JP2010166029A - 構造体の製造方法及びインクジェットヘッドの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 192
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 192
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 230000003381 solubilizing effect Effects 0.000 claims 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 55
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 55
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- -1 argon ion Chemical class 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 229920003145 methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 5
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical class NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 3
- SENKOTRUJLHKFM-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate;2-methylprop-2-enoic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O.CCOC(=O)C(C)=C SENKOTRUJLHKFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 2
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVSKIKFHRZPJSS-UHFFFAOYSA-N 2,4-D Chemical compound OC(=O)COC1=CC=C(Cl)C=C1Cl OVSKIKFHRZPJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQMWHMMJVJNCAL-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylpenta-1,4-dien-3-one Chemical compound CC(=C)C(=O)C(C)=C WQMWHMMJVJNCAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OISVCGZHLKNMSJ-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethylpyridine Chemical class CC1=CC=CC(C)=N1 OISVCGZHLKNMSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940013085 2-diethylaminoethanol Drugs 0.000 description 1
- YOETUEMZNOLGDB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropyl carbonochloridate Chemical compound CC(C)COC(Cl)=O YOETUEMZNOLGDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAVOOWVINKGEHS-UHFFFAOYSA-N 3-(diethylamino)phenol Chemical compound CCN(CC)C1=CC=CC(O)=C1 WAVOOWVINKGEHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWLKGDAVCFYWJK-UHFFFAOYSA-N 3-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC(O)=C1 CWLKGDAVCFYWJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940018563 3-aminophenol Drugs 0.000 description 1
- 102100033806 Alpha-protein kinase 3 Human genes 0.000 description 1
- 101710082399 Alpha-protein kinase 3 Proteins 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKNUHUCEWALCOI-UHFFFAOYSA-N N-ethyldiethanolamine Chemical compound OCCN(CC)CCO AKNUHUCEWALCOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N Triisopropanolamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CC(C)O SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229920006237 degradable polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229940102253 isopropanolamine Drugs 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- RIWRFSMVIUAEBX-UHFFFAOYSA-N n-methyl-1-phenylmethanamine Chemical compound CNCC1=CC=CC=C1 RIWRFSMVIUAEBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- UCUUFSAXZMGPGH-UHFFFAOYSA-N penta-1,4-dien-3-one Chemical compound C=CC(=O)C=C UCUUFSAXZMGPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006215 polyvinyl ketone Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- LJXQPZWIHJMPQQ-UHFFFAOYSA-N pyrimidin-2-amine Chemical compound NC1=NC=CC=N1 LJXQPZWIHJMPQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYRRZWATULMEPF-UHFFFAOYSA-N pyrimidin-4-amine Chemical compound NC1=CC=NC=N1 OYRRZWATULMEPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVLAYJRLBLHIPV-UHFFFAOYSA-N pyrimidin-5-amine Chemical compound NC1=CN=CN=C1 FVLAYJRLBLHIPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000001494 step-and-flash imprint lithography Methods 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical compound [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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Abstract
【解決手段】ポジ型感光性樹脂からなる樹脂膜を備えた基板を準備する工程、該樹脂膜上にポジ型感光性樹脂と相溶するネガ型感光性樹脂を塗布する工程、モールドをネガ型感光性樹脂に押し付けモールドのパターンの凸部と基板との間にあるポジ型感光性樹脂とネガ型感光性樹脂を相溶させ相溶層を形成する工程、基板又はモールド越しに全面に活性エネルギー線を照射しネガ型感光性樹脂を硬化しポジ型感光性樹脂及び相溶層を現像液に対し可溶化する工程、モールドを離型しネガ型感光性樹脂にパターン形成した後他の支持基板に対しネガ型感光性樹脂を貼付する工程、基板をポジ型感光性樹脂及び相溶層から剥離する工程、ポジ型感光性樹脂と相溶層を現像液で除去する工程、を含む構造体の製造方法。
【選択図】図1
Description
次に、図3(a)に示すように、前記ポジ型感光性樹脂7からなる樹脂膜上に、ポジ型感光性樹脂7と相溶するネガ型感光性樹脂8を塗布する。
次に、図3(b)に示すように、パターンの形成されたモールド3を前記ネガ型感光性樹脂8に押し付け、該モールド3のパターンの凸部3aと石英基板6との間隙に存在するポジ型感光性樹脂7とネガ型感光性樹脂8とを全て相溶させ、相溶層9を形成する。
次に、図3(c)に示すように、モールド3をネガ型感光性樹脂8に押し付けた状態で、ネガ型感光性樹脂8及びポジ型感光性樹脂7に対して石英基板6越しに全面に活性エネルギー線を照射する。これにより、ネガ型感光性樹脂8を硬化し、ポジ型感光性樹脂7及び相溶層9を現像液に対して可溶化する。
次に、図3(d)に示すようにモールド3を離型し、ネガ型感光性樹脂8にパターンを形成した後、図3(e)に示すように、他の支持基板18に対して前記パターンの形成されたネガ型感光性樹脂8を貼り付ける。
次に、ポジ型感光性樹脂7からなる樹脂膜を備えた石英基板6の石英基板6のみを、ポジ型感光性樹脂7及び相溶層9から剥離する。
次に、ポジ型感光性樹脂7と相溶層9とを現像液により現像除去する。
図1、図2に本発明に係るインクジェットヘッドの製造方法により製造されるインクジェットヘッドの一例の断面の模式図を示す。図2は図1のA−B線を通り基板1に垂直に切断した断面を示している。
図3は実施例1における微細パターンの製造方法を示している。まず本実施例においては、石英基板6を準備した。
図4は実施例2における微細パターンの製造方法を示している。まず本実施例においては、シリコン基板14を準備した。
図5は実施例3におけるインクジェットヘッドの製造方法を示している。まず実施例3においては、シリコン基板14を準備した。
3a 凸部
5 石英モールド
5a 凸部
5b 凸部
6 石英基板
7 ポジ型感光性樹脂
8 ネガ型感光性樹脂
9 相溶層
12 基板
13 インク吐出口
14 シリコン基板
15 発熱素子
16 インク供給口
17 インク流路
18 支持基板
20 壁
21 吐出口部材
Claims (7)
- (1)表面にポジ型感光性樹脂からなる樹脂膜を備えた基板を準備する工程、
(2)前記ポジ型感光性樹脂からなる樹脂膜上に、該ポジ型感光性樹脂と相溶するネガ型感光性樹脂を塗布する工程、
(3)パターンの形成されたモールドを前記ネガ型感光性樹脂に押し付け、該モールドのパターンの凸部と前記基板との間隙に存在するポジ型感光性樹脂とネガ型感光性樹脂とを相溶させ、相溶層を形成する工程、
(4)前記モールドを前記ネガ型感光性樹脂に押し付けた状態で、該ネガ型感光性樹脂及びポジ型感光性樹脂に対して前記基板あるいはモールド越しに全面に活性エネルギー線を照射することで、該ネガ型感光性樹脂を硬化し、該ポジ型感光性樹脂及び相溶層を現像液に対して可溶化する工程、
(5)前記モールドを離型し、ネガ型感光性樹脂にパターンを形成した後、他の支持基板に対して前記パターンの形成されたネガ型感光性樹脂を貼り付ける工程、
(6)前記ポジ型感光性樹脂からなる樹脂膜を備えた基板の基板のみを、該ポジ型感光性樹脂及び相溶層から剥離する工程、
(7)前記ポジ型感光性樹脂と前記相溶層とを現像液により除去する工程、
を含む構造体の製造方法。 - 前記ネガ型感光性樹脂のベース樹脂が液体である請求項1に記載の構造体の製造方法。
- 前記ネガ型感光性樹脂が、前記ポジ型感光性樹脂を溶解させることが可能な溶媒に固体のベース樹脂を溶解させた液体組成物である請求項1又は2に記載の構造体の製造方法。
- 前記ネガ型感光性樹脂が光重合開始剤を含有するエポキシ樹脂組成物である請求項1から3のいずれか1項に記載の構造体の製造方法。
- 前記ポジ型感光性樹脂が、塩基性物質を含有する請求項1から4のいずれか1項に記載の構造体の製造方法。
- 前記ポジ型感光性樹脂に含まれる塩基性物質の量が、前記ネガ型感光性樹脂に含まれる前記光重合開始剤の含有量に対して、0.01〜20質量%である請求項5に記載の構造体の製造方法。
- インクを吐出する吐出口と連通するインクの流路を有するインクジェットヘッドの製造方法であって、
液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生するエネルギー発生素子を備えた基板を用意する工程、
請求項1から6のいずれか1項に記載の構造体の製造方法により得られた構造体を前記基板上に設ける工程、
を含むインクジェットヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009270131A JP5692992B2 (ja) | 2008-12-19 | 2009-11-27 | 構造体の製造方法及びインクジェットヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008323675 | 2008-12-19 | ||
JP2008323675 | 2008-12-19 | ||
JP2009270131A JP5692992B2 (ja) | 2008-12-19 | 2009-11-27 | 構造体の製造方法及びインクジェットヘッドの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010166029A true JP2010166029A (ja) | 2010-07-29 |
JP5692992B2 JP5692992B2 (ja) | 2015-04-01 |
Family
ID=42266641
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009270131A Expired - Fee Related JP5692992B2 (ja) | 2008-12-19 | 2009-11-27 | 構造体の製造方法及びインクジェットヘッドの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100159405A1 (ja) |
JP (1) | JP5692992B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018052045A1 (ja) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | 東京応化工業株式会社 | 基板接着方法及び積層体の製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3839625A1 (fr) * | 2019-12-18 | 2021-06-23 | Nivarox-FAR S.A. | Procede de fabrication d'un composant horloger et composant obtenu selon ce procede |
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JP2006297571A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Ricoh Elemex Corp | 微細金属構造体の製造方法、および微細金属構造体 |
WO2011002042A1 (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-06 | 旭硝子株式会社 | 微細凹凸構造を表面に有する物品の製造方法およびワイヤグリッド型偏光子の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6344526B1 (en) * | 1998-03-10 | 2002-02-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Fluorine-containing epoxy resin composition, and surface modification process, ink jet recording head and ink jet recording apparatus using same |
US6472129B2 (en) * | 1998-03-10 | 2002-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Fluorine-containing epoxy resin composition, and surface modification process, ink jet recording head and ink jet recording apparatus making use of the same |
US6448346B1 (en) * | 1998-03-10 | 2002-09-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Fluorine-containing epoxy resin composition, and surface modification process, ink jet recording head and ink jet recording apparatus making use of the same |
US6334960B1 (en) * | 1999-03-11 | 2002-01-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Step and flash imprint lithography |
-
2009
- 2009-11-27 JP JP2009270131A patent/JP5692992B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-12-09 US US12/634,214 patent/US20100159405A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2011002042A1 (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-06 | 旭硝子株式会社 | 微細凹凸構造を表面に有する物品の製造方法およびワイヤグリッド型偏光子の製造方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
CSNC201008040500; 川田 博昭 他: '離型力を要しない移植法によるカンチレバー作製 Fabrication of cantilevers by transfer process w' 第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集 Vol.2 , 2007, 5p-W-14 * |
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US11491772B2 (en) | 2016-09-16 | 2022-11-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Substrate bonding method and laminated body production method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5692992B2 (ja) | 2015-04-01 |
US20100159405A1 (en) | 2010-06-24 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150106 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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