JP2010129812A - 半導体レーザ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電流ブロック層8に形成したコンタクトホール8aをレーザ光の出力方向に対して平行に複数に分割したストライプ状に並べた開口パターンとする。これにより、コンタクトホール8aを一つのライン状とした場合と比較して利得分布が変わる。すなわち、利得分布をストライプ幅方向において部分的に低下させることができる。このため、ストライプ幅方向の不要な共振が無くなり、かつ、それによって注入電流分布も均一にすることができる。したがって、ストライブ幅と平行方向の不要な共振を抑制でき、光強度ピークを抑制できる構造の半導体レーザとすることが可能となる。
【選択図】図2
Description
本発明の第1実施形態について説明する。本実施形態は、本発明の一実施形態を利得導波型ストライプ構造の半導体レーザに対して適用した場合について説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態の半導体レーザは、第1実施形態に対して電流ブロック層8に形成したコンタクトホール8aの形状を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態の半導体レーザは、第2実施形態に対して電流ブロック層8に形成したコンタクトホール8aの形状を変更したものであり、その他に関しては第2実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態の半導体レーザは、第1実施形態に対して電流ブロック層8に形成したコンタクトホール8aの形状を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
上記各実施形態では、同じ幅の複数のコンタクトホール8aをストライプ状に配列する場合について説明したが、異なる幅であっても良い。
2 第1クラッド層
3 第1光ガイド層
4 活性層
5 第2光ガイド層
6 第2クラッド層
7 p型キャップ層
8 電流ブロック層
8a コンタクトホール
9 p型電極
10 n型電極
Claims (7)
- 第1導電型の半導体基板(1)と、
前記半導体基板(1)の上に形成され、第1導電型の第1クラッド層(2)と、前記第1クラッド(2)の上に形成された活性層(4)と、前記活性層(4)の上に形成された第2クラッド層(5)とを有してなる積層体にて構成されたレーザ構造と、
前記レーザ構造の上に形成された第2導電型のキャップ層(7)と、
前記キャップ層(7)の表面に形成された絶縁膜にて構成された電流ブロック層(8)と、
前記電流ブロック層(8)に形成された一方向を長手方向とするライン状のコンタクトホール(8a)を通じて、前記キャップ層(7)に電気的に接続される第1電極(9)と、
前記半導体基板(1)に対して電気的に接続される第2電極(10)とを有し、前記コンタクトホール(8a)と対応する部分の前記活性層(4)を共振器として、前記コンタクトホール(8a)の長手方向の一方を出射方向としてレーザ光を出力するように構成された半導体レーザであって、
前記電流ブロック層(8)に形成されたコンタクトホール(8a)は、前記長手方向と垂直方向をストライプ幅方向として、前記長手方向に対して平行に伸びる複数本が前記ストライプ幅方向に並べられることにより、ストライプ状の開口パターンとされていることを特徴とする半導体レーザ。 - 複数本並べられた前記コンタクトホール(8a)は、前記長手方向の長さがすべて同じであることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。
- 複数本並べられた前記コンタクトホール(8a)のうち、前記ストライプ幅方向の両端に位置するものがそれよりも内側に位置するものよりも前記長手方向の長さが短くされていることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。
- 複数本並べられた前記コンタクトホール(8a)は、前記ストライプ幅方向の中心に近づくほど前記長手方向の長さが長くされていることを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザ。
- 複数本並べられた前記コンタクトホール(8a)のうち、前記ストライプ幅方向の両端よりも内側に位置するものはすべて同じ長さとされていることを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザ。
- 複数本並べられた前記コンタクトホール(8a)は、前記出射方向と反対側の端部が前記電流ブロック層(8)の端面まで至るように形成されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体レーザ。
- 複数本並べられた前記コンタクトホール(8a)は、前記ストライプ幅方向の両端それぞれに一本ずつと、該両端に配置されたものに挟まれ、かつ、該両端に配置されるものよりも前記ストライプ幅方向の幅が長くされた一本にて構成されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の半導体レーザ。
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