JP2010147348A - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】保護膜とメタライズ部との接合強度を高く確保し、信頼性の高い電子部品及びその製造方法を実現すること。
【解決手段】デバイスチップ１０と、周辺部２ａにおける厚さが、デバイスチップ１０がフリップチップ実装された実装面２ｂにおける厚さよりも薄い基板２と、基板２の周辺部２ａ上に設けられ、基板２の端部に近い側の端面である第１端面８ａの高さが、第１端面８ａと反対側の端面である第２端面８ｂの高さより高いメタライズ部８と、半田からなり、メタライズ部８と接触しかつデバイスチップ１０を封止する封止部１４と、第１端面８ａの少なくとも一部及び封止部１４を覆う保護膜１６と、を具備することを特徴とする電子部品及びその製造方法。
【選択図】図２

Description

本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、特にデバイスチップを基板上にフリップチップ実装する電子部品及びその製造方法に関する。

近年、電子部品の小型化に伴い、デバイスチップを基板上にフリップチップ実装する技術が多く用いられている。このような電子部品では、フリップチップ実装されたデバイスチップを保護するために、デバイスチップを気密封止する。特に、デバイスチップが弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）デバイスチップや薄膜圧電共振器（ＦＢＡＲ：Ｆｉｌｍ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）等の弾性波デバイスチップである場合、デバイスチップへの異物付着や水分の浸入等により、デバイスチップが機能しなくなる恐れがあるため、気密封止が重要となる。

特許文献１には、デバイスチップを半田からなる封止部で封止し、さらに封止部を保護膜で覆う技術が開示されている。これによりデバイスチップを気密性高く封止でき、かつ電気的なシールドの効果も得られる。
特開２００６−２０３１４９号公報

しかしながら、保護膜と基板に設けられたメタライズ部との接触面積が小さいため、保護膜とメタライズ部との接合強度を十分に得られない可能性があった。このため、保護膜の剥離が発生し、電子部品の信頼性が低下する恐れがあるという課題があった。

上記課題に鑑み、本発明は、保護膜とメタライズ部との接合強度を高く確保し、信頼性の高い電子部品及びその製造方法を実現することを目的とする。

本発明は、デバイスチップと、周辺部における厚さが、前記デバイスチップがフリップチップ実装された実装面における厚さよりも薄い基板と、前記基板の前記周辺部上に設けられ、前記基板の端部に近い側の端面である第１端面の高さが、前記第１端面と反対側の端面である第２端面の高さより高いメタライズ部と、半田からなり、前記メタライズ部と接触しかつ前記デバイスチップを封止する封止部と、前記第１端面の少なくとも一部及び前記封止部を覆う保護膜と、を具備することを特徴とする電子部品である。本発明によれば、保護膜とメタライズ部との接触面積を大きくすることで、接合強度を高く確保し、信頼性の高い電子部品を実現することができる。

上記構成において、前記メタライズ部は、前記基板の前記周辺部上面から前記実装面にかけて設けられている構成とすることができる。この構成によれば、メタライズ部の第１端面の高さが第２端面の高さより高くなるため、保護膜とメタライズ部との接触面積が大きくなり、信頼性の高い電子部品を実現することができる。

上記構成において、前記保護膜は前記実装面より下に延在している構成とすることができる。この構成によれば、保護膜とメタライズ部との接触面積が大きくなるため、信頼性の高い電子部品を実現することができる。

上記構成において、前記基板を前記実装面と平行な方向から見た際に、前記基板の前記周辺部には傾斜又は段差が形成されている構成とすることができる。この構成によれば、メタライズ部の第１端面の高さが第２端面の高さより高くなるため、保護膜とメタライズ部との接触面積が大きくなり、信頼性の高い電子部品を実現することができる。

上記構成において、前記保護膜は金属からなる構成とすることができる。この構成によれば、メタライズ部と保護膜との接合強度が高くなる。

上記構成において、前記デバイスチップは、前記デバイスチップの側面に設けられた前記封止部と前記デバイスチップ上に設けられた金属リッドとで封止され、前記保護膜は前記金属リッドを覆う構成とすることができる。

上記構成において、前記保護膜は前記第１端面の全体を覆う構成とすることができる。この構成によれば、保護膜とメタライズ部との接触面積がより大きくなるため、より信頼性の高い電子部品を実現することができる。

本発明は、多面取り構造の基板の実装面上にデバイスチップをフリップチップ実装する第１工程と、厚さが前記実装面における厚さよりも薄い前記基板の領域の上面から前記実装面にかけて設けられたメタライズ部と接触するように、半田からなる封止部で前記デバイスチップを封止する第２工程と、前記封止部と前記メタライズ部の少なくとも一部とを、前記領域上に位置する切断領域で前記メタライズ部から前記基板の上面に近づく方向に、前記実装面より下までダイシングする第３工程と、前記第３工程により形成された前記メタライズ部の端面及び前記封止部を前記保護膜で覆う第４工程と、前記基板を個片化する第５工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法である。本発明によれば、保護膜とメタライズ部との接触面積を大きくすることで、接合強度を高く確保し、信頼性の高い電子部品の製造方法を実現することができる。

上記構成において、前記第４工程は前記保護膜が前記実装面より下に延在するように、前記保護膜で覆う工程とすることができる。この構成によれば、保護膜とメタライズ部との接触面積が大きくなるため、信頼性の高い電子部品の製造方法を実現することができる。

上記構成において、前記第５工程は、前記第３工程の前記切断領域と重なる切断領域で前記基板をダイシングする工程とすることができる。

上記構成において、前記第３工程は前記メタライズ部を切断する工程であり、前記第３工程により形成される前記メタライズ部の前記端面は、前記第５工程後における前記メタライズ部の前記基板の端部に近い側の端面である第１端面と同一であり、前記第４工程は前記第１端面の全体を保護膜で覆う工程とすることができる。この構成によれば、保護膜とメタライズ部との接触面積がより大きくなるため、より信頼性の高い電子部品の製造方法を実現することができる。

上記構成において、前記第２工程は前記封止部と金属リッドとで前記デバイスチップを封止する工程であり、前記第３工程は前記金属リッドをダイシングする工程を含み、前記第４工程は前記金属リッドを前記保護膜で覆う工程を含む構成とすることができる。

本発明によれば、保護膜とメタライズ部との接合強度を高く確保し、信頼性の高い電子部品及びその製造方法を提供することができる。

図面を用いて、本発明の実施例について説明する。

実施例１の説明の前に、まず比較例について説明する。図１は比較例に係る電子部品を例示する断面図である。

図１に示すように、例えば樹脂やセラミックス等の絶縁体からなる、例えば厚さＴ１が２００μｍの基板２の実装面２ｂ上に設けられた、金属からなる配線パターン４に、例えばＡｕ等の金属からなるバンプ６を用いてデバイスチップ１０がフリップチップ実装されている。言い換えれば、デバイスチップ１０は実装面２ｂにフリップチップ実装されている。基板２の周辺部の上面にはメタライズ部８が設けられている。配線パターン４及びメタライズ部８は例えば基板に近い方からＷ／Ｎｉ／Ａｕが積層された金属からなる。デバイスチップ１０の基板２と対向する面とは反対の面（上面）には、例えばコバール等の金属からなる金属リッド１２が設けられている。例えばＳｎ−Ａｇ等の半田からなる封止部１４が、メタライズ部８と接触するようにデバイスチップ１０の側面に設けられている。すなわち、デバイスチップ１０は金属リッド１２と封止部１４とにより封止されている。金属リッド１２及び封止部１４は、例えばＮｉ等の金属からなる保護膜１６により覆われている。

比較例に係る電子部品では、保護膜１６とメタライズ部８との接触面積が小さいため、保護膜１６とメタライズ部８との接合強度が十分に得られない。このため、保護膜１６に剥離が発生することがある。このとき、封止部１４が外力や熱により破損する恐れがあり、電子部品の信頼性低下を招く可能性がある。

この課題を解決する実施例１について、図面を参照して説明する。図２は実施例１に係る電子部品を例示する断面図である。なお、既述した構成と同様の構成については説明を省略する。

図２に示すように、基板２の周辺部２ａにおける基板２の厚さＴ２が、デバイスチップ１０がフリップチップ実装されている実装面２ｂにおける基板２の厚さＴ１よりも薄い。基板２を、実装面２ｂと平行な方向から見た際、周辺部２ａには傾斜が設けられている。言い換えれば、基板２の形状はテーパ形状である。周辺部２ａの最下点２ｃから実装面２ｂからまでの高さＨ１は、例えば２０〜５０μｍである。メタライズ部８は、基板２の周辺部２ａの上面から実装面２ｂ上にかけて設けられている。また、メタライズ部８の、基板２の端部に近い側の端面である第１端面８ａの高さＨ２は、第１端面８ａとは反対の端面である第２端面８ｂの高さＨ３より高い。Ｈ２は例えば３０〜８０μｍ、Ｈ３は例えば１０〜２０μｍである。例えばＮｉ等の金属からなる、例えば厚さＴ３が１０〜２０μｍの保護膜１６は、第１端面８ａの一部、封止部１４及び金属リッド１２を覆っている。また、保護膜１６は実装面２ｂより下に延在している。

次に、実施例１に係る電子部品の製造方法について説明する。図３（ａ）から図３（ｅ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を例示する断面図である。

図３（ａ）に示すように、デバイスチップ１０、例えば樹脂やセラミックス等の絶縁体からなる多面取り構造の基板２２、例えばＳｎ−Ａｇ等の半田からなる半田シート２４、及び例えばコバール等の金属からなる金属リッド２６を用意する。基板２２の領域２２ａには傾斜が設けられており、領域２２ａにおける基板２２の厚さは、実装面２２ｂにおける基板２２の厚さより薄い。また、基板２２の領域２２ａの上面及び実装面２２ｂに接触するように、例えば基板２２に近い方から順にＷ／Ｎｉ／Ａｕ等の金属からなるメタライズ部２８が設けられている。隣り合う実装面２２ｂ間の距離Ｌ１は例えば２５０μｍ以上である。

基板２２の実装面２２ｂ上に設けられた、例えば基板２２に近い方から順にＷ／Ｎｉ／Ａｕ等の金属からなる配線パターン４上に、例えばＡｕ等の金属からなるバンプ６を用いてデバイスチップ１０をフリップチップ実装する（第１工程）。さらに、フリップチップ実装されたデバイスチップ１０上に、半田シート２４、及び金属リッド２６を配置する。

図３（ｂ）に示すように、第１工程の後に、半田シート２４及び金属リッド２６を基板２の上から基板２に近づく方向へ加圧し、また例えば約２７０℃に加熱する。これにより、溶融した半田シート２４は封止部３０を形成する。すなわち、封止部３０及び金属リッド２６によりデバイスチップ１０を封止する（第２工程）。このとき、溶融した半田シート２４はメタライズ部２８上を流動し、配線パターン４及びバンプ６には到達しない。従って、封止部３０はデバイスチップ１０の側面及びメタライズ部２８に接触するが、配線パターン４及びバンプ６には接触しない。すなわち、デバイスチップ１０とメタライズ部８及び封止部３０とは電気的に接続していない。

図３（ｃ）に示すように、第２工程の後、例えば幅２５０μｍのブレードを用い、封止部３０及びメタライズ部２８を、メタライズ部２８から基板２２の上面に近づく方向に、実装面２２ｂの下までダイシングする（第３工程）。このとき、図中に点線で示した切断領域３は、基板２２の領域２２ａ上に位置している。この工程により、金属リッド２６及び封止部３０が切断され、各々から封止部１４及び金属リッド１２の各々が形成される。メタライズ部２８は例えば２０〜５０μｍの深さまで切り込まれるが、切断はされない。言い換えれば、メタライズ部２８の一部のみがダイシングされ、基板２２の領域２２ａと接触する部分はダイシングされない。この工程により、メタライズ部２８に端面２８ａが形成される。端面２８ａの高さＨ４は、メタライズ部２８の端面２８ａとは反対側の端面２８ｂの高さＨ３（図２の第２端面８ｂと同じ）より高い。

図３（ｄ）に示すように、第３工程の後、例えばＮｉ等の金属からなる保護膜１６で、金属リッド１２、第３工程で露出したメタライズ部２８の端面２８ａ、及び封止部１４を覆う（第４工程）。保護膜１６は例えばメッキ法で形成され、実装面２２ｂより下に延在している。

図３（ｅ）に示すように、第４工程の後、基板２２を個片化する（第５工程）。すなわち、ブレードを用い、メタライズ部２８及び基板２２をダイシングする。図中に点線で示した切断領域５は、図３（ｃ）に示した第３工程における切断領域３と重なる。この工程により、基板２及びメタライズ部８が形成される。すなわち、実施例１に係る電子部品が完成する。

図２に示すように、基板２の周辺部２ａに傾斜が形成されているため、メタライズ部８の第１端面８ａの高さＨ２は、第２端面８ｂの高さＨ３より高い。これにより、保護膜１６は、実装面２ｂよりも下に延在することとなり、メタライズ部８と保護膜１６との接触面積が大きくなる。従って、実施例１によれば、図１に示した比較例よりも、保護膜１６とメタライズ部８との接合強度を高く確保できる。すなわち、実施例１によれば、保護膜１６に剥離が発生し、封止部１４が破損することを抑制し、信頼性の高い電子部品及びその製造方法を実現することができる。

図１に示した比較例において、実装面２ｂからメタライズ部８の上面までの高さＨ０を高くした場合でも、保護膜１６とメタライズ部８との接触面積を大きくすることができる。しかしながら、メタライズ部８と配線パターン４とは同一の工程で形成されるため、メタライズ部８とともに配線パターン４の高さも高くなる。この場合、電子部品自体の高さが高くなり、小型化の障害となる。これに対し、実施例１によれば、図２に示すように、実装面２ｂからメタライズ部８の上面までの高さを高くすることなく、保護膜１６とメタライズ部８との接触面積を大きくすることができる。すなわち、実施例１によれば、電子部品の信頼性向上と、小型化とを同時に図ることが可能となる。

配線パターン４及びメタライズ部２８は、例えば基板上にＷを印刷し、その上にＮｉ及びＡｕをメッキすることで形成することができる。メタライズ部２８は、半田と濡れ性の高い他の金属の単層構成又は多層構成とすることができる。例えば、Ｗ／Ａｕ等を用いて形成してもよい。

メタライズ部８と保護膜１６との接合強度を高くするためには、保護膜１６は金属からなることが好ましい。また、保護膜１６はＮｉ以外の金属、例えばＣｕなどで形成してもよい。

個片化後のメタライズ部８が基板２の周辺部２ａの上面から実装面２ｂ上にかけて設けられる構成（図２参照）とするためには、図３（ａ）に示すように個片化前のメタライズ部２８の幅Ｗ１が、実装面２２ｂ間の距離Ｌ１より大きいことが好ましい。

また、図３（ｃ）に示した第３工程の後に端面２８ａの高さＨ４が端面２８ｂの高さＨ３より高くなり、図３（ｄ）に示した第４工程の後に保護膜１６が実装面２ｂより下に延在する構成とするためには、実装面２２ｂ間の距離Ｌ１（図３（ａ）参照）が、第３工程及び第５工程で用いるブレード幅より大きいことが好ましい。

図３（ｃ）に示した第３工程では、実装面２２ｂの下までダイシングを行うが、メタライズ部２８は切断されず、一部のみがダイシングされる。このため、図３（ｅ）に示すように、個片化後のメタライズ部８の第１端面８ａは、第５工程で切り込まれる分だけ個片化前のメタライズ部２８の端面２８ａよりも長くなる。従って、保護膜１６はメタライズ部８の第１端面８ａの全体は覆わず、第１端面８ａの一部を覆う。

図３（ｂ）に示した第２工程において加圧を行うため、デバイスチップ１０上の溶解した半田はデバイスチップ１０上から押し出され、残存しない。すなわち、デバイスチップ１０と金属リッド２６とは接触している。これに対し、例えば高さの異なる複数のデバイスチップ１０を同時に封止する場合には、高さの低いデバイスチップ１０の上に半田（封止部１４）が残存することがある。また、加熱する際の温度は、半田シート２４の材質によって適宜変更することができる。

実施例２は、基板２の周辺部２ａに段差が形成されている例である。図面を参照し、実施例２について説明する。図４（ａ）から図４（ｅ）は、実施例２に係る電子部品の製造方法を例示する断面図である。既述した構成と同様の構成については説明を省略する。

図４（ａ）に示すように、デバイスチップ１０、多面取り構造の基板２２、半田シート２４及び金属リッド２６を用意する。基板２２の領域２２ａには段差が設けられており、領域２２ａにおける基板２２の厚さは、基板２２の実装面２２ｂにおける基板２２の厚さより薄い。基板２２の実装面２２ｂ上に設けられた配線パターン４上に、バンプ６を用いてデバイスチップ１０をフリップチップ実装する（第１工程）。

図４（ｂ）に示すように、第１工程の後に、封止部３０及び金属リッド２６によりデバイスチップ１０を封止する（第２工程）。

図４（ｃ）に示すように、第２工程の後に、封止部３０及びメタライズ部２８を、切断領域３で、メタライズ部２８から基板２２の上面に近づく方向から、実装面２２ｂの下までダイシングする（第３工程）。この工程により、メタライズ部２８に端面２８ａが形成される。

図４（ｄ）に示すように、第３工程の後に、保護膜１６で、金属リッド１２、第３工程で形成されたメタライズ部２８の端面２８ａ、及び封止部１４を覆う（第４工程）。保護膜１６は、実装面２２ｂより下に延在している。

図４（ｅ）に示すように、第４工程の後に、基板２２を個片化する（第５工程）。すなわち、ブレードを用い、メタライズ部２８及び基板２２をダイシングする。このときの切断領域５は、図４（ｃ）に示した第３工程における切断領域３と重なる。この工程により、基板２及びメタライズ部８が形成される。すなわち、実施例２に係る電子部品が完成する。

実施例２によれば、実施例１と同様に、保護膜１６とメタライズ部８との接触面積が大きくなるため、保護膜１６とメタライズ部８との接合強度を高く確保し、信頼性の高い電子部品及びその製造方法を実現することができる。また、領域２２ａに段差が形成されているため、ブレードの形状に関わらず、第３工程及び第５工程のダイシングを安定して精度良く行うことができる。

図４（ａ）に示すように、実施例１と同様、実装面２２ｂ間の距離Ｌ１は、第３工程及び第５工程で用いるブレード幅より大きいことが好ましい。

実施例３は、実施例１における第３工程のダイシングする深さを変更した例である。図面を参照し、実施例３について説明する。図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例３に係る電子部品の製造方法を例示する断面図であり、各々図３（ｃ）から図３（ｅ）に対応した工程を示している。なお、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示した工程は、実施例３においても共通である。

図５（ａ）に示すように、第３工程において、封止部３０及びメタライズ部２８（図３（ｂ）参照）を、切断領域３で、メタライズ部２８から基板２２の上面に近づく方向から、実装面２２ｂより下までダイシングする。実施例３では、この工程により、メタライズ部２８が切断されメタライズ部８が形成される。このため、メタライズ部２８に形成される端面２８ａ（図３（ｃ）参照）は、個片化後のメタライズ部８の第１端面８ａと同一の面になる。言い換えれば、第３工程により、第１端面８ａが形成される。

図５（ｂ）に示すように、第３工程の後に、保護膜１６で、金属リッド１２、第３工程で形成されたメタライズ部８の第１端面８ａ、及び封止部１４を覆う（第４工程）。保護膜１６は、実装面２２ｂより下に延在しており、第１端面８ａの全体を覆う。

図５（ｃ）に示すように、第４工程の後に、基板２２を個片化する（第５工程）。すなわち、図５（ａ）に示した切断領域３と重なる切断領域５で、ブレードを用いて基板２２をダイシングし、基板２を形成する。この工程より、実施例３に係る電子部品が完成する。

実施例３によれば、第３工程においてメタライズ部２８を切断してメタライズ部８を形成するため、端面２８ａと第１端面８ａとが同一の面となる。これにより、第４工程において、保護膜１６がメタライズ部８の第１端面８ａの全体を覆うことになる。すなわち、保護膜１６が第１端面８ａの一部を覆っていた実施例１よりも、保護膜１６とメタライズ部８との接触面積がより大きくなる。従って、保護膜１６とメタライズ部８との接合強度をより高くすることができ、より信頼性の高い電子部品及びその製造方法を実現することができる。

実施例４は、実施例２における第３工程のダイシングする深さを変更した例である。図面を参照し、実施例４について説明する。図６（ａ）から図６（ｃ）は、実施例４に係る電子部品の製造方法を例示する断面図であり、各々図４（ｃ）から図４（ｅ）に対応した工程を示している。なお、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示した工程は、実施例４においても共通である。

図６（ａ）に示すように、第３工程において、封止部３０及びメタライズ部２８（図４（ｂ）参照）を、切断領域３で、メタライズ部２８から基板２２の上面に近づく方向から、実装面２２ｂより下までダイシングする。実施例４では実施例３と同様、第３工程においてメタライズ部２８が切断され、メタライズ部８が形成される。このため、メタライズ部２８に形成される端面２８ａ（図４（ｃ）参照）は、個片化後のメタライズ部８の第１端面８ａと同一の面になる。

図６（ｂ）に示すように、第３工程の後に、保護膜１６で、金属リッド１２、第３工程で露出したメタライズ部８の第１端面８ａ、及び封止部１４を覆う（第４工程）。保護膜１６は、実装面２２ｂより下に延在している。また、保護膜１６は第１端面８ａの全体を覆う。

図６（ｃ）に示すように、第４工程の後に、基板２２を個片化する（第５工程）。すなわち、図６（ａ）に示した切断領域３と重なる切断領域５で、ブレードを用いて基板２２をダイシングし、基板２を形成する。この工程より、実施例４に係る電子部品が完成する。

実施例４によれば、実施例３と同様に、第４工程において保護膜１６がメタライズ部８の第１端面８ａの全体を覆う。すなわち、保護膜１６とメタライズ部８との接触面積がより大きくなる。従って、保護膜１６とメタライズ部８との接合強度をより高くすることが可能となる。

上記実施例に、デバイスチップ１０として例えばＳＡＷデバイスチップやＦＢＡＲ等の弾性波デバイスチップを用いた場合、デバイスチップ１０を気密性高く封止し、かつ保護膜１６の剥離が発生しにくい、信頼性の高い弾性波デバイス及びその製造方法を実現することができる。また、デバイスチップ１０には弾性波デバイスチップ以外のデバイスチップを用いてもよい。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

図１は比較例に係る電子部品を例示する断面図である。 図２は実施例１に係る電子部品を例示する断面図である。 図３（ａ）から図３（ｅ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を例示する断面図である。 図４（ａ）から図４（ｅ）は、実施例２に係る電子部品の製造方法を例示する断面図である。 図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例３に係る電子部品の製造方法を例示する断面図である。 図６（ａ）から図６（ｃ）は、実施例４に係る電子部品の製造方法を例示する断面図である。

符号の説明

基板 ２、２２
切断領域 ３、５
配線パターン ４
メタライズ部 ８、２８
デバイスチップ １０
金属リッド １２、２６
封止部 １４、３０
保護膜 １６
第１端面 ８ａ
第２端面 ８ｂ
周辺部 ２ａ
実装面 ２ｂ、２２ｂ
領域 ２２ａ
端面 ２８ａ

Claims (12)

1. デバイスチップと、
   周辺部における厚さが、前記デバイスチップがフリップチップ実装された実装面における厚さよりも薄い基板と、
   前記基板の前記周辺部上に設けられ、前記基板の端部に近い側の端面である第１端面の高さが、前記第１端面と反対側の端面である第２端面の高さより高いメタライズ部と、
   半田からなり、前記メタライズ部と接触しかつ前記デバイスチップを封止する封止部と、
   前記第１端面の少なくとも一部及び前記封止部を覆う保護膜と、を具備することを特徴とする電子部品。
2. 前記メタライズ部は、前記基板の前記周辺部上面から前記実装面にかけて設けられていることを特徴とする請求項１記載の電子部品。
3. 前記保護膜は前記実装面より下に延在していることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品。
4. 前記基板を前記実装面と平行な方向から見た際に、前記基板の前記周辺部には傾斜又は段差が形成されていることを特徴とする請求項１から３いずれか一項記載の電子部品。
5. 前記保護膜は金属からなることを特徴とする請求項１から４いずれか一項記載の電子部品。
6. 前記デバイスチップは、前記デバイスチップの側面に設けられた前記封止部と前記デバイスチップ上に設けられた金属リッドとで封止され、
   前記保護膜は前記金属リッドを覆うことを特徴とする請求項１から５いずれか一項記載の電子部品。
7. 前記保護膜は前記第１端面の全体を覆うことを特徴とする請求項１から６いずれか一項記載の電子部品。
8. 多面取り構造の基板の実装面上にデバイスチップをフリップチップ実装する第１工程と、
   厚さが前記実装面における厚さよりも薄い前記基板の領域の上面から前記実装面にかけて設けられたメタライズ部と接触するように、半田からなる封止部で前記デバイスチップを封止する第２工程と、
   前記封止部と前記メタライズ部の少なくとも一部とを、前記領域上に位置する切断領域で前記メタライズ部から前記基板の上面に近づく方向に、前記実装面より下までダイシングする第３工程と、
   前記第３工程により形成された前記メタライズ部の端面及び前記封止部を前記保護膜で覆う第４工程と、
   前記基板を個片化する第５工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
9. 前記第４工程は前記保護膜が前記実装面より下に延在するように、前記保護膜で覆う工程であることを特徴とする請求項８記載の電子部品の製造方法。
10. 前記第５工程は、前記第３工程の前記切断領域と重なる切断領域で前記基板をダイシングする工程であることを特徴とする請求項８または９記載の電子部品の製造方法。
11. 前記第３工程は前記メタライズ部を切断する工程であり、
    前記第３工程により形成される前記メタライズ部の前記端面は、前記第５工程後における前記メタライズ部の前記基板の端部に近い側の端面である第１端面と同一であり、
    前記第４工程は前記第１端面の全体を保護膜で覆う工程であることを特徴とする請求項８から１０いずれか一項記載の電子部品の製造方法。
12. 前記第２工程は前記封止部と金属リッドとで前記デバイスチップを封止する工程であり、
    前記第３工程は前記金属リッドをダイシングする工程を含み、
    前記第４工程は前記金属リッドを前記保護膜で覆う工程を含むことを特徴とする請求項８から１１いずれか一項記載の電子部品の製造方法。

Images