JP2010154565A - Piezoelectric oscillator, electronic apparatus, and method of manufacturing zoelectric oscillator - Google Patents

Piezoelectric oscillator, electronic apparatus, and method of manufacturing zoelectric oscillator Download PDF

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浩 木下
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric oscillator which surely brings a probe into contact with an electrode in writing data; an electronic apparatus with the piezoelectric oscillator mounted therein; and a method of manufacturing the piezoelectric oscillator. <P>SOLUTION: In this piezoelectric oscillator 10, a piezoelectric vibration piece 12 and a circuit for oscillating the piezoelectric vibration piece 12 are mounted on a package 13. The piezoelectric oscillator 10 is structured to include a through-hole 32 becoming an electrode that is electrically connected to the circuit, arranged below the piezoelectric piece 12 and used for airtightly sealing the inside of the package 13, and executes frequency adjustment after the airtight sealing. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は圧電発振器、電子機器および圧電発振器の製造方法に係り、特に小型の圧電発振器の周波数調整方法に関する。   The present invention relates to a piezoelectric oscillator, an electronic apparatus, and a method for manufacturing a piezoelectric oscillator, and more particularly to a frequency adjusting method for a small piezoelectric oscillator.

圧電発振器は様々な電子機器に搭載され、基準周波数源や基準信号源として利用されている。そして圧電発振器の構成は、例えばパッケージの凹陥部に圧電振動片と、この圧電振動片よりも大きいサイズの回路部品とが上下に配設され、パッケージ内部を気密封止する蓋が前記パッケージ上面に接合されたものがある（例えば、特許文献１を参照）。   Piezoelectric oscillators are mounted on various electronic devices and are used as reference frequency sources and reference signal sources. The piezoelectric oscillator has a configuration in which, for example, a piezoelectric vibrating piece and a circuit component having a size larger than that of the piezoelectric vibrating piece are arranged vertically in a recess of the package, and a lid for hermetically sealing the inside of the package is provided on the upper surface of the package. There is what is joined (for example, refer to patent documents 1).

ところで圧電発振器に搭載されている回路は、圧電発振器の周波数調整等のためにデータが書き込まれる場合、図８に示すように、圧電発振器１の側面に形成され前記回路と電気的に接続されている書き込み用電極２、および圧電発振器１の裏面に形成され前記回路と電気的に接続されている外部電極（不図示）に書き込み用プローブ３が接触されて、書き込みが行われる。   By the way, when data is written to adjust the frequency of the piezoelectric oscillator, the circuit mounted on the piezoelectric oscillator is formed on the side surface of the piezoelectric oscillator 1 and electrically connected to the circuit as shown in FIG. Writing is performed by bringing the writing probe 3 into contact with the writing electrode 2 and the external electrode (not shown) formed on the back surface of the piezoelectric oscillator 1 and electrically connected to the circuit.

また特許文献２に開示された水晶発振器は、基板上に水晶振動子や半導体集積回路等が実装されるとともに、側方に延設された基板上に前記半導体集積回路と電気的に接続する電極パターンが設けられた構成であり、外部機器の端子を電極パターンに接触させて水晶発振器の温度補償データが半導体集積回路に書き込まれた後、電極パターンが形成された延設部分の基板が切除されることが記載されている。   In addition, the crystal oscillator disclosed in Patent Document 2 includes a crystal resonator, a semiconductor integrated circuit, and the like mounted on a substrate, and an electrode that is electrically connected to the semiconductor integrated circuit on a substrate extending laterally. The pattern is provided, and after the temperature compensation data of the crystal oscillator is written to the semiconductor integrated circuit by bringing the terminal of the external device into contact with the electrode pattern, the substrate of the extended portion on which the electrode pattern is formed is cut off. It is described that.

特開２００１−２１７６５０号公報JP 2001-217650 A 特開平７−９９４１３号公報JP-A-7-99413

しかしながら圧電発振器の側面に形成された書き込み電極と、裏面に形成された外部電極とにプローブを接触させる方法では、圧電発振器の異なる面に存在する電極に対して同時にプローブを接触させなければならないので、接触不良が生じ易かった。この接触不良が発生すると、データは書き込まれないので、不良となった圧電発振器は廃棄または再書き込みされ、製造コストが高くなる等の課題があった。また書き込み電極は多く設けられるので、プローブが電極に接触する面積を確保するために、パッケージを小型化できない課題があった。   However, in the method in which the probe is brought into contact with the writing electrode formed on the side surface of the piezoelectric oscillator and the external electrode formed on the back surface, the probe must be simultaneously brought into contact with electrodes existing on different surfaces of the piezoelectric oscillator. , Poor contact was likely to occur. When this contact failure occurs, data is not written, so that the defective piezoelectric oscillator is discarded or rewritten, resulting in an increase in manufacturing cost. In addition, since many write electrodes are provided, there is a problem that the package cannot be reduced in size in order to secure an area where the probe contacts the electrodes.

さらに特許文献２に開示された水晶発振器は、基板の延設部分を切断・削除するので書き込み用の電極数を削減できるが、延設された基板部分を切断・削除する工程が必要になるので、製造工程の増加および製造コストが高くなる等の課題がある。   Furthermore, since the crystal oscillator disclosed in Patent Document 2 cuts and deletes the extended portion of the substrate, the number of electrodes for writing can be reduced, but a process for cutting and deleting the extended substrate portion is required. There are problems such as an increase in manufacturing steps and an increase in manufacturing costs.

本発明は、データの書き込み時においてプローブを確実に電極に接触させる圧電発振器およびこの圧電発振器を搭載した電子機器を提供することを目的とする。
また圧電発振器の製造方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a piezoelectric oscillator that reliably contacts a probe with an electrode at the time of writing data, and an electronic apparatus equipped with the piezoelectric oscillator.
Moreover, it aims at providing the manufacturing method of a piezoelectric oscillator.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
［適用例１］圧電振動片とこの圧電振動片を発振させる回路を有する半導体素子とをパッケージに搭載した圧電発振器であって、前記パッケージには貫通孔が形成され、前記貫通孔は導電性の封止材によって閉塞されており、前記封止材と前記半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする圧電発振器。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
Application Example 1 A piezoelectric oscillator in which a piezoelectric vibrating piece and a semiconductor element having a circuit for oscillating the piezoelectric vibrating piece are mounted in a package, wherein the package has a through hole, and the through hole is made of a conductive material. A piezoelectric oscillator, which is closed by a sealing material, and wherein the sealing material and the semiconductor element are electrically connected.

［適用例２］前記封止材は、前記貫通孔に形成された導電膜と導通されており、前記導電膜と前記半導体素子との間を電気的に接続する電気的接続手段が前記パッケージに形成されていることを特徴とする適用例１に記載の圧電発振器。   Application Example 2 The sealing material is electrically connected to the conductive film formed in the through hole, and an electrical connection means for electrically connecting the conductive film and the semiconductor element is provided in the package. The piezoelectric oscillator according to application example 1, wherein the piezoelectric oscillator is formed.

［適用例３］前記パッケージは内部に前記圧電振動片を収容する空間を有し、前記貫通孔が前記封止材によって閉塞されることにより前記空間が気密に封止されていることを特徴とする適用例１または２に記載の圧電発振器。   Application Example 3 The package has a space for accommodating the piezoelectric vibrating piece therein, and the space is hermetically sealed by closing the through hole with the sealing material. The piezoelectric oscillator according to Application Example 1 or 2.

［適用例４］前記貫通孔は、信号の入力および出力の少なくともいずれか一方を行う入出力電極であることを特徴とする適用例１ないし３のいずれかに記載の圧電発振器。
これにより貫通孔は、パッケージ内の気密封止に用いることができるとともに、書き込み用プローブが接触する電極として利用できるので、貫通孔の有効活用を図ることができる。したがってデータ書き込み用の電極を新たに設ける必要がないので、パッケージを小型化することができる。 Application Example 4 The piezoelectric oscillator according to any one of Application Examples 1 to 3, wherein the through hole is an input / output electrode that performs at least one of signal input and output.
As a result, the through hole can be used for hermetic sealing in the package and can be used as an electrode with which the writing probe contacts, so that the through hole can be effectively used. Therefore, it is not necessary to newly provide an electrode for writing data, and the package can be reduced in size.

［適用例５］前記貫通孔は、前記パッケージに形成された外部電極と同じ面に形成されていることを特徴とする適用例１ないし４のいずれかに記載の圧電発振器。
これにより外部電極と回路に書き込みを行う電極（貫通孔）とを圧電発振器の同一面に設けることができるので、データの書き込みを行うプローブを確実に接触させることができる。したがってデータを確実に回路へ書き込むことができる。 Application Example 5 The piezoelectric oscillator according to any one of Application Examples 1 to 4, wherein the through-hole is formed on the same surface as the external electrode formed in the package.
As a result, the external electrode and the electrode (through hole) for writing to the circuit can be provided on the same surface of the piezoelectric oscillator, so that the probe for writing data can be reliably brought into contact. Therefore, data can be reliably written to the circuit.

［適用例６］前記貫通孔は、前記外部電極に隣接して配置されたことを特徴とする適用例５に記載の圧電発振器。
圧電発振器が導電性接合材を用いて実装基板に実装される場合、前記実装基板に形成された電極パターンに外部電極と貫通孔とが電気的および機械的に接続されるので、前記導電性接合材により外部電極と貫通孔とが電気的に接続される。これにより貫通孔は、前記実装基板に形成された前記電極パターンと電気的に接続するので、前記電極パターンの電位が接地等に固定されている場合は外部からのノイズの影響を受けにくくなる。 Application Example 6 The piezoelectric oscillator according to Application Example 5, wherein the through hole is disposed adjacent to the external electrode.
When the piezoelectric oscillator is mounted on a mounting board using a conductive bonding material, the external electrode and the through hole are electrically and mechanically connected to the electrode pattern formed on the mounting board. The external electrode and the through hole are electrically connected by the material. As a result, the through hole is electrically connected to the electrode pattern formed on the mounting substrate, so that it is less susceptible to external noise when the potential of the electrode pattern is fixed to ground or the like.

［適用例７］前記外部電極は、凹部を備えたことを特徴とする適用例５または６に記載の圧電発振器。
これにより凹部の側面は、プローブが接触されるときのガイドとして利用できるので、プローブを確実に外部電極へ接触させることができる。 [Application Example 7] The piezoelectric oscillator according to Application Example 5 or 6, wherein the external electrode includes a recess.
As a result, the side surface of the recess can be used as a guide when the probe is contacted, so that the probe can be reliably brought into contact with the external electrode.

［適用例８］適用例１ないし７のいずれかに記載の圧電発振器を備えたことを特徴とする電子機器。   Application Example 8 An electronic apparatus comprising the piezoelectric oscillator according to any one of Application Examples 1 to 7.

［適用例９］圧電振動片とこの圧電振動片を発振させる回路を有する半導体素子とをパッケージに搭載した圧電発振器の製造方法であって、前記パッケージに形成された貫通孔を導電性の封止材で封止し、前記半導体素子と前記封止材とを電気的に接続する工程と、封止後の前記貫通孔を用いて、発振周波数調整用データを前記半導体素子に書き込む書き込み工程と、を備えたことを特徴とする圧電発振器の製造方法。   Application Example 9 A method of manufacturing a piezoelectric oscillator in which a piezoelectric vibrating piece and a semiconductor element having a circuit for oscillating the piezoelectric vibrating piece are mounted on a package, wherein the through hole formed in the package is electrically sealed Sealing with a material, electrically connecting the semiconductor element and the sealing material, and writing process for writing oscillation frequency adjustment data into the semiconductor element using the through-hole after sealing; A method for manufacturing a piezoelectric oscillator, comprising:

［適用例１０］前記書き込み工程は、前記貫通孔を封止している前記導電性の封止材に対してプローブを接触させて行うことを特徴とする適用例９に記載の圧電発振器の製造方法。
これによりパッケージを封止材で気密封止した後に、貫通孔を用いて周波数調整用のデータを回路に書き込むことができるので、高精度な圧電発振器を得ることができる。 Application Example 10 Manufacture of a piezoelectric oscillator according to Application Example 9, wherein the writing step is performed by bringing a probe into contact with the conductive sealing material sealing the through hole. Method.
Thereby, after the package is hermetically sealed with the sealing material, the data for frequency adjustment can be written into the circuit using the through hole, so that a highly accurate piezoelectric oscillator can be obtained.

第１の実施形態に係る圧電発振器の説明図である。It is explanatory drawing of the piezoelectric oscillator which concerns on 1st Embodiment. 圧電発振器にデータを書き込むときの説明図である。It is explanatory drawing when writing data in a piezoelectric oscillator. 第２の実施形態に係る圧電発振器の説明図である。It is explanatory drawing of the piezoelectric oscillator which concerns on 2nd Embodiment. 貫通孔の断面図である。It is sectional drawing of a through-hole. 圧電発振器の底面図である。It is a bottom view of a piezoelectric oscillator. 外部電極の断面図である。It is sectional drawing of an external electrode. ディジタル式携帯電話の概略構成図である。It is a schematic block diagram of a digital mobile phone. 従来技術に係る圧電発振器のデータ書き込み時の説明図である。It is explanatory drawing at the time of the data writing of the piezoelectric oscillator which concerns on a prior art.

以下に、本発明に係る圧電発振器、電子機器および圧電発振器の製造方法についての最良の実施形態について説明する。まず第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態に係る圧電発振器の説明図であり、図１（ａ）は断面図、図１（ｂ）は平面図を示す。なお図１（ｂ）では、リッドを省略した形態で記載している。また図２は圧電発振器にデータを書き込むときの説明図である。第１の実施形態に係る圧電発振器１０は、圧電振動片１２とこの圧電振動片１２を発振させる回路をパッケージ１３内に収容した構成である。   In the following, the best embodiments of the piezoelectric oscillator, the electronic device, and the method for manufacturing the piezoelectric oscillator according to the present invention will be described. First, the first embodiment will be described. 1A and 1B are explanatory views of the piezoelectric oscillator according to the first embodiment. FIG. 1A is a cross-sectional view and FIG. 1B is a plan view. In FIG. 1B, the lid is omitted. FIG. 2 is an explanatory diagram when data is written to the piezoelectric oscillator. The piezoelectric oscillator 10 according to the first embodiment has a configuration in which a piezoelectric vibrating piece 12 and a circuit for oscillating the piezoelectric vibrating piece 12 are accommodated in a package 13.

前記圧電振動片１２は、圧電基板１４の中央部に励振電極１６が設けられるとともに、圧電基板１４における一方の短辺両端のそれぞれに励振電極１６と導通する接続電極１８が設けられている。これらの電極１６，１８は、例えばスパッタや蒸着等の成膜法により金属を成膜して形成されればよい。このような圧電振動片１２として、例えばＡＴカット等の圧電振動片を用いればよい。また圧電振動片１２として、屈曲振動を生じる音叉型圧電振動片や、圧電基板上に弾性表面波を励起する弾性表面波共振片を用いることもできる。   In the piezoelectric vibrating piece 12, an excitation electrode 16 is provided at the center of the piezoelectric substrate 14, and connection electrodes 18 that are electrically connected to the excitation electrode 16 are provided at both ends of one short side of the piezoelectric substrate 14. These electrodes 16 and 18 may be formed by forming a metal film by a film forming method such as sputtering or vapor deposition. As such a piezoelectric vibrating piece 12, a piezoelectric vibrating piece such as an AT cut may be used. Further, as the piezoelectric vibrating piece 12, a tuning fork type piezoelectric vibrating piece that generates bending vibration, or a surface acoustic wave resonance piece that excites a surface acoustic wave on a piezoelectric substrate can be used.

前記回路は、集積化されてＩＣチップ２０を構成している。このＩＣチップ２０には、電圧制御型発振回路を搭載して圧電発振器を電圧制御型圧電発振器としてもよく、温度補償型発振回路を搭載して圧電発振器を温度補償型圧電発振器としてもよい。またこれらの回路を組み合わせて圧電発振器を電圧制御−温度補償型圧電発振器としてもよい。また圧電発振器１０は、ＩＣチップ２０と共に抵抗やコンデンサ等を搭載してもよい。なお前記回路はＩＣチップ２０で形成された構成ばかりでなく、ディスクリートで形成された構成であってもよい。   The circuit is integrated to form an IC chip 20. The IC chip 20 may be equipped with a voltage controlled oscillation circuit and the piezoelectric oscillator may be a voltage controlled piezoelectric oscillator, or the temperature compensated oscillation circuit may be mounted and the piezoelectric oscillator may be a temperature compensated piezoelectric oscillator. Further, these circuits may be combined to make the piezoelectric oscillator a voltage controlled-temperature compensated piezoelectric oscillator. The piezoelectric oscillator 10 may be mounted with a resistor, a capacitor, and the like together with the IC chip 20. The circuit is not limited to the structure formed by the IC chip 20, but may be a structure formed by a discrete circuit.

パッケージベース２２は、平面絶縁シート２４上に枠部の幅の異なる複数の枠型絶縁シート２６（２６ａ，２６ｂ）を積層させた構成である。すなわちパッケージベース２２は、内部の側面を階段状に形成した凹陥部２８を有している。図１では３枚のセラミックシート等の絶縁シートを積層させた構成を記載しているが、積層させる枚数はこれに限定されることはない。そして凹陥部２８の底面には、圧電振動片１２を実装するためのマウント電極３０が形成され、このマウント電極３０と圧電振動片１２の接続電極１８とが導電性接着剤４６を介して導通される。なお圧電振動片１２は、パッケージベース２２に片持ち状に実装されてもよく、両持ち状に実装されてもよい。また中段の絶縁シート２６ａ上には、ＩＣチップ２０を実装するための実装電極３６が複数形成されている。この実装電極３６のうち２つは前記マウント電極３０と電気的に接続されている。このパッケージベース２２の底面には、圧電振動片１２が実装された場合、励振電極１６の下方位置に貫通孔３２が設けられている。この貫通孔３２は、圧電振動片１２（圧電発振器１０）の発振周波数の調整用、パッケージ１３内部の気密封止用、および気密封止後にＩＣチップ２０を用いて圧電発振器１０の発振周波数調整をする場合に用いられる。この貫通孔３２は、側面に導電膜３４が形成されており、この開口部に封止材４４が配置された後レーザ光により溶融されて、封止される。この導電膜３４は、例えば次のようにして形成されればよい。すなわち貫通孔３２が形成された平面絶縁シート２４上に、貫通孔３２を覆ってペースト状のタングステンがスクリーン印刷される。そしてタングステンが印刷された側と反対側から貫通孔３２を吸引すると、タングステンは、貫通孔３２を覆っていた部分が破れて貫通孔３２の側面に密着される。その後タングステンを焼成し、ニッケルと金とがタングステン上に順次メッキされる。これにより導電膜３４が形成される。   The package base 22 has a configuration in which a plurality of frame-type insulating sheets 26 (26a, 26b) having different frame widths are stacked on a planar insulating sheet 24. That is, the package base 22 has a recessed portion 28 in which the inner side surface is formed in a step shape. Although FIG. 1 shows a configuration in which three insulating sheets such as ceramic sheets are laminated, the number of laminated sheets is not limited to this. A mount electrode 30 for mounting the piezoelectric vibrating piece 12 is formed on the bottom surface of the recessed portion 28, and the mount electrode 30 and the connection electrode 18 of the piezoelectric vibrating piece 12 are electrically connected via a conductive adhesive 46. The The piezoelectric vibrating piece 12 may be mounted on the package base 22 in a cantilever manner, or may be mounted on both the ends. A plurality of mounting electrodes 36 for mounting the IC chip 20 are formed on the middle insulating sheet 26a. Two of the mounting electrodes 36 are electrically connected to the mount electrode 30. When the piezoelectric vibrating reed 12 is mounted on the bottom surface of the package base 22, a through hole 32 is provided at a position below the excitation electrode 16. This through hole 32 is used for adjusting the oscillation frequency of the piezoelectric vibrating piece 12 (piezoelectric oscillator 10), for hermetic sealing inside the package 13, and for adjusting the oscillation frequency of the piezoelectric oscillator 10 using the IC chip 20 after hermetic sealing. Used when A conductive film 34 is formed on the side surface of the through hole 32, and a sealing material 44 is disposed in the opening, and then melted by laser light and sealed. The conductive film 34 may be formed as follows, for example. That is, paste-like tungsten is screen-printed on the planar insulating sheet 24 in which the through holes 32 are formed so as to cover the through holes 32. When the through hole 32 is sucked from the side opposite to the side on which tungsten is printed, the portion of the tungsten that has covered the through hole 32 is torn and is in close contact with the side surface of the through hole 32. Thereafter, tungsten is baked, and nickel and gold are sequentially plated on the tungsten. Thereby, the conductive film 34 is formed.

このような導電膜３４は、実装電極３６の１つと電気的に接続されている。また、電気的接続手段３８は、例えばメタライズ等により形成された配線パターンやスルーホール、ビアホール等であり、圧電振動片１２とは電気的に接続されていない。なお図１では、パッケージベース２２の底面に配線パターンが引き回された構成であるが、平面絶縁シートを２層構造とし、配線パターンがこの２層の間を引き回される構成であってもよい。   Such a conductive film 34 is electrically connected to one of the mounting electrodes 36. The electrical connection means 38 is, for example, a wiring pattern, a through hole, a via hole, or the like formed by metallization or the like, and is not electrically connected to the piezoelectric vibrating piece 12. In FIG. 1, the wiring pattern is routed around the bottom surface of the package base 22, but the planar insulating sheet has a two-layer structure, and the wiring pattern is routed between the two layers. Good.

またパッケージベース２２の裏面に外部電極４０が設けられ、この外部電極４０と、導電膜３４と導通していない実装電極３６とが電気的に接続されている。そして外部電極４０と実装電極３６との電気的接続手段（不図示）は、導電膜３４と直に導通していない。
またパッケージベース２２の上面には、パッケージ１３内を気密封止するリッド４２が接合されている。 An external electrode 40 is provided on the back surface of the package base 22, and the external electrode 40 and the mounting electrode 36 that is not electrically connected to the conductive film 34 are electrically connected. The electrical connection means (not shown) between the external electrode 40 and the mounting electrode 36 is not directly connected to the conductive film 34.
A lid 42 that hermetically seals the inside of the package 13 is joined to the upper surface of the package base 22.

次に、圧電発振器１０の製造方法および圧電発振器１０の周波数調整方法について説明する。まず圧電振動片１２は、パッケージベース２２のマウント電極３０上に導電性接着剤４６等を用いて実装される。なお前記導電性接着剤４６として、例えばシリコーン系、ブタジエン系またはポリイミド系等を用いればよい。またＩＣチップ２０は、実装電極３６上に導電性接合材４８等を用いて実装され、圧電振動片１２の上方に配置される。なお前記導電性接合材４８として、例えば導電性接着剤や半田、バンプ接合材等を用いればよい。これによりＩＣチップ２０を介して外部電極４０と圧電振動片１２とが導通するとともに、ＩＣチップ２０と貫通孔３２の側面に形成された導電膜３４とが導通する。そしてパッケージベース２２の上面にリッド４２が接合される。このとき金属製のリッドを用いた場合にはシーム溶接等により接合され、ガラス製のリッドを用いた場合には低融点ガラス等を介して接合されればよい。   Next, a method for manufacturing the piezoelectric oscillator 10 and a frequency adjusting method for the piezoelectric oscillator 10 will be described. First, the piezoelectric vibrating piece 12 is mounted on the mount electrode 30 of the package base 22 using a conductive adhesive 46 or the like. As the conductive adhesive 46, for example, silicone, butadiene, polyimide, or the like may be used. The IC chip 20 is mounted on the mounting electrode 36 using a conductive bonding material 48 or the like, and is disposed above the piezoelectric vibrating piece 12. As the conductive bonding material 48, for example, a conductive adhesive, solder, bump bonding material, or the like may be used. As a result, the external electrode 40 and the piezoelectric vibrating piece 12 are electrically connected via the IC chip 20, and the IC chip 20 and the conductive film 34 formed on the side surface of the through hole 32 are electrically connected. Then, the lid 42 is joined to the upper surface of the package base 22. At this time, when a metal lid is used, it is joined by seam welding or the like, and when a glass lid is used, it may be joined via a low melting point glass or the like.

そして圧電振動片１２の励振電極１６は、貫通孔３２の上方に配置されるので、この貫通孔３２を通してイオンやレーザ、プラズマ等を照射し、励振電極１６が削られ、圧電発振器１０の発振周波数が調整される。この周波数調整は、例えば圧電発振器１０が真空装置内に収容されて発振された後、圧電発振器１０の下方に設けられたイオンガンやプラズマガン等から上方へ向けてイオンやプラズマが照射され、所定の周波数調整量になるまで励振電極が削られることにより行われる。なお実施形態によっては圧電振動片１２の励振電極１６にスパッタや蒸着等の成膜法により金属を付けて、圧電発振器１０の発振周波数を調整してもよい。   Since the excitation electrode 16 of the piezoelectric vibrating piece 12 is disposed above the through hole 32, the excitation electrode 16 is shaved by irradiating ions, laser, plasma, or the like through the through hole 32, and the oscillation frequency of the piezoelectric oscillator 10. Is adjusted. For example, after the piezoelectric oscillator 10 is housed in a vacuum apparatus and oscillated, the frequency adjustment is performed by irradiating ions or plasma upward from an ion gun or plasma gun provided below the piezoelectric oscillator 10. This is done by removing the excitation electrode until the frequency adjustment amount is reached. In some embodiments, the oscillation frequency of the piezoelectric oscillator 10 may be adjusted by attaching a metal to the excitation electrode 16 of the piezoelectric vibrating piece 12 by a film forming method such as sputtering or vapor deposition.

次に、貫通孔３２は封止材４４によって封止される。具体的には、圧電発振器１０が真空容器内または不活性ガス雰囲気中に納置された後、貫通孔３２の開口部に封止材４４が置かれる。そしてこの封止材４４にレーザ光を照射し、溶融させて貫通孔３２を塞ぐ。このときパッケージ１３内部は真空または不活性ガス雰囲気になっており、また貫通孔３２を塞ぐ封止材４４は貫通孔３２の側面に形成された導電膜３４と導通されている。なお封止材４４として、例えば金−錫、金−ゲルマニウムまたは銀ロウ等の材料からなる金属ボールを用いればよい。   Next, the through hole 32 is sealed with a sealing material 44. Specifically, after the piezoelectric oscillator 10 is placed in a vacuum container or in an inert gas atmosphere, the sealing material 44 is placed in the opening of the through hole 32. The sealing material 44 is irradiated with a laser beam and melted to close the through hole 32. At this time, the inside of the package 13 is in a vacuum or an inert gas atmosphere, and the sealing material 44 that closes the through hole 32 is electrically connected to the conductive film 34 formed on the side surface of the through hole 32. As the sealing material 44, for example, a metal ball made of a material such as gold-tin, gold-germanium, or silver solder may be used.

この後、圧電発振器１０は、ソケット（不図示）に収められて周波数調整が行われる。前記ソケットは、外部電極４０および貫通孔３２の位置に対応した底面にプローブ４９が配置されたものであり、圧電発振器１０が前記ソケットに収められるとプローブ４９が外部電極４０や貫通孔３２に接触する構成となっている。なお貫通孔３２に接触するプローブ４９ａは、貫通孔３２を溶融封止した封止材４４に接触することになり、貫通孔３２がプローブ４９ａのガイドの役割を果たすので、プローブ４９ａと封止材４４とが確実に接触することが可能になる。そして圧電発振器１０は、プローブ４９を介して周波数調整用のデータが書き込まれる。このデータは、例えばＩＣチップ２０内に配設された容量アレイのスイッチをＯＮ／ＯＦＦさせるものであり、容量アレイのキャパシタンスをかえることにより圧電発振器１０の発振周波数が調整される。またＩＣチップ２０に前記電圧制御回路が設けられている場合は電圧制御用のデータが書き込まれ、ＩＣチップ２０に前記温度補償回路が設けられている場合は温度補償用のデータが書き込まれる。また圧電発振器１０がプログラマブル圧電発振器である場合には、様々な制御用のデータが書き込まれる。なお、貫通孔３２の中にプローブ４９ａの先端部分が収容された状態でＩＣチップ２０への書き込むため、書き込み中にプローブ４９ａまたは圧電発振器１０が揺れても、プローブ４９ａが貫通孔３２から外れ難く、接触不良を防止できる。
この後、圧電発振器１０は、気密性試験や特性検査、マーキング等が行われて完成する。 Thereafter, the piezoelectric oscillator 10 is housed in a socket (not shown) and the frequency is adjusted. In the socket, a probe 49 is disposed on the bottom surface corresponding to the positions of the external electrode 40 and the through hole 32. When the piezoelectric oscillator 10 is received in the socket, the probe 49 contacts the external electrode 40 and the through hole 32. It is the composition to do. The probe 49a that contacts the through hole 32 comes into contact with the sealing material 44 obtained by melting and sealing the through hole 32, and the through hole 32 serves as a guide for the probe 49a. 44 can be reliably contacted. In the piezoelectric oscillator 10, data for frequency adjustment is written through the probe 49. This data is for turning on / off a switch of a capacitor array disposed in the IC chip 20, for example, and the oscillation frequency of the piezoelectric oscillator 10 is adjusted by changing the capacitance of the capacitor array. When the IC chip 20 is provided with the voltage control circuit, voltage control data is written. When the IC chip 20 is provided with the temperature compensation circuit, data for temperature compensation is written. When the piezoelectric oscillator 10 is a programmable piezoelectric oscillator, various control data are written. Since writing to the IC chip 20 is performed with the tip of the probe 49a accommodated in the through hole 32, the probe 49a is not easily detached from the through hole 32 even if the probe 49a or the piezoelectric oscillator 10 is shaken during writing. , Can prevent poor contact.
Thereafter, the piezoelectric oscillator 10 is completed by performing an airtightness test, a characteristic inspection, marking, and the like.

このような圧電発振器１０は、ＩＣチップ２０へデータを書き込むための電極となる貫通孔３２と外部電極４０とが同一面に設けられているので、データの書き込みプローブ４９を発振器の一つの面において接触させることができる。したがってプローブ４９を電極に確実に接触させることができるので、データの書き込み不良が発生しなくなり、書き込み不良を原因とする圧電発振器１０の廃棄や再書き込み作業がなくなり、製造コストを低くすることができる。   In such a piezoelectric oscillator 10, since the through-hole 32 serving as an electrode for writing data to the IC chip 20 and the external electrode 40 are provided on the same surface, the data writing probe 49 is provided on one surface of the oscillator. Can be contacted. Therefore, the probe 49 can be reliably brought into contact with the electrode, so that no data writing failure occurs, the disposal or rewriting operation of the piezoelectric oscillator 10 caused by the writing failure is eliminated, and the manufacturing cost can be reduced. .

また貫通孔３２は、パッケージ１３内部の気密封止に用いられるとともに、ＩＣチップ２０のデータの書き込み用の入出力電極として用いられるので、貫通孔３２の有効活用を図ることができる。そして貫通孔３２は、プローブ４９ａが封止材４４に接触するときのガイドの役割を果たすので、プローブ４９ａとＩＣチップ２０とを確実に接続することができる。すなわち貫通孔３２の直径が小さくても確実にデータの書き込みができるので、貫通孔３２はプローブ４９ａを接触させるために大きな面積を必要とせず、パッケージ１３を小型化することができる。そしてこの圧電発振器１０の製造工程が増加することはない。   Further, since the through hole 32 is used for hermetic sealing inside the package 13 and also used as an input / output electrode for writing data of the IC chip 20, the through hole 32 can be effectively used. The through hole 32 serves as a guide when the probe 49a comes into contact with the sealing material 44, so that the probe 49a and the IC chip 20 can be reliably connected. That is, even if the diameter of the through hole 32 is small, data can be written reliably. Therefore, the through hole 32 does not require a large area for contacting the probe 49a, and the package 13 can be downsized. And the manufacturing process of this piezoelectric oscillator 10 does not increase.

なお上述した実施形態は、小型の圧電発振器１０に対して好適な形態となる。すなわち、従来技術では、圧電振動片はＩＣチップよりもサイズが大きかったため、ＩＣチップの上方に圧電振動片が配置された形態の圧電発振器がほとんどであった。ところが、近年、圧電発振器の搭載される電子機器が小型化されているのに伴い、圧電発振器も小型化・薄型化されているので、圧電振動片やＩＣチップも小型化されているが、ＩＣチップの小型化には限界があるため、圧電振動片がＩＣチップよりも小型になってきている。このため従来の圧電発振器に比べてさらに小型化にするために、上述した実施形態の圧電発振器１０のように、圧電振動片１２をＩＣチップ２０の下方に配置する構成をとったのである。このときＩＣチップ２０の周波数調整だけでは、所望の圧電発振器１０の発振周波数が得られないので、圧電振動片１２の電極厚さを調整する必要がある。そこで圧電振動片１２の励振電極１６の下方に貫通孔３２を設けて、励振電極１６の厚さを調整できるようにするとともに、この貫通孔３２を用いてパッケージ１３内の気密封止とＩＣチップ２０による周波数調整をできるようにしたのである。   Note that the above-described embodiment is a preferable form for the small piezoelectric oscillator 10. That is, in the prior art, since the piezoelectric vibrating piece is larger in size than the IC chip, most piezoelectric oscillators have a form in which the piezoelectric vibrating piece is disposed above the IC chip. However, in recent years, along with the downsizing of electronic devices on which piezoelectric oscillators are mounted, piezoelectric oscillators are also downsized and thinned, so that piezoelectric vibrating reeds and IC chips are also downsized. Since there is a limit to miniaturization of the chip, the piezoelectric vibrating piece is becoming smaller than the IC chip. For this reason, in order to further reduce the size compared to the conventional piezoelectric oscillator, the piezoelectric vibrating reed 12 is arranged below the IC chip 20 as in the piezoelectric oscillator 10 of the above-described embodiment. At this time, since the desired oscillation frequency of the piezoelectric oscillator 10 cannot be obtained only by adjusting the frequency of the IC chip 20, it is necessary to adjust the electrode thickness of the piezoelectric vibrating piece 12. Therefore, a through hole 32 is provided below the excitation electrode 16 of the piezoelectric vibrating piece 12 so that the thickness of the excitation electrode 16 can be adjusted, and the hermetic sealing in the package 13 and the IC chip can be adjusted using the through hole 32. The frequency adjustment by 20 can be performed.

また、本実施形態の圧電発振器１０は、貫通孔３２に適用した封止材４４を溶融して気密封止を行うという構成である。この構成であれば、圧電振動片の励振電極をレーザ等によって周波数調整した後に行われる気密封止時に圧電発振器１０にかかる熱は極わずかである。したがって、圧電発振器１０は、気密封止時の熱により生じる発振周波数のずれを大幅に押さえることができる。   Further, the piezoelectric oscillator 10 of the present embodiment has a configuration in which the sealing material 44 applied to the through hole 32 is melted and hermetically sealed. With this configuration, the heat applied to the piezoelectric oscillator 10 at the time of hermetic sealing performed after adjusting the frequency of the excitation electrode of the piezoelectric vibrating piece with a laser or the like is very small. Therefore, the piezoelectric oscillator 10 can greatly suppress the deviation of the oscillation frequency caused by the heat during hermetic sealing.

次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態では、第１の実施形態に係る圧電発振器１０の変形例について説明するので、第１の実施形態に係る圧電発振器１０と同構成の部分には同番号を付し、その説明を省略または簡略する。図３は第２の実施形態に係る圧電発振器の説明図である。第２の実施形態に係る圧電発振器５０は、圧電振動片１２とＩＣチップ２０とを水平方向に並べて形成した構成である。すなわち圧電発振器５０のパッケージベース５２は、平面絶縁シート２４と枠型絶縁シート２６とを積層させた２層構造であり、平面絶縁シート２４上にマウント電極３０と複数の実装電極３６とが設けられている。このマウント電極３０と２つの実装電極３６とが導通されている。マウント電極３０上には圧電振動片１２が実装され、実装電極３６上にはＩＣチップ２０が実装されている。前記圧電振動片１２に設けられた励振電極の下方におけるパッケージベース５２底面には、貫通孔３２が設けられている。この貫通孔３２に設けられた導電膜３４は、実装電極３６の１つと導通されている。なお導電膜３４は、圧電振動片１２の励振電極１６と導通されていない。またパッケージベース５２の上面には、リッド４２が接合されている。   Next, a second embodiment will be described. In the second embodiment, since a modified example of the piezoelectric oscillator 10 according to the first embodiment will be described, parts having the same configuration as the piezoelectric oscillator 10 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be given. Is omitted or simplified. FIG. 3 is an explanatory diagram of the piezoelectric oscillator according to the second embodiment. The piezoelectric oscillator 50 according to the second embodiment has a configuration in which the piezoelectric vibrating piece 12 and the IC chip 20 are arranged in the horizontal direction. That is, the package base 52 of the piezoelectric oscillator 50 has a two-layer structure in which the planar insulating sheet 24 and the frame-shaped insulating sheet 26 are laminated, and the mount electrode 30 and the plurality of mounting electrodes 36 are provided on the planar insulating sheet 24. ing. The mount electrode 30 and the two mounting electrodes 36 are electrically connected. The piezoelectric vibrating piece 12 is mounted on the mount electrode 30, and the IC chip 20 is mounted on the mounting electrode 36. A through hole 32 is provided on the bottom surface of the package base 52 below the excitation electrode provided in the piezoelectric vibrating piece 12. The conductive film 34 provided in the through hole 32 is electrically connected to one of the mounting electrodes 36. The conductive film 34 is not electrically connected to the excitation electrode 16 of the piezoelectric vibrating piece 12. A lid 42 is bonded to the upper surface of the package base 52.

そして圧電振動片１２の前記励振電極にレーザを照射することによって、電極の質量をかえて圧電発振器５０の発振周波数を調整した後、貫通孔３２に封止材４４が溶融接合されてパッケージ５４の内部が気密封止される。この後、データ書き込みプローブが圧電発振器５０の裏面に形成された外部電極４０と貫通孔３２の封止材４４に接触されて、ＩＣチップ２０にデータが書き込まれる。   Then, by irradiating the excitation electrode of the piezoelectric vibrating piece 12 with a laser to change the mass of the electrode and adjust the oscillation frequency of the piezoelectric oscillator 50, the sealing material 44 is melt-bonded to the through-hole 32 and the package 54 The inside is hermetically sealed. Thereafter, the data writing probe is brought into contact with the external electrode 40 formed on the back surface of the piezoelectric oscillator 50 and the sealing material 44 of the through hole 32, and data is written to the IC chip 20.

このように形成された圧電発振器５０は、圧電振動片１２とＩＣチップ２０とを水平方向に並べて配置した構成なので、薄型にすることができる。また第１の実施形態に係る圧電発振器１０と同様の効果を得ることができる。   The piezoelectric oscillator 50 formed in this way can be thinned because the piezoelectric vibrating reed 12 and the IC chip 20 are arranged side by side in the horizontal direction. Further, the same effect as that of the piezoelectric oscillator 10 according to the first embodiment can be obtained.

次に、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態では、第１，２の実施形態で説明した貫通孔の変形例について説明する。なお第１，２の実施形態と同構成の部分には同番号を付し、その説明を省略または簡略する。図４は貫通孔の断面図である。第３の実施形態で説明する貫通孔は２段構造であり、パッケージベースの最下段の平面絶縁シート２４（２４ａ，２４ｂ）は２枚の平面絶縁シート２４ａ，２４ｂを積層して形成されたものである。そして貫通孔５６は、圧電振動片に形成された励振電極の下方に設けられ、上側の平面絶縁シート２４ｂと下側の平面絶縁シート２４ａとを貫通して設けられているが、下側の平面絶縁シート２４ａに設けられた孔の直径が上側の平面絶縁シート２４ｂに設けられた孔の直径よりも大きく形成されている。すなわち貫通孔５６の側面は階段状に形成され、下部の開口が上部よりも広くなった構成である。このような貫通孔５６には、上側の平面絶縁シート２４ｂの側面および底面に導電膜３４が形成されている。そして平面絶縁シート２４の上面には、ＩＣチップの実装電極と前記導電膜３４とを導通させる配線パターン５８が形成されている。   Next, a third embodiment will be described. In the third embodiment, a modification of the through hole described in the first and second embodiments will be described. In addition, the same number is attached | subjected to the part of the same structure as 1st, 2nd embodiment, and the description is abbreviate | omitted or simplified. FIG. 4 is a cross-sectional view of the through hole. The through hole described in the third embodiment has a two-stage structure, and the lowermost planar insulating sheet 24 (24a, 24b) of the package base is formed by laminating two planar insulating sheets 24a, 24b. It is. The through hole 56 is provided below the excitation electrode formed in the piezoelectric vibrating piece, and is provided through the upper planar insulating sheet 24b and the lower planar insulating sheet 24a. The diameter of the hole provided in the insulating sheet 24a is formed larger than the diameter of the hole provided in the upper planar insulating sheet 24b. That is, the side surface of the through-hole 56 is formed in a step shape, and the lower opening is wider than the upper part. In such a through hole 56, a conductive film 34 is formed on the side surface and the bottom surface of the upper planar insulating sheet 24b. On the upper surface of the planar insulating sheet 24, a wiring pattern 58 is formed for conducting the mounting electrode of the IC chip and the conductive film 34.

そして開口の広い貫通孔５６の下部に金属ボールや金属ペレット等の封止材４４が配置された後、レーザ光が封止材４４に照射される。すると封止材４４は溶融されて貫通孔５６を塞ぐ。   Then, after a sealing material 44 such as a metal ball or metal pellet is disposed below the wide through hole 56 having a wide opening, the sealing material 44 is irradiated with laser light. Then, the sealing material 44 is melted and closes the through hole 56.

このような貫通孔５６の構成とすることにより、開口の広い下部の貫通孔５６は封止材４４の受部になるので、配置された封止材４４がレーザ光の照射前に移動することがなくなり、確実に貫通孔５６を塞ぐことができる。   By adopting such a configuration of the through-hole 56, the lower through-hole 56 having a wide opening serves as a receiving portion for the sealing material 44, so that the arranged sealing material 44 moves before the laser light irradiation. The through hole 56 can be reliably closed.

なお貫通孔５６の側面に形成された導電膜３４とＩＣチップの実装電極とを電気的に接続させる配線パターン５８は、上述したように上側の平面絶縁シート２４ｂの上面に形成されるばかりでなく、上側の平面絶縁シート２４ｂと下側の平面絶縁シート２４ａとの間に形成されてもよい。
またパッケージベース最下段の平面絶縁シート２４は２層構造として説明したが、３枚以上の平面絶縁シートを積層させた構成であってもよい。 The wiring pattern 58 for electrically connecting the conductive film 34 formed on the side surface of the through hole 56 and the mounting electrode of the IC chip is not only formed on the upper surface of the upper planar insulating sheet 24b as described above. Alternatively, it may be formed between the upper planar insulating sheet 24b and the lower planar insulating sheet 24a.
In addition, the planar insulating sheet 24 at the bottom of the package base has been described as a two-layer structure, but a configuration in which three or more planar insulating sheets are laminated may be used.

次に、第４の実施形態について説明する。まず、貫通孔が設けられる位置について説明する。図５は圧電発振器の底面図である。なお図５（ａ）は貫通孔をパッケージベースの中央部に設けた構成であり、図５（ｂ）は貫通孔を外部電極の近傍に設けた構成を示す。   Next, a fourth embodiment will be described. First, the position where the through hole is provided will be described. FIG. 5 is a bottom view of the piezoelectric oscillator. 5A shows a configuration in which a through hole is provided in the central portion of the package base, and FIG. 5B shows a configuration in which the through hole is provided in the vicinity of the external electrode.

図５（ａ）に示すように、貫通孔６２がパッケージベース６４の中央部に設けられた場合、圧電発振器６０ａが半田等の導電性接合材を用いて実装基板（不図示）に実装されると、前記実装基板上に形成された電極パターン６６と外部電極４０とが電気的および機械的に接続され、貫通孔６２が前記電極パターン６６と接続することはない。   As shown in FIG. 5A, when the through hole 62 is provided at the center of the package base 64, the piezoelectric oscillator 60a is mounted on a mounting substrate (not shown) using a conductive bonding material such as solder. The electrode pattern 66 formed on the mounting substrate and the external electrode 40 are electrically and mechanically connected, and the through hole 62 is not connected to the electrode pattern 66.

また図５（ｂ）に示すように、貫通孔６２が複数の外部電極４０のうちの１つに隣接して設けられた場合、圧電発振器６０ｂが半田等の導電性接合材を用いて実装基板（不図示）に実装されると、外部電極４０と共に貫通孔６２が前記導電性接合材を介して電極パターン６６と電気的および機械的に接続される。また貫通孔６２が近傍に設けられていない外部電極４０も電極パターン６６と電気的および機械的に接続されている。なお貫通孔６２が設けられる外部電極４０は、接地電極（ＧＮＤ）や電源電圧電極（ＶＤＤ）になるものであればよい。このように貫通孔６２を配置することで、データの書き込み時には外部電極４０と貫通孔６２とを独立した電極とすることができ、圧電発振器６０が前記実装基板に実装されたときには１つの外部電極４０と貫通孔６２とが前記導電性接合材を介して一体の電極とすることができる。したがって圧電発振器６０ｂは、図５（ａ）に示すような貫通孔の配置にした圧電発振器６０ａに比べて外部からのノイズの影響を受けにくくなる。   Further, as shown in FIG. 5B, when the through hole 62 is provided adjacent to one of the plurality of external electrodes 40, the piezoelectric oscillator 60b is mounted on the mounting substrate using a conductive bonding material such as solder. When mounted (not shown), the through hole 62 together with the external electrode 40 is electrically and mechanically connected to the electrode pattern 66 through the conductive bonding material. In addition, the external electrode 40 in which the through hole 62 is not provided in the vicinity is also electrically and mechanically connected to the electrode pattern 66. It should be noted that the external electrode 40 provided with the through hole 62 only needs to be a ground electrode (GND) or a power supply voltage electrode (VDD). By disposing the through hole 62 in this way, the external electrode 40 and the through hole 62 can be made independent when writing data, and one external electrode when the piezoelectric oscillator 60 is mounted on the mounting board. 40 and the through-hole 62 can be formed as an integral electrode through the conductive bonding material. Therefore, the piezoelectric oscillator 60b is less susceptible to external noise than the piezoelectric oscillator 60a having the through holes as shown in FIG.

次に、第５の実施形態について説明する。第５の実施形態では、外部電極の変形例について説明する。図６は外部電極の断面図である。第５の実施形態で説明する外部電極７０は凹陥部７２を設けた構成である。具体的には、パッケージベース７４の最下段にある平面絶縁シート７６（７６ａ，７６ｂ）を少なくとも２層構造とし、外部電極７０が設けられる位置に対応する下側の平面絶縁シート７６ａに開口部７８を設け、これに上側の平面絶縁シート７６ｂを積層させ、平面絶縁シート７６に凹陥部７２を設けた構成である。   Next, a fifth embodiment will be described. In the fifth embodiment, a modification of the external electrode will be described. FIG. 6 is a cross-sectional view of the external electrode. The external electrode 70 described in the fifth embodiment has a configuration in which a recessed portion 72 is provided. Specifically, the planar insulating sheet 76 (76a, 76b) at the bottom of the package base 74 has at least a two-layer structure, and the opening 78 is formed in the lower planar insulating sheet 76a corresponding to the position where the external electrode 70 is provided. The upper planar insulating sheet 76b is laminated thereon, and the recessed portion 72 is provided in the planar insulating sheet 76.

そして凹陥部７２の表面は、例えばタングステン等がメタライズ印刷された後、ニッケルや金等がメッキされて、外部電極７０が形成される。なおニッケルは、タングステンと金との密着性を向上させるために用いられる金属である。   The surface of the recess 72 is formed by metallizing, for example, tungsten, and then plated with nickel, gold, or the like, so that the external electrode 70 is formed. Nickel is a metal used to improve the adhesion between tungsten and gold.

このような構成の外部電極７０は、データの書き込み時において、凹陥部７２の側面がプローブのガイドの役割を果たすので、プローブを確実に接触させることができる。したがってデータをＩＣチップへ確実に書き込むことができる。また、凹陥部７２の中にプローブの先端部分が収容された状態でＩＣチップへの書き込むため、書き込み中にプローブまたは圧電発振器が揺れても、プローブが凹陥部７２から外れ難く、プローブの接触不良を有効に防止できる。   In the external electrode 70 having such a configuration, when the data is written, the side surface of the recessed portion 72 serves as a guide for the probe, so that the probe can be reliably brought into contact. Therefore, data can be reliably written to the IC chip. In addition, since writing is performed on the IC chip with the tip of the probe housed in the recessed portion 72, even if the probe or the piezoelectric oscillator is shaken during writing, the probe is not easily detached from the recessed portion 72, and the probe contact is poor. Can be effectively prevented.

次に、第６の実施形態について説明する。第６の実施形態では、前述した圧電発振器を電子機器に搭載した一例について説明する。図７はディジタル式携帯電話の概略構成図である。ディジタル式携帯電話１００は、送受信信号の送信部１０２および受信部１０４等を有し、この送信部１０２および受信部１０４に、これらを制御する中央演算装置（ＣＰＵ）１０６が接続されている。またＣＰＵ１０６は、送受信信号の変調および復調の他に表示部や情報入力のための操作キー等からなる情報の入出力部１０８や、ＲＡＭ，ＲＯＭ等からなるメモリ１１０の制御を行っている。このためＣＰＵ１０６には圧電デバイス１１２が取付けられ、その出力周波数をＣＰＵ１０６に内蔵された所定の分周回路（不図示）等により、制御内容に適合したクロック信号として利用するようにされている。またＣＰＵ１０６は温度補償型圧電発振器１１４と接続され、この温度補償型圧電発振器１１４は送信部１０２と受信部１０４とに接続されている。これによりＣＰＵ１０６からの基本クロックが、環境温度が変化した場合に変動しても、温度補償型圧電発振器１１４により修正されて、送信部１０２および受信部１０４に与えられるようになっている。   Next, a sixth embodiment will be described. In the sixth embodiment, an example in which the piezoelectric oscillator described above is mounted on an electronic device will be described. FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a digital cellular phone. The digital cellular phone 100 includes a transmission / reception signal transmission unit 102, a reception unit 104, and the like, and a central processing unit (CPU) 106 that controls them is connected to the transmission unit 102 and the reception unit 104. In addition to modulation and demodulation of transmission / reception signals, the CPU 106 controls the information input / output unit 108 including a display unit and operation keys for inputting information, and the memory 110 including RAM, ROM, and the like. For this reason, the piezoelectric device 112 is attached to the CPU 106, and its output frequency is used as a clock signal suitable for the control contents by a predetermined frequency dividing circuit (not shown) incorporated in the CPU 106. The CPU 106 is connected to a temperature compensated piezoelectric oscillator 114, and the temperature compensated piezoelectric oscillator 114 is connected to the transmitting unit 102 and the receiving unit 104. Thus, even if the basic clock from the CPU 106 fluctuates when the environmental temperature changes, it is corrected by the temperature compensated piezoelectric oscillator 114 and supplied to the transmitting unit 102 and the receiving unit 104.

前述した実施形態の圧電発振器が応用されるものとして、例えば温度補償型圧電発振器１１４がある。また前述した実施形態の圧電発振器は、例えばＣＰＵ１０６を含む携帯電話に日付時刻情報を供給するリアルタイムクロックにも応用することができる。   For example, there is a temperature compensated piezoelectric oscillator 114 to which the piezoelectric oscillator of the above-described embodiment is applied. The piezoelectric oscillator of the above-described embodiment can also be applied to a real-time clock that supplies date and time information to a mobile phone including the CPU 106, for example.

また前述した実施形態に係る圧電発振器は、上記のディジタル式携帯電話に限らず、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ［Ｄａｔａ］ Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ：携帯情報端末）等の、圧電発振器により制御用のクロック信号を得る電子機器に適用することができる。   The piezoelectric oscillator according to the above-described embodiment is not limited to the digital mobile phone described above, but is a clock for control by a piezoelectric oscillator such as a personal computer, a workstation, a PDA (Personal Digital [Data] Assistant). The present invention can be applied to electronic devices that obtain signals.

１０………圧電発振器、１２………圧電振動片、２０………ＩＣチップ、３２………貫通孔、３４………導電膜、４０………外部電極、４９………プローブ、５０………圧電発振器、５６………貫通孔、６０………圧電発振器、７０………外部電極。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ......... Piezoelectric oscillator, 12 ......... Piezoelectric vibrating piece, 20 ......... IC chip, 32 ......... Through hole, 34 ......... Conductive film, 40 ......... External electrode, 49 ......... Probe ……… Piezoelectric oscillator, 56 ……… Through hole, 60 ……… Piezoelectric oscillator, 70 ……… External electrode.

Claims (10)

圧電振動片とこの圧電振動片を発振させる回路を有する半導体素子とをパッケージに搭載した圧電発振器であって、
前記パッケージには貫通孔が形成され、
前記貫通孔は導電性の封止材によって閉塞されており、
前記封止材と前記半導体素子とが電気的に接続されていることを特徴とする圧電発振器。 A piezoelectric oscillator in which a piezoelectric vibrating piece and a semiconductor element having a circuit for oscillating the piezoelectric vibrating piece are mounted in a package,
A through hole is formed in the package,
The through hole is closed by a conductive sealing material,
The piezoelectric oscillator, wherein the sealing material and the semiconductor element are electrically connected. 前記封止材は、前記貫通孔に形成された導電膜と導通されており、
前記導電膜と前記半導体素子との間を電気的に接続する電気的接続手段が前記パッケージに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の圧電発振器。 The sealing material is electrically connected to the conductive film formed in the through hole,
2. The piezoelectric oscillator according to claim 1, wherein electrical connection means for electrically connecting the conductive film and the semiconductor element is formed in the package. 前記パッケージは内部に前記圧電振動片を収容する空間を有し、
前記貫通孔が前記封止材によって閉塞されることにより前記空間が気密に封止されていることを特徴とする請求項１または２に記載の圧電発振器。 The package has a space for accommodating the piezoelectric vibrating piece therein,
3. The piezoelectric oscillator according to claim 1, wherein the space is hermetically sealed by closing the through hole with the sealing material. 前記貫通孔は、信号の入力および出力の少なくともいずれか一方を行う入出力電極であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電発振器。   4. The piezoelectric oscillator according to claim 1, wherein the through-hole is an input / output electrode that performs at least one of input and output of a signal. 前記貫通孔は、前記パッケージに形成された外部電極と同じ面に形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の圧電発振器。   5. The piezoelectric oscillator according to claim 1, wherein the through hole is formed on the same surface as the external electrode formed in the package. 6. 前記貫通孔は、前記外部電極に隣接して配置されたことを特徴とする請求項５に記載の圧電発振器。   The piezoelectric oscillator according to claim 5, wherein the through hole is disposed adjacent to the external electrode. 前記外部電極は、凹部を備えたことを特徴とする請求項５または６に記載の圧電発振器。   The piezoelectric oscillator according to claim 5, wherein the external electrode includes a concave portion. 請求項１ないし７のいずれかに記載の圧電発振器を備えたことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the piezoelectric oscillator according to claim 1. 圧電振動片とこの圧電振動片を発振させる回路を有する半導体素子とをパッケージに搭載した圧電発振器の製造方法であって、
前記パッケージに形成された貫通孔を導電性の封止材で封止し、前記半導体素子と前記封止材とを電気的に接続する工程と、
封止後の前記貫通孔を用いて、発振周波数調整用データを前記半導体素子に書き込む書き込み工程と、
を備えたことを特徴とする圧電発振器の製造方法。 A method for manufacturing a piezoelectric oscillator in which a piezoelectric resonator element and a semiconductor element having a circuit for oscillating the piezoelectric resonator element are mounted in a package,
Sealing a through hole formed in the package with a conductive sealing material, and electrically connecting the semiconductor element and the sealing material;
A writing step of writing oscillation frequency adjustment data into the semiconductor element using the through-hole after sealing;
A method for manufacturing a piezoelectric oscillator, comprising: 前記書き込み工程は、前記貫通孔を封止している前記導電性の封止材に対してプローブを接触させて行うことを特徴とする請求項９に記載の圧電発振器の製造方法。   10. The method of manufacturing a piezoelectric oscillator according to claim 9, wherein the writing step is performed by bringing a probe into contact with the conductive sealing material sealing the through hole.
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