圖7來說明有關解決上述課題的實施形態的技術。圖7(a)是模式性地表示往積層堆疊後的晶粒之斜光照明的入射光及反射光的情況的圖。圖7(b)是以視野中心來攝取圖7(a)的積層堆疊後的晶粒的攝像畫像例。圖7(c)是在偏離視野中心的位置攝取圖7(a)的積層堆疊後的晶粒的攝像畫像例。
在實施形態中，以不會將晶粒D的向上翹起的面的反射光取入至透鏡LNS的方式，使攝影機CMR、照明裝置OBL及晶粒D的至少任一個移動。 例如圖7(a)所示般，藉由將攝影機CMR與照明裝置OBL同時移動至同方向(箭號的方向)，使在晶粒D的向上翹起的面反射的光RL1不取入至透鏡。在此，當初(移動前)的照明裝置OBL、攝影機CMR、晶粒D(平坦度被維持者)的位置關係是如圖3所示般，設為在晶粒D的表面不出現明視野的位置。
亦即，如以圖7(a)的虛線所示般，配置有照明裝置OBL、攝影機CMR、晶粒D，晶粒D的中心會被放置於攝影機CMR的視野VF的中心(光學軸OA)。在晶粒D有向上翹起時，在晶粒D的向上翹起的區域中直接反射的光RL1會進入至透鏡LNS，如圖7(b)所示般，成為明視野。
另一方面，如圖7(a)所示般，使攝影機CMR與斜光照明裝置OBL移動，藉由從晶粒D的中心錯開視野VF的中心(光學軸OA)，在晶粒D的向上翹起的區域WA中直接反射的光RL1不會進入至透鏡LNS，如圖7(c)所示般，明視野不會出現。
移動是將攝影機CMR與照明裝置OBL同時進行為理想。因為容易維持攝影機CMR與照明裝置OBL的位置關係。亦可只移動照明裝置OBL，或只移動攝影機CMR，使明視野不會出現在晶粒未彎曲的區域。
又，亦可取代攝影機CMR及/或照明裝置OBL的移動，而移動攝像對象物的被照體。例如，在切割膠帶上晶粒彎曲時移動切割膠帶，或在黏合劑平台上移動基板。
又，移動攝影機CMR與照明裝置OBL時是與亮光的面相反方向為理想。移動被照體時是與亮光的面相同方向為理想。又，視野是持有晶粒大小的2倍程度者為理想。
考慮晶粒的彎曲來變更攝影機位置、照明位置或被照體位置。為了保持檢查感度，形成不接受鏡面反射的直接光的最大限度的入射角為理想，由於可配合被照體的變形來調整位置，因此在晶粒龜裂檢查的檢查感度，可將晶粒的彎曲的影響下的惡化壓到最小限度。
另外，斜光照明通常是成為對面對(pair)而構成，例如可使用二方向的斜光條照明或四方向的斜光條照明。利用圖21來說明有關與圖7(a)的斜光照明對於光學軸OA位於鏡面對象的斜光照明(以下稱為相反側斜光照明)的影響。圖21(a)是模式性地表示往視野移動前的有彎曲的晶粒之相反側斜光照明的入射光及反射光的情況的圖。圖21(b)是模式性地表示往無彎曲的晶粒之相反側斜光照明的入射光及反射光的情況的圖。圖21(c)是模式性地表示往視野移動前後的有彎曲的晶粒之相反側斜光照明的入射光及反射光的情況的圖。
成為對面對的斜光照明是若進行至此說明的視野移動，則如圖21(b)所示般，在無彎曲的晶粒D是直接反射的光(以下稱為正反射光)會被射入至攝影機，結果晶粒D會映現出白色。但，如圖21(c)所示般，在有彎曲的晶粒D是其反射光的傾斜也變大，因此不易受影響。又，當照明為四方向時，正交方向的光源是原本就不受此彎曲的影響。
其次，利用圖8，9來說明有關對於攝像對象物，相對地移動視野時的方法。圖8是說明第一方法的流程圖。圖9是說明第二方法的流程圖。
第一方法是確認是否有彎曲所造成的照射光的直接反射之後相對地移動對於晶粒D的視野之方法。在直接光反射發生時進行相對性的視野移動及再檢查。從直接反射光發生的晶粒上的位置來決定視野的移動方向。適於在向上翹起的位置為不明的晶圓上的晶粒的對應。在此，所謂相對性的視野移動，是藉由移動攝影機CMR及晶粒D的至少一個，攝影機CMR對於晶粒D的視野會移動。藉由相對性的視野移動，攝影機CMR的視野中心與晶粒D的中心會偏離。
如圖8所示般，構件搬送(步驟S11)、藉由圖案匹配等的晶粒定位(步驟S12)之後，利用被內藏於攝影機CMR的照度計來確認晶粒D的表面照度，確認光源的直接光的鏡面反射(照射光的直接反射)的有無(步驟S13)。當有光源的直接光的鏡面反射時，進行相對性的視野移動(步驟S14)。當無光源的直接光的鏡面反射時，進行晶粒D的龜裂及異物的檢查(步驟S15)。另外，亦可先發動晶粒龜裂檢查之後確認是否有光源光的直接反射。又，亦可設置與攝影機CMR不同的照度計，確認晶粒D的表面照度。
第二方法是當晶粒被積層時決定彎曲方向，藉由先從晶粒的積層層數來模仿等，取決移動量偏移(offset)，事前進行相對性的視野移動之方法。
如圖9所示般，構件搬送(步驟S11)、藉由圖案匹配等的晶粒定位(步驟S12)之後、根據定位晶粒的層數來進行相對的視野移動(步驟S24)。下層的晶粒是彎曲少，上層的晶粒是彎曲大，因此隨著形成上層而增加移動量。然後，進行晶粒D的龜裂及異物的檢查(步驟S25)。此方法是亦可追加是否有光源光的直接反射的確認處理而再調整移動量。
另外，即使進行相對性的視野移動，也有不能完全取得直接光反射的區域時。利用圖10來說明有關此。圖10(a)是視野移動前的攝像畫像。圖10(b)是視野移動後的攝像畫像。
如圖10(a)所示般，視野移動前是全被塗白的區域(不可檢查區域)會環狀地出現。如圖10(b)所示般，視野移動前是全被塗白的區域(不可檢查區域)會減少，但留在晶粒的角落。全被塗白的區域是每次作為遮蔽對待，使視野相對地移動，確保全體檢查區域。例如，藉由遮蔽圖10(a)的不可檢查區域來檢查，可確保晶粒的角落的可檢查區域作為檢查區域，藉由遮蔽圖10(b)的不可檢查區域，可確保圖10(a)的不可檢查區域作為檢查區域。因此，可確保晶粒全體作為檢查區域。 [實施例]
圖11是表示實施例的黏晶機的構成的概略上面圖。圖12是說明在圖11中由箭號A方向來看時的概略構成的圖。
黏晶機10是大致區分：供給安裝於基板S(該基板S印刷了成為一個或複數的最終1封裝的製品區域(以下稱為封裝區域P))的晶粒D的晶粒供給部1、拾取部2、中間平台部3、接合部4、搬送部5、基板供給部6、基板搬出部7及監視控制各部的動作的控制部8。Y軸方向為黏晶機10的前後方向，X軸方向為左右方向。晶粒供給部1被配置於黏晶機10的前面側，接合部4被配置於後面側。
首先，晶粒供給部1是供給安裝於基板S的封裝區域P的晶粒D。晶粒供給部1是具有：保持晶圓11的晶圓保持台12、及從晶圓11頂起晶粒D的以點線所示的頂起單元13。晶粒供給部1是藉由未圖示的驅動手段來移動於XY方向，使拾取的晶粒D移動至頂起單元13的位置。
拾取部2是具有：拾取晶粒D的拾取頭21、使拾取頭21移動於Y方向的拾取頭的Y驅動部23、使夾頭22昇降、旋轉及X方向移動的未圖示的各驅動部。拾取頭21是具有將被頂起的晶粒D吸附保持於前端的夾頭22(圖12也參照)，從晶粒供給部1拾取晶粒D，載置於中間平台31。拾取頭21是具有使夾頭22昇降、旋轉及X方向移動的未圖示的各驅動部。
中間平台部3是具有：一時性地載置晶粒D的中間平台31，及用以辨識中間平台31上的晶粒D的平台辨識攝影機32。
接合部4是從中間平台31拾取晶粒D，接合至被搬送來的基板S的封裝區域P上，或以積層於已被接合於基板S的封裝區域P上的晶粒上的形式來接合。 接合部4是具有： 與拾取頭21同樣地將晶粒D吸附保持於前端的夾頭42(圖12也參照)的接合頭41； 使接合頭41移動於Y方向的Y驅動部43； 攝取基板S的封裝區域P的位置辨識標記(未圖示)，辨識接合位置的基板辨識攝影機44；及 將基板辨識攝影機44驅動於X軸方向及Y軸方向的XY驅動部45。 藉由如此的構成，接合頭41是根據平台辨識攝影機32的攝像資料來修正拾取位置･姿勢，從中間平台31拾取晶粒D，根據基板辨識攝影機44的攝像資料來將晶粒D接合於基板S。
搬送部5是具有：將基板S抓住搬送的基板搬送爪51，及基板S移動的搬送道52。基板S是藉由以沿著搬送道52而設的未圖示的滾珠螺桿來驅動被設在搬送道52的基板搬送爪51的未圖示的螺帽而移動。 藉由如此的構成，基板S是從基板供給部6沿著搬送道52來移動至接合位置，接合後，移動至基板搬出部7，將基板S交給基板搬出部7。
控制部8是具備：儲存用以監視控制黏晶機10的各部的動作的程式(軟體)之記憶體，及實行被儲存於記憶體的程式之中央處理裝置(CPU)。
其次，利用圖13、14來說明有關晶粒供給部1的構成。圖13是表示圖11的晶粒供給部的構成的外觀立體圖。圖14是表示圖13的晶粒供給部的主要部的概略剖面圖。
晶粒供給部1是具備：移動於水平方向(XY方向)的晶圓保持台12，及移動於上下方向的頂起單元13。 晶圓保持台12是具有： 保持晶圓環14的膨脹環15；及 被保持於晶圓環14，將黏合有複數的晶粒D的切割膠帶16定位於水平的支撐環17。 頂起單元13是被配置於支撐環17的內側。
晶粒供給部1是在晶粒D的頂起時，使保持晶圓環14的膨脹環15下降。其結果，被保持於晶圓環14的切割膠帶16會被拉伸，晶粒D的間隔會擴大，藉由頂起單元13，從晶粒D下方頂起晶粒D，使晶粒D的拾取性提升。另外，隨著薄型化，將晶粒黏合於基板的黏合劑是從液狀成為薄膜狀，在晶圓11與切割膠帶16之間貼附被稱為晶粒黏結薄膜(DAF(Die Attach Film))18的薄膜狀的黏合材料。就具有晶粒黏結薄膜18的晶圓11而言，切割是對於晶圓11與晶粒黏結薄膜18進行。因此，在剝離工程中，從切割膠帶16剝離晶圓11與晶粒黏結薄膜18。另外，以下是無視晶粒黏結薄膜18的存在來進行說明。
黏晶機10是具有：辨識晶圓11上的晶粒D的姿勢與位置的晶圓辨識攝影機24、辨識被載置於中間平台31的晶粒D的姿勢與位置的平台辨識攝影機32、及辨識接合平台BS上的安裝位置的基板辨識攝影機44。必須修正辨識攝影機間的姿勢偏差的是參與接合頭41的拾取的平台辨識攝影機32，及參與接合頭41的往安裝位置的接合的基板辨識攝影機44。本實施例是與晶圓辨識攝影機24、平台辨識攝影機32及基板辨識攝影機44一起利用後述的照明裝置來進行晶粒D的表面檢查。
其次，利用圖15來說明有關表面檢查的照明。圖15是表示基板辨識攝影機的照明裝置的配置的圖。
對於晶粒D的表面垂直配置基板辨識攝影機44。亦即，使光學軸對於晶粒D的表面形成垂直。斜光照明裝置46是藉由斜光條照明裝置46a，46b的二方向的斜光照明，對於光學軸以預定的角度(θ1)來照射至晶粒D。基板辨識攝影機44及斜光照明裝置46a，46b是被固定於可動部45a，可動部45a是可藉由X驅動部45b來移動於X軸方向，X驅動部45b是可藉由Y驅動部45c來移動於Y軸方向。在此，入射角(θ1)是與圖6同樣。控制部8是藉由XY驅動部45來使基板辨識攝影機44與斜光照明裝置46移動，藉由從晶粒D的中心錯開視野中心，在晶粒D的向上翹起的區域中直接反射的光不會進入至基板辨識攝影機44，明視野可不出現。
晶圓辨識攝影機24及平台辨識攝影機32的照明裝置也與基板辨識攝影機44的照明裝置同樣。但，晶圓辨識攝影機24及其照明裝置與平台辨識攝影機32及其照明裝置是亦可不構成為藉由與XY驅動部45同樣的驅動部來移動。控制部8是不使晶圓辨識攝影機24及其照明裝置移動，使晶圓保持台12或中間平台31移動，藉由從晶粒D的中心錯開視野中心，在晶粒D的向上翹起的區域中直接反射的光不會進入至晶圓辨識攝影機24或平台辨識攝影機32，明視野可不出現。
其次，利用圖16來說明有關控制部8。圖16是表示圖11的黏晶機的控制系的概略構成的方塊圖。
控制系80是具備控制部8，驅動部86，訊號部87及光學系88。控制部8是大致區分，主要具有以CPU (Central Processor Unit)所構成的控制･運算裝置81、記憶裝置82、輸出入裝置83、匯流線84及電源部85。記憶裝置82是具有：以記憶處理程式等的RAM所構成的主記憶裝置82a、及以記憶控制所必要的控制資料或畫像資料等的HDD或SSD等所構成的輔助記憶裝置82b。輸出入裝置83是具有：顯示裝置狀態或資訊等的監視器83a、輸入操作員的指示的觸控面板83b、操作監視器的滑鼠83c、及取入來自光學系88的畫像資料的畫像取入裝置83d。又，輸出入裝置83是具有：控制晶粒供給部1的XY台(未圖示)或接合頭台的ZY驅動軸、基板辨識攝影機的XY驅動軸等的驅動部86之馬達控制裝置83e、及從各種的感測器或照明裝置等的開關等的訊號部87取入訊號或控制的I/O訊號控制裝置83f。在光學系88是含有晶圓辨識攝影機24、平台辨識攝影機32、基板辨識攝影機44。控制･運算裝置81是經由匯流線84來取入必要的資料，加以運算，將資訊送至拾取頭21等的控制或監視器83a等。
控制部8是經由畫像取入裝置83d來將以晶圓辨識攝影機24、平台辨識攝影機32及基板辨識攝影機44所攝取的畫像資料保存於記憶裝置82。藉由根據保存的畫像資料而程式化的軟體，利用控制･運算裝置81來進行晶粒D及基板S的封裝區域P的定位、以及晶粒D及基板S的表面檢查。根據控制･運算裝置81所算出的晶粒D及基板S的封裝區域P的位置，藉由軟體，經由馬達控制裝置83e來作動驅動部86。藉由此製程來進行晶圓上的晶粒的定位，在拾取部2及接合部4的驅動部使動作，將晶粒D接合於基板S的封裝區域P上。使用的晶圓辨識攝影機24、平台辨識攝影機32及基板辨識攝影機44是灰色標度、彩色等，將光強度數值化。
其次，利用圖17~19來說明有關晶粒接合工程。圖17是說明圖11的黏晶機的晶粒接合工程的流程圖。圖18是以藉由晶圓辨識攝影機來進行攝像的工程為中心表示的流程圖。圖19是以藉由基板辨識攝影機來進行攝像的工程為中心表示的流程圖。
在實施例的晶粒接合工程中，首先，如圖17所示般，控制部8是從晶圓盒取出保持晶圓11的晶圓環14而載置於晶圓保持台12，將晶圓保持台12搬送至進行晶粒D的拾取的基準位置(晶圓裝載(工程P1))。其次，控制部8是從藉由晶圓辨識攝影機24所取得的畫像來進行微調整(對準)，而使晶圓11的配置位置會與該基準位置正確一致。
其次，控制部8是使載置有晶圓11的晶圓保持台12以預定間距來間距移動，保持於水平，藉此將最初被拾取的晶粒D配置於拾取位置(晶粒搬送(工程P2))。另外，晶粒D的拾取位置亦為藉由晶圓辨識攝影機24的晶粒D的辨識位置。晶圓11是預先藉由探針等的檢查裝置來按每個晶粒進行檢查，產生按每個晶粒表示良、不良的地圖資料，記憶於控制部8的記憶裝置82。成為拾取對象的晶粒D為良品或不良品的判定是依據地圖資料來進行。控制部8是當晶粒D為不良品時，使載置有晶圓11的晶圓保持台12以預定間距來間距移動，將其次被拾取的晶粒D配置於拾取位置，跳越不良品的晶粒D。
其次，如圖18所示般，控制部8是將晶圓辨識攝影機24的照明輸出設定成晶粒定位用的值(步驟S31)。控制部8是藉由晶圓辨識攝影機24來攝取拾取對象的晶粒D的主面(上面)，取得畫像(步驟S32)。從取得的畫像算出來自拾取對象的晶粒D的上述拾取位置的位置偏差量，測定晶粒D的位置(步驟S33)。控制部8是以此位置偏差量為基礎，使載置晶圓11的晶圓保持台12移動，將拾取對象的晶粒D正確地配置於拾取位置(晶粒定位(工程P3))。
其次，如圖18所示般，控制部8是將晶圓辨識攝影機24的照明輸出變更成晶粒龜裂檢查用的值(步驟S41)。控制部8是藉由晶圓辨識攝影機24來攝取拾取對象的晶粒D的主面，取得畫像(步驟S42)。控制部8是如後述般，從取得的畫像確認晶粒D的表面濃淡，檢測出正反射的區域的有無(步驟S43)。有正反射區域時，控制部8是朝正反射區域的方向移動晶圓保持台12(步驟S44)。另外，當照明裝置載於和晶圓辨識攝影機24不同的驅動台時，亦可只將照明裝置移動。當照明裝置為條型的斜光照明時，亦可使遭到影響的側熄燈。控制部8是再度取得攝影機畫像。在步驟S43中，當無正反射區域時進行晶粒龜裂及異物檢查(表面檢查)(工程P4)。在此，控制部8是當判定成在晶粒D的表面無問題時前進至其次工程(後述的工程P9)，但當判定成有問題時，進行跳越處理或錯誤停止。跳越處理是跳越晶粒D的工程P9以後，使載置有晶圓11的晶圓保持台12以預定間距來間距移動，將其次被拾取的晶粒D配置於拾取位置。
控制部8是在基板供給部6將基板S載置於搬送道52(基板裝載(工程P5))。控制部8是使將基板S予以抓住搬送的基板搬送爪51移動至接合位置(基板搬送(工程P6))。
其次，如圖19所示般，控制部8是將基板辨識攝影機44移動至接合對象的封裝區域P的攝像位置(接合標籤(tab)攝像位置)(步驟S71)。控制部8是將基板辨識攝影機44的照明輸出設定成基板定位用的值(步驟S72)。控制部8是藉由基板辨識攝影機44來攝取基板S，取得畫像(步驟S73)。從取得的畫像算出基板S的封裝區域P的位置偏差量而測定位置(步驟S74)。控制部8是以此位置偏差量為基礎而使基板S移動，進行將接合對象的封裝區域P正確地配置於接合位置的定位(基板定位(工程P7))。
其次，如圖17所示般，控制部8是從藉由基板辨識攝影機44所取得的畫像來進行基板S的封裝區域P的表面檢查(工程P8)。在此，控制部8是判定在表面檢查是否有問題，當判定在基板S的封裝區域P的表面無問題時，前進至其次工程(後述的工程P9)，但當判定成有問題時，以目視來確認表面畫像，或更進行高感度的檢查或改變了照明條件等的檢查，有問題時是跳越處理，無問題時是進行其次工程的處理。跳越處理是跳越對基板S的封裝區域P的該當標籤的工程P10以後，對基板動工資訊進行不良登錄。
控制部8是藉由晶粒供給部1來將拾取對象的晶粒D正確地配置於拾取位置之後，藉由包含夾頭22的拾取頭21來從切割膠帶16拾取晶粒D(晶粒操縱(工程P9))，載置於中間平台31(工程P10)。控制部8是以平台辨識攝影機32來攝像而進行載置於中間平台31的晶粒的姿勢偏差(旋轉偏差)的檢測(晶粒的位置檢查(工程P11))。控制部8是當有姿勢偏差時藉由被設在中間平台31的迴旋驅動裝置(未圖示)來使中間平台31迴旋於與具有安裝位置的安裝面平行的面而修正姿勢偏差。
控制部8是從藉由平台辨識攝影機32所取得的畫像來進行晶粒D的表面檢查(工程P12)。在此，控制部8是當判定成在晶粒D的表面無問題時，前進至其次工程(後述的工程P13)，但當判定成有問題時，進行跳越處理或錯誤停止。跳越處理是將該晶粒載置於未圖示的不良品托盤等，而跳越晶粒D的工程P13以後，使載置有晶圓11的晶圓保持台12以預定間距來間距移動，將其次被拾取的晶粒D配置於拾取位置。
控制部8是藉由包含夾頭42的接合頭41來從中間平台31拾取晶粒D，晶粒接合(die bonding)(晶粒黏結(Die Attach)於基板S的封裝區域P或已經被接合於基板S的封裝區域P的晶粒((工程P13))。
其次，如圖19所示般，控制部8是將基板辨識攝影機44移動至接合後的晶粒D的攝像位置(步驟S141)。控制部8是將基板辨識攝影機44的照明輸出設定成晶粒定位用的值(步驟S142)。控制部8是藉由基板辨識攝影機44來攝取晶粒D，取得畫像(步驟S143)。從取得的畫像測定晶粒D的位置(步驟S144)。控制部8是將晶粒D接合之後，檢查該接合位置是否正確(晶粒與基板的相對位置檢查(工程P14))。此時，與晶粒的位置合同樣求取晶粒的中心與標籤的中心，檢查相對位置是否正確。
其次，控制部8是使基板辨識攝影機44移動至晶粒龜裂檢查用攝像位置(步驟S151)。積層製品的情況，隨著堆積上層，使偏移(offset)的方向是事前被決定。該情況是彎曲方向也決定，因此只要事前對於彎曲方向，先教導(teaching)不正反射的視野移動量，檢查時從最初移動至包含該偏移的位置，便亦可減少確認反射的有無之後的視野移動的發動次數。控制部8是將基板辨識攝影機44的照明輸出變更成晶粒龜裂檢查用的值(步驟S152)。控制部8是藉由基板辨識攝影機44來攝取晶粒D，取得畫像(步驟S153)。控制部8是如後述般，從取得的畫像確認晶粒D的表面濃淡，檢測出正反射的區域的有無(步驟S154)。當有正反射區域時，控制部8是朝與正反射區域相反方向移動基板辨識攝影機44(步驟S155)。另外，如後述的第二變形例般，當照明裝置載於與基板辨識攝影機44不同驅動的台時，亦可只移動照明裝置。當照明裝置為條型的斜光照明時，亦可使遭到影響的側熄燈。控制部8是再度取得攝影機畫像。在步驟S154中，當無正反射區域時進行晶粒龜裂及異物檢查(晶粒D及基板S的表面檢查)(工程P15)。在此，控制部8是當判定成在晶粒D的表面無問題時，前進至其次工程(後述的工程P9)，但當判定成有問題時，進行跳越處理或錯誤停止。在跳越處理中，對基板動工資訊進行不良登錄。
以後，晶粒D會按照同樣的程序來1個1個接合於基板S的封裝區域P。若1個的基板的接合完了，則以基板搬送爪51來將基板S移動至基板搬出部7(基板搬送(工程P16))，將基板S交給基板搬出部7(基板卸載(工程P17))。
以後，晶粒D會按照同樣的程序來1個1個從切割膠帶16剝下(工程P9)。若除去不良品的所有的晶粒D的拾取完了，則將以晶圓11的外形來保持該等晶粒D的切割膠帶16及晶圓環14等卸載至晶圓盒(工程P18)。
其次，利用圖20來說明有關晶粒的彎曲位置(正反射區域)的測定方法。圖20(a)是晶粒的檢查畫像。圖20(b)是晶粒的參考畫像。圖20(c)是圖20(a)的檢查畫像與圖20(b)的參考畫像的差分畫像。圖20(d)是將圖20(c)的差分畫像予以二值化的畫像。圖20(e)是說明晶粒的彎曲的有無的判斷的圖。
控制部8是算出圖20(a)的晶粒的檢查畫像與圖20(b)的晶粒的參考畫像的差分而算出差分畫像。如圖20(c)所示般，差分畫像的正反射區域以外是變黑，正反射區域是變白，境界區域是模糊不清。控制部8是以某濃淡臨界值為基礎將差分畫像二值化，取得圖20(d)所示的畫像。在此時的畫像的緣附近，例如設置圖20(e)所示般的四個的檢查區域。若在各檢查區域一定的面積臨界值以上存在白區域，則判斷成有彎曲，從該白區域的位置判斷彎曲方向。此情況，判斷成晶粒的下側彎曲。
龜裂的表面檢查是亦可在進行晶粒位置辨識的場所的晶粒供給部、中間平台及接合平台的至少1處進行，但更理想是在全部之處進行。若在晶粒供給部進行，則可早檢測出龜裂。若在中間平台進行，則可在接合前檢測出在晶粒供給部無法檢測出的龜裂或在拾取工程以後產生的龜裂(在比接合工程更之前未表面化的龜裂)。又，若在接合平台進行，則可在將其次的晶粒積層的接合前或基板排出前檢測出在晶粒供給部及中間平台無法檢測出的龜裂(在比接合工程更之前未表面化的龜裂)或在接合工程以後產生的龜裂。
＜變形例＞ 以下，有關代表性的變形例，舉幾個例子表示。在以下的變形例的說明中，對於具有與在上述的實施例說明者同樣的構成及機能的部分，是使用與上述的實施例同樣的符號。而且，有關如此的部分的說明是在技術上不矛盾的範圍內，適當援用上述的實施例的說明者。並且，上述的實施例的一部分、及複數的變形例的全部或一部分，可在技術上不矛盾的範圍內適當複合地適用。
(第一變形例) 圖22是表示第一變形例的基板辨識攝影機及照明裝置的模式立體圖。
實施例的情況，斜光照明裝置46是二方向的斜光條照明，但如圖22所示般，亦可為四方向的斜光條照明。斜光照明裝置46是斜光條照明裝置46a~46c及相對於斜光條照明裝置46c與基板辨識攝影機44位於相反側的斜光條照明裝置(未圖示)會被側面安裝於基板辨識攝影機44而構成。基板辨識攝影機44是被固定於可動部45a，可動部45a是可藉由X驅動部45b來移動於X軸方向，X驅動部45b是可藉由Y驅動部45c來移動於Y軸方向。
如圖22(b)所示般，當晶粒D錯開於Y軸方向而積層時，由於晶粒D的向上翹起的區域所造成的直接反射會產生於Y軸的正側(圖面的右側)，因此控制部8是使基板辨識攝影機44及斜光照明裝置46移動於箭號的方向(Y軸的負側(圖面的左側))來攝取晶粒D。 如圖22(c)所示般，當晶粒D偏移於X軸方向而積層時，由於晶粒D的向上翹起的區域所造成的直接反射會產生於X軸的負側(圖面的右側)，因此控制部8是使基板辨識攝影機44及斜光照明裝置46移動於箭號的方向(X軸的正側(圖面的左側))而攝取晶粒D。
(第二變形例) 圖23是表示第二變形例的基板辨識攝影機及照明裝置的模式立體圖。
實施例及第一變形例的情況，斜光照明裝置46是被構成為以和基板辨識攝影機44相同的位置關係來移動，但亦可如圖23所示般，構成為與基板辨識攝影機44獨立移動。斜光照明裝置46的斜光條照明裝置46a~46d是被固定於可動部47a，可動部47a是可藉由X驅動部47b來移動於X軸方向，X驅動部47b是可藉由Y驅動部47c來移動於Y軸方向。基板辨識攝影機44是被固定於可動部45a，可動部45a是可藉由X驅動部45b來移動於X軸方向，X驅動部45b是可藉由Y驅動部45c來移動於Y軸方向。
(第三變形例) 圖24是表示第三變形例的晶圓辨識攝影機及照明裝置的模式立體圖。
實施例的情況，晶圓辨識攝影機24的照明裝置是與斜光照明裝置46同樣為二方向的斜光條照明，但亦可如圖24所示般，為四方向的斜光條照明。斜光照明裝置26是以斜光條照明裝置26a~26d所構成。晶圓保持台12是被固定於X驅動部19b，X驅動部19b是可移動於X軸方向，X驅動部19b是可藉由Y驅動部19c來移動於Y軸方向。 而且，亦可使影響多方向的斜光條照明的反射光的側熄燈。
又，以上，根據實施形態及實施例來具體說明依據本發明者所研發的發明，但本發明是不被限定於上述實施例及變形例，當然可實施各種變更。
例如，在實施例中說明使用二方向的斜光條照明作為斜光照明裝置的例子，但亦可使用四方向的斜光條照明，或使用一方向的斜光條照明。
又，實施例是預先以攝影機畫像辨識來進行晶粒的彎曲位置(正反射區域)的測定，但亦可利用雷射變位系等的感測器來檢測出彎曲的方向，根據此來使照明裝置或攝影機動作。又，亦可將晶格狀的模樣投影至晶粒表面，依據其晶格的混亂情況來判斷彎曲方向。
又，實施例是在晶粒位置辨識之後進行晶粒外觀檢查辨識，但亦可在晶粒外觀檢查辨識之後進行晶粒位置辨識。
又，實施例是在晶圓的背面貼附DAF，但亦可無DAF。
又，實施例是分別具備1個拾取頭及接合頭，但亦可分別為2個以上。又，實施例是具備中間平台，但亦可無中間平台。此情況，拾取頭與接合頭是亦可兼用。
又，實施例是將晶粒的表面朝上而接合，但亦可拾取晶粒後使晶粒的表背反轉，將晶粒的背面朝上而接合。此情況，中間平台是亦可不設。此裝置是稱為覆晶黏晶機(Flip Chip Bonder)。
又，實施例是具備接合頭，但亦可無接合頭。此情況，被拾取的晶粒是被載置於容器等。此裝置是稱為拾取裝置。又，此情況的龜裂的表面檢查是亦可在載置被拾取的晶粒的容器等實施。
10:黏晶機(半導體製造裝置) 8:控制部 D:晶粒 S:基板 CMR:攝影機(攝像裝置) OBL:照明裝置 OA:光學軸 VF:視野
[圖1]是模式性地表示同軸照明的圖。 [圖2]是模式性地表示斜光照明的圖。 [圖3]是模式性地表示斜光照明的入射光及反射光的情況的圖。 [圖4]是模式性地表示比圖3的入射角更小的情況的入射光及反射光的情況的圖。 [圖5]是使用圖4的斜光條照明的攝像畫像例。 [圖6]是說明斜光照明的課題的圖。 [圖7]是說明有關實施形態的技術的圖。 [圖8]是說明第一方法的流程圖。 [圖9]是說明第二方法的流程圖。 [圖10]是說明即使令視野移動也不能完全取得直接光反射的區域的情況的圖。 [圖11]是表示實施例的黏晶機的構成例的概略上面圖。 [圖12]是說明在圖11中由箭號A方向來看時的概略構成的圖。 [圖13]是表示圖11的晶粒供給部的構成的外觀立體圖。 [圖14]是表示圖13的晶粒供給部的主要部的概略剖面圖。 [圖15]是表示基板辨識攝影機的照明裝置的配置的圖。 [圖16]是表示圖11的黏晶機的控制系的概略構成的方塊圖。 [圖17]是說明圖11的黏晶機的晶粒接合工程的流程圖。 [圖18]是以藉由晶圓辨識攝影機來進行攝像的工程為中心表示的流程圖。 [圖19]是以藉由基板辨識攝影機來進行攝像的工程為中心表示的流程圖。 [圖20]是說明晶粒的彎曲位置(正反射區域)的測定方法的圖。 [圖21]是說明與圖7的斜光照明對於光學軸位於鏡面對象的斜光照明的影響。 [圖22]是表示第一變形例的基板辨識攝影機及照明裝置的模式立體圖。 [圖23]是表示第二變形例的基板辨識攝影機及照明裝置的模式立體圖。 [圖24]是表示第三變形例的晶圓辨識攝影機及照明裝置的模式立體圖。
D:晶粒
S:基板
CMR:攝影機(攝像裝置)
LNS:透鏡
OBL:照明裝置
OA:光學軸
RL1:反射的光
VF:視野

Claims (17)

  1. 一種半導體製造裝置，其特徵係具備： 攝取晶粒的攝像裝置； 將前述晶粒對於前述攝像裝置的光學軸，以預定的角度來照射光的照明裝置；及 控制前述攝像裝置及前述照明裝置的控制部； 前述預定的角度，係為前述晶粒為平坦時，從前述照明裝置照射的光即使在前述晶粒直接反射也不進入至前述攝像裝置的角度， 前述控制部，係被構成為前述晶粒為不平坦時，以從前述照明裝置照射的光會在前述晶粒被直接反射而不進入至前述攝像裝置的方式，使前述攝像裝置、前述照明裝置及前述晶粒的其中至少一個移動。
  2. 如請求項1之半導體製造裝置，其中，前述攝像裝置與前述照明裝置的位置關係係被固定， 前述控制部，係被構成為以前述晶粒會比前述攝像裝置的視野的中心更偏離的方式，使前述攝像裝置及前述晶粒的其中至少一個移動。
  3. 如請求項2之半導體製造裝置，其中，前述控制部，係被構成為確認前述晶粒的表面照度，當判斷成從前述照明裝置照射的光會在前述晶粒直接反射而被射入至前述攝像裝置時，使前述攝像裝置及前述晶粒的其中至少一個移動。
  4. 如請求項2或3之半導體製造裝置，其中，設置檢測出前述晶粒的彎曲之手段， 前述控制部，係當檢測出前述彎曲時，使前述攝像裝置的視野移動於檢測出的前述彎曲方向的前後任一方或前後雙方。
  5. 如請求項2之半導體製造裝置，其中，前述晶粒為被積層於晶粒上的晶粒， 前述控制部，係被構成為根據被積層的層數來使前述攝像裝置的視野移動。
  6. 如請求項5之半導體製造裝置，其中，使前述攝像裝置的視野移動的方向，係與被層疊於前述晶粒上的前述晶粒的被偏移的方向同一方向，使移動於前後任一方或前後雙方。
  7. 如請求項2之半導體製造裝置，其中，前述控制部，係被構成為即使使前述攝像裝置的視野移動，從前述照明裝置照射的光也會在前述晶粒直接反射而被射入至前述攝像裝置時，以從前述照明裝置照射的光在前述晶粒直接反射而不被射入至前述攝像裝置的區域會形成前述晶粒的全區域之方式，一邊錯開前述攝像裝置的視野中心與前述晶粒的中心，一邊攝像。
  8. 如請求項2之半導體製造裝置，其中，更具備晶粒供給部，其係具有保持貼附有前述晶粒的切割膠帶之晶圓環夾具， 前述控制部係利用前述攝像裝置及前述照明裝置來攝取被貼附於前述切割膠帶的前述晶粒。
  9. 如請求項2之半導體製造裝置，其中，更具備接合頭，其係將前述晶粒接合於基板或已被接合的晶粒上， 前述控制部係利用前述攝像裝置及前述照明裝置來攝取前述基板或被接合於晶粒上的晶粒。
  10. 如請求項2之半導體製造裝置，其中，更具備： 拾取前述晶粒的拾取頭；及 載置前述被拾取的晶粒的中間平台， 前述控制部係利用前述攝像裝置及前述照明裝置來攝取被載置於前述中間平台上的晶粒。
  11. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵係包含： (a)將基板搬入至半導體製造裝置的工程，該半導體製造裝置係具備： 攝取晶粒的攝像裝置； 將前述晶粒對於前述攝像裝置的光學軸，以預定的角度來照射光的照明裝置；及 控制前述攝像裝置及前述照明裝置的控制部； 前述預定的角度，係為前述晶粒為平坦時，從前述照明裝置照射的光即使在前述晶粒直接反射也不進入至前述攝像裝置的角度， 前述控制部，係被構成為前述晶粒為不平坦時，以從前述照明裝置照射的光會在前述晶粒被直接反射而不進入至前述攝像裝置的方式，使前述攝像裝置、前述照明裝置及前述晶粒的其中至少一個移動； (b)將保持貼附有晶粒的切割膠帶之晶圓環夾具搬入的工程； (c)拾取前述晶粒的工程；及 (d)將前述拾取的晶粒接合於前述基板或已被接合於前述基板的晶粒上的工程。
  12. 如請求項11之半導體裝置的製造方法，其中，前述(c)工程係將前述被拾取的晶粒載置於中間平台， 前述(d)工程係拾取被載置於前述中間平台的晶粒。
  13. 如請求項11之半導體裝置的製造方法，其中，更包含(f)在前述(c)工程之前，確認前述晶粒的表面照度，判斷成從前述照明裝置照射的光會在前述晶粒直接反射而被射入至前述攝像裝置時，以從前述照明裝置照射的光會在前述晶粒被直接反射而不進入至前述攝像裝置的方式，錯開前述晶粒的中心與前述攝像裝置的視野的中心，而進行前述晶粒的表面檢查之工程。
  14. 如請求項11之半導體裝置的製造方法，其中，更包含(g)在前述(d)工程之後，確認前述晶粒的表面照度，判斷成從前述照明裝置照射的光會在前述晶粒直接反射而被射入至前述攝像裝置時，以從前述照明裝置照射的光會在前述晶粒被直接反射而不進入至前述攝像裝置的方式，錯開前述攝像裝置的視野的中心與前述晶粒的中心，而進行前述晶粒的表面檢查之工程。
  15. 如請求項11之半導體裝置的製造方法，其中，更包含(g)在前述(d)工程之後，將前述攝像裝置的視野的中心從前述晶粒的中心錯開根據前述晶粒所被積層的層數的量，而進行前述晶粒的表面檢查之工程。
  16. 如請求項12之半導體裝置的製造方法，其中，更包含(h)在前述(c)工程之後，前述(d)工程之前，確認前述晶粒的表面照度，判斷成從前述照明裝置照射的光會在前述晶粒直接反射而被射入至前述攝像裝置時，以從前述照明裝置照射的光會在前述晶粒被直接反射而不進入至前述攝像裝置的方式，錯開前述攝像裝置的視野的中心與前述晶粒的中心，而進行前述晶粒的表面檢查之工程。
  17. 如請求項13、14、16中的任一項所記載之半導體裝置的製造方法，其中，即使將前述晶粒從前述攝像裝置的中心使視野移動，從前述照明裝置照射的光也會在前述晶粒直接反射而被射入至前述攝像裝置時，以從前述照明裝置照射的光在前述晶粒直接反射而不被射入至前述攝像裝置的區域會形成前述晶粒的全區域之方式，一邊錯開前述攝像裝置的視野中心與前述晶粒的中心，一邊攝像。
TW108145034A 2019-03-22 2019-12-10 半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法 TWI736055B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019055460A JP7299728B2 (ja) 2019-03-22 2019-03-22 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2019-055460 2019-03-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202101604A true TW202101604A (zh) 2021-01-01
TWI736055B TWI736055B (zh) 2021-08-11

Family

ID=72559747

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108145034A TWI736055B (zh) 2019-03-22 2019-12-10 半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7299728B2 (zh)
KR (1) KR102304880B1 (zh)
CN (1) CN111725086B (zh)
TW (1) TWI736055B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI823297B (zh) * 2021-05-28 2023-11-21 日商捷進科技有限公司 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3657694B2 (ja) * 1995-03-31 2005-06-08 リンテック株式会社 照明装置
JP3890089B2 (ja) * 1995-07-20 2007-03-07 キヤノン株式会社 位置検出装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JPH1022197A (ja) * 1996-07-03 1998-01-23 Toshiba Corp マーク位置検出方法及びその装置
JP3349069B2 (ja) * 1997-08-28 2002-11-20 日産自動車株式会社 表面検査装置
JP2001013085A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Nidek Co Ltd 欠陥検査装置
US6806951B2 (en) * 2000-09-20 2004-10-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining at least one characteristic of defects on at least two sides of a specimen
JP4387089B2 (ja) * 2002-08-30 2009-12-16 株式会社日立製作所 欠陥検査装置および欠陥検査方法
DE10330006B4 (de) * 2003-07-03 2006-07-20 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Vorrichtung zur Inspektion eines Wafers
CN101889197A (zh) * 2007-12-06 2010-11-17 株式会社尼康 检查装置和检查方法
JP5144401B2 (ja) * 2008-07-01 2013-02-13 直江津電子工業株式会社 ウエハ用検査装置
US8223327B2 (en) * 2009-01-26 2012-07-17 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for detecting defects on a wafer
JP5331673B2 (ja) * 2009-12-28 2013-10-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査方法及び検査装置
JP2011169816A (ja) * 2010-02-19 2011-09-01 Nec Corp 半導体装置の接合傾き測定装置
JP5806808B2 (ja) * 2010-08-18 2015-11-10 倉敷紡績株式会社 撮像光学検査装置
JP5900187B2 (ja) * 2012-06-27 2016-04-06 住友金属鉱山株式会社 表面傷検査装置及び表面傷検査方法
JP6212926B2 (ja) 2013-04-26 2017-10-18 住友金属鉱山株式会社 物体検査装置及び物体検査方法
US9752992B2 (en) * 2014-03-25 2017-09-05 Kla-Tencor Corporation Variable image field curvature for object inspection
CH711570B1 (de) * 2015-09-28 2019-02-15 Besi Switzerland Ag Vorrichtung für die Montage von Bauelementen auf einem Substrat.
CN106814083B (zh) * 2015-11-30 2020-01-10 宁波舜宇光电信息有限公司 滤波片缺陷检测系统及其检测方法
JP6685126B2 (ja) * 2015-12-24 2020-04-22 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP6505776B2 (ja) 2016-07-05 2019-04-24 キヤノンマシナリー株式会社 欠陥検出装置、欠陥検出方法、ウェハ、半導体チップ、ダイボンダ、半導体製造方法、および半導体装置製造方法
MY202139A (en) * 2016-07-05 2024-04-05 Canon Machinery Inc Defect detection device, defect detection method, wafer, semiconductor chip, semiconductor device, die bonder, bonding method, semiconductor manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method
JP6975551B2 (ja) * 2017-05-18 2021-12-01 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP7029900B2 (ja) * 2017-08-03 2022-03-04 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI823297B (zh) * 2021-05-28 2023-11-21 日商捷進科技有限公司 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020155737A (ja) 2020-09-24
CN111725086B (zh) 2024-03-12
JP7299728B2 (ja) 2023-06-28
TWI736055B (zh) 2021-08-11
KR102304880B1 (ko) 2021-09-27
CN111725086A (zh) 2020-09-29
KR20200112639A (ko) 2020-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI725498B (zh) 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法
TW201735209A (zh) 半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法
TWI729397B (zh) 半導體製造裝置及半導體裝置之製造方法
JP7225337B2 (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
CN109524320B (zh) 半导体制造装置及半导体器件的制造方法
KR102641333B1 (ko) 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
TWI736055B (zh) 半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法
KR102516586B1 (ko) 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
TWI823297B (zh) 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法
JP6231397B2 (ja) 部品認識装置、部品移載装置および部品実装装置
JP7502108B2 (ja) ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
TW202345252A (zh) 半導體製造裝置、檢查裝置及半導體裝置的製造方法