JP2010114398A - Cmpスラリの注入のための方法及び機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】機器は、立体三日月形注入器10を含み、該注入器の10凹状後縁12は、研磨ヘッド26の前縁の大きさ及び形状に、最大1インチ(約2.54cm)の間隙を挟んで適合しており、注入器10の底面は、パッド26に面しているとともに軽荷重によってパッド26に載っており、注入器10を通じて、CMPスラリ又はCMPスラリの成分は、注入器10の上部にある1つ又は2つ以上の開口を通して導入され、機器の長さに及ぶチャネル又はリザーバを通って底部へ移動し、そこで、注入器10の底部にある複数の開口から出て、薄膜状に広がり、スラリの全部又は大半がウエハ14と研磨パッド26との間に導入されるような十分に少ない量で、ウエハ14の前縁に沿って研磨パッド26の表面とウエハ28との間に導入される。
【選択図】図1
Description
起こす。この効果は、数秒間にわたって持続するので、ウエハが研磨される期間の25〜50パーセントの長さにわたって負の効果を及ぼす可能性があり、その結果、プロセス有効性及び製品品質の重大で大幅な低下をもたらす。
基板を化学的に研磨するためのプロセスを教示しており、スラリ溶液は、噴出流の形でパッドの表面に塗布され、研磨布と被研磨ウエハとの間に液体層を形成する。溶液は、吐出ボトルから塗布され、研磨布を最大限に洗浄してエッチング生成廃棄物を除去できるように、ウエハとプレートとのアセンブリに対して接線方向に塗布される。米国特許第4,549,374号(引用によって本明細書に組み込まれる)は、半導体ウエハを研磨するために特別に調合された、脱イオン水にモンモリロナイト粘土を含ませた研磨スラリの使用を示している。
スラリの大半は、ウエハの前縁にあるスラリのへさき波に蓄積しつづけ、そのほとんどは、前縁に沿って外向きに移動して、パッドの縁から放り出され、廃棄される。更に、ウエハ下にあった汚染された使用済みスラリは、パッドの回転とともにへさき波へ戻り、そこで新しいスラリと混ざり合うことによって、実際のCMPで使用されるスラリの品質を大幅に下げ、無駄を大幅に増大させる。そして、最終的には、先行技術のいずれの方法も、材料の除去と、ウエハ間に加えられる残留スラリ洗浄水の均一性とに対する負の効果を低減させていない。
本発明は、半導体ウエハの化学的機械的研磨において、ウエハと研磨パッドとの間にスラリを注入するための機器であり、機器は、立体三日月形注入器を含み、該注入器の凹状後縁は、研磨ヘッドの前縁の大きさ及び形状に、最大1インチ(約2.54cm)の間隙を挟んで適合しており、注入器は、軽荷重によってパッドに載っており、底面は、パッドに面しており、注入器を通じて、CMPスラリ又はCMPスラリの成分は、注入器の上部にある1つ又は2つ以上の開口を通して導入され、機器の長さに及ぶチャネル又はリザーバを通って底部へ移動し、そこで、注入器の底部にある複数の開口から出て、薄膜状に広がり、スラリの全部又は大半がウエハと研磨パッドとの間に導入されるような十分に少ない量で、ウエハの前縁に沿って研磨パッドの表面とウエハとの間の間隙に導入される。
ンチ(約1.27cm)の間隙を挟んで適合しており、注入器は、CMP研磨機の支持機構に取り付けられた、バネ及びツバを棒上に伴うステンレス鋼ポールによって保持されてパッドの表面に載っており、そうして、注入器にかかる荷重を3ポンド(約1.36kg)に設定され、パッド表面の許す範囲でバンク角及びピッチ角について自由にジンバル可能であるが水平面内では回転不可能であるように取り付けられ、パッドに面している注入器の底面は、原則的に平坦であるとともにパッドの表面に平行で尚且つ同表面に載っており、機器の構成に使用される材料は、3枚のポリカーボネートシートであり、注入器を通じて、CMPスラリ又はCMPスラリの成分は、重力流又は毛管現象によって、注入器の上部の、パッドがウエハと最も長時間接触する半径にある1つの開口を通して導入され、チャネルを通して注入器の底部へ移動し、そこで、注入器の底部の、注入器の後縁に平行する曲線沿いに、パッドの着地領域に対応する間隔で設けられた68個の開口から出て、薄膜状に広がり、スラリの全部又は大半がウエハと研磨パッドとの間に導入されるような十分に少ない量で、ウエハの前縁に沿って研磨パッドの表面とウエハとの間に導入される。
本発明の発明者は、CMPプロセスにおけるスラリのより効率的な使用と、より多くの新しいスラリがウエハの下で移流され、より高い割合の古い使用済みスラリが廃棄物として処理されることを保証するとともに、CMPパッド上に残留する洗浄水が後続のスラリ濃度にひいては除去速度及び均一性に及ぼす有害な効果を克服する、パッドとウエハとの間へのより効率的なスラリ導入方法と、を実現しようとして、この問題を解決することを目指した少なからぬ研究及び努力を経た後に、先行技術のCMP研磨方法に特徴的な、スラリの無駄遣い、古いスラリと新しいスラリとの混ざり合い、及び残留洗浄水の希釈効果を大きく排除し、回転式CMP研磨装置のオペレータがウエハとパッドとの間へのスラリの導入を十分に制御することを可能にする、パッドとウエハとの間への効率的なスラリ導入のための機器及び方法を発見した。より具体的には、発明者は、半導体ウエハの化学的機械的研磨において使用するための装置であって、ウエハの前縁の近くにおいて、パッドとウエハとの間の間隙に匹敵する厚さの薄膜状で、ウエハとパッドとの間にスラリを塗布することによって、ウエハ前縁のへさき波の量を大幅に低減させ、高い割合の未使用スラリが研磨に使用されることを保証する、装置を発明した。装置は、ウエハ前縁のへさき波から物理的に隔てられ尚且つ使用済みスラリ及び残留洗浄水のみを含有する第2のへさき波を、注入器の前縁に形成する。スラリの処分及び廃棄の大半は、この第2のへさき波からであり、これは、また、そうでなければパッドとウエハとの間の間隙に進入して除去速度及び均一性に対して負の効果を及ぼすであろう、研磨の開始時に存在するすすぎ水及びすすぎ水とスラリとの不完全な混合の大半を捕らえて処分する。これらの2つの要素を取り入れたこの装置は、ウエハにおける使用に先立って、未使用スラリと使用済みスラリとの混合及び洗浄水による制御不能なスラリの希釈を抑えることによって、そして未使用スラリの利用が100%に近づくことを保証することによって、そして使用済みスラリ及び洗浄水のみを第2のへさき波から排出させることによって、CMPツールが使用する流速全体を大幅に低下させることができる。
に平行で尚且つ同表面に接触しており、注入器を通じて、CMPスラリ又はCMPスラリの成分は、通常のスラリ供給システムであってよいスラリ又はスラリ成分のソースに一端を取り付けられるとともに注入器の上部にある入口にもう一端を取り付けられた1本又は2本以上のチューブを通して導入され、立体三日月形注入器の長さに及ぶとともにウエハに接触する研磨パッド部分の上方にある内部分配チャネル又は内部分配リザーバを通って移動し、立体三日月形注入器の底部を通り、そこで、立体三日月形注入器の底部にある複数の開口から出て、研磨パッド表面の上に薄膜状に広がり、スラリの全部又は大半がウエハと研磨パッドとの間に導入されることを保証するのに十分に少ない量で、ウエハの前縁に沿って研磨パッドの表面とウエハとの間に導入される。
当該分野における問題及び必要性に応えて開発されたものである。したがって、本発明の全体的な目的は、先行技術の欠点を是正するCMPスラリ注入器及び関連の方法を提供することにある。
であって、先行技術のCMP研磨方法に特徴的なスラリの無駄遣いを大幅に排除し、研磨パッド表面において常に、より純粋で尚且つ未使用で尚且つ希釈されていないスラリの使用を可能にし、更に、CMP研磨装置のオペレータがウエハと研磨パッドとの間へのスラリの導入を十分に制御することを可能にする、機器及び装置を含む。より具体的には、先ず図1から始めると、本発明は、半導体ウエハの化学的機械的研磨において、ウエハと研磨パッドとの間にスラリを注入するための機器を含み、機器は、立体三日月形注入器(10)を含み、その凹状後縁(12)は、ウエハ(28)の前縁(14)の大きさ及び形状に、最大1インチ(約2.54cm)の間隙(42)を挟んで適合しており、それは、軽荷重によって研磨パッド(26)に載っており、その底面(16)は、原則的に平坦であるとともに研磨パッド(26)の表面(36)に平行であり、それを通して、CMPスラリ又はCMPスラリの成分が、立体三日月形注入器(10)の上部(76)にある入口(20)に取り付けられた1本若しくは2本以上のチューブ(18)又はその他の適切な送り手段を通して導入され、立体三日月形注入器(10)の長さにわたるチャネル又はリザーバ(22)を通って上記チャネル又はリザーバ(22)の底部(78)へ流れ、そこで、立体三日月形注入器(10)の底部(16)にある複数の開口(24)を通って立体三日月形注入器(10)から出て立体三日月形注入器(10)の上記底部(16)と研磨パッド(26)との間で押圧され、薄膜状に広がり、スラリの全部又は大半がウエハ(28)と研磨パッド(26)との間に導入されるような十分に少ない量で尚且つ十分に薄い膜状で、ウエハ(28)の前縁(14)に沿って研磨パッド(26)の表面(36)とウエハ(28)との間の間隙に好ましくはパッド内の溝(32)間の「着地」(30)領域上に導入され、そうして、使用済みスラリは、立体三日月形注入器(10)の前縁(34)にある第2のへさき波(46)内に集中することによって、新しく注入されたスラリから、より効果的に隔てられた状態に維持される。
(30)領域の位置及び数に対応することが好ましく、各「着地」(30)領域上に1つずつの開口(24)が設けられることが更に好ましい。開口(24)の線状配置は、制限されないが、直線又は曲線に沿って配置されることが好ましい。開口(24)は、互いにどのような位置及び分離距離で設けられるにせよ、研磨パッド(36)の着地(30)の真上にあることが適していると考えられる。
に、そうするにあたって、研磨パッド(26)の上又は上方に座している立体三日月形注入器(10)が、その底部(16)の平坦な向きを失うことなく、立体三日月形注入器(10)の前縁にあるへさき波(46)に使用済みスラリを効果的に分離することを可能にする。
Rohm and HaasのIC-10-A2 CMPパッドをAraca IncorporatedのAPD-500 200mmCMP研磨ツールに取り付け、更に、三菱マテリアル株式会社のTRDコンディショニングディスクも取り付けた。CMPツールの支持機構に締め付けられた可調整式梁の穴に、長さがおよそ6.5インチ(約16.5cm)で直径が0.3125インチ(約7.94mm)のステンレス鋼シャフトを通した。ツバと支持機構との間に、棒に沿ってバネを配した。バネは圧縮され、ツバは、位置決めネジによって棒に取り付けられた。これは、バネからの力を注入器を通じてパッドの表面に伝える効果があった。次いで、荷重を固定するため、そして棒を自身を軸にして回転させないために、可調整式梁内の棒のための別の位置決めネジを使用して、その棒を支持機構に取り付けた。
50〜200cc/分の水流速と10〜80RPMのプラテン回転速度とを使用した、注入器の完全性及び安定性の予備テストが成功に終わった後、以下のように、研磨テスト
を行った。パッドの寿命期間を通じてパッド表面の平坦性を最適にするように設計された「既知の最良方法」である調整スイープを使用し、Araca IncorporatedのAPD-500研磨機上の新しい3M A165 100グリット調整ディスクによって、45分間にわたり、新しいRohm and HaasのIC-10-A2パッドの調整を行った。次いで、テトラエトキシシランのソースから二酸化シリコンの層を堆積された直径200mmのウエハ(TEOSウエハとして知られる)を、55PRMのプラテン回転速度及び53RPMのキャリア回転速度でFujimiのPL4072ヒュームドシリカを使用したin-situ調整(研磨しつつ調整すること)によって、4PSIで1分間にわたって研磨した。各ウエハの研磨後は、2〜3リットルの脱イオン水をビーカから加えることによって、パッドから使用済みスラリを洗い流した。除去速度を測定するために使用されるウエハ(「速度ウエハ」)を通す前に、使用済み(「ダミー」)TEOSウエハを数分間にわたって処理し、次いで、平均摩擦係数(COF)が安定化するまで11枚の一連のTEOSダミーをそれぞれ1分間にわたって研磨した。次いで、2枚のTEOS速度ウエハを、150、120、90、60、及び30cc/分の各注入器流速でこの通りの順番で研磨した。55RPMのプラテン回転速度の場合にツールで使用される標準スラリ流速は、150cc/分である。流速が変化するたびに、速度ウエハを通す前にシステムを安定化させるべく、TEOSダミーを1分間にわたって通した。各流速で処理された2枚の速度ウエハのそれぞれに対する2回の直径スキャンをもとに、反射率計を使用して測定された平均除去速度は、150、130、90、60、及び30cc/分の各流速でそれぞれ2430、2408、2405、2276、及び2026オングストローム/分であった。せん断力の標準偏差は、150、120、90、60、及び30cc/分でそれぞれ3.0、3.4、4.0、4.2、及び6.0lb(約1.36、約1.54、約1.81、約1.91、及び約2.72kg)であった。せん断力の標準偏差は、ツールがどれくらいスムーズに作動しているかを測定するものであり、4PSIで加えられる201lb(約91.2kg)の全研磨力のほんの僅かを占めている。
注入器を取り外し、COFが安定化するまで7枚のTEOSダミーをそれぞれ1分間にわたって研磨し、次いで、150、120、90、60、及び30cc/分の流速でパッドの中央にスラリをポンプ投入(中央塗布)しつつ、2枚のウエハを研磨した。流速が減少するたびに、2枚の速度ウエハに先立って1枚のダミーウエハを研磨した。各ウエハの研磨後は、古いスラリを除去するために、パッドにすすぎ水(約2〜3リットル)を施した。中央にスラリを塗布し、ウエハとウエハとの間でウエハのすすぎを行うというのが、この研磨ツールの標準的な手順である。2枚の速度ウエハに対する合計4回の直径スキャンをもとにした平均除去速度は、150、130、90、60、及び30cc/分の各流速でそれぞれ2378、2329、2321、2125、及び1827オングストローム/分であった。したがって、どの流速でも、注入器を使用して達成された除去速度は、中央塗布とすすぎとからなる標準的な手順を使用して達成された速度を4〜11%上回った。150cc/分で実施される標準的な手順と比較すると、注入器を使用すれば、半分の量のスラリで同じ除去速度を達成することができる。中央塗布を用いた実験では、せん断力の標準偏差は、150、120、90、60、及び30cc/分でそれぞれ4.7、5.2、4.5、6.2、及び7.4lb(約2.13、約2.36、約2.04、約2.81、及び約3.36kg)であった。いずれの場合も、注入器を使用したせん断力標準偏差は、中央塗布によるよりも小さく、これは、注入器が、より高い除去速度及びよりスムーズな研磨プロセスの両方を促進することを示している。
実施例11〜20を得るため、ウエハ研磨工程間において、余分なスラリを除去するためのすすぎ水をパッドに施さないことを除き、実施例1と同じ手順を150、120、90、60、及び30cc/分の各注入器流速でこの通りの順番で実施した。除去速度は、150、120、90、60、及び30cc/分でそれぞれ2571、2536、250
1、2464、及び2438オングストローム/分であった。せん断力標準偏差は、150、120、90、60、及び30cc/分でそれぞれ4.0、3.9、3.4、3.6、及び3.5lb(約1.81、約1.77、約1.54、約1.63、及び約1.59kg)であった。
比較実験6〜10を得るため、ウエハ研磨間において、余分なスラリを除去するためのすすぎ水をパッドに施さないことを除き、比較実験1と同じ手順を、150、120、90、60、及び30cc/分の各注入器流速でこの通りの順番で実施した。除去速度は、150、120、90、60、及び30cc/分でそれぞれ2572、2522、2531、2488、及び2422オングストローム/分であった。せん断力標準偏差は、150、120、90、60、及び30cc/分でそれぞれ3.4、3.3、3.8、3.2、及び3.0lb(約1.54、約1.50、約1.72、約1.45、及び約1.36kg)であった。したがって、ウエハのすすぎが行われない場合は、各流速において、注入器を伴う場合と伴わない場合とで同じ除去速度及びせん断力標準偏差が測定された。これは、ウエハのすすぎが使用される場合に、注入器が、未使用スラリと研磨の開始時にパッド上にあるすすぎ水及び使用済みスラリとの混合を低減させることによって、中央塗布よりも高い除去速度及び滑らかな研磨プロセスを提供することを示している。
10は、立体三日月形注入器である。
12は、立体三日月形注入器10の凹状後縁である。
14は、ウエハである。
18は、スラリ供給チューブである。
20は、立体三日月形注入器10の上部にあるスラリ入口である。
22は、立体三日月形注入器10内においてスラリを導くためのチャネル又はリザーバである。この実施形態では、立体三日月形注入器10のボディが透明なポリカーボネートシートで形成されるゆえに、目で見ることができる。
26は、研磨パッドである。
28は、ウエハの前縁である。
34は、立体三日月形注入器の前縁である。
40は、立体三日月形注入器10をまとめあわせるボルトである。
42は、ウエハ26の前縁14と、立体三日月形注入器10の後縁12との間の間隙42である。
44は、立体三日月形注入器10の端にある角である。
46は、立体三日月形注入器10の前縁34の前方にある第2のへさき波である(なお、本発明は、間隙42内に通常形成されるであろう第1のへさき波を効果的に排除している)。
54は、チューブ18をスラリソース(不図示)につなぐクイックコネクタである。
66は、立体三日月形注入器10を保持する棒である。
68は、立体三日月形注入器10に取り付けられるとともに内部に棒66を据えられたジンバルである。
図2は、重りをかけられていない基本な立体三日月形注入器10の側面図である。ここに示されていない付番は、図1と同じである。
16は、立体三日月形注入器10の底面である。
24は、立体三日月形注入器10の底面16に開いた開口である。
30は、研磨パッドの上面上の着地領域である。
32は、着地領域30間の溝である。
36は、研磨パッド26の上面である。
52は、立体三日月形注入器10にスラリを入らせるための開口である。
56は、本発明の立体三日月形注入器10を構成するもとになる層である。
60は、チャネル又はリザーバ22の上面である。
62は、チャネル又はリザーバ22の下面である。
64は、注入器を支持する研磨ツール(不図示)からの梁である。
70は、立体三日月形注入器10全体にかかる荷重を設定するためのバネである。
72は、バネ70を棒66上に保持するためのツバである。
73は、ツバ72に対する位置決めネジである。
74は、棒66を梁64に対して保持するための位置決めネジである。
76は、立体三日月形注入器10の上面である。
図3は、底面16をバランスさせるために重りを加えられた立体三日月形注入器10の側面図である。
50は、底面16の平面性を調整するための重りである。
Claims (20)
- 半導体ウエハの化学的機械的研磨において、ウエハとパッドとの間にスラリを注入するための機器であり、前記機器は、注入器を備え、
前記注入器の凹状後縁は、研磨ヘッドの前縁の大きさ及び形状に、最大1インチの間隙を挟んで適合しており、
前記注入器は、軽荷重によって前記パッドに載っており、底面は、前記パッドに面しており、前記注入器を通して、CMPスラリ又はCMPスラリの成分は、前記注入器の上部にある1つ又は2つ以上の開口を通して導入され、前記機器の長さに及ぶチャネル又はリザーバを通って底部へ移動し、そこで、前記注入器の底部にある複数の開口から出て、薄膜状に広がり、前記スラリの全部又は大半が前記ウエハと前記研磨パッドとの間に導入されるような十分に少ない量で、前記ウエハの前縁に沿って前記研磨パッドの表面と前記ウエハとの間の間隙に導入される、機器。 - 請求項1に記載のスラリを注入するための機器であって、
前記機器を構成するために使用される材料は、3枚の硬質プラスチックシートの層である、機器。 - 請求項1に記載のスラリを注入するための機器であって、
前記注入器は、前記パッドの表面との接触を確実にするために、バネ及びツバを伴う棒に取り付けられ、前記パッドの表面の許す範囲で自由に移動可能であるように、ジンバルを含む、機器。 - 請求項1に記載のスラリを注入するための機器であって、
前記スラリ導入及び流速制御の手段は、重力送りである、機器。 - 請求項1に記載のスラリを注入するための機器であって、
前記スラリ導入及び流速制御の手段は、制御速度でのポンプ操作による、機器。 - 請求項1に記載のスラリを注入するための機器であって、
前記スラリを通らせて前記注入器に導入するための前記開口の数は、1である、機器。 - 請求項1に記載のスラリを注入するための機器であって、
前記穴のパターンは、曲線状で、前記注入器の後縁に平行で、尚且つパッド着地領域に揃うように間隔が空いている、機器。 - 請求項7に記載のスラリを注入するための機器であって、
前記スラリを通らせて出すための前記穴の数は、68である、機器。 - 請求項6に記載のスラリを注入するための機器であって、
前記スラリを通らせて導入するための前記開口は、前記パッドが前記ウエハと最も長時間接触する半径に位置する、機器。 - 半導体ウエハの化学的機械的研磨において、ウエハとパッドとの間にスラリを注入するための機器であり、前記機器は、立体三日月形注入器を備え、
前記立体三日月形注入器の凹状後縁は、研磨ヘッドの前縁の大きさ及び形状に、2分の1インチの間隙を挟んで適合しており、
前記注入器は、前記CMP研磨機の支持機構に取り付けられた、バネ及びツバを棒上に伴うステンレス鋼ポールによって保持されて前記パッドの表面に載っており、そうして、前記注入器にかかる荷重を3ポンド(約1.36kg)に設定され、前記パッド表面の許
す範囲内でバンク角及びピッチ角については自由にジンバル可能であるが水平面内では回転不可能であるように取り付けられ、前記パッドに面している前記注入器の底面は、原則的に平坦であるとともに前記パッドの表面に平行で尚且つ同表面に載っており、
前記機器の構成に使用される材料は、3枚のポリカーボネートシートであり、前記注入器を通じて、CMPスラリ又はCMPスラリの成分は、重力流によって、前記注入器の上部の、前記パッドが前記ウエハと最も長時間接触する半径にある1つの開口を通して導入され、チャネルを通って前記注入器の底部へ移動し、そこで、前記注入器の底部の、前記注入器の後縁に平行する曲線沿いに、パッド着地領域に対応する可変間隔で設けられた68個の開口から出て、薄膜状に広がり、前記スラリの全部又は大半が前記ウエハと前記研磨パッドとの間に導入されるような十分に少ない量で、前記ウエハの前縁に沿って前記研磨パッドの表面と前記ウエハとの間に導入される、機器。 - 半導体ウエハの化学的機械的研磨において、装置を使用してウエハと研磨パッドとの間にスラリを注入するための方法であり、前記装置は、立体三日月形注入器を含み、
前記立体三日月形注入器の凹状後縁は、研磨ヘッドの前縁の大きさ及び形状に、最大1インチの間隙を挟んで適合しており、底面は、前記パッドに面しており、前記注入器は、軽荷重によって前記パッドに載っており、前記注入器を通じて、CMPスラリ又はCMPスラリの成分は、前記注入器の上部にある1つ又は2つ以上の開口を通して導入され、前記機器の長さに及ぶチャネル又はリザーバを通って底部へ移動し、そこで、前記注入器の底部にある複数の開口から出て、薄膜状に広がり、前記スラリの全部又は大半が前記ウエハと前記研磨パッドとの間に導入されるような十分に少ない量で、前記ウエハの前縁に沿って前記研磨パッドの表面と前記ウエハとの間に導入される、方法。 - 請求項11に記載のスラリを注入するための方法であって、
前記機器を構成するために使用される材料は、3枚の硬質プラスチックシートの層である、方法。 - 請求項11に記載のスラリを注入するための方法であって、
前記注入器は、前記パッドの表面との接触を確実にするために、バネ及びツバを伴う棒に取り付けられ、前記パッドの表面の許す範囲で自由に移動可能であるように、ジンバルを含む、方法。 - 請求項11に記載のスラリを注入するための方法であって、
前記スラリ導入及び流速制御の手段は、重力送りである、方法。 - 請求項11に記載のスラリを注入するための方法であって、
前記スラリ導入及び流速制御の手段は、制御速度でのポンプ操作による、方法。 - 請求項11に記載のスラリを注入するための方法であって、
前記スラリを通らせて前記注入器に導入するための前記開口の数は、1である、方法。 - 請求項11に記載のスラリを注入するための方法であって、
前記穴のパターンは、曲線状で、前記注入器の後縁に平行で、尚且つ前記パッドの着地領域に対応するように間隔が空いている、方法。 - 請求項17に記載のスラリを注入するための方法であって、
前記スラリを通らせて出すための前記穴の数は、68である、方法。 - 請求項16に記載のスラリを注入するための方法であって、
前記スラリを通らせて導入するための前記開口は、前記パッドが前記ウエハと最も長時
間接触する半径に位置する、方法。 - 半導体ウエハの化学的機械的研磨において、機器を使用してウエハとパッドとの間にスラリを注入するための方法であり、前記機器は、立体三日月形注入器を含み、
前記立体三日月形注入器の凹状後縁は、研磨ヘッドの前縁の大きさ及び形状に、2分の1インチの間隙を挟んで適合しており、前記注入器は、前記CMP研磨機の支持機構に取り付けられた、バネ及びツバを棒上に伴うステンレス鋼ポールによって保持されて前記パッドの表面に載っており、そうして、前記注入器にかかる荷重を3ポンドに設定され、前記パッド表面の許す範囲でバンク角及びピッチ角について自由にジンバル可能であるが水平面内では回転不可能であるように取り付けられ、前記パッドに面している前記注入器の底面は、原則的に平坦であるとともに前記パッドの表面に平行で尚且つ同表面に載っており、
前記機器の構成に使用される材料は、3枚のポリカーボネートシートであり、前記注入器を通じて、CMPスラリ又はCMPスラリの成分は、重力流又は毛管現象によって、前記注入器の上部の、前記パッドが前記ウエハと最も長時間接触する半径にある1つの開口を通して導入され、チャネルを通して前記注入器の底部へ移動し、そこで、前記注入器の底部の、前記注入器の後縁に平行する曲線沿いに、前記パッドの着地領域に対応する間隔で設けられた68個の開口から出て、薄膜状に広がり、前記スラリの全部又は大半が前記ウエハと前記研磨パッドとの間に導入されるような十分に少ない量で、前記ウエハの前縁に沿って前記研磨パッドの表面と前記ウエハとの間に導入される、方法。
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