JP2010108898A - 絶縁性低下部位特定方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】外装体170における絶縁性低下の原因が存在すると予想される部位近傍において、第1強酸を用いて基材層171を溶かして除去する基材層除去工程と、基材層除去工程の後、第2強酸を用いて金属箔層172を溶かして除去する金属箔層除去工程と、を含む絶縁性低下部位特定方法。
【選択図】図6
Description
112 陰極端子
113 陽極板
151、251 リチウムイオン電池
152、252 リチウムイオン電池本体
154、254 金属端子
170、270 外装体
170a、270a ヒートシール部(外装体周縁部)
171、271 基材層
172、272 金属箔層
175、275 熱接着性樹脂層
181 絶縁帯
182 第1領域
183 第2領域
183a 第2A領域
183b 第2B領域
Claims (8)
- 基材層と、金属箔層と、熱接着性樹脂層とを、少なくとも順次積層して構成される外装体内部に、
正極活物質及び正極集電体から成る正極と、負極活物質及び負極集電体から成る負極と、前記正極及び前記負極間に充填される電解質とを含む電気化学セル本体を、
前記正極および前記負極の各々に連結される金属端子の先端が外部に突出するように密封収納して構成される電気化学セルの絶縁性低下部位特定方法であって、
前記外装体における絶縁性低下の原因が存在すると予想される部位近傍において、
第1強酸を用いて前記基材層を溶かして除去する基材層除去工程と、
前記基材層除去工程の後、第2強酸を用いて前記金属箔層を溶かして除去する金属箔層除去工程と、を含むことを特徴とする絶縁性低下部位特定方法。 - 前記基材層除去工程の前に、前記外装体を構成する前記金属箔層と前記金属端子間の電気抵抗値を測定する第1工程を有すること特徴とする請求項1に記載の絶縁性低下部位特定方法。
- 前記第1工程において短絡発生が確認された後であって、前記基材層除去工程の前に、
前記金属箔層を2つの領域に絶縁する絶縁帯を形成する第2工程を有し、
前記第2工程の後に、絶縁された前記金属箔層の2つの領域と前記金属端子間で電気抵抗値をそれぞれ測定する第3工程を有し、
前記絶縁帯は前記第1強酸を用いて前記外装体を構成する基材層を溶かして除去した後、前記第2強酸を用いて前記外装体を構成する金属箔層を溶かして除去することにより形成されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の絶縁性低下部位特定方法。 - 前記金属箔層除去工程の後に、前記金属箔層を除去していない部位において、前記外装体を構成する前記金属箔層と前記金属端子間の電気抵抗値を測定する第4工程を有することを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1に記載の絶縁性低下部位特定方法。
- 前記金属箔層除去工程の後に、前記金属箔層を除去した部位において、
めっき法を用いて金属析出物を形成する第5工程を有することを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1に記載の絶縁性低下部位特定方法。 - 前記基材層が前記外装体の外層側に配される第1基材層と前記外装体の内層側に配される第2基材層を有し、
前記第1基材層がポレエチレンテレフタレートフィルム又はポレエチレンナフタレートフィルムであり、前記第2基材層が2軸延伸ナイロンフィルムである場合、
前記第1基材層を貫通する切れ込みを前記基材層に形成する切れ込み形成工程を前記基材層除去工程の前に有することを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1に記載の絶縁性低下部位特定方法。 - 前記第1強酸がフッ化水素酸であることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか1に記載の絶縁性低下部位特定方法。
- 前記第2強酸が塩酸溶液であることを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか1に記載の絶縁性低下部位特定方法。
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