JP2010162455A - ガス処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
高電圧印加手段20を設ける。ハニカム構造体4の第1の電極8を高電圧印加手段20の正電圧供給端子T1に接続する。ハニカム構造体4の第2の電極9を高電圧印加手段20の負電圧供給端子T2に接続する。高電圧印加手段20のトランジスタQ1,Q2のベースに駆動パルスPSを与え、第1の電極8に接地電位から正方向に立ち上がる正電圧+V1を、第2の電極9に接地電位から負方向に立ち下がる負電圧−V2を、交互に切り換えて印加する。これにより、第1の電極8と第2の電極9との間に、正電圧+V1と負電圧−V2との差電圧V1+V2(高電圧)が周期的に印加されるものとなり、大容量の高電圧電源が不要となる。
【選択図】 図1
Description
また、この発明において、電極は上流側電極と下流側電極の2個の電極のみでよく、多孔体毎に電極を配置する必要がなくなり、部品点数が削減され、構造が簡単となり、組立工数も少なくて済む。
また、本発明において、多孔体は、処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有していればよく、その貫通孔は必ずしも蜂の巣状に設けられていなくてもよい。
〔実施の形態1〕
図1はこの発明に係るガス処理装置の一実施の形態(実施の形態1)の要部を示す図である。同図において、図9と同一符号は図9を参照して説明した構成要素と同一或いは同等構成要素を示し、その説明は省略する。
高電圧印加手段20において、駆動パルスPSが「H」レベルとなると(図2(a):t1点)、トランジスタQ2がオンとされる。トランジスタQ2がオンとされると、スイッチング用集積回路IC2のデッドタイムコントロール端子dc2が「L」レベルとなり、スイッチング用集積回路IC2から高周波スイッチングパルスが出力される。この高周波スイッチングパルスによりトランジスタQ3がオン、オフされ、トランスTR1の1次巻線に電流が流れ、トランスTR1の2次巻線側に電圧V1が発生する(図3参照)。この電圧V1は、コンデンサC1によって平滑され、ダイオードD1を介してハニカム構造体4の第1の電極8に印加される。すなわち、ハニカム構造体4の第1の電極8に、接地電位(GND)から正方向に立ち上がる正電圧+V1が印加される(図2(b):t1点)。
高電圧印加手段20において、駆動パルスPSが「L」レベルとなると(図2(a):t2点)、スイッチング用集積回路IC1のデッドタイムコントロール端子dc1が「L」レベルとなり、スイッチング用集積回路IC1から高周波スイッチングパルスが出力される。この高周波スイッチングパルスが出力によりトランジスタQ1が高周波スイッチングパルスの出力を行い、トランジスタQ1がオン、オフされ、トランスTR2の1次巻線に電流が流れ、トランスTR2の2次巻線側に電圧V2が発生する(図4参照)。この電圧V2は、コンデンサC1によって平滑され、ダイオードD2を介してハニカム構造体4の第2の電極9に印加される。すなわち、ハニカム構造体4の第2の電極9に、接地電位(GND)から負方向に立ち下がる負電圧−V2が印加される(図2(c):t2点)。
実施の形態1では、ダクト1内にハニカム構造体4を1つしか配置しなかったが、ダクト1内にハニカム構造体4を複数配置するようにしてもよい。
実施の形態2では、ダクト1の入口から出口へ向かう方向に沿って複数のハニカム構造体4をダクト1内に設けるようにしたが、図6に示すように、ダクト1の入口から出口へ向かう方向に対し直交する方向に沿って複数のハニカム構造体4をダクト1内に設けるようにしてもよい。
図7にこの発明に係るガス処理装置の他の実施の形態(実施の形態4)の要部を示す。この実施の形態4では、ハニカム構造体4−1と4−2との間に間隔G1を設けて、ハニカム構造体4−3と4−4との間に間隔G2を設けて、ハニカム構造体4−1〜4−4をダクト1内に配置している。
図8にこの発明に係るガス処理装置の他の実施の形態(実施の形態5)の要部を示す。この実施の形態5では、ハニカム構造体4−1と4−2との間に間隔G1を設けて、ハニカム構造体4−3と4−4との間に間隔G2を設けて、ハニカム構造体4−5と4−6との間に間隔G3を設けて、ハニカム構造体4−1〜4−6をダクト1内に配置している。
また、上述した実施の形態1〜5において、ハニカム構造体4には貫通孔4aが蜂の巣状に設けられているが、多数の貫通孔4aが設けられていればよく、蜂の巣状に限られるものではない。
C8H18+8H2O+4(O2+4N2)→8CO2+17H2+16N2・・・・(1)
Claims (4)
- 通風路内に配置され、前記通風路内を流れる処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する多孔体と、
この多孔体の外側の一方および他方に配置される第1および第2の電極と、
前記第1の電極に接地電位から正方向に立ち上がる正電圧を前記第2の電極に接地電位から負方向に立ち下がる負電圧を交互に切り換えて印加し前記多孔体の貫通孔にプラズマを発生させる高電圧印加手段と
を備えることを特徴とするガス処理装置。 - 通風路内に間隔を設けて配置され、前記通風路内を流れる処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する複数の多孔体と、
前記複数の多孔体のうち前記処理対象ガスの通過方向の最も上流に配置される多孔体の上流側に配置される上流側電極と、
前記複数の多孔体のうち前記処理対象ガスの通過方向の最も下流に配置される多孔体の下流側に配置される下流側電極と、
前記上流側電極および前記下流側電極の一方を第1の電極、他方を第2の電極とし、前記第1の電極に接地電位から正方向に立ち上がる正電圧を前記第2の電極に接地電位から負方向に立ち下がる負電圧を交互に切り換えて印加し、前記多孔体の貫通孔および前記多孔体間の空間にプラズマを発生させる高電圧印加手段と
を備えることを特徴とするガス処理装置。 - 通風路内に間隔を設けて配置され、前記通風路内を流れる処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する複数の多孔体と、
前記複数の多孔体のうち隣り合う複数の多孔体を1群の多孔体群とし、これら多孔体群毎にその両端に位置する多孔体の外側に配置された第1および第2の電極と、
前記各多孔体群の第1の電極に接地電位から正方向に立ち上がる正電圧を第2の電極に接地電位から負方向に立ち下がる負電圧を交互に切り換えて印加し、前記多孔体の貫通孔および前記多孔体間の空間にプラズマを発生させる高電圧印加手段と
を備えることを特徴とするガス処理装置。 - 請求項1〜3の何れか1項に記載されたガス処理装置において、
前記多孔体は、ハニカム構造体である
ことを特徴とするガス処理装置。
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JP2012041225A (ja) * | 2010-08-18 | 2012-03-01 | Daikoh Shoji Corp | 水素発生方法及びその方法を実施する装置並びにその装置を用いた自動車用燃料発電装置 |
CN104043322A (zh) * | 2014-06-24 | 2014-09-17 | 浙江工商大学 | 一种等离子体与络合催化协同燃煤烟气脱硝的方法 |
JP2014193807A (ja) * | 2014-04-14 | 2014-10-09 | Daikoh Shoji Corp | 水素発生方法及びその方法を実施する装置並びにその装置を用いた自動車用燃料発電装置 |
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JP2008194670A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-08-28 | Yamatake Corp | ガス処理装置 |
JP2008194668A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-08-28 | Yamatake Corp | ガス処理装置 |
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