JP2010165736A - Iii−v化合物半導体を成長する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Nソースガスを時刻t2で急激に増加して、時刻t21において定常値に到達する。時刻t2にGaソースガスの供給を再び開始した後に、Gaソースガスの供給量をゆるやかに増加させて時刻t21の後の時刻t22において定常値に到達する。また、時刻t2にInソースガスの供給を開始した後に、Inソースガスの供給量をゆるやかに増加させて、例えば時刻t22において定常値に到達する。この実施例では、Inソースガスが時刻t22で定常値に到達するが、この時刻は、時刻t21よりも遅い時刻である。時刻t2と時刻t22との差は時間△t20である。時間△t20は時間△t2よりも大きい。
【選択図】図1
Description
図1は、第1の実施の形態に係るIII−V化合物半導体を成長する方法のための一例の成膜シーケンスのタイムチャートである。このタイムチャートでは、有機金属気相成長法を用いてIII−V化合物半導体を成長している。
成長の開始において、窒素のための第1の原料ガス、他のV族構成元素のための第2の原料ガスおよびIII族構成元素のための第3の原料ガスの流量を変更することもできる。本実施の形態における好適な実施例では、第1の値は実質的にゼロであることができる。
図4は、半導体光素子の構造を示す図面である。半導体光素子61は、例えば量子井戸構造を有する半導体発光素子である。半導体光素子61は活性領域63を備える。活性領域63は、一または複数の井戸層65と一または複数の障壁層67とを含む。井戸層65および障壁層67は、交互に配列されている。これらの配列は、第1のガイド層69と第2のガイド層71との間に設けられている。活性領域63は、第1導電型クラッド層73と第2導電型クラッド層75との間に位置している。第2導電型クラッド層75上にはコンタクト層77が設けられており、またコンタクト層77上には電極79が設けられている。バッファ層79は、基板81上に設けられている。半導体光素子61において、バッファ層79、第1導電型クラッド層73、活性領域63、第2導電型クラッド層75およびコンタクト層77が順に配置されている。
活性領域63:
井戸層65:Ga0.66In0.34N0.01As0.99、7nm
障壁層67:GaAs、8nm
第1のガイド層69:GaAs、140nm
第2のガイド層71:GaAs、140nm
第1導電型クラッド層73:n型AlGaAs、1.5μm
第2導電型クラッド層75:p型AlGaAs、1.5μm
コンタクト層77:p型GaAs、200nm
バッファ層79:n型GaAs、200nm
基板81:GaAs基板、350μm
である。
図5を参照しながら、MOVPE法により、端面発光型レーザダイオード(LD)を作製する。このレーザダイオードは、SiドープのGaAs基板上にGaInNAs井戸層を含む活性層を有する。井戸層の成長には、Ga、In、N、As、Al原料としてそれぞれトリエチルガリウム(TEGa)、トリメチルインジウム(TMIn)、ジメチルヒドラジン(DMHy)、ターシャリーブチルアルシン(TBAs)、トリメチルアルミニウム(TMAl)を用いる。
TEGa:3×10−5モル/分
TMIn:2×10−5モル/分
DMHy:3×10−2モル/分
TBAs:3×10−4モル/分
である。この実施例では、V族元素の供給モル数比(DMHy:TBAs)は、100:1である。
ターシャリーブチルヒドラジン等を用いることができる。
Claims (13)
- 気相成長法を用いて、V族構成元素として窒素元素およびヒ素元素を含むIII−V化合物半導体を成長する方法であって、
III族構成元素のための第1の原料、窒素のための第2の原料、及び窒素以外の少なくとも一種類のV族構成元素のための第3の原料を用いて、ヒ素およびリンの少なくともいずれかをV族構成元素として含む第1のIII−V化合物半導体からなる半導体領域上に、窒素をV族構成元素として含む第2のIII−V化合物半導体を成長する工程を備え、
前記第1の原料の流量は、第2のIII−V化合物半導体を成長する前記工程において、前記第2のIII−V化合物半導体の成長における定常値へ該定常値より小さい第1の値から変化するように制御され、
前記第2の原料の流量は、第2のIII−V化合物半導体を成長する前記工程において、前記第2のIII−V化合物半導体の成長における定常値へ該定常値より小さい第2の値から変化するように制御され、
前記第1の原料の流量は前記定常値に第1の時刻に到達し、
前記第2の原料の流量は前記定常値に第2の時刻に到達し、
前記第1の原料の流量の変化は前記第1の時刻より前の第3の時刻に開始しており、
前記第2の原料の流量の変化は前記第2の時刻より前の第4の時刻に開始しており、
前記第3の時刻から第1の時刻まで期間は前記第4の時刻から第2の時刻まで期間より長く、
前記第1の時刻は前記第2の時刻より後にある、ことを特徴とする方法。 - 前記第3の時刻から第1の時刻まで期間は1秒以上である、ことを特徴とする請求項1に記載された方法。
- 前記第2のIII−V化合物半導体は、GaInNAs、GaNAs、GaInNAsP、及びGaInNAsSbのいずれかである、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載された方法。
- 前記第1のIII−V化合物半導体は、GaAs、GaNAs、及びGaAsPのいずれかである、ことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載された方法。
- 前記第2のIII−V化合物半導体は、III族構成元素としてガリウム及びインジウムを含むと共に、V族構成元素として窒素元素およびヒ素元素を含み、
前記第2のIII−V化合物半導体はV族構成元素としてリン元素を含まない、ことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載された方法。 - 前記第3の時刻から第1の時刻まで期間において、前記第1の原料の供給量に応じて成長速度が変化する、ことを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載された方法。
- 前記第3の原料はヒ素原料を含み、
前記ヒ素原料は、前記第2のIII−V化合物半導体の成長に先立って供給されている、ことを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載された方法。 - 第3のIII−V化合物半導体を前記第2のIII−V化合物半導体上に成長する工程をさらに備え、
前記第2のIII−V化合物半導体は井戸層を構成しており、
前記第3のIII−V化合物半導体は障壁層または光ガイド層を構成する、ことを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか一項に記載された方法。 - 前記第1のIII−V化合物半導体は障壁層または光ガイド層を構成する、ことを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれか一項に記載された方法。
- 前記第1の原料の前記第1の値はゼロである、ことを特徴とする請求項1〜請求項9のいずれか一項に記載された方法。
- 前記第1のIII−V化合物半導体を基板上に成長して、前記半導体領域を形成する工程を更に備え、
前記第1のIII−V化合物半導体はIII族原料としてガリウムを含むと共に、V族構成元素として少なくとも窒素元素およびヒ素元素を含み、
前記第1の原料はガリウム原料を含み、
前記第3の原料はヒ素原料を含む、ことを特徴とする請求項1〜請求項10のいずれか一項に記載された方法。 - 前記第1のIII−V化合物半導体を基板上に成長して、前記半導体領域を形成する工程を更に備え、
前記第1のIII−V化合物半導体はIII族原料としてガリウムを含み、
前記第1の原料はガリウム原料及びインジウム原料を含み、
前記ガリウム原料及びインジウム原料のいずれの供給量も、前記第2の時刻より後の時刻において定常値に到達するように制御され、
前記第2のIII−V化合物半導体は、GaInNAs、GaInNAsP、及びGaInNAsSbのいずれかである、ことを特徴とする請求項1〜請求項11のいずれか一項に記載された方法。 - 前記第1のIII−V化合物半導体を成長した後に、また前記第2のIII−V化合物半導体を成長するに先立って、何れのIII族原料を供給することなく半導体の成長を行わない工程を更に備える、ことを特徴とする請求項11〜請求項12のいずれか一項に記載された方法。
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JP2004273562A (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Seiko Epson Corp | 発光素子およびその製造方法 |
JP2007157842A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii−v化合物半導体を成長する方法 |
JP2008218914A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii−v族化合物半導体層の形成方法、半導体光素子の製造方法及び半導体光素子。 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001185497A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Sharp Corp | 化合物半導体の結晶成長方法、量子井戸構造、及び化合物半導体装置 |
JP2004273562A (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Seiko Epson Corp | 発光素子およびその製造方法 |
JP2007157842A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii−v化合物半導体を成長する方法 |
JP2008218914A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii−v族化合物半導体層の形成方法、半導体光素子の製造方法及び半導体光素子。 |
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