JP2010155780A - 光ファイバの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光ファイバの製造方法は、MCVD法により光ファイバ母材を作製する母材作製工程と、母材作製工程で作製した光ファイバ母材を線引きする線引き工程と、を備える。母材作製工程において、石英管P内に、SiCl4ガス及びO2ガスと共に鉄を含む金属で形成された配管61を介してAlCl3ガスを供給して加熱することにより、Alがドープされたガラス化したSiO2を堆積させる際に、AlCl3ガスを供給する配管61の温度を215℃以下に設定する。
【選択図】図1
Description
MCVD法により光ファイバ母材を作製する母材作製工程と、
上記母材作製工程で作製した光ファイバ母材を線引きする線引き工程と、
を備えた光ファイバの製造方法であって、
上記母材作製工程において、石英管内に、SiCl4ガス及びO2ガスと共に鉄を含む金属で形成された配管を介してAlCl3ガスを供給して加熱することにより、Alがドープされたガラス化したSiO2を堆積させる際に、AlCl3ガスを供給する配管の温度を215℃以下に設定するものである。
石英管内に、SiCl4ガス及びO2ガスと共に鉄を含む金属で形成された配管を介してAlCl3ガスを供給して加熱することにより、Alがドープされたガラス化したSiO2を堆積させる際に、AlCl3ガスを供給する配管の温度を215℃以下に設定するものである。
図1は本実施形態に係るMCVD装置Aを示す。
本実施形態に係るMCVD装置Aを用いた光ファイバ200の製造方法について説明する。
−準備工程−
一方の管支持部11のロータリージョイント13に、石英管Pの一端を密封するように保持させ、また、他方の管支持部11の管内圧制御部15に、石英管Pの他端を密閉するように保持させる。このとき、石英管Pは、ロータリージョイント13と管内圧制御部15との間で軸回転可能に水平支持される。
図3に示すように、ロータリージョイント13により石英管Pを軸回転させ、また、石英管P内にクリーニングガス及びキャリアガスを供給すると共に、石英管P内の圧力を管内圧制御部15により制御する。このとき、MCVD装置Aがクリーニングされる。なお、このクリーニング処理の後、N2ガスやHeガス等のパージガスを1時間程度流通させてもよい。
クリーニング工程後、石英管Pを新しいものに取り替える。そして、図4に示すように、ロータリージョイント13により石英管Pを軸回転させ、また、石英管P内にエッチングガス及びキャリアガスを供給すると共に、石英管P内の圧力を管内圧制御部15により制御し、さらに、石英管Pに沿って石英バーナー16を往復移動させながら石英管Pを酸水素炎で加熱する。このとき、石英管Pの管内壁がエッチングされる。なお、このエッチング処理の前に石英バーナー16で石英管Pを空焼きしてもよい。
エッチングガスの供給を停止した後、図5に示すように、石英管P内に、SiCl4供給源20からSiCl4供給配管21を介してSiCl4ガス及びO2ガスを、及びAlCl3供給源60からAlCl3供給配管61を介してAlCl3ガス及びキャリアガスをそれぞれ供給する。このとき、石英管P内に、スートではないAlがドープされたガラス化したSiO2で形成された第1堆積層が堆積する。このように直接ガラス化した第1堆積層を堆積させることにより、スートをガラス化させる際の加熱によりドーパントが拡散することがなく、そのため複雑なプロファイルの形成が可能となり、高い設計の自由度を得ることができる。なお、必要に応じて、石英管P内に、GeCl4供給源30からGeCl4供給配管31を介してGeCl4ガス及びキャリアガスを、並びにPOCl3供給源50からPOCl3供給配管51を介してPOCl3ガス及びキャリアガスをそれぞれ供給し、第1堆積層にドーパントとしてGeやPを含ませてもよい。
第1堆積工程と同じ操作状態で、さらに、図6に示すように、石英管P内に、希土類元素含有物質供給源40から希土類元素含有物質供給配管41を介して希土類元素含有物質ガス及びキャリアガスを供給する。このとき、石英管P内に、スートではない希土類元素及びAlがドープされたガラス化したSiO2で形成された第2堆積層が堆積する。なお、必要に応じて、石英管P内に、GeCl4供給源30からGeCl4供給配管31を介してGeCl4ガス及びキャリアガスを、並びにPOCl3供給源50からPOCl3供給配管51を介してPOCl3ガス及びキャリアガスをそれぞれ供給し、第2堆積層にドーパントとしてGeやPを含ませてもよい。また、第1堆積工程を行わずにこの第2堆積工程のみを行ってもよい。
キャリアガス以外のガスの供給を停止し、図7に示すように、石英管Pに沿って石英バーナー16を往復移動させることにより、石英管Pを酸水素炎で加熱して内部空間を縮小させて潰す。このとき、中央のコア形成部分に希土類元素及びAlがドープされた円柱状のMCVD母材が得られる。
(ここで、r:コア半径、λ:伝搬波長、n1:コア屈折率、及びn2:クラッド屈折率)
上記クラッド径/コア径の比は、伝搬波長λをカットオフ波長設計値(例えば1.4μm)、並びにコア屈折率n1及びクラッド屈折率n2をプリフォームアナライザにより測定されたMCVD母材のコア形成部及びクラッド形成部の屈折率とし、上記シングルモード条件式から算出されるコア半径rの条件から導くことができる。
図8に示すように、上記で作製した光ファイバ母材100を線引き装置Bにセットし、ヒータHで加熱して線引きする。このとき、図9に示すように、希土類元素及びAlがドープされた石英で形成されたコア210とそれを被覆するように設けられドーパントがドープされていない石英で形成されたクラッド220とを有し、波長1000〜1200nmでの最低損失が10dB/km以下、好ましくは7dB/km以下である低損失の光ファイバ200が製造される。なお、光ファイバの線引きと同時にUV硬化型樹脂等で形成された被覆層を設けてもよい。
上記実施形態に示すのと同様の構成のMCVD装置であって、SiCl4供給源としてSiC4ベーキング機、希土類元素含有物質供給源としてEr(DPM)3バブリング機、AlCl3供給源としてAlCl3バブリング機、及びAlCl3供給配管がSUS316Sで形成されたものを用い、エルビウムドープファイバ(EDF)を有する試験評価用ファイバ心線を製造した。
AlCl3供給配管の配管温度を100℃、165℃、170℃、180℃、200℃、215℃、230℃、240℃、及び300℃のそれぞれの条件で製造した試験評価用ファイバ心線について、JIS C 6823「光ファイバ損失試験方法」に基づいて、カットバック法により背景損失を測定した。
いずれの試験評価用ファイバ心線の損失の波長依存性においても、短波長側、波長980nm、及び波長1530nmにErの吸収が見られた。
100 光ファイバ母材
200 光ファイバ
Claims (9)
- MCVD法により光ファイバ母材を作製する母材作製工程と、
上記母材作製工程で作製した光ファイバ母材を線引きする線引き工程と、
を備えた光ファイバの製造方法であって、
上記母材作製工程において、石英管内に、SiCl4ガス及びO2ガスと共に鉄を含む金属で形成された配管を介してAlCl3ガスを供給して加熱することにより、Alがドープされたガラス化したSiO2を堆積させる際に、AlCl3ガスを供給する配管の温度を215℃以下に設定する光ファイバの製造方法。 - 請求項1に記載された光ファイバの製造方法において、
上記母材作製工程において、AlCl3を、所定温度に加熱してバブリングすることによりAlCl3ガスを発生させ、AlCl3ガスを供給する配管の温度を、そのAlCl3の加熱温度以上に設定する光ファイバの製造方法。 - 請求項2に記載された光ファイバの製造方法において、
上記母材作製工程において、AlCl3の加熱温度を160℃とする光ファイバの製造方法。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載された光ファイバの製造方法において、
上記配管がステンレスで形成されている光ファイバの製造方法。 - 請求項1乃至4のいずれかに記載された光ファイバの製造方法において、
上記配管がAlCl3ガスのみを供給する専用配管である光ファイバの製造方法。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載された光ファイバの製造方法において、
上記母材作製工程において、石英管内にAlCl3ガスに加えて希土類元素含有ガスを供給する光ファイバの製造方法。 - 請求項6に記載された光ファイバの製造方法において、
石英管内に供給する希土類元素含有ガスの温度をAlCl3ガスの温度よりも高くする光ファイバの製造方法。 - 請求項7に記載された光ファイバの製造方法において、
石英管内に希土類元素含有ガスを囲うようにAlCl3ガスを供給する光ファイバの製造方法。 - MCVD法により光ファイバ母材を製造する方法であって、
石英管内に、SiCl4ガス及びO2ガスと共に鉄を含む金属で形成された配管を介してAlCl3ガスを供給して加熱することにより、Alがドープされたガラス化したSiO2を堆積させる際に、AlCl3ガスを供給する配管の温度を215℃以下に設定する光ファイバ母材の製造方法。
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