JP2010161290A - シミュレーション方法、シミュレーション装置及びシミュレーションプログラム - Google Patents
シミュレーション方法、シミュレーション装置及びシミュレーションプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010161290A JP2010161290A JP2009003675A JP2009003675A JP2010161290A JP 2010161290 A JP2010161290 A JP 2010161290A JP 2009003675 A JP2009003675 A JP 2009003675A JP 2009003675 A JP2009003675 A JP 2009003675A JP 2010161290 A JP2010161290 A JP 2010161290A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scattering
- simulation
- time
- carrier
- calculation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/36—Circuit design at the analogue level
- G06F30/367—Design verification, e.g. using simulation, simulation program with integrated circuit emphasis [SPICE], direct methods or relaxation methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Geometry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)
Abstract
【解決手段】キャリアの運動を散乱と電界によるドリフト運動を繰り返すことによって模倣し、モンテカルロ・シミュレーションを行う方法であって、散乱過程を処理する部分において、ドルーデの公式による緩和時間を散乱時間として計算し、散乱時間に到達したキャリアの状態を熱平衡状態の分布関数に基づいて決定する(ステップ305)。
【選択図】図4
Description
本第1の実施形態では、Nチャネル型MOSFETにおける電流−電圧特性のシミュレーションを例にとっており、精度を落とさずに計算コストを抑制する例について説明する。
本第2の実施形態では、金属配線の抵抗率を予測するためのシミュレーションを例にとって説明する。
上記第1及び第2の実施形態に係るモンテカルロ・シミュレーション法の命令のプログラムをパーソナルコンピュータのハードディスクや半導体メモリなどの記憶装置に記憶して実行することにより、パーソナルコンピュータを用いて計算精度を落とさずに、計算コストを抑えたモンテカルロ・シミュレータを実現できる。
次に、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法の主要なステップについて説明する。
Claims (5)
- 散乱過程とドリフト過程を交互に繰り返してキャリアの運動を模倣するモンテカルロ・シミュレーション方法であって、
前記散乱過程の処理において、ドルーデの公式による緩和時間を散乱時間として計算するステップと、
前記散乱時間に到達したキャリアの状態を熱平衡状態の分布関数に基づいて決定するステップと
を具備することを特徴とするシミュレーション方法。 - 前記ドリフト過程において、界面散乱及びグレインバウンダリ散乱を含む構造起因の散乱を処理するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載のシミュレーション方法。
- 散乱過程とドリフト過程を交互に繰り返してキャリアの運動を模倣するモンテカルロ・シミュレーション装置であって、
散乱についてのパラメータの初期値を入力する入力装置と、
シミュレーションプログラム、計算式、デバイスのモデル式、前記入力装置から入力した散乱についてのパラメータの初期値、及び演算結果を記憶する記憶装置と、
前記散乱についてのパラメータの初期値と、前記記憶装置に記憶されている計算式に基づいて、前記散乱過程においてドルーデの公式による緩和時間を散乱時間として計算し、前記散乱時間に到達したキャリアの状態を熱平衡状態の分布関数に基づいて決定する演算装置と、
前記記憶装置に記憶されているシミュレーションプログラムにしたがって、前記入力装置及び前記演算装置を制御する処理装置と、
前記処理装置により制御され、前記演算装置による演算で得られたシミュレーション結果を出力する出力装置と
を具備することを特徴とするシミュレーション装置。 - 前記演算装置は、前記キャリアのドリフト過程の処理において、界面散乱とグレインバウンダリ散乱を含む構造起因の散乱を更に処理することを特徴とする請求項3に記載のシミュレーション装置。
- 散乱過程とドリフト過程を交互に繰り返してキャリアの運動を模倣するモンテカルロ・シミュレーション方法をコンピュータ上で実行させるプログラムであって、
前記散乱過程を処理する部分において、ドルーデの公式による緩和時間を散乱時間として計算する手順と、
前記散乱時間に到達したキャリアの状態を熱平衡状態の分布関数に基づいて決定する手順と
を具備することを特徴とするプログラム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009003675A JP5426177B2 (ja) | 2009-01-09 | 2009-01-09 | シミュレーション方法、シミュレーション装置及びシミュレーションプログラム |
US12/683,135 US20100179792A1 (en) | 2009-01-09 | 2010-01-06 | Monte carlo simulation method, simulation apparatus, and medium storing simulation program |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009003675A JP5426177B2 (ja) | 2009-01-09 | 2009-01-09 | シミュレーション方法、シミュレーション装置及びシミュレーションプログラム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010161290A true JP2010161290A (ja) | 2010-07-22 |
JP2010161290A5 JP2010161290A5 (ja) | 2011-07-07 |
JP5426177B2 JP5426177B2 (ja) | 2014-02-26 |
Family
ID=42319670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009003675A Expired - Fee Related JP5426177B2 (ja) | 2009-01-09 | 2009-01-09 | シミュレーション方法、シミュレーション装置及びシミュレーションプログラム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100179792A1 (ja) |
JP (1) | JP5426177B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015176873A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-05 | 株式会社東芝 | シミュレーション方法、シミュレーション装置、及び、コンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8234295B2 (en) * | 2009-06-03 | 2012-07-31 | International Business Machines Corporation | Managing uncertain data using Monte Carlo techniques |
EP3265788B1 (de) * | 2015-03-03 | 2021-11-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Anordnung zur ortsaufgelösten bestimmung des spezifischen elektrischen widerstands und/oder der spezifischen elektrischen leitfähigkeit von proben |
DE102015208026A1 (de) | 2015-03-03 | 2016-09-08 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Anordnung zur ortsaufgelösten Bestimmung des spezifischen elektrischen Widerstands und/oder der spezifischen elektrischen Leitfähigkeit von Proben |
CN108618796A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-10-09 | 南方医科大学 | 一种基于任务驱动的蒙特卡洛散射光子模拟方法 |
CN112763519B (zh) * | 2020-12-22 | 2022-03-01 | 清华大学 | 一种用拟蒙特卡罗方法模拟光子散射的方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2950253B2 (ja) * | 1996-10-21 | 1999-09-20 | 日本電気株式会社 | シミュレーション方法 |
JP2000091554A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Fujitsu Ltd | 中性子ソフトエラー率計算方法及びα線ソフトエラー率計算方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002203757A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Toshiba Corp | 境界条件表示プログラムおよび半導体装置の製造方法 |
JP2010080726A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | 半導体デバイスシミュレーション方法およびこれを実行する半導体デバイスシミュレーション装置 |
-
2009
- 2009-01-09 JP JP2009003675A patent/JP5426177B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-06 US US12/683,135 patent/US20100179792A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2950253B2 (ja) * | 1996-10-21 | 1999-09-20 | 日本電気株式会社 | シミュレーション方法 |
JP2000091554A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Fujitsu Ltd | 中性子ソフトエラー率計算方法及びα線ソフトエラー率計算方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JPN6013037268; David Lacroix, Karl Joulain, and Denis Lemonnier: 'Monte Carlo transient phonon transport in silicon and germanium at nanoscales' Physical Review B Volume 72, Issue 6, 20050802, Pages 060305-1〜11 * |
JPN6013037270; Wang Zhuo Van, Du Gang, Kang Jin Feng, Liu Xiao Van and Han Ruqi: 'Monte Carlo Simulation of Cu-Resistivity' International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, 2008 (SISPAD 2008) , 20080909, Pages 321〜324 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015176873A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-05 | 株式会社東芝 | シミュレーション方法、シミュレーション装置、及び、コンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100179792A1 (en) | 2010-07-15 |
JP5426177B2 (ja) | 2014-02-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5426177B2 (ja) | シミュレーション方法、シミュレーション装置及びシミュレーションプログラム | |
JP5306236B2 (ja) | 半導体デバイスの応力のモデリング方法およびシステム | |
CN105378734A (zh) | 半局部弹道迁移率模型 | |
Angélil et al. | Homogeneous SPC/E water nucleation in large molecular dynamics simulations | |
Wu et al. | A holistic 3D finite element simulation model for thermoelectric power generator element | |
Stettler et al. | Industrial TCAD: modeling atoms to chips | |
Liu et al. | On the voltage dependence of sensitivity for Schottky-type gas sensor | |
Farmer et al. | Phase-field simulations of electromigration-induced defects in interconnects with non-columnar grain microstructure | |
JP5589665B2 (ja) | 解析装置、解析プログラムおよび解析方法 | |
US20100288926A1 (en) | Atom probe data and associated systems and methods | |
KR102339937B1 (ko) | 변형 에너지를 고려한 고용체의 상태도 계산방법 | |
TW200417887A (en) | Circuit simulation for a circuit | |
JPH08139151A (ja) | デバイスシミュレーションの方法および装置 | |
JP6108519B2 (ja) | ドレイン電流のシミュレーション装置及びドレイン電流のシミュレーションプログラム | |
Cheng et al. | Theoretical analysis of thermal spikes during ion bombardment of amorphous silicon nitride surfaces | |
JP3877611B2 (ja) | シミュレーション装置およびシミュレーション方法 | |
JP2011226936A (ja) | 表面温度測定装置および表面温度測定方法 | |
US8296700B2 (en) | Analyzing method of semiconductor device, designing method thereof, and design supporting apparatus | |
JP2010165924A (ja) | シミュレーション装置、シミュレーション方法、およびシミュレーション用プログラムを記録した記録媒体。 | |
Aghaei et al. | Extracting impurity locations using scanning capacitance microscopy measurements | |
JP2007027390A (ja) | デバイスシミュレーション装置、デバイスシミュレーション方法およびデバイスシミュレーションプログラム | |
JP3926150B2 (ja) | デバイス・シミュレーション方法およびデバイス・シミュレーション装置 | |
JP5391545B2 (ja) | デバイスシミュレーション装置、方法及びプログラム | |
Sasagawa et al. | Atomic flux divergence in bamboo line for predicting initial formation of voids and hillocks | |
WO2023234175A1 (ja) | 情報処理装置、情報処理方法及びプログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110523 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130730 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130913 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131128 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5426177 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |