JP2010107443A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 被試験デバイスを搭載するためのステージと、
   前記ステージ上に気体からなる媒介物を供給する媒介物供給手段と、
   前記ステージの温度を前記媒介物の凍結温度以下に制御する温度制御手段と、を備えることを特徴とするデバイス試験装置。
2. 前記温度制御手段は、前記媒介物供給手段によって前記媒介物が前記ステージに供給される際に、前記ステージの温度を前記気体の結露温度以下に制御した後に前記媒介物を凍結温度以下に制御することを特徴とする請求項１記載のデバイス試験装置。
3. 前記媒介物は、水蒸気であることを特徴とする請求項１または２記載のデバイス試験装置。
4. 前記温度制御手段は、前記被試験デバイスの温度を目標温度よりも低い温度に低下させた後に前記目標温度に到達させる制御をすることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のデバイス試験装置。
5. 前記媒介物供給手段は、前記ステージ上面の外周部に前記媒介物を供給する複数の供給部を備えていることを特徴とする請求項１記載のデバイス試験装置。
6. 前記デバイス試験装置にドライガスを供給する手段を備えることを特徴とする請求項１記載のデバイス試験装置。
7. 被試験デバイスを搭載するためのステージ上に気体からなる媒介物を供給する媒介物供給ステップと、
   前記ステージ上に前記被試験デバイスを配置する配置ステップと、
   前記配置ステップ後に前記ステージの温度を前記媒介物の凍結温度以下に制御する温度制御ステップと、を含むことを特徴とするデバイス試験方法。
8. 前記温度制御ステップは、前記媒介物供給ステップによって前記媒介物が前記ステージに供給される際に、前記ステージの温度を前記気体の結露温度以下に制御した後、前記媒介物を凍結温度以下に制御するステップであることを特徴とする請求項７記載のデバイス試験方法。
9. 前記媒介物は、水蒸気であることを特徴とする請求項７または８記載のデバイス試験方法。
10. 前記温度制御ステップは、前記被試験デバイスの温度を目標温度よりも低い温度に低下させた後に前記目標温度に到達させる制御をするステップであることを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載のデバイス試験方法。
11. 前記媒介物供給ステップにおいて、前記ステージ上面の外周部に複数箇所から前記媒介物を供給することを特徴とする請求項７記載のデバイス試験方法。
12. 前記ステージ上面にドライガスを供給するドライガス供給ステップを含むことを特徴とする請求項７記載のデバイス試験方法。