JP2010165917A - 固体撮像装置の製造方法及び放射線検出器の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法及び放射線検出器の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010165917A JP2010165917A JP2009007699A JP2009007699A JP2010165917A JP 2010165917 A JP2010165917 A JP 2010165917A JP 2009007699 A JP2009007699 A JP 2009007699A JP 2009007699 A JP2009007699 A JP 2009007699A JP 2010165917 A JP2010165917 A JP 2010165917A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- region
- main surface
- modified region
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 68
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 349
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 302
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 45
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 10
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 17
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 15
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000010128 melt processing Methods 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- QLAFITOLRQQGTE-UHFFFAOYSA-H gadolinium(3+);trisulfate Chemical compound [Gd+3].[Gd+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O QLAFITOLRQQGTE-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- -1 polyparaxylylene Polymers 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005536 corrosion prevention Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】固体撮像装置1aの製造方法は、互いに対向する表面3a及び裏面3bを有する半導体基板3と、半導体基板3の裏面3b側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板3とのpn接合によりフォトダイオードを構成する複数のp型半導体領域5と、を備えるフォトダイオードアレイを準備する工程と、半導体基板3の裏面3b上に配線基板81を配置する工程と、配線基板81を配置する工程の後、半導体基板3の所定位置に集光点Fを合わせて表面3a側からレーザ光Laを照射することによって改質領域50を形成する工程とを備える。
【選択図】図6
Description
図1及び図2を参照して、第1実施形態に係る製造方法が適用される固体撮像装置1a及び放射線検出器100aについて説明する。図1は、第1実施形態に係る放射線検出器100aの断面構成を示す模式図である。図2は、図1におけるII−II線に沿った断面構成を示す模式図である。
図7を参照して、第2実施形態に係る製造方法が適用される固体撮像装置1b及び放射線検出器100bの構成について説明する。図7は、第2実施形態に係る製造方法が適用される放射線検出器100bの断面構成を示す模式図である。
Claims (6)
- 互いに対向する第1の主面及び第2の主面を有する第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の前記第2の主面側に並んで配置されていると共に、それぞれが前記半導体基板との接合によりフォトダイオードを構成する複数の第2導電型の半導体領域と、を備えるフォトダイオードアレイを準備する工程と、
前記半導体基板の前記第2の主面上に配線基板を配置する工程と、
前記配線基板を配置する前記工程の後、前記半導体基板の所定位置に集光点を合わせて前記第1の主面側からレーザ光を照射することによって改質領域を形成する工程と、
を備えることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記フォトダイオードアレイは、隣接する前記第2導電型の半導体領域間における前記半導体基板の前記第2の主面上に配置された配線電極を備え、
前記配線基板を配置する前記工程では、前記配線基板と前記配線電極とを接続することにより前記半導体基板の前記第2の主面上に前記配線基板を配置し、
前記改質領域を形成する前記工程では、前記配線電極と前記半導体基板の第1の主面との間に前記改質領域を形成することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記フォトダイオードアレイは、隣接する前記第2導電型の半導体領域間における前記半導体基板の前記第2の主面上に配置された配線電極と、前記隣接する第2導電型の半導体領域間における前記半導体基板の前記第2の主面側に配置されると共に、前記半導体基板よりも不純物濃度が高く設定され、前記配線電極と電気的に接続された第1導電型の半導体領域と、を備え、
前記第1導電型の半導体領域は、第1及び第2の部分を含み、
前記第1及び第2の部分は、前記第2導電型の半導体領域の配置方向に離隔すると共に前記第2導電型の半導体領域の配置方向に交差する方向に延びており、
前記配線基板を配置する前記工程では、前記配線基板と前記配線電極とを接続することにより前記半導体基板の前記第2の主面上に前記配線基板を配置し、
前記改質領域を形成する前記工程では、前記第1の部分と前記第2の部分との間に、前記第2導電型の半導体領域の配置方向に交差する方向に延びて且つ前記半導体基板の前記第2の主面に達して前記改質領域を形成することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記半導体基板は、単結晶シリコン基板であると共に、前記改質領域の形成位置に対応したパターンが前記第2の主面上に配置されており、
前記改質領域を形成する前記工程は、前記フォトダイオードアレイが載置される載置台と、前記載置台に載置された前記フォトダイオードアレイに赤外線を照射する赤外線照射手段と、前記フォトダイオードアレイの赤外線画像を撮像する撮像手段と、を有するレーザ加工装置を準備する工程と、
前記半導体基板の前記第1の主面を前記撮像手段と対向させて前記フォトダイオードアレイを前記載置台上に載置する工程と、
前記赤外線照射手段により前記赤外線を前記半導体基板の前記第1の主面側から前記フォトダイオードアレイに照射して、前記撮像手段により前記第2の主面の前記赤外線画像を撮像し、該赤外線画像から前記パターンを認識する工程と、
認識した前記パターンに基づき前記半導体基板を移動させることにより、前記半導体基板の所定位置に前記集光点の位置を合わせる工程と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記フォトダイオードアレイは、隣接する前記第2導電型の半導体領域間における前記半導体基板の前記第2の主面上に、前記パターンとして配置された配線電極を備えることを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の固体撮像装置の製造方法により製造された固体撮像装置における前記半導体基板の前記第1の主面上にシンチレータを配置する工程を備えることを特徴とする放射線検出器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009007699A JP5247487B2 (ja) | 2009-01-16 | 2009-01-16 | 固体撮像装置の製造方法及び放射線検出器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009007699A JP5247487B2 (ja) | 2009-01-16 | 2009-01-16 | 固体撮像装置の製造方法及び放射線検出器の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010165917A true JP2010165917A (ja) | 2010-07-29 |
JP5247487B2 JP5247487B2 (ja) | 2013-07-24 |
Family
ID=42581852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009007699A Active JP5247487B2 (ja) | 2009-01-16 | 2009-01-16 | 固体撮像装置の製造方法及び放射線検出器の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5247487B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002033545A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 光モジュールおよび光素子 |
JP2003086827A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-20 | Hamamatsu Photonics Kk | ホトダイオードアレイ、固体撮像装置、及び、放射線検出器 |
JP2005019465A (ja) * | 2003-06-23 | 2005-01-20 | Hamamatsu Photonics Kk | フォトダイオードアレイ及びその製造方法 |
JP2008300614A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Fujifilm Corp | 撮像素子、撮像素子の製造方法、及び、撮像素子用の半導体基板 |
-
2009
- 2009-01-16 JP JP2009007699A patent/JP5247487B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002033545A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 光モジュールおよび光素子 |
JP2003086827A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-20 | Hamamatsu Photonics Kk | ホトダイオードアレイ、固体撮像装置、及び、放射線検出器 |
JP2005019465A (ja) * | 2003-06-23 | 2005-01-20 | Hamamatsu Photonics Kk | フォトダイオードアレイ及びその製造方法 |
JP2008300614A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Fujifilm Corp | 撮像素子、撮像素子の製造方法、及び、撮像素子用の半導体基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5247487B2 (ja) | 2013-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6151557B2 (ja) | レーザー加工方法 | |
EP1605515B1 (en) | Photodiode array, method for manufacturing same, and radiation detector | |
KR20210000738A (ko) | 방사선 검출기, 및 방사선 검출기의 제조 방법 | |
KR20160053783A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
TW200307322A (en) | Semiconductor substrate, semiconductor chip and production method for a semiconductor device | |
JP5027339B1 (ja) | 撮像装置及び製造方法 | |
TWI455576B (zh) | 具有光感測器之攝像裝置及其製造方法 | |
TWI312198B (en) | A photo electric diodes array and the manufacturing method of the same and a radiation ray detector | |
TWI326130B (en) | A photo electic diodes array and a radiation ray detector | |
JP2004265959A (ja) | 半導体装置、及びそれを用いた放射線検出器 | |
KR101047671B1 (ko) | 광다이오드 어레이와 그 제조 방법 및 방사선 검출기 | |
JP5247486B2 (ja) | 裏面入射型フォトダイオードアレイ及び放射線検出器 | |
JP5247487B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法及び放射線検出器の製造方法 | |
JP4855439B2 (ja) | 放射線検出器 | |
JP6535769B2 (ja) | 放射線検出器の製造方法 | |
JP2019164163A (ja) | 放射線検出器 | |
JP5247484B2 (ja) | 裏面入射型フォトダイオードアレイ及び放射線検出器 | |
JP5247483B2 (ja) | フォトダイオードアレイ及び放射線検出器 | |
JP5247485B2 (ja) | 放射線検出器及びその製造方法 | |
JP5247488B2 (ja) | フォトダイオードアレイ及び放射線検出器 | |
TWI853111B (zh) | 放射線檢測器及放射線檢測器的製造方法 | |
CN115274724B (zh) | 光敏元件的制备方法、光敏探测器和成像装置 | |
US20230019078A1 (en) | Radiation detector and method for manufacturing radiation detector | |
JP2017183357A (ja) | 放射線検出素子の製造方法、放射線検出素子、およびそれを含む放射線検出器 | |
TW202142893A (zh) | 放射線檢測器及放射線檢測器的製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110811 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130314 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130319 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130409 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5247487 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160419 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |