JP2010109026A - 配線基板及び実装構造体 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板及び実装構造体を提供するものである。
【解決手段】本発明の一実施形態にかかる配線基板２は、複数の単繊維９と単繊維９を被覆する樹脂１０とを有する繊維層８を複数積層してなる基体５と、基体５上に形成された導電層７と、を備え、複数の繊維層８は、複数の単繊維９が第１方向に平行に伸長した第１繊維層８ａと、複数の単繊維９が第２方向及び第３方向に織り込まれた第２繊維層８ｂと、を有し、複数の繊維層８の最上層は、第２繊維層８ｂからなることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子機器に使用される配線基板と、かかる配線基板に電子部品を実装した実装構造体と、に関するものである。かかる電子機器は、各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器又はその周辺機器等である。

従来より、電子部品が実装される配線基板が知られている。かかる電子部品は、半導体素子又はコンデンサ等である。かかる半導体素子は、ＩＣ（Integrated Circuit）又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等である。

かかる配線基板は、複数の単繊維と前記単繊維を被覆する樹脂とを有する繊維層を複数積層してなる基体と、前記基体上に形成された導電層と、を備えた構成が知られている。かかる複数の単繊維は、特許文献１に、一方向に平行に伸長した構成が記載されている。

ところで、単繊維の線膨張係数と樹脂の線膨張係数とは異なる。したがって、例えば、電子部品を配線基板に実装する際に行われるはんだリフロー時の加熱又は電子部品の発熱等により、配線基板に熱が印加された場合、単繊維と樹脂との間に熱膨張の差が生じる。このため、単繊維と樹脂との境界に強い熱応力が印加され、単繊維と樹脂とが剥離しやすくなる。その結果、かかる剥離により生じたクラックが基体の厚み方向へ成長しやすくなるため、かかるクラックが導電層に達し、配線基板の電気的信頼性が低下しやすくなる。
特開２００５−２９９１２号公報

本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板及び実装構造体を提供するものである。

本発明の一形態にかかる配線基板は、複数の単繊維と該単繊維を被覆する樹脂とを有する繊維層を複数積層してなる基体と、前記基体上に形成された導電層と、を備え、前記複数の繊維層は、前記複数の単繊維が第１方向に平行に伸長した第１繊維層と、前記複数の単繊維が第２方向及び第３方向に織り込まれた第２繊維層と、を有し、前記複数の繊維層の最上層は、前記第２繊維層からなることを特徴とする。

本発明の一形態にかかる配線基板及び実装構造体によれば、基体内に生じたクラックが導電層に達する可能性を低減できる。その結果、電気的信頼性に優れた配線基板及び実装構造体を得ることができる。

以下に、本発明の一実施形態にかかる配線基板を含む実装構造体を図１及び図２に基づいて詳細に説明する。

図１に示す実装構造体１は、配線基板２と、配線基板２の上面にバンプ３を介してフリップチップ実装された電子部品４と、を含んで構成されている。

配線基板２は、基体５と、基体５の上面及び下面に積層された複数の絶縁層６と、絶縁層６の上面及び下面に配置された複数の導電層７と、を含んで構成されている。

単繊維９は、基材として繊維層８の機械的強度を向上させるためのものであり、例えば低熱膨張樹脂又は低熱膨張ガラス繊維等により構成されている。低熱膨張樹脂としては、例えばポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂又は液晶ポリマー等を用いても構わない。低熱膨張ガラス繊維としては、Ｓガラス、Ｔガラス又はそれらと類似組成のガラス繊維等を用いても構わない。

樹脂１０は、単繊維９同士の間に充填されるとともに、単繊維９の上面及び下面を被覆するように形成されている。樹脂１０は、単繊維９同士及び繊維層８同士を接着させるためのものであり、熱硬化性樹脂等を含む。熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレエーテル樹脂又はアミン系樹脂等を含む。なお、熱硬化性樹脂の線膨張係数は、例えば１０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されていることが望ましい。また、線膨張係数は、ＩＳＯ１１３５９‐２：１９９９に準ずる試験方法により測定される。

樹脂１０は、フィラーを含有することが望ましい。フィラーは、破砕された形状又は球状のものを用いても構わない。なかでも、フィラーは球状のものが望ましく、その結果、フィラーを高密度に充填できる。また、フィラーの直径は、例えば０．２μｍ以上３μｍ以下に設定されていても構わない。また、フィラーとしては、例えば非晶質酸化珪素又は酸化アルミニウム等を用いることが望ましい。また、フィラーの線膨張係数は、例えば−５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であることが望ましい。このように、樹脂１０に含まれる熱硬化性樹脂等よりも低熱膨張のフィラーを、樹脂１０に含有させることにより、樹脂１０の線膨張係数を低減し、配線基板２と電子部品４との線膨張係数の差を低減できる。

基体５は、厚み方向（Ｚ方向）に貫通するスルーホールＳが形成されている。スルーホールＳの内壁には、スルーホール導体１１が形成されている。スルーホール導体１１は、基体５の上面及び下面に形成された導電層７同士を電気的に接続している。スルーホール導体１１は導電材料からなる。導電材料は、例えば銅、銀、ニッケル又はクロム等を含む。本実施形態においては、スルーホール導体１１は、円筒状に形成されており、基体５の平坦性を担保するため、該円筒状の内部に絶縁体１２が充填されている。なお、絶縁体１２は、樹脂材料、フィラー、エラストマー、難燃剤及び硬化剤等を含む。樹脂材料としては、例えばエポキシ樹脂又はシアネート樹脂等が用いられる。

基体５に積層される絶縁層６は、接着層６ａと樹脂層６ｂとを有する。

接着層６ａは、樹脂層６ｂ同士又は樹脂層６ｂと基体５とを、強固に接着するためのものであり、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂等を含む。熱硬化性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコン樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等を用いても構わない。熱可塑性樹脂としては、はんだリフロー時の加熱に耐える耐熱性を有する必要があることから、構成する材料の軟化温度が２００℃以上であることが望ましく、例えば液晶ポリマー等を使用することが望ましい。なお、接着層６ａの線膨張係数は、例えば１５ｐｐｍ／℃以上８０ｐｐｍ／℃以下に設定されていることが望ましい。また、接着層６ａは、厚みが例えば２μｍ以上２０μｍ以下となるように設定されていることが望ましい。

樹脂層６ｂは、配線基板２の機械的強度を向上させるためのものであり、基材を備えておらず、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を含むことが望ましい。熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂としては、弾性変形可能であって、耐熱性と硬さに優れた特性の材料を用いることが望ましい。この様な特性を有する熱硬化性樹脂としては、例えば、ポリイミドベンゾオキサゾール樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、又は全芳香族ポリエステル樹脂等を用いても構わない。また、熱可塑性樹脂としては、例えば、熱可塑性ポリイミド樹脂又は液晶ポリマー樹脂等を用いても構わない。そして、上記材料のなかでも、ポリイミドベンゾオキサゾール樹脂又はポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂を用いることが望ましい。ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂は、線膨張係数が−５ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下と小さい。このような低熱膨張樹脂を使用することによって、配線基板２と電子部品７との間の熱膨張の差を低減し、配線基板２に印加される熱応力を低減できる。なお、樹脂層６ｂの厚みは、例えば２μｍ以上２０μｍ以下となるように設定されていることが望ましい。

絶縁層６には、ビア孔Ｖが形成されており、ビア孔Ｖ内にはビア導体１３が形成されている。ビア導体１３は、絶縁層６の上面及び下面に配置された導電層７同士を電気的に接続する。また、ビア導体１３は、例えば基体５の上面から配線基板２の上面に向かって、又は基体５の下面から配線基板２の下面に向かって、配線基板２の平面方向への断面積が大きくなるように形成されていても構わない。なお、ビア導体１３は、導電材料により形成される。導電材料は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等を含む。また、ビア導体１３の線膨張係数は、例えば１２ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下に設定されていることが望ましい。

導電層７は、基体５の上面及び下面に形成されており、スルーホール導体１１と電気的に接続されている。また、導電層７は、絶縁層６の上面及び下面に形成されており、ビア導体１３と電気的に接続されている。導電層７は、後述するように、電子部品４に電気的に接続され、電子部品４から供給される電気信号又は電子部品４へ供給される電気信号を伝達する信号線路としての機能、又は、電子部品４への電源を供給する電源線としての機能を有する。なお、導電層７を構成する導電材料は、例えば銅、銀、金、ニッケル、クロム、チタン、モリブデン、タングステン又はジルコニウムあるいはこれらの合金等を含む。なお、導電層７の線膨張係数は、例えば１２ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下に設定されていることが望ましい。

電子部品４は、バンプ３を介して導電層７に電気的に接続されている。バンプ３の材料には、導電材料が用いられる。導電材料は、例えば銅、銀、亜鉛、錫、インジウム、ビスマス又はアンチモン等を含む。電子部品４としては、半導体素子又はコンデンサ等を用いても構わない。半導体素子としては、例えばＩＣ若しくはＬＳＩ等を用いても構わない。半導体素子の材料としては、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等を用いても構わない。また、電子部品４の厚み寸法は、例えば０．１ｍｍから１ｍｍのものを使用することが望ましい。

次に、基体５を構成する繊維層８について、より詳細に説明する。

図２に示すように、繊維層８は、第１繊維層８ａと第２繊維層８ｂとを有する。

第１繊維層８ａは、複数の単繊維９として第１方向に平行に伸長した複数の第１単繊維９ａを有するとともに、樹脂１０として第１単繊維９ａを被覆する第１樹脂１０ａを有する。

複数の第１単繊維９ａは、第１方向に平行に伸長した構成を有する。第１繊維層８ａの厚みは、３０μｍ以上２００μｍ以下に設定されていることが望ましい。また、第１単繊維９ａの長手方向に直交する断面積は、２０μｍ^２以上２００μｍ^２以下に設定されていることが望ましい。また、第１単繊維９ａの長手方向への線膨張係数は、−１０ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下に設定されていることが望ましい。第１単繊維９ａは、このような特性を有する材料として、低熱膨張樹脂を含むことが望ましい。また、第１樹脂１０ａのフィラーの含有率は、１０体積％以上６５体積％以下に設定されていることが望ましい。なお、フィラーの含有率の測定は、例えば、測定する基板を切断して断面を鏡面状態に研摩し、走査電子顕微鏡を用いて、かかる断面を観察することにより、行うことができる。

第２繊維層８ｂは、単繊維９として第２方向及び第３方向に織り込まれた第２単繊維９ｂを有するとともに、樹脂１０として第２単繊維９ｂを被覆する第２樹脂１０ｂを有する。第２方向及び第３方向は、例えば直交していることが望ましい。その結果、第２繊維層８ｂの材料特性の異方性を低減できる。また、第２方向及び第３方向は、どちらか一方が第１方向と平行であることが望ましい。第２繊維層８ｂの厚みは、１０μｍ以上１００μｍ以下に設定されていることが望ましい。また、第２単繊維９ｂの長手方向に直交する断面積は、１０μｍ^２以上７０μｍ^２以下に設定されていることが望ましい。また、第２単繊維９ｂの長手方向への線膨張係数は、−１０ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下に設定されていることが望ましい。第２単繊維９ｂは、このような特性を有する材料として、低熱膨張ガラス繊維を含むことが望ましい。また、第２樹脂１０ｂのフィラーの含有率は、１０体積％以上６５体積％以下に設定されていることが望ましい。

本実施形態の配線基板２において、複数の繊維層８の最上層は、第２繊維層８ｂからなる。ここで、複数の第２単繊維９ｂは、第２方向及び第３方向に織り込まれた構成を有しており、第２方向に平行に伸長した第２単繊維９ｂ１が、第３方向に平行に伸長した複数の第２単繊維９ｂ２の上下を交互に交差している。このため、第２単繊維９ｂ１と第２樹脂１０ｂとの間で生じた剥離が第２方向に沿って進行しようとしても、第２単繊維９ｂ１と第２単繊維９ｂ２との交差領域で良好にかかる剥離の伸長は抑制される。それ故、第２繊維層８ｂの周囲に発生する剥離部分の長さが、第１繊維層８ａと比較して、短くなる。その結果、かかる剥離部分を起点と指摘５の厚み方向へ成長しようとするクラックの発生確率が低減される。したがって、繊維層８の最上層に第２繊維層８ｂを配置すると、繊維層８の最上層に第１繊維層８ａを配置する場合に比べ、導電層７に近い繊維層８の最上層を起点として、基体５の厚み方向へ成長するクラックが発生する可能性を低減し、かかるクラックが導電層７に到達することを抑制できる。

また、第２繊維層８ｂは、少なくとも２方向に平行に伸長した複数の第２単繊維９ｂを有しているため、基体５内の第１繊維層８ａにて、基体５の厚み方向へ伸長するクラックが生じた場合、かかるクラックが、第２単繊維９ｂに接触しやすくなり、クラックの進行が抑制されやすくなる。その結果、かかるクラックが基体５上に形成された導電層７に達する可能性を低減できる。

複数の繊維層８は、最上層より下層に第１繊維層８ａを有する。ここで、複数の第１単繊維９ａは、第１方向に平行に伸長した構成を有しており、複数の第１単繊維９ａの長手方向は、第１方向に平行である。その結果、第１単繊維９ａは、第２単繊維９ｂ１が複数の第２単繊維９ｂ２の上下を交互に交差している第２単繊維９ｂと比較して、凹凸の生じやすい交差領域が少ないため、第１繊維層８ａは、上面及び下面の平坦性が高い。したがって、複数の繊維層８の最上層より下層に第１繊維層８ａを用いることにより、基体５の上面及び下面の平坦性を高めることができる。

また、第１単繊維９ａは、第２単繊維９ｂ１が複数の第２単繊維９ｂ２の上下を交互に交差している第２単繊維９ｂと比較して、長手方向における撓みが低減されているため、第１繊維層８ａは、配線基板２に熱が印加された際、かかる撓みの解消に起因する熱膨張が、低減されている。したがって、第１繊維層８ａを用いることにより、配線基板２に熱が印加された際、基体５の平面方向への熱膨張を低減することができる。

また、第１単繊維９ａは、第２方向及び第３方向に織り込まれた第２単繊維９ｂと比較して、繊維間の間隙が少なく、かかる間隙に充填される第１樹脂１０ａの量を低減されているため、第１繊維層８ａは、平面方向への線膨張係数が低減されている。したがって、第１繊維層８ａを用いることにより、基体５の平面方向への線膨張係数を低減できる。

複数の繊維層８は、第１繊維層８ａを複数有することが望ましい。この場合、複数の第１繊維層８ａは、第１方向が互いに直交する２つの隣接する第１繊維層８ａ同士を１組として、複数組からなることが望ましい。また、基体５の厚み方向（Ｚ方向）に垂直な面（ＸＹ平面）であって基体５の中心に位置する面に対して、対称な位置に配置された第１繊維層８ａ同士は、第１方向が互いに平行であることが望ましい。その結果、第１単繊維９ａの長手方向と長手方向に直交する方向との線膨張係数が異なることに起因する、基体５内の熱膨張の偏りを低減し、基体５の反りを低減できる。

複数の繊維層８の最下層は、第２繊維層８ｂからなることが望ましい。その結果、繊維層８の最上層が第２繊維層８ｂからなる場合と同様に、最下層の第２繊維層８ｂにて、厚み方向に成長するクラックが発生する可能性が低減しており、また、クラックの進行が抑制されやすいため、かかるクラックが基体５の下面に形成された導電層７に達する可能性を低減できる。また、繊維層８の最上層及び最下層を第２繊維層８ｂとすることにより、繊維層８の最上層及び最下層に配置される層同士の線膨張係数の差を低減できる。その結果、配線基板２に熱が印加された際に、基体５の上面及び下面における熱膨張の差を低減できるため、基体５の反りを低減できる。

第２繊維層８ｂの厚みは、第１繊維層８ａの厚みより小さいことが望ましい。ここで、上述のように、配線基板２に熱が印加された際に、第１単繊維９ａは第１方向に平行に伸長していることにより熱膨張が低減されるため、熱膨張が小さくなりやすい第１繊維層８ａの厚みを大きくし、熱膨張が大きくなりやすい第２繊維層８ｂの厚みを小さくすることにより、基体５の熱膨張を低減し、配線基板２と電子部品４との熱膨張の差を低減できる。なお、厚みは、基体５の厚み方向への長さをいう。また、第１繊維層８ａと第２繊維層８ｂとの厚みの差は、２０μｍ以上２００μｍ以下に設定されていることが望ましい。

第２単繊維９ｂの長手方向に直交する断面積は、第１単繊維９ａの長手方向に直交する断面積より小さいことが望ましい。その結果、第２方向及び第３方向に織り込まれた第２単繊維９ｂ間の間隙を小さくできるため、基体５内の第１繊維層８ａにて、基体５の厚み方向へ成長するクラックが生じた場合、かかるクラックの進行を第２単繊維９ｂにより抑制することができる。また、第２単繊維９ｂの長手方向に直交する断面積を小さくすることにより、かかる交差領域に生じる凹凸の差を低減し、基体５の上面及び下面の平坦性を高めることができる。なお、第１単繊維９ａと第２単繊維９ｂとの長手方向に直交する断面積の差は、１０μｍ^２以上１９０μｍ^２以下に設定されていることが望ましい。

第２樹脂１０ｂのフィラーの含有率は、第１樹脂１０ａのフィラーの含有率より大きいことが望ましい。その結果、第２繊維層８ｂの線膨張係数を低減できるため、基体５の線膨張係数を低減するとともに、配線基板２に熱が印加された際に、第１繊維層８ａと第２繊維層８ｂとの熱膨張の差を低減し、第１繊維層８ａと第２繊維層８ｂとの剥離を低減できる。また、第２樹脂１０ｂのフィラーの含有率を高めることにより、繊維層８の最上層及び最下層に配置された第２繊維層１０ｂの剛性を高めることができる。その結果、配線基板２の反りを低減できる。なお、第１樹脂１０ａと第２樹脂１０ｂとのフィラーの含有率の差は、４０体積％以下に設定されていることが望ましい。

次に、上述した配線基板２を含む実装構造体１の製造方法を、図３から図７に基づいて説明する。

（１）図３Ａに示すように、第１繊維シート８ａｘ及び第２繊維シート８ｂｘを準備すｂる。第１繊維シート８ａｘは、複数の第１単繊維９ａが第１方向に平行に伸長した構成の基材に、未硬化の樹脂である第１樹脂前駆体１０ａｘを、含浸させることにより準備する。また、第２繊維シート８ｂｘは、複数の第２単繊維９ｂが第２方向及び第３方向に織り込まれた構成の基材に、未硬化の樹脂である第２樹脂前駆体１０ｂｘを、含浸させることにより準備する。なお、未硬化の樹脂は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ‐ステージ又はＢ‐ステージの状態の樹脂である。

（２）図３Bに示すように、第１繊維シート８ａｘ及び第２繊維シート８ｂｘを積層し、加熱加圧をすることにより、基体５を準備する。ここで、第１繊維シート８ａｘ及び第２繊維シート８ｂｘの積層は、最上層が第２繊維シート８ｂｘとなるように行われる。かかる加熱加圧の際に、第１樹脂前駆体１０ａｘ及び第２樹脂前駆体１０ｂｘが熱硬化して第１樹脂１０ａ及び第２樹脂１０ｂとなり、第１繊維シート８ａｘ及び第２繊維シート８ｂｘが第１繊維層８ａ及び第２繊維層８ｂとなる。なお、加熱加圧の際に加熱する温度は、第１樹脂１０ａ及び第２樹脂１０ｂの硬化開始温度以上第１樹脂１０ａ及び第２樹脂１０ｂの熱分解温度未満に設定されていることが望ましい。なお、基体５の厚みは、例えば０．１ｍｍ以上１．２ｍｍ以下に設定されていることが望ましい。また、硬化開始温度は、樹脂が、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＣ‐ステージの状態となる温度である。また、熱分解温度は、ＩＳＯ１１３５８：１９９７に準ずる熱重量測定において、樹脂の質量が５％減少する温度である。

（３）図３Ｃに示すように、基体５に、厚み方向に貫通したスルーホールＳを形成する。スルーホールＳは、例えば直上から基体５にレーザーを照射することにより、形成することができる。また、スルーホールＳは、数個形成されることが望ましい。また、スルーホールＳの幅は、例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定されていることが望ましい。

ここで、第２単繊維９ｂが、低熱膨張樹脂と比較して耐熱性の高い低熱膨張ガラス繊維を含む場合、第２単繊維９ｂの断面積又は厚みが小さいと、レーザーを照射する際に第２繊維シート８ｂｘを容易に貫通することができる。その結果、レーザーの照射時間を短縮し、配線基板２の生産性を向上させることができる。

（４）図４Ａに示すように、基体５の表面に導電材料を被着させて、導電材料層７ｗを形成する。導電材料層７ｗは、スルーホールＳの内壁面にて、円筒状のスルーホール導体１１を構成する。かかる導電材料層７ｗは、例えば無電解めっき、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により形成される。

（５）図４Bに示すように、円筒状のスルーホール導体１１の内部に、樹脂材料等を充填し、絶縁体１２を形成する。

（６）導電材料を絶縁体１２の露出部に被着させて、導電材料層７ｗを絶縁体１２の露出部に形成する。かかる導電材料は、例えば無電解めっき法、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により被着される。

（７）図４Ｃに示すように、導電材料層７ｗをパターニングし、第２導電層７ｂを形成する。導電材料層７ｗのパターニングは、従来周知のフォトリソグラフィー技術、エッチング等を用いて行われる。

（８）図５Ａ及び図５Bに示すように、導電層７上に、接着層６ａを介して樹脂層６ｂを貼り合わせる。貼り合わせは、加熱加圧により行われる。加熱加圧は、例えば加熱プレス機を用いて、行われる。以上のようにして、接着層６ａと樹脂層６ｂとから成る絶縁層６を形成することができる。

（９）図６Ａに示すように、絶縁層６にビア孔Ｖを形成し、ビア孔Ｖ内に導電層７の少なくとも一部を露出させる。ビア孔Ｖの形成は、例えばＹＡＧレーザー装置又は炭酸ガスレーザー装置を用いる。ビア孔Ｖは、樹脂層６ｂの上面に対して、垂直方向からレーザー光が照射されることによって形成される。なお、ビア孔Ｖは、レーザー光の出力を調整することによって、樹脂層６ｂの上面から基体５の上面に向かって開口幅が狭くなるように形成することができる。

（１０）図６Bに示すように、ビア孔Ｖにビア導体１３を形成し、絶縁層６の上面に導電層７を形成する。ビア導体１３及び導電層７は、従来周知のセミアディティブ法、サブトラクティブ法又はフルアディティブ法等により形成され、なかでもセミアディティブ法により形成されることが望ましい。以上のようにして、配線基板２を作製することができる。

なお、（８）から（１０）の工程を繰り返すことにより、多層配線の配線基板２も作製できる。

（１１）図７に示すように、配線基板２に電子部品４をバンプ３を介してフリップチップ実装することにより、実装構造体１を作製できる。

本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。

例えば、上述した本発明の実施形態においては、基体５の上面及び下面に形成される絶縁層６が１層である構成を例に説明したが、絶縁層６は複数層であっても構わない。また、上述した本発明の実施形態は、電子部品４を配線基板２の上面にフリップチップ実装した構成に関して説明したが、電子部品４を配線基板２の上面にワイヤボンディング実装しても構わない。

また、上述した本発明の実施形態においては、繊維層８が最上層及び最下層に第２繊維層８ｂを有する構成に関して説明したが、繊維層８は他の層にも第２繊維層８ｂを有していても構わない。この場合、第２繊維層８ｂは、第１方向が互いに直交する２つの隣接する１組の第１繊維層８ａの直上及び直下に位置することが望ましい。

また、上述した本発明の実施形態においては、（３）の工程にて、基体５にレーザーを照射することによりスルーホールＳを形成する製造方法を例に説明したが、基体５にドリル加工を行うことによりスルーホールＳを形成しても構わない。

また、上述した本発明の実施形態においては、（４）の工程にて、基体５の表面に導電材料を被着させて、導電材料層７ｗを形成する製造方法を例に説明したが、（２）の工程にて、第１繊維シート８ａｘ及び第２繊維シート８ｂｘを積層する際に、最上層及び最下層に銅箔を積層し、（４）の工程にて、銅箔の表面及びスルーホールＳの内壁面に導電材料を被着させることにより、導電材料層７ｗを形成しても構わない。

また、上述した本発明の実施形態においては、（７）の工程にて、基体５の上面及び下面における導電層７のパターニングを、フォトリソグラフィー技術、エッチング等を用いたサブトラクティブ法により行う製造方法を例に説明したが、セミアディティブ法又はフルアディティブ法等により導電層７のパターニングを行っても構わない。

本発明の一実施形態にかかる実装構造体の断面図である。 図１に示す実装構造体のＸ１部分の拡大図である。 図３Ａ、図３Ｂ及び図３Ｃは、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である 図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃは、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。 図５Ａ及び図５Ｂは、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である 図６Ａ及び図６Ｂは、図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。 図１に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。

符号の説明

１ 実装構造体
２ 配線基板
３ バンプ
４ 電子部品
５ 基体
６ 絶縁層
６ａ 接着層
６ｂ 樹脂層
７ 導電層
７ｗ 導電材料層
８ 繊維層
８ａ 第１繊維層
８ａｘ 第１繊維シート
８ｂ 第２繊維層
８ｂｘ 第２繊維シート
９ 単繊維
９ａ 第１単繊維
９ｂ 第２単繊維
１０ 樹脂
１０ａ 第１樹脂
１０ｂ 第２樹脂
１１ スルーホール導体
１２ 絶縁体
１３ ビア導体
Ｓ スルーホール
Ｖ ビア孔

Claims (6)

1. 複数の単繊維と該単繊維を被覆する樹脂とを有する繊維層を複数積層してなる基体と、
   前記基体上に形成された導電層と、
   を備え、
   前記複数の繊維層は、前記複数の単繊維が第１方向に平行に伸長した第１繊維層と、前記複数の単繊維が第２方向及び第３方向に織り込まれた第２繊維層と、を有し、
   前記複数の繊維層の最上層は、前記第２繊維層からなることを特徴とする配線基板。
2. 請求項１に記載の配線基板において、
   前記複数の繊維層の最下層は、前記第２繊維層からなることを特徴とする配線基板。
3. 請求項１に記載の配線基板において、
   前記第２繊維層の厚みは、前記第１繊維層の厚みより小さいことを特徴とする配線基板。
4. 請求項１に記載の配線基板において、
   前記第２繊維層に含まれる単繊維の長手方向に直交する断面積は、前記第１繊維層に含まれる単繊維の長手方向に直交する断面積より小さいことを特徴とする配線基板。
5. 請求項１に記載の配線基板において、
   前記第１繊維層に含まれる単繊維は、有機繊維からなり、
   前記第２繊維層に含まれる単繊維は、ガラス繊維からなることを特徴とする配線基板。
6. 請求項１に記載の配線基板と、
   前記配線基板の上面に搭載され、前記導電層と電気的に接続される電子部品と、
   を備えたことを特徴とする実装構造体。

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