JP2010113185A - 露光用マスクおよびプロセス評価方法 - Google Patents

Abstract

【課題】シュリンク処理によるパターンの変形量を高精度で効率よく評価して、シュリンク処理の条件評価を行うこと。
【解決手段】本発明は、第１のパターンＰ１と第２のパターンＰ２とが所定の間隔で配置された評価用パターンＰを複数備えており、各評価用パターンＰとして、第１のパターンＰ１と第２のパターンＰ２との特定方向に沿った間隔が異なるよう設けられている露光用マスクである。また、この露光用マスクを用いて感光材料を露光、現像する工程と、感光材料の現像後の評価用パターンにおける第１のパターンと第２のパターンとの相対位置を計測して第１の計測結果を得る工程と、感光材料にシュリンク処理を施す工程と、シュリンク処理後の感光材料の評価用パターンにおける第１のパターンと第２のパターンとの相対位置を計測して第２の計測結果を得る工程と、第１の計測結果と第２の計測結果との差を得る工程とを有するプロセス評価方法である。
【選択図】図２

Description

本発明は、露光用マスクおよびプロセス評価方法に関する。詳しくは、感光材料を現像した後に行うシュリンク処理のプロセス条件を評価する露光用マスクおよびプロセス評価方法に関する。

半導体製造において、微細パターンを形成する技術の一つに、シュリンク処理がある。これは、感光材料であるレジストにて形成したパターンを薬液処理または熱処理によってその寸法を縮小させる技術であり、特にスペース（溝）パターンやコンタクトホール（穴）パターンの縮小に有効な技術として知られている（例えば、特許文献１参照。）。

シュリンク処理のうち薬液処理の場合は、パターン形成後に水溶性ポリマ、架橋剤、添加剤からなるシュリンク剤と呼ばれる薬液を塗布し、その後、熱処理を行うことにより、シュリンクを発生させている。その後、リンス処理を行うことによって、縮小したパターンを得ることが可能となる。シュリンク処理におけるパターンの縮小量は、主として、熱処理により制御される。

特開２００７−０１０６９８号公報

しかしながら、微細化を達成するシュリンク処理技術においては、シュリンク量の制御のみならず、パターンの疎密や開口面積に依存する形状ばらつきの制御が重要である。シュリンク技術は形成したレジストに熱を付与して、パターン変形を促す技術であるため、レジストの高さや面積(体積)によって、その形状は大きく依存することになる。

従来の技術において、シュリンク処理後のパターン形状を定量的に評価するには、各パターンにおける断面観察を行うしかなく、材料およびプロセスの最適化を行うためには膨大な評価時間を必要とする。すなわち、材料やプロセス（特に熱プロセス）の最適化を行うために多くの時間を要することとなる。

本発明は、シュリンク処理によるパターンの変形量を高精度で効率よく評価して、シュリンク処理の条件評価を行うことを目的とする。

本発明は、第１のパターンと第２のパターンとが所定の間隔で配置された評価用パターンを複数備えており、各評価用パターンとして、第１のパターンと第２のパターンとの特定方向に沿った間隔が異なるよう設けられている露光用マスクである。

このような本発明では、複数の評価用パターンにおける第１のパターンと第２のパターンとの特定方向に沿った間隔が異なるよう設けられているため、これらの評価用パターンを用いた露光によって同じ条件で異なる間隔のパターンを形成できるようになる。これにより、パターン形成後の処理条件に応じたパターン間隔の変化を捉えることができるようになる。

また、本発明は、第１のパターンと第２のパターンとが所定の間隔で配置された評価用パターンを複数備えており、各評価用パターンとして、第１のパターンと第２のパターンとの特定方向に沿った間隔が異なるよう設けられている露光用マスクを用いて感光材料を露光し、当該感光材料を現像する工程と、感光材料の現像後の評価用パターンにおける第１のパターンと第２のパターンとの相対位置を計測して第１の計測結果を得る工程と、感光材料にシュリンク処理を施す工程と、シュリンク処理後の感光材料の評価用パターンにおける第１のパターンと第２のパターンとの相対位置を計測して第２の計測結果を得る工程と、第１の計測結果と第２の計測結果との差を得る工程とを有するプロセス評価方法である。

このような本発明では、第１の計測結果と第２の計測結果との差を得ることで、シュリンク処理の条件に応じたパターン間隔の変化を捉えることができるようになる。

本発明によれば、パターンの疎密や開口面積に依存した形状ばらつきを定量化することが可能となり、迅速に材料やプロセス（特に熱プロセス）の最適化を行うことが可能となる。

以下、本発明を実施するための最良の形態（以下、実施形態とする）について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．露光用マスクの概要（露光システム、露光用マスクの構成、評価用パターンの構成）
２．プロセス評価方法（評価方法の流れ、シュリンク処理の概要）
３．評価用パターンを用いた評価方法（評価用パターンの詳細構成、シュリンク処理前後での変化）

＜１．露光用マスクの概要＞
［露光システム］
図１は、本実施形態に係る露光用マスクを用いる露光システムを説明する模式図である。露光システム１は、光源１０から出射した光を露光用マスク２０および投影レンズ３０を介してウェハ４０に照射するものである。

露光用マスク２０には、半導体装置を製造する際の素子や配線に対応したパターンが露光領域内に形成されている。このパターンを透過した光を投影レンズ３０によって必要に応じて縮小し、ウェハ４０上に照射している。

本実施形態に係る露光用マスク２０では、半導体装置の製造を行う際の露光領域の外側に評価用パターンが形成されている。

露光用マスク２０の露光領域は露光システム１における１ショット（１回の光照射）に対応しており、ショット間ではウェハを所定ピッチ移動させている。ウェハ上のショット間には所定の隙間が設けられ、このショット間の隙間に評価用パターンが露光されるようになっている。

［露光用マスクの構成］
図２は、露光領域と評価用パターンとの位置関係を説明する模式図である。図２（ａ）に示すように、ウェハ４０上には所定のピッチでショット毎の露光領域が形成されている。

図２（ｂ）は、ショットおよびショット間の露光状態を示す拡大図である。本実施形態の露光用マスクでは、ショットに対応した露光領域の外側、すなわちショット間の隙間となる位置に対応して図２（ｃ）に示すような評価用パターンＰが形成されている。

評価用パターンＰは隣接するショットとは干渉しない位置に配置されている。これにより、ショット間の隙間を狭くできることになる。具体的には、１ショットに対応した露光領域の１辺における中央からずれた位置に配置されている。また、対向する辺についての評価用パターンＰもずれた位置に配置されている。

図２（ｃ）に示すように、評価用パターンＰは、外枠となる第１のパターンＰ１と、内枠となる第２のパターンＰ２とを備えている。この第１のパターンＰ１と第２のパターンＰ２との組みが複数配置されており、第１のパターンＰ１と第２のパターンＰ２との特定方向に沿った間隔が異なるよう設けられている。
なお、図２（ｃ）に示す例では、外枠となる第１のパターンＰ１が図中横方向に連結した状態となっている。

［評価用パターンの構成］
図２（ｃ）に示す評価用パターンでは、第１のパターンＰ１と第２のパターンＰ２との間隔が徐々に変化するよう設けられている。また、この例では、間隔が図中横方向（Ｘ方向）と図中縦方向（Ｙ方向）との両方について徐々に変化している。つまり、外枠である第１のパターンＰ１に対して内枠である第２のパターンＰ２が、図中右に進むにしたがい徐々に右下方向へずれるよう設けられている。

このように、第１のパターンＰ１と第２のパターンＰ２との特定方向に沿った間隔が異なるよう設けられていることで、これらの評価用パターンＰを用いた露光によって同じ条件で異なる間隔のパターンを形成できるようになる。これにより、パターン形成後の処理条件に応じたパターン形状の変化を捉えることができるようになる。

なお、本実施形態では、露光領域の外側に評価用パターンＰが設けられている例を示しているが、露光領域内の素子や配線と無関係な領域に評価用パターンが設けられていてもよい。露光領域内に評価用パターンが設けられていることで、隣接ショットの間隔を極力狭くすることが可能となる。

＜２．プロセス評価方法＞
［評価方法の流れ］
図３は、本実施形態に係るプロセス評価方法の流れを説明するフローチャートである。本実施形態のプロセス評価方法では、先に説明した露光用マスクを用い、ウェハへの露光を行う流れとなっている。

先ず、ウェハに感光材料であるレジストを塗布し、ベーキングを行う（ステップＳ１）。ここで、ウェハはシリコンウェハを用い、塗布装置によってウェハ上にレジストを塗布する。

その後、ベーキングを施す。レジスト材料およびベーキング処理は、例えば以下のようになる。
レジスト：AZ Electronic Materials社製、TX1311(4500nmt)
ベーキング：Pre-Bake（150deg-130sec）、PEB（110deg-160sec））。

次に、塗布したレジストに対して露光用マスクを用いた露光を行う（ステップＳ２）。露光は、先に説明した本実施形態に係る露光用マスクを用い、図１に示す露光システムによって行う。この露光によって、評価用パターンが露光されることになる。

露光の後は、ベーキングと現像を施す（ステップＳ３）。現像によって、レジストに露光された評価用パターンのうち光が透過した部分と対応する凹パターンが形成される。

ここで、現像された評価用パターンでは、外枠である第１のパターンと内枠である第２のパターンとの間が凹パターンとなる。

次に、現像されたパターンの寸法を計測する（ステップＳ４）。本実施形態では、露光された評価用パターンにおける第１のパターンの中心位置と第２のパターンの中心位置とから特定方向に沿った相対位置を計測して第１の計測結果とする。

本実施形態に係る露光用マスクでは、複数の評価用パターンが設けられ、これらにおける第１のパターンと第２のパターンとの特定方向に沿った間隔が異なっている。例えば、Ｘ方向に沿って複数の異なる間隔が設定されている場合、Ｘ方向に沿った複数の間隔に応じた相対位置を計測する。そして、これを第１の計測結果とする。

次いで、現像されたレジストに対してシュリンク処理を施す（ステップＳ５）。シュリンク処理には、サーマルシュリンクと薬液シュリンクとがある。詳細については後述する。シュリンク処理によってレジストの凹パターンの寸法が縮小することになる。

続いて、シュリンク処理後のパターンの寸法を計測する（ステップＳ６）。本実施形態では、評価用パターンにおける第１のパターンと第２のパターンとの特定方向に沿った間隔がシュリンク処理によって縮小していることになる。

したがって、特定方向に沿って異なる間隔について、シュリンク処理後の両パターンの相対位置を計測する。例えば、Ｘ方向に沿って複数の異なる間隔が設定されている場合、Ｘ方向に沿った複数の間隔に応じた相対位置を計測する。そして、これを第２の計測結果とする。

その後、特性値の算出を行う（ステップＳ７）。特性値の算出としては、第１の計測結果と第２の計測結果との差を求める演算である。ここで、第１のパターンと第２のパターンとの間隔が複数設定されていることから、第１、第２の計測結果は各々複数得られている。このため、第１の計測結果と第２の計測結果との差も各間隔に応じて複数求められることになる。

上記のように求めた差は、第１のパターンと第２のパターンとの間隔の変化と、シュリンク処理の前後でのパターンずれ（ずれのパターン間隔依存性）との関係を示していることになる。

このような評価の流れを、シュリンク処理の条件を変えて行うことにより、各条件に応じたずれのパターン間隔依存性を得ることができる。

そして、シュリンク処理の条件のうち、第１のパターンと第２のパターンとの間隔の変化によるずれのパターン間隔依存性が最も小さいものを実際のシュリンク処理の条件として用いることになる。つまり、その条件は、第１のパターンと第２のパターンとの間隔である凹パターンの大きさの変化による依存性が最も少ないものとなり、安定したシュリンク処理を行うことができるためである。

［シュリンク処理の概要］
ここで、シュリンク処理の概要について説明する。図４は、シュリンク処理の概要を説明する模式図であり、図４（ａ）はサーマルシュリンク、図４（ｂ）は薬液シュリンクである。

先ず、シリコンウェハの上に塗布したレジストに露光、現像を行い、所定の凹パターンを形成する。この凹パターンに対してシュリンク処理を施すことで、凹パターンの開口を縮小させる。

図４（ａ）に示すサーマルシュリンクでは、現像によって形成したレジストの凹パターンについて所定の加熱処理を施す。これによりレジストの凸形状が熱によって拡がり、凹パターンの開口を縮小できることになる。

図４（ｂ）に示す薬液シュリンクでは、現像によって形成したレジストの凹パターンの上にシュリンク剤を塗布する。シュリンク剤は、例えば、以下のものを用いる。
AZ Electronic Materials社製、RELACSTM R602

その後、熱処理によって架橋反応を起こさせ、レジストの凸形状を拡げる。熱処理は例えば以下のようになる。
Pre-Bake:85deg-70sec
Mixing Bake:115deg-70sec
これにより、凹パターンの開口を縮小できる。そして、リンス処理を行い、シュリンク剤を除去する。

＜３．評価用パターンを用いた評価方法＞
［評価用パターンの詳細構成］
次に、具体的な評価用パターンを用いた評価方法について説明する。図５は、評価用パターンの詳細構成の一例を説明する模式平面図である。

評価用パターンＰは、外枠である第１のパターンＰ１と内枠である第２のパターンＰ２とから構成される。

第１のパターンＰ１は四角枠形状となっており、その枠内に第２のパターンＰ２が配置されている。第２のパターンＰ２は複数のドットパターンを枠形状に配置したものから構成される。

このような評価用パターンＰにおいて、第１のパターンＰ１に対する第２のパターンＰ２の相対位置が異なるようになっている。すなわち、第１のパターンＰ１の枠形状の左側中心と、第２のパターンＰ２の枠形状の左側中心（２つのドットパターンの中心）との間隔Ｘが、徐々に変化するようになっている。

なお、図５に示す例では、第１のパターンＰ１の枠形状の上側中心と、第２のパターンＰ２の枠形状の上側中心（２つのドットパターンの中心）との間隔Ｙも徐々に変化するよう設けられている。

図５に示す例では、５つの評価用パターンＰがＸ方向に連結されている。そして、第１のパターンＰ１の枠の大きさは全て同じ（例えば、２０μｍ）であるが、間隔Ｘが、左から右にかけて順に、２μｍ、３μｍ、５μｍ、７μｍ、１０μｍというように設定されている。

［現像後のパターン形状］
図６は、上記説明した評価用パターンをレジストに露光し、現像した後のレジストパターンの断面形状を説明する模式図である。図６（ａ）と（ｂ）とでは、第２のパターンＰ２の位置が異なっている。評価用パターンＰをレジストに露光、現像すると、第１のパターンＰ１および第２のパターンＰ２の部分が凸パターン、それ以外の部分が凹パターンとなる。

本実施形態では、複数の評価用パターンＰにおいて、第１のパターンＰ１に対する第２のパターンＰ２の位置が異なるよう設けられていることから、各評価用パターンＰについて、第１のパターンＰ１の位置と第２のパターンＰ２の位置とを計測し、第１の計測結果を得ることになる。

ここで、第１のパターンＰ１の位置を計測するには、評価用パターンＰの平面画像を取り込み、中央付近の走査線上の波形から第１のパターンＰ１の左右枠の波形における中心位置を検出する。そして、検出した左右枠の中心位置から中央値（図中三角印参照）を求める。この中央値が第１のパターンの位置となる。

また、第２のパターンＰ２の位置を計測するには、評価用パターンＰの平面画像における中央付近の走査線上の波形から、第２のパターンＰ２の左右ドットの波形の中心位置を検出する。そして、検出した左右ドットの中心位置から中央値（図中三角印参照）を求める。この中央値が第２のパターンの位置となる。

上記のように求めた第１のパターンＰ１の位置と第２のパターンＰ２の位置との差（相対位置）が第１の計測結果となる。第１の計測結果は、第１のパターンＰ１と第２のパターンＰ２との間隔が異なる各評価用パターンＰについて求められる。

［シュリンク処理前後での変化］
上記と同様な第１のパターンＰ１と第２のパターンＰ２との相対位置の計測は、シュリンク処理後についても行われる。図７は、シュリンク処理前後での相対位置の変化について説明する模式図である。

図７（ａ）は、評価用パターンの平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線およびＢ−Ｂ’線の断面図、（ｃ）はＡ−Ａ’線の断面図の拡大図である。図７（ｂ）、（ｃ）に示す断面図のうち、図中ドット部分はシュリンク処理前のパターン、図中ハッチング部分はシュリンク処理後のパターンを示している。

各断面図に示すように、シュリンク処理前に対してシュリンク処理後ではパターンの幅が拡張しており、隙間である凹部の幅が縮小している。このようなシュリンク処理の前後において、第１のパターンＰ１の位置および第２のパターンＰ２の位置を検出する。

シュリンク処理前の第１のパターンＰ１の位置は図中三角印Ｃ１、第２のパターンＰ２の位置は図中三角印Ｃ２で示されている。第１のパターンＰ１と第２のパターンＰ２との相対位置は、Ｃ１−Ｃ２で得られる。これが第１の計測結果となる。

ここで、評価用パターン形成後（現像後）の段階では、パターンの疎密（隣接パターンまでの距離の大小）に起因する形状変化は出ていない。このため、第１の計測結果はほぼ設計通りの値となる。

シュリンク処理後の第１のパターンＰ１の位置は、図中三角印Ｃ１’、第２のパターンＰ２の位置は図中三角印Ｃ２’で示されている。第１のパターンＰ１と第２のパターンＰ２との相対位置は、Ｃ１’−Ｃ２’で得られる。これが第２の計測結果となる。

ここで、シュリンク処理後では、第１のパターンＰ１と第２のパターンＰ２との間隔が小さくなるほどシュリンク量が小さくなる。このため、シュリンク処理の前後では、第１のパターンＰ１と第２のパターンＰ２との間隔に応じて両者の相対位置に変化が生じることになる。

この変化は、第１の計測結果と第２の計測結果との差を求めることで得ることができる。シュリンク処理前後でのパターンの変形量をΔとする。変形量Δは、図中横方向（Ｘ方向）についてのΔＸと、図中縦方向（Ｙ方向）についてのΔＹとを求めることができる。なお、ここでは説明を分かりやすくするため、ΔＸの場合について示す。

そして、このΔＸを、各評価パターンについて求める。つまり、第１のパターンＰ１と第２のパターンＰ２との特定方向に沿った間隔が異なるものについてそれぞれΔＸを求めることになる。

［評価結果とプロセス条件と関係］
図８は、評価結果とプロセス条件との関係を示す図である。上記のように、第１のパターンＰ１と第２のパターンＰ２との特定方向に沿った間隔Ｘに対するΔＸを、シュリンク処理のプロセス条件ごとに求めると、図８に示すような関係を得ることができる。

すなわち、図８は、横軸に第１のパターンと第２のパターンとの特定方向に沿った間隔Ｘ、縦軸にシュリンク処理前後でのパターン位置ずれ量ΔＸをとり、パラメータとしてシュリンク処理のプロセス条件（例えば、レジスト材料、シュリンク剤の材料、熱処理等の条件）をとっている。

この関係から、間隔Ｘに対するΔＸの変化の大きさが分かる。つまり、変化が大きいほどシュリンク処理によるパターン形状の変化が大きいことを示している。したがって、このうち最も変化の少ないシュリンク処理のプロセス条件を選択すれば、パターン開口面積に依存してパターン形状が変化してしまうことを抑制できることになる。

なお、ここでは、Ｘ方向に沿った間隔ＸについてΔＸの変化を求めたが、同様にＹ方向に沿った間隔Ｙについて、シュリンク処理前後のＹ方向のパターン位置ずれ量ΔＹの変化を求めるようにしてもよい。そして、ΔＸ、ΔＹの両者から最適なプロセス条件を決定するようにしてもよい。

＜他の評価用パターンの例＞
上記説明した実施形態では、評価用パターンの第２のパターンとしてドットパターンを用いているが、これ以外にもラインパターン、スペースパターンなど、他のパターン形状であってもよい。また、第１のパターンを連結せずに別個に設けてもよい。

なお、第２のパターンとしてドットパターンを用いると、レジストパターンの倒壊を高精度に検出することができる。すなわち、比較的厚膜のドットパターンでは、特にリソグラフィにおけるプロセスマージンが狭い。したがって、ドットパターンによる第２のパターンの計測を行う際に、レジストパターンの倒壊を検出できることになる。

図９は、評価用パターンにおける第１のパターンの他の例を示す模式平面図である。図９（ａ）に示す例は、ドット形状で枠を構成した例、図９（ｂ）に示す例は、ライン形状で枠を構成した例、図９（ｃ）は、凹パターンのライン形状で枠を構成した例である。

図９（ａ）に示す第１のパターンＰ１の例では、枠部分について２列のドットパターンを配置したもので、第２のパターンの場合と同様、ドットパターンにすることにより、レジストパターンの倒壊を精度良く検出できるようになる。

図９（ｂ）に示す第１のパターンＰ１の例では、枠部分について３列のラインパターンを配置したものである。３列のライン間を抽出することで枠の位置を正確に検出できるようになる。

図９（ｃ）に示す第１のパターンＰ１の例では、枠部分について３列の凹パターンのライン形状を配置したものである。３列の凹パターンのうちいずれかの中心を抽出することで枠の位置を正確に検出できるようになる。

図９では、第１のパターンＰ１の種々の例を示したが、これらのパターンは第２のパターンＰ２の形状として適用してもよい。また、第１のパターンＰ１と第２のパターンＰ２とで、異なる種類のパターンを組み合わせてもよい。

図１０は、評価用パターンにおける第１のパターンの周辺に凹部を形成した例を示す模式平面図である。図１０（ａ）に示すように、第１のパターンＰ１の形状として単純な枠形状としても良い。

一方、図１０（ｂ）に示すように、枠形状の凹パターンの枠形状を付加しても良い。凹パターンは、第１のパターンＰ１の略中央に枠状に設けられたもので、第１のパターンＰ１を内側、外側で分割するためのものである。

これにより、第１のパターンＰ１のレジスト面積が大きすぎてシュリンク処理に影響を与えないようすることができる。

なお、本実施形態では、主としてレジストのシュリンク処理の前後でのパターン位置ずれを計測して、シュリンク処理のプロセス条件評価を行ったが、本発明はこれに限定されず、他の処理であっても適用可能である。

すなわち、レジストのパターンに対して何らかの処理を施す際、処理前後での評価パターンにおける第１のパターンおよび第２のパターンの相対位置のずれを計測し、処理条件との関係を求めることで、最適な処理条件を求めることが可能となる。

これにより、レジストのパターンについての処理前後での変化について、隣接するパターンの間隔の依存性を得ることができ、依存性の少ない最適な処理条件を評価できるようになる。

本実施形態に係る露光用マスクを用いる露光システムを説明する模式図である。 露光領域と評価用パターンとの位置関係を説明する模式図である。 本実施形態に係るプロセス評価方法の流れを説明するフローチャートである。 シュリンク処理の概要を説明する模式図である。 評価用パターンの詳細構成の一例を説明する模式平面図である。 評価用パターンをレジストに露光し、現像した後のレジストパターンの断面形状を説明する模式図である。 シュリンク処理前後での相対位置の変化について説明する模式図である。 評価結果とプロセス条件との関係を示す図である。 評価用パターンにおける第１のパターンの他の例を示す模式平面図である。 評価用パターンにおける第１のパターンの周辺に凹部を形成した例を示す模式平面図である。

符号の説明

１…露光システム、１０…光源、２０…露光用マスク、３０…投影レンズ、４０…ウェハ、Ｐ…評価用パターン、Ｐ１…第１のパターン、Ｐ２…第２のパターン

Claims (6)

1. 第１のパターンと第２のパターンとが所定の間隔で配置された評価用パターンを複数備えており、
   各評価用パターンとして、前記第１のパターンと前記第２のパターンとの特定方向に沿った間隔が異なるよう設けられている
   露光用マスク。
2. 前記各評価用パターンにおける前記第１のパターンと前記第２のパターンとの特定方向に沿った間隔が徐々に変化するよう設けられている
   請求項１記載の露光用マスク。
3. 前記評価用パターンは、半導体装置の製造における当該半導体装置の露光領域の外側に設けられている
   請求項１または２記載の露光用マスク。
4. 第１のパターンと第２のパターンとが所定の間隔で配置された評価用パターンを複数備えており、各評価用パターンとして、前記第１のパターンと前記第２のパターンとの特定方向に沿った間隔が異なるよう設けられている露光用マスクを用いて感光材料を露光し、当該感光材料を現像する工程と、
   前記感光材料の現像後の評価用パターンにおける前記第１のパターンと前記第２のパターンとの相対位置を計測して第１の計測結果を得る工程と、
   前記感光材料にシュリンク処理を施す工程と、
   前記シュリンク処理後の感光材料の評価用パターンにおける前記第１のパターンと前記第２のパターンとの相対位置を計測して第２の計測結果を得る工程と、
   前記第１の計測結果と前記第２の計測結果との差を得る工程と
   を有するプロセス評価方法。
5. 前記シュリンク処理の条件を変えて前記第２の計測結果を複数求め、前記第１のパターンと前記第２のパターンとの間隔の変化に対する前記差の変化が最も小さいシュリンク処理の条件を求める工程を有する
   請求項４記載のプロセス評価方法。
6. 前記シュリンク処理の条件を変えて前記第２の計測結果を複数求め、前記第１の計測結果と複数の前記第２の計測結果との差を求め、当該差と前記シュリンク処理の条件との関係を求める工程を有する
   請求項４記載のプロセス評価方法。

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