KR100669581B1 - 저손실 광섬유 제조를 위한 광섬유 모재 제조용 전기로 - Google Patents

저손실 광섬유 제조를 위한 광섬유 모재 제조용 전기로 Download PDF

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Abstract

본 발명은 수정화학기상증착법(MCVD)에 사용되는 열원으로서 전이금속 불순물에 의한 광손실의 발생을 억제할 수 있는 전기로(furnace)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광섬유 모재 제조용 전기로는, 석영튜브가 관통하는 입구 및 출구가 마련된 케이스와, 케이스 내에서 석영튜브를 감싸도록 설치된 발열체 및 케이스가 석영튜브에 대하여 노출되는 부위에 설치된 차단부재를 포함한다. 본 발명에 의하면, 열원으로서 전기로를 사용하는 수정화학기상 증착법에서 전이금속(transition metal)에 의한 1550nm 파장대의 흡수손실이 현저하게 낮은 양질의 광섬유를 제조할 수 있다.
수정화학 기상증착법(MCVD), 전기로(furnace), 광손실, 전이금속

Description

저손실 광섬유 제조를 위한 광섬유 모재 제조용 전기로{Furnace for manufacturing low loss optical fiber preform}
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.
도 1은 종래의 수정화학기상증착법(MCVD)을 이용한 광섬유 모재의 제조과정을 나타내는 개념도.
도 2는 통상적인 MCVD 공법에 사용되는 전기로(furnace)의 구성을 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기로 구성을 나타내는 단면도.
도 4는 전이금속의 함유량과 광손실과의 관계를 나타낸 그래프.
도 5는 종래 기술에 따른 전기로와 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기로를 이용하여 광섬유 모재 제조시 광손실의 차이를 도시한 그래프.
<도면의 주요 참조부호에 대한 설명>
100..전기로 110..케이스 120..발열체
130..차단부재 10..석영튜브
본 발명은 광섬유 모재(preform) 제조용 전기로(fuanace)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 수정화학기상증착법(Modified Chemical Vapor Deposition; MVCD)을 이용하여 광섬유 내의 전이금속 불순물에 의한 광손실을 억제할 수 있는 전기로에 관한 것이다.
일반적으로 기상 증착 방식으로 광섬유 모재를 제조하는 대표적인 공정기술로는 기상축증착(Vapor-Phase Axial Deposition;VAD)공법과 외부기상증착(Outside Vapor Deposition;OVD)공법, 수정화학 기상증착(MCVD)공법을 들 수 있다.
그 중 MCVD 공법은 내부증착방식으로 클래드 및 코어를 순차적으로 형성하는 제조 방법으로, 보다 구체적으로는 중공 상의 튜브 내부에 반응기체와 함께 캐리어 가스를 주입하고, 열원을 이용하여 모재를 가열하여 모재 내부에서 열산화 반응으로 인한 증착이 레이어 단위로 반복적으로 이루어지도록 하여 클래드 및 코어를 형성시키는 광섬유 모재 제조 공법이다.
도 1에는 MCVD공법의 주요 공정인 클래드/코어의 증착 공정이 개략적으로 도시되어 있다.
도 1을 참조하면, MCVD 공법은 회전하는 석영튜브(1) 내부로 SiCl4, GeCl4, POCl3 등의 반응가스(실선화살표 참조)를 산소와 함께 투입함과 아울러, 열영동 (Thermophoresis)에 의해 튜브 내벽에 반응물(2)(수트)이 증착되도록 석영튜브(1)의 길이방향(축 방향)을 따라 열원(3)을 반복적으로 왕복이송시키면서 석영튜브(1)를 가열하여 클래드와 코어의 증착층(4)을 형성하는 방식으로 증착 공정이 진행된다. 여기서, 수트가 생성되는 반응을 반응식으로 나타내면 다음과 같다.
SiCl4(g) + O2(g) → SiO2(s) + 2Cl2(g)
GeCl4(g) + O2(g) → GeO2(s) + 2Cl2(g)
여기서, 상기 반응가스의 반응에 따라 생성되는 SiO2입자는 클래드 및 코어의 직경을 결정하게 되며, GeO2입자는 굴절률을 조절하게 된다.
이러한 광섬유 모재를 이용하여 제조된 광섬유의 가장 중요한 특성 중의 하나는 전송손실, 즉 감쇠량이다. 광섬유의 손실은 광섬유 자체가 갖는 내적 손실 요인과 광섬유를 사용하는데 따른 외적 손실 요인으로 분류할 수 있는데, 내적 손실 요인으로는 광섬유의 흡수손실과 산란손실이 있으며, 외적 손실 요인으로는 소자와의 결합손실, 광섬유의 구부림에 의한 손실, 광섬유와 광섬유 사이의 접속손실 등이 있다.
이 중에서, 흡수손실은 광섬유에 포함된 불순물에 의해 주로 발생하는데, 불순물에 의한 손실은 철, 크롬, 코발트, 구리와 같은 전이금속과 수산기의 수분에 의한 것이 크다.
종래의 MCVD 공법에서는 열원으로서 수소 또는 산소 화염을 사용할 경우, 복 수의 클래드층 및 코어층이 형성되는 과정에서 그 내부에 수산기(OH-)가 불순물로 포함되는 문제가 발생하였다. 이를 해결하기 위해 최근에는 MCVD공법으로 광섬유 모재를 제조하는데 있어서, 열원으로 전기로를 사용한다.
도 2는 종래 기술에 따른 광섬유 모재 제조용 전기로의 구성을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 전기로(6)는 석영튜브(5)가 관통하는 입구(60a) 및 출구(60b)가 형성된 케이스(60)와, 케이스(60) 내에서 석영튜브(5)를 감싸도록 설치된 발열체(70)로 구성된다. 회전하는 석영튜브(5) 내부로 반응가스를 산소와 함께 투입함과 동시에, 석영 튜브(5) 내벽에 반응물이 증착되도록 석영튜브(5)의 길이방향을 따라 전기로(6)를 이동시켜 석영튜브를 가열한다. 이때, 전기로(6)에 의해 가열된 고온의 석영튜브(5)에 노출되는 케이스(60)의 인접부(61)는 전기로(6)의 재질인 SUS(Stainless Steel)로부터 생성되는 전이금속 불순물이 인접한 석영튜브를 오염시킨다. 즉, 전기로를 열원으로 사용할 경우, 과거 열원으로 사용했던 수소 또는 산소 토치의 문제점인 수산기의 확산을 방지하여 1383nm 대역에서의 광손실을 현저히 줄일 수 있으나, 전기로를 구성하는 금속부분으로부터 전이금속 불순물이 발생하고 이러한 전이금속 불순물이 석영튜브를 오염시켜 장파장(1550nm) 손실을 발생시키는 문제점이 있는 것이다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 수정화하기상증착법을 이용하여 광섬유 모재를 제조하는데 있어서, 전이금속에 의한 광손실 을 효과적으로 방지할 수 있는 광섬유 모재 제조용 전기로를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 수정화학기상증착법을 이용하여 전이금속에 의한 오염을 방지할 수 있는 광섬유 모재 제조용 전기로를 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 광섬유 모재 제조용 전기로는 석영튜브가 관통하는 입구 및 출구가 형성된 케이스와, 케이스 내에서 석영튜브를 감싸도록 설치된 발열체 및 케이스가 석영튜브에 대하여 노출되는 부위에 설치된 차단부재를 포함한다.
바람직하게, 차단부재는 내열성을 갖는 재질, 예컨대, 그라파이트(graphite) 또는 쿼츠(quartz)인 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 차단부재는 불순물의 총함량이 500ppm 이하인 그라파이트인 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기로의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 전기로(100)는, 케이스(110)와 케이스(110) 내부에 설치된 발열체(120) 및 차단부재(130)를 포함한다.
케이스(110)는 전기로(100) 본체 외관을 이루는 것으로서 그 내부에는 석영 튜브(10)가 전기로 내부로 삽입되도록 입구(110a)와 출구(110b)가 마련된다. 이때, 케이스(110)의 재질은 SUS(Stainless Steel)일 수 있는데, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
발열체(120)는 케이스(110) 내부에 설치되며, 석영 튜브(10)가 관통하는 중공이 형성된 원통형 형상이다. 발열체(120)에는 그 중심부 근처로 갈수록 두께가 얇아지는 발열부(121)(hot zone)가 마련된다. 이러한 발열부(121)는 발열이 집중적으로 이루어지는 영역으로서, 그 형태가 전기 저항로 형식인 경우에는 외부로부터 인가되는 전류를 공급받아 발열되고, 유도 가열로 형식인 경우에는 외부로부터 유도 가열되어 발열이 이루어진다.
차단부재(130)는, 케이스(110)가 석영튜브(10)에 대하여 노출된 부위에 설치되어 고온의 석영튜브(10)와 케이스(110)가 직접적으로 인접하는 것을 방지한다.
SUS와 같은 금속재질로 구성된 케이스(110)는 광섬유 모재 제조시, 고온의 발열체(120) 및 고온의 석영튜브(10)에 노출된다. 이때, 고온의 석영튜브(10)와 인접한 케이스(110)의 금속부분은 고온의 석영튜브(10)로부터 전달된 복사열에 의해 온도가 증가하고, 케이스의 금속부분 내에 포함된 전이금속에 의한 불순물이 생성된다. 이러한 불순물은 인접해 있는 석영튜브(10)의 표면을 오염시키며, 완성된 광섬유 모재의 표면에 잔류하게 한다. 따라서, 이러한 광섬유 모재를 이용하여 광섬유를 제조하면, 전이금속이 갖는 고유한 흡수 특성으로 인해 광손실을 유발한다.
도 4는 전이금속의 함량과 그에 따른 광손실의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 4를 참조하면, 전이금속에 해당되는 Mn, Ni, Cr, V, Ca, Fe, Cu 등의 불순물 1ppb당 광손실 값을 400~1800nm 파장 영역에서 나타내었다.
도면을 참조하면, 전이 금속 불순물이 광섬유 내에 매우 작은 양이 포함되어 있어도 넓은 파장 영역에 걸쳐서 광손실을 크게 유발시킨다는 것을 알 수 있다.
따라서, 차단부재(130)는 케이스(110)의 금속부분의 전이금속에 의한 석영튜브의 오염을 방지하기 위한 것으로, 케이스(110)의 금속부분과 석영튜브(10)에 노출되어 있는 부분에 대하여 모두 설치하는 것이 바람직하다.
차단부재(130)의 재질은 광섬유 모재 제조공정을 고온에서 진행할 수 있도록 내열성이 우수한 예컨대, 그라파이트 또는 쿼츠인 것이 바람직하다.
도 5는 본 발명에 따른 전기로를 사용하여 제조된 광섬유의 파장 대별 광손실의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 5는 광섬유 코어에서 발생하는 1200nm 에서 1700nm 영역의 광손실을 나타낸 것으로서, 점선으로 표시된 것은 SUS재질의 케이스에 포함된 전이금속에 의해 석영튜브가 오염된 광섬유 모재를 이용하여 인선한 광섬유의 광손실을 나타내며, 실선으로 표시된 것은 본 발명에 따른 전기로를 이용하여 광섬유 모재를 제조하고 제조된 광섬유 모재로부터 인선한 광섬유의 광손실을 나타낸다.
도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 전기로를 사용하여 제조된 광섬유의 경우 1200nm 에서 1700nm 영역의 파장 대에 걸쳐 전이금속에 의한 광손실이 전체적으로 감소하였음을 알 수 있다. 특히, 1500nm 이상의 장파장 대에서의 감소율이 단파장대에서의 감소율에 비해 상대적으로 높았다.
케이스의 금속부분에서 발생하는 전이금속은 장파장대에서의 광손실을 증가시키는 성분이기 때문에, 전이금속에 의한 석영튜브의 오염을 방지할 수 있는 전기로는 장파장대에서의 광손실을 감소시키는데 효율적임을 알 수 있다.
본 발명의 효과는 다음의 실시예 및 비교예를 통해 더욱 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
<실시예 1>
불순물 함량이 30ppm이하(구체적인 불순물의 성분 및 그 함량은 표 1에 나타내었다.)인 그라파이트 재질의 차단부재를 전기로의 케이스가 석영튜브에 대하여 노출되는 부분에 설치하였다. 그리고 전기로의 온도를 2200℃로 유지하면서, 수정화학기상증착 공정을 진행하여 광섬유 모재를 제조하였다. 이때, 시간당 수트의 증착량은 20g/min 으로 조절하였다.
종류 Al B Fe Ca Cu Mg Ni Ti V Si Pb Sn Mo W Zn Cr 계
함량 2 4 4 4 1 1 1 0.5 0.5 2 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 23
코어층 형성공정이 끝난 후 붕괴공정 및 인선공정을 거쳐 광섬유를 제조하였다. 이렇게 제조된 광섬유에 대하여 1310nm,1383nm 및 1550nm에서 흡수손실을 측정하였는데, 그 결과는 아래의 표 2와 같다.
<비교예 1>
종래 기술에 따른 광섬유 모재 제조용 전기로를 사용하여 광섬유 모재를 제조하였다. 전기로의 온도는 2200℃로 유지하면서 수정화학기상증착 공정을 진행하여 광섬유 모재를 제조하였고, 이때, 시간당 수트의 증착량은 20g/min 으로 조절하였다.
코어층 형성공정이 끝난 후 붕괴공정 및 인선공정을 거쳐 광섬유를 제조하였다. 이렇게 제조된 광섬유에 대하여 1310nm,1383nm 및 1550nm에서의 흡수손실을 측정하였는데, 그 결과는 아래의 표 2와 같다.
퍼니스 온도(℃) 각 파장 대에서의 손실(dB/km)
1310nm 1383nm 1550nm
실시예 1 0.314 0.486 0.187
비교예 1 0.376 0.593 0.282
<실시예 2>
불순물 함량이 30ppm이하(구체적인 불순물의 성분 및 그 함량은 표 1에 나타내었다.)인 그라파이트 재질의 차단부재를 전기로의 케이스가 석영튜브에 대하여 노출되는 부분에 설치하였다. 또한, 생산성 향상을 위해 광섬유 모재의 층당 증착량을 실시예 1에 비해 1.5배 증가시키고, 이를 위해 전기로의 온도를 증가시켰다. 즉, 전기로의 온도를 2400℃로 유지하면서 수정화학기상증착 공정을 진행하여 광섬유 모재를 제조하였다. 이때, 시간당 수트의 증착량은 50g/min 으로 조절하였다.
코어층 형성공정이 끝난 후 붕괴공정 및 인선공정을 거쳐 광섬유를 제조하였다. 이렇게 제조된 광섬유에 대하여 1310nm,1383nm 및 1550nm에서 흡수손실을 측정하였는데, 그 결과는 아래의 표 3과 같다.
<비교예 2>
종래 기술에 따른 광섬유 모재 제조용 전기로를 사용하고, 생산성 향상을 위해 광섬유 모재의 층당 증착량을 비교예 1에 비해 1.5배 증가시키고, 이를 위해 전기로의 온도를 증가시켰다. 즉, 전기로의 온도를 2400℃로 유지하면서 수정화학기상증착 공정을 진행하여 광섬유 모재를 제조하였다. 이때, 시간당 수트의 증착량은 50g/min 으로 조절하였다.
코어층 형성공정이 끝난 후 붕괴공정 및 인선공정을 거쳐 광섬유를 제조하였다. 이렇게 제조된 광섬유에 대하여 1310nm,1383nm 및 1550nm에서 흡수손실을 측정하였는데, 그 결과는 아래의 표3과 같다.
퍼니스 온도(℃) 각 파장 대에서의 손실(dB/km)
1310nm 1383nm 1550nm
실시예 1 0.315 0.483 0.190
비교예 1 0.392 0.630 0.312
상기 표 2 및 표 3을 참조하면, 차단부재가 구비된 전기로를 사용하여 광섬유를 제조할 경우, 광손실이 0.05 내지 0.1dB/km 정도 감소하였음을 알 수 있다.
즉, 실시예 1의 광섬유는 비교예 1의 광섬유에 비해 1310nm, 133nm 및 1550nm 파장 대에서의 흡수손실이 각각 0.062dB/km, 0.107dB/km 및 0.095dB/km 만큼 감소하였다. 그리고 실시예 2의 광섬유는 비교예 2의 광섬유에 비해 1310nm, 133nm 및 1550nm 파장 대에서의 흡수손실이 각각 0.062dB/km, 0.107dB/km 및 0.095dB/km 만큼 감소하였다.
또한, 실시예 1 및 실시예 2를 참조하면, 생산성 향상을 위해 고온의 전기로를 사용한 실시예 2에 의해 제조된 광섬유의 광손실은 상대적으로 저온의 전기로를 사용한 실시예 1에 의해 제조된 광섬유의 광손실과 거의 동일하다. 따라서 본 발명에 따른 차단부재가 구비된 전기로를 사용할 경우, 고온의 공정에서도 저손실의 광섬유를 제조할 수 있음을 알 수 있다.
이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
본 발명에 의하면, 전기로의 케이스가 고온의 석영튜브에 노출되는 부위에 차단부재가 구비되므로 전기로를 이용하여 광섬유 모재를 제조할 경우, 전이금속에 의한 장파장 대역에서의 광손실을 저감시킬 수 있다.
또한, 고온의 전기로에서도 광손실이 감소됨으로써 생산성을 향상시킬 수 있 다.

Claims (5)

  1. 석영튜브가 관통하는 입구 및 출구가 마련된 케이스;
    상기 케이스 내에서 상기 석영튜브를 감싸도록 설치된 발열체; 및
    상기 케이스가 상기 석영튜브에 대하여 노출되는 부위에 설치된 차단부재;를 포함하는 광섬유 모재 제조용 전기로.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 차단부재는 내열성을 갖는 것을 특징으로 하는 광섬유 모재 제조용 전기로.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 차단부재는 그라파이트(graphite) 재질인 것을 특징으로 하는 광섬유 모재 제조용 전기로.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 차단부재는 그 구성성분에 있어서 불순물의 총함량이 500ppm인 그라파이트인 것을 특징으로 하는 광섬유 모재 제조용 전기로.
  5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 차단부재는 쿼츠(quartz) 재질인 것을 특징으로 하는 광섬유 모재 제조용 전기로.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4400190A (en) 1981-09-28 1983-08-23 Gte Laboratories Incorporated Graphite element for use in a furnace for drawing optical fiber
KR0165211B1 (ko) * 1995-09-29 1998-12-15 김광호 광섬유의 인출 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4400190A (en) 1981-09-28 1983-08-23 Gte Laboratories Incorporated Graphite element for use in a furnace for drawing optical fiber
KR0165211B1 (ko) * 1995-09-29 1998-12-15 김광호 광섬유의 인출 장치

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