JP2010124627A - ゲート回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 IGBT2のエミッタ側にコイル4が接続され、IGBT2のターンオン後に、IGBT2を駆動するゲート電圧を印加するゲート−エミッタ間の回路をコイル4を含まない回路からコイル4を含む回路に切り替えるゲート回路1。
【選択図】 図1
Description
Romeo Letor、外1名,"Short Circuit Behavior of IGBT’s Correlated to the Intrinsic Device Structure and on the Application Circuit", IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRY APPLICATIONS, IEEE,1995年3月/4月,Vol.31,No.2,p.234−239 笹川清明、外2名,"ゲート波形制御によるIGBT短絡保護方式の検討",電気学会D部門論文誌,社団法人電気学会,2007年,第127巻,第5号,p.478−484
図1は、本発明の実施形態に係る電力変換回路10の構成を示す構成図である。図2は、本実施形態に係るゲート回路1の生成するゲートパルスGP及び切替信号SKの波形を示す波形図である。なお、以降の図において、同一部分には同一符号を付してその詳しい説明を省略し、異なる部分について主に述べる。以降の実施形態も同様にして重複した説明を省略する。
Claims (4)
- 電圧駆動型半導体素子のエミッタ側にインダクタが接続され、前記電圧駆動型半導体素子を駆動するゲート回路であって、
前記電圧駆動型半導体素子のゲート−エミッタ間に、前記電圧駆動型半導体素子を駆動するためのゲート電圧を印加し、前記電圧駆動型半導体素子を駆動する駆動手段と、
前記駆動手段により前記ゲート電圧が印加される前記電圧駆動型半導体素子のゲート−エミッタ間の回路を、前記インダクタを含む回路と前記インダクタを含まない回路とに切り替える回路切替手段と、
前記電圧駆動型半導体素子のターンオン後に、前記回路切替手段により前記インダクタを含まない回路から前記インダクタを含む回路に切り替えるための切替信号を生成する切替信号生成手段と
を備えたことを特徴とするゲート回路。 - 前記ゲート電圧を出力するためのゲート波形を生成するゲート波形生成手段を備え、
前記切替信号生成手段は、前記ゲート波形生成手段により生成された前記ゲート波形に基づいて、前記切替信号を生成すること
を特徴とする請求項1に記載のゲート回路。 - 前記切替信号生成手段は、前記ゲート波形生成手段により生成された前記ゲート波形を入力し、前記ゲート波形の信号の立ち上がり時間を遅延させた波形を、前記切替信号として出力するオンディレイタイマを備えたこと
を特徴とする請求項1に記載のゲート回路。 - ゲート電圧により駆動する電圧駆動型半導体素子と、
前記電圧駆動型半導体素子のエミッタ側に接続されたインダクタと、
前記電圧駆動型半導体素子のゲート−エミッタ間に、前記ゲート電圧を印加し、前記電圧駆動型半導体素子を駆動する駆動手段と、
前記駆動手段により前記ゲート電圧が印加される前記電圧駆動型半導体素子のゲート−エミッタ間の回路を、前記インダクタを含む回路と前記インダクタを含まない回路とに切り替える回路切替手段と、
前記電圧駆動型半導体素子のターンオン後に、前記回路切替手段により前記インダクタを含まない回路から前記インダクタを含む回路に切り替えるための切替信号を生成する切替信号生成手段と
を備えたことを特徴とする電力変換装置。
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