JP2010087500A - 転写構造体の製造方法及びそれに用いる母型 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面に転写パターンが形成された母型の表面に下記(I)で表されるシランカップリング剤の膜を形成し、被転写材料を付与して母型の表面のパターンを転写させ、被転写材料を母型から剥離させて被転写材料からなる転写構造体を得る。式(I)中、nは8、10、12、又は14の整数を示し、mは3又は4の整数を示し、X、Y、Zは、それぞれ独立してメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、又はハロゲン原子を表す加水分解性基である。
【選択図】図1
Description
例えば、ガラス基板上に導電性膜を形成し、導電性膜上にフォトレジストで所定のパターンを形成した後、導電性膜が露出する部分にめっき膜を形成し、さらにそのめっき膜にベースフィルムを貼り合わせてめっき膜を転写させる方法が開示されている(特許文献1参照)。
また、コンパクトディスク(CD)などの作製に、微細パターンを設けたロール状のNiスタンパーを用い、その表面を離型剤処理して、ロール状の被転写材料(原反)に微細パターンを転写し大量生産することが期待されているが、被転写側の原反の長さ(例えば、数kM)に応じた、耐久性と寿命を維持可能な離型剤がないのが実情である。
<1> 表面に転写パターンが形成された母型の表面に、下記一般式(I)で表されるビフェニルアルキル鎖を有するシランカップリング剤の膜を形成する工程と、前記シランカップリング剤の膜が形成された母型の表面に被転写材料を付与して前記母型の表面のパターンを転写させる工程と、前記被転写材料を前記母型から剥離させて前記被転写材料からなる転写構造体を得る工程と、を含むことを特徴とする転写構造体の製造方法。
(式(I)中、nは8、10、12、又は14の整数を示し、mは3又は4の整数を示し、X、Y、Zは、それぞれ独立して、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、又はハロゲン原子を表す加水分解性基である。)
<2> 前記一般式(I)において、nが10、12又は14であることを特徴とする<1>に記載の転写構造体の製造方法。
<3> 前記一般式(I)において、X、Y、Zが全て同じであることを特徴とする<1>又は<2>に記載の転写構造体の製造方法。
<4> 前記一般式(I)において、mが3で、X、Y、Zが全てメトキシ基であることを特徴とする<1>〜<3>のいずれかに記載の転写構造体の製造方法。
<5> 前記シランカップリング剤の膜を形成する工程の前工程として、前記表面に転写パターンが形成された母型を用意する工程をさらに含むことを特徴とする<1>〜<4>のいずれかに記載の転写構造体の製造方法。
<6> 前記シランカップリング剤の膜を形成する工程において、転写パターンが形成された前記母型の表面に前記シランカップリング剤を含む液を塗布した後に、加熱処理を行い、該加熱処理の前又は後に、前記シランカップリング剤を含む液が塗布された前記母型の表面をリンスすることを特徴とする<1>〜<5>のいずれかに記載の転写構造体の製造方法。
<7> 前記母型の表面に形成された転写パターンが、高さが1μm未満であり、アスペクト比が2以上の微細な突起群を含むパターンであることを特徴とする<1>〜<6>のいずれかに記載の転写構造体の製造方法。
<8> 前記母型が、ガラス状炭素の基材からなり、該基材の表面に、先端に向けて縮径する形状を有する微細な突起群からなる転写パターンが形成されていることを特徴とする<1>〜<7>のいずれかに記載の転写構造体の製造方法。
<9> <1>〜<8>のいずれかに記載の方法によって製造される転写構造体。
<10> 表面に転写パターンが形成された母型であって、該転写パターンが形成されている表面に下記一般式(I)で表されるビフェニルアルキル鎖を有するシランカップリング剤の膜が形成されている母型。
(式中、nは8、10、12、又は14の整数を示し、mは3又は4の整数を示し、X、Y、Zは、それぞれ独立して、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ハロゲン原子を表す加水分解性基である。)
<11> 前記一般式(I)において、mが3で、X、Y、Zが全てメトキシ基であることを特徴とする<10>に記載の母型。
<12> 前記母型の表面に形成された転写パターンが、高さが1μm未満であり、アスペクト比が2以上の微細な突起群を含むパターンであることを特徴とする<10>又は<11>に記載の母型。
本発明者らは、先にガラス状炭素(グラッシーカーボン)を基材とし、これをECR(電子サイクロトン共鳴)によるイオンビーム加工を施せば、針状、円錐状、角錐状等、根元から先端に向けて縮径する形状を有する微細な突起群からなり反射率が1%以下の微細パターンが形成された構造体を開発し、先に特許出願を行った(特開2008−233850号公報及びWO2008/018570 A1号公報参照)。そして、上記微細パターンが形成された構造体を母型として用い、樹脂や金属等の他の汎用の被転写材料に微細パターンを転写させて、良好な反射防止効果を付与することを狙いとして、微細構造の転写技術について研究を重ねた。
(式(1)中、RはF(CF2)nのペルフルオロアルキル鎖を表し、nは1〜14の整数である。)
微細パターンの転写では、微細な突起間の空間が離型剤で埋まってしまうとその後の転写が不可能となるため、可能な限り薄く、しかも、転写パターン上に可能な限り同じ厚さの離型剤層を形成することが不可欠と考えられる。本発明で用いられるシランカップリング剤は、母型を構成する基材(母型の微細パターン表面)との間に厚さ0.25nm程度の単分子層を形成しやすいものと推察されるため、上記の条件を満足し、しかも表面自由エネルギーが小さいので、高い離型性を有し、熱的にも安定で種々の物理的刺激に対する破壊が少ないことが、微細パターン転写に有効であると考えられる。
本発明による転写構造体の製造方法は、
表面に微細な転写パターンが形成された母型の表面に、下記一般式(I)で表されるペルフルオロビフェニルアルキル鎖を有するシランカップリング剤の膜を形成する工程と、
前記シランカップリング剤の膜が形成された母型の表面に被転写材料を付与して前記母型の表面のパターンを転写させる工程と、
前記被転写材料を前記母型から剥離させて前記被転写材料からなる転写構造体を得る工程と、
を含む。
シロキサン結合が完了すると、分子間距離が小さくなって基材表面をフッ素系シランカップリング剤が密に覆うことになって離型性を向上させる効果を発揮するものと考えられる。
リンス液としては、有機溶媒、水などを用いることができ、例えば、HFE−7100(住友スリーエム社製)等のフッ素系溶媒を用いることができる。フッ素溶媒でリンスした後、さらに水でリンスし、メトキシ基をOH基に変えることでカップリング効果を向上させることもできる。
表面に転写パターンが形成されている母型10を用意する。母型10の本体となる基材12の材質、形状、サイズ、転写(凹凸)パターンは、特に限定されず、転写すべき材料や用途等に応じて選択すればよい。
基材12の材質(モールド材料)としては、パターン14の形成性、母型10としての機械的強度、耐熱性、金属膜の成膜性などの観点から、例えば、ガラス状炭素(グラッシーカーボン)、シリコン、SOG、石英、セラミックス、又は、ニッケル、特にめっきで作製されるニッケル板、あるいはタンタルのような金属等を挙げることができる。
また、基材の形状は、通常シート状の平板状であるが、ロール形状のものでも使用することができ、さらに、微細パターンを設けた薄膜平板状のものをロールに巻きつけて、ロール・トウ・ロール転写方式に用いることもできる。
例えば、シリコン基板等の基材12の表面(片面)に、リソグラフィ(フォトリソグラフィ、電子ビームリソグラフィなど)とエッチングにより所望の配線パターンを形成することができる。また、シリコン基板等の平坦な基板上に、SOG(Spin on Glass)を焼成した後、所定の凹凸パターンに成形することもできる。
反応ガスとしては酸素を含むガスを用い、酸素のみでもよいし、酸素にCF4等のCF系のガスを混ぜたガスも用いることができる。
そして、ガラス状炭素基材において、上記のような先端に向けて縮径する形状を有する微細突起群が形成された表面は、柱状体の突起が形成されている場合に比べて入射光が反射し難く、より高い反射防止効果を奏するものと考えられる。
そして、無反射構造となるには、理論上、突起のピッチ(P)<137nm、高さ(h)>200nmが条件となる。これより、2θ<37.8°の場合に無反射構造となる。従って、突起14の先端部分の角度が上記の関係を満たすときに無反射又はそれに近い反射率を達成できると考えられる。ただし、突起先端部の角度が小さすぎる場合は、転写時に突起が折れ易く、また、径が均一な柱状に近づいて反射率が上昇してしまうものと考えられる。従って、突起14が針状又は円錐状の場合、先端部の角度は好ましくは3°以上、より好ましくは10°以上、特に好ましくは15°以上である。
以上、基材12の材質(モールド材料)として、ガラス状炭素(グラッシーカーボン)を用いた場合を中心に説明したが、ガラス状炭素に限定されるわけではなく、前述のように、シリコン、SOG、石英、セラミックス、又は、ニッケル特にめっきで作製されるニッケルあるいはタンタルのような金属等も用いることができる。
本発明では、離型剤として、下記一般式(I)で表されるペルフルオロビフェニルアルキル鎖を有するシランカップリング剤(以下、適宜、「シランカップリング剤」、あるいは、「離型剤」という。)を用い、前記母型10の転写パターン14が形成されている面に該シランカップリング剤の膜16を形成する(図1(A))。
(式(I)中、nは8、10、12、又は14の整数を示し、mは3又は4の整数を示し、X、Y、Zは、それぞれ独立して、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、又はハロゲン原子を表す加水分解性基である。)
F(CF2)nI (3)
(式中、nは8〜14の正数である。)
下記一般式(4)で表される4−ペルフルオロアルキル−4’−ブロモビフェニルを合成する。
CH2=CH(CH2)p−Br (5)
(式中、pは1〜4の正数である。)
下記一般式(6)で表される4−ペルフルオロアルキル−4’−ビニルアルキルビフェニルを合成する。
なお、離型剤層は、パターン上全体に形成してもよいし、微細パターンの大きさ、密度、転写されたパターンの用途、非転写部材の材質などによっては、パターンの一部、例えば凸部のみに形成してもよい。
本発明で用いるシランカップリング剤は、ペルフルオロアルキル基及びビフェニルアルキル基を有するため、上記離型剤膜はモノレーヤー(分子一層)となり、しかも加熱処理によって、2次元ないし3次元の網状のシロキサン結合を形成するシロキサンネットワークが構築されるので、微細パターンの転写に効果的であると推察される。
シランカップリング剤の膜16が形成された母型10の表面に被転写材料18を付与して前記母型10の表面のパターン14を転写させる(図1(B))。
母型10の転写パターンを転写させる材料(被転写材料)18は特に限定されず、転写後の用途等に応じて選択すればよい。なお、母型10をガラス状炭素で構成した場合、耐熱性が極めて高く、グラファイトのような炭素素材よりも遥かに機械的強度が高いため、被転写材料18としては、例えば、紫外線硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の樹脂材料のほか、石英ガラスや金属のような融点が高い材料も用いることができる。
例えば、樹脂溶液を転写パターン14に塗布した後、支持部材20を貼り合わせ、必要に応じて支持部材20を母型10に対して加圧した状態で被転写材料18を硬化させる。このようにして被転写材料18を支持部材20と一体化させれば、支持部材20を保持することで、母型10からの剥離を一層容易に行うことができる。
被転写材料18に母型10の表面の転写パターン14を転写させた後、被転写材料18を母型10から剥離させる(図1(D))。
例えば、被転写材料18を支持部材20と一体化させた場合は、支持部材20を保持して母型10から引き離せばよい。これにより、母型10の転写パターン14が被転写材料18に精度良く反映された転写構造体30が得られる。
本発明では、前記一般式(I)で表されるシランカップリング剤を離型剤として用いているため、母型10の凹凸パターン14が転写され硬化した被転写材料18(被転写部材)を母型10から容易に剥離することができるとともに、母型10の転写パターン14の破壊を効果的に抑制することができる。
表面が研磨されたグラッシーカーボン(東海カーボン株式会社製)の基板(厚さ:1mm、縦横:10mm×10mm)を、図2に示したような構成のECR(電子サイクロトン共鳴)型のイオンビーム加工装置(株式会社エリオニクス製、商品名:EIS−200ER)を用いて表面にイオンビーム加工を施した。
このイオンビーム加工装置50は、基板52を保持するためのホルダ66、ガス導入管54、プラズマ生成室56、エクストラクター58、電磁石60、イオンビーム引き出し電極62、ファラデーカップ64等を備えている。なお、例えば500V以下の低加速電圧では電流密度が小さくなるので、エクストラクター58は、電流密度を上げるために引き出し電極62よりプラズマ側でイオンを引き出すためのグリッドである。エクストラクター58を用いれば、加速電圧が低くても、電流密度が大きくなり加工速度を高めることができる。
ビーム照射角度:加工面に対して垂直(基板の転写パターン面に対して90°)
反応ガス:酸素
ガス流量:3.0SCCM
マイクロ波:100W
加速電圧:500V
加工時間:45分
真空度: 1.3×10−2Pa
以下の工程により、一般式(I)において、X、Y、Zが全てメトキシ基であり、(1)RがF(CF2)8のもの(8F2P3S3M)、(2)F(CF2)10のもの(10F2P3S3M)、(3)F(CF2)12のもの(12F2P3S3M)をそれぞれ合成した。
得られた留出物について1H−NMR、FT−IR、Massの各スペクトルにより分析を行った。得られた留出物は、1H−NMR、FT−IR、Mass(m/z 651)の各スペクトルにより、8F2PBであると同定した。
収量 22.9g(35.2mmol)
収率 44%
沸点 134−135℃/30Pa
性状は、白色固体であった。
黄褐色に変化した溶液に触媒CuI0.42g(22.2mmol)を加えた後、アリルブロミド3.82ml(45.18mmol)を滴下し、2時間攪拌後、飽和NH4Cl水溶液を沈殿が生じなくなるまで加え反応を停止した。酢酸エチルで抽出後、硫酸マグネシウムで脱水し、酢酸エチルを減圧除去した。残留物を減圧蒸留により精製して留出物を得た。
得られた留出物について1H−NMR、FT−IR、Massの各スペクトルにより分析を行った。得られた留出物は、1H−NMR、FT−IR、Mass(m/z 612)の各スペクトルにより、8F2PAであると同定した。
収量 1.86g(3.04mmol)
収率 41%
沸点 164−167℃/80Pa
性状は、白色固体であった。
得られた留出物について1H−NMR、FT−IR、Massの各スペクトルにより分析を行った。得られた留出物は、1H−NMR、FT−IR、Massの各スペクトルにより、8F2P3S3Mであると同定した。
収量 1.50g(2.04mmol)
収率 67%
沸点 160−165℃/30Pa
性状は、白色固体であった。
収量 28.2g(37.5mmol)
収率 59%
沸点 139−143℃/32Pa
性状は、白色固体であった。
得られた留出物についてMassスペクトルの分析結果、m/z(分子量)712により、10F2PAであると同定した。
収量 2.16g(3.04mmol)
収率 41%
沸点 169−173℃/77Pa
性状は、白色固体であった。
得られた留出物についてNMR、FT−IR、Massの各スペクトルに分析を行った。FT−IR、Massの各スペクトルを図4、図5、図6に示す。
各スペクトルの分析結果、得られた留出物は、10F2P3S3Mであると同定された。HRMS=834.1083(計算値:834.5323)。
収量 1.65g(1.98mmol)
収率 65%
沸点 164−167℃/28Pa
性状は、白色固体であった。
得られた留出物について、Massスペクトルを分析した結果、m/z(分子量)934により、12F2P3S3Mであると同定した。
収量 1.96g(2.09mmol)
収率 65%
沸点 172−174℃/26Pa
性状は、白色固体であった。
スライドガラス(マツナミ製S−7214)を1N水酸化カリウム水溶液(pH>9)に2時間浸した後に取り出し、蒸留水で十分に洗浄した。その後、スライドガラスをデシケーター中で乾燥し、次の表面改質に使用した。
各種のペルフルオロアルキル鎖を有するシランカップリング剤をiso−C4F9OCH3(3M製HFE−7100)溶媒に濃度15mmol/lとなるように調製してガラスの表面改質に用いた。
改質ガラスに対する水の接触角を測定した。接触角の測定は、協和界面科学社製CA−X型接触角測定装置を使用し、0.9μlの水滴を水平なガラス板上に滴下して接触角を測定する液滴法を用いた。
シランカップリング剤として8F2P3S3Mを用いた場合について、その特性試験結果を示す。
前記ガラスの表面改質の方法で、試料の改質ガラスを作製した。
次に、この改質ガラスを、所定温度(200、250、300、350、370、400℃)のオーブン中で2時間、加熱処理した。加熱処理後はデシケーター中で室温まで冷却し、改質ガラスに対する水の接触角を測定した。接触角の測定は、前記した方法で行った。結果を表1に示す。
前記と同様にして、8F2P3S3M溶液を用いて作製した改質ガラスに対し、350℃の熱曝露時間に対する改質ガラス表面の接触角(水)変化を調べ、耐熱耐久性を調べた。その結果を表2に示す。
比較のために、シランカップリング剤として、8F2P3S3M、8F2P2S3M、及び8F2S3Mを用いて調製した各改質溶液を用いて作製した改質ガラスに対し、前記と同様にして、350℃の熱曝露時間に対する改質ガラス表面の接触角(水)について、各時間経過後の接触角を測定した。その結果を表3に示す。
シランカップリング剤として10F2P3S3Mを用いた場合について、その特性試験結果を示す。
前記ガラスの表面改質の方法で、試料の改質ガラスを作製した。
次に、この改質ガラスを、所定温度(250、300、350、400、450℃)のオーブン中で2時間、加熱処理した。加熱処理後はデシケーター中で室温まで冷却し、改質ガラスに対する水の接触角を測定した。接触角の測定は、前記した方法で行った。8F2P3S3Mを用いた場合と比較した結果を表4に示す。
前記と同様にして、10F2P3S3M溶液を用いて作製した改質ガラスに対し、400℃の熱曝露時間に対する改質ガラス表面の接触角(水)の変化を調べ、耐熱耐久性を調べた。その結果を表5に示す。
前記合成した10F2P3S3Mのシランカップリング剤の0.5%溶液(溶媒:住友スリーエム社製、「HFE−7100」)を、前記ECRによって表面を加工したグラッシーカーボン基板の加工面(転写パターン面)にスピンコートした後、130℃で10分間ベークした。次いで、転写パターン面をHFE−7100でリンスした。これにより、グラッシーカーボン基板の転写パターン面に10F2P3S3Mのシランカップリング剤の薄膜を形成した。
次いで、PETフィルムを保持して、グラッシーカーボン基板からPAK−02を剥離させた。
一方、図9(A)〜(C)は、転写後のグラッシーカーボン母型の転写パターン面を観察したそれぞれ1万倍、3万倍、6万倍のSEM画像であり、針状の凹凸パターンの破壊は見られなかった。
PETフィルムをグラッシーカーボン基板の転写パターン面に貼り合わせる際、加圧(185N)したこと以外は実施例1と同様に転写を行った。
図10(A)〜(C)は樹脂の転写面を観察したそれぞれ1万倍、3万倍、6万倍のSEM画像である。グラッシーカーボン母型の転写パターンが精度良く転写されている。
また、図11(A)〜(C)は、転写後のグラッシーカーボン母型の転写パターン面を観察したそれぞれ1万倍、3万倍、6万倍のSEM画像であり、針状の凹凸パターンの破壊は見られなかった。
めっきにより作製したNi基板(Niのみからなる。以後めっきNi板とも言う)を、先ずアセトンで約15分間、次にエタノールで約15分間それぞれ超音波洗浄した後、約1時間オゾン洗浄した。
このめっきNi板の表面に前記合成した8F2P3S3Mのシランカップリング剤を含む0.1%溶液(溶媒:住友スリーエム社製、「HFE−7100」)に約24時間のディッピングによりコートし、次にHFE−7100で約1分間リンスした後、150℃で30分間加熱した。
次いで、めっきNi板のシランカップリング剤を付与した面に光硬化性アクリル樹脂(「PAK−01」、東洋合成工業株式会社製)を塗布して硬化させた後、これを剥離することで転写とみなした。
樹脂剥離(転写)後、接触角を測定した。接触角は3点測定して平均値を算出した。
接触角を測定した後、アセトンですすぎ、次の転写を行った。
転写回数と接触角の関係を図13に示す。この図に見られるように、転写回数を重ねると接触角は低下するが、80℃で熱処理したものと、熱処理を行わなかったものは、150℃で加熱処理したものに比べ、接触角の低下が小さく、微細パターンの転写を繰り返す場合に有利であるといえる。
めっきNi板を先ずアセトンで約15分間、次にエタノールで約15分間それぞれ超音波洗浄した後、約1時間オゾン洗浄した。
次にめっきNi板の表面に前記合成した10F2P3S3Mのシランカップリング剤を含む0.1%溶液(溶媒:住友スリーエム社製、「HFE−7100」)を用いて、加熱処理を行わずディッピングにより60分かけてコートした後、HFE−7100で約1分間リンスするか、上記シランカップリング剤溶液を塗布後80℃で30分間加熱した後、同様にリンスした。次いで、実施例3と同様にして転写を繰り返して接触角を測定した。
さらに、離型剤として、8F2P3S3Mを用いた場合と、比較として、デュラサーフ1101Z(ハーベス社製)を用いた場合について、上記と同様にして接触角を測定し、それぞれ転写回数と接触角との関係を図14に示す。
この図に見られるように、8F2P3S3Mを用いた場合と10F2P3S3Mを用いた場合は、デュラサーフを用いた場合に比べて接触角の低下が小さく、微細パターンの転写に有利であるといえる。特に10F2P3S3Mを用いた場合は、転写回数200回程度までは8F2P3S3Mを用いた場合よりも接触角の低下が小さく、微細パターンの転写に有利であるといえる。
一方、デュラサーフの場合には8F2P3S3Mあるいは10F2P3S3Mを用いた場合に比較して、接触角が総じて小さく、当初100度以上ある接触角が転写回数が50回程度で50度を切って、樹脂の付着が発生することが確認された。
図2に示した構成の装置を用い、以下の条件によりグラッシーカーボン基板(GC基板)の表面を微細加工した。
ビーム照射角度:加工面に対して垂直(基板の転写パターン面に対して90°)
反応ガス:酸素
ガス流量:3.0SCCM
マイクロ波:100W
加速電圧:500V
時間:20分
真空度: 1.3×10−2Pa
この微細加工面を図15に示す。錐状の微細突起群(ピッチ53nm、高さ430nm)からなる微細構造が形成されている。
次いで、8F2P3S3Mのシランカップリング剤を付与した面に光硬化性アクリル樹
脂(「PAK−01」、東洋合成工業株式会社製)を塗布し、5J/cm2の条件で紫外線照射して硬化させた後、これを剥離した。図16は剥離したPAK−01の転写面を示している。PAK−01にはGC基板の微細加工面の凹凸パターン(ピッチ110nm、高さ420nm)が転写されている。
Si基板上にSOG(Honeywell社製のAcuglass512B)、により高さが180nm、スペース幅が270nmの凹凸パターンを有するモールドを下記条件で作製した。
EB露光条件
・加速電圧:10KV ・ビーム電流:10pA ・ドーズ量:800μC/cm2
現像条件
・現像液:BHF ・現像時間:1分間
この凹凸パターンを有するモールドを8F2P3S3Mのシランカップリング剤を含む0.1%溶液(溶媒:住友スリーエム社製、「HFE−7100」)で24時間液相処理し、次にハイドロフルオロエーテル(住友スリーエム社製、 HFE−7100)で1分間リンスした後、100℃、30分間加熱した。
次に、加熱処理された前記シランカップリング剤層上に、VPC−260F(ULVAC KIKO社製)の装置を使って真空蒸着により膜厚330mmのAu膜を形成した。 この表面をSEMで観察したところ、図17に示すように、表面にクラックの無いAu膜が形成されていた。
次いで、Au膜上にPET基板を押し当てるとともに90℃で10分間加熱した後、PET基板を剥離してSEMで観察したところ、図18に示すように、PET基板の表面にはモールドの凹凸が反映されたAu膜が転写されていた。
図2に示した構成の装置を用い、以下の条件によりグラッシーカーボン基板(GC基板)の表面を微細加工した。
ビーム照射角度:加工面に対して垂直(基板の転写パターン面に対して90°)
反応ガス:酸素
ガス流量:3.0SCCM
マイクロ波:100W
加速電圧:500V
時間:30分
真空度:1.3×10−2Pa
この微細加工面を図19に示す。錐状の微細突起群(ピッチ62nm、高さ540nm)からなる微細構造パターンが形成されたものである。
さらに、このAu膜上にPET基板を押し当てるとともに90℃で30分間加熱した後、PET基板を剥離してSEMで観察したところ、図20に示すように、PET基板の表面にはモールドの凹凸が反映された高さ550nm、ピッチが122nmのAu膜が転写されていた。
その後に加熱処理されたシランカップリング剤層上に、光硬化性樹脂(PAK−01、東洋合成工業社製)を塗布した後、5J/cm2の条件で紫外線照射して樹脂を硬化させた後、剥離すると、図21に示されるように、転写・形成された形状は、最初のグラッシーカーボン基板に形成されたモールドの凹凸形状が反映され、高さ217nm、ピッチ91nmであった。
離型剤としてオプツールを用い、真空蒸着によってAu膜を形成したところ、図22に示すようにAu膜の表面にクラックが多数形成されていた。蒸着時の熱で離型剤にクラックが入ってAu膜にもクラックが生じたと推察される。
図2に示した構成の装置を用い、以下の条件によりグラッシーカーボン基板(10mm角)の表面を微細加工した。
加速電圧:500[V]
加工時間:60[min]
ガス種:O2
ガス流量:3.00[SCCM]
上記加工後のGC基板の加工面のSEM画像を図23に、反射率を図24にそれぞれ示す。加工面に形成された微細パターンの微小突起の高さは1398nm、ピッチは84nmであった。
12・・・基材
14・・・凹凸パターン(転写パターン)
16・・・シランカップリング剤(離型剤)
18・・・被転写材料
20・・・支持部材
30・・・転写構造体
50・・・ECR型イオンビーム加工装置
P・・・ピッチ
Claims (12)
- 表面に転写パターンが形成された母型の表面に、下記一般式(I)で表されるビフェニルアルキル鎖を有するシランカップリング剤の膜を形成する工程と、
前記シランカップリング剤の膜が形成された母型の表面に被転写材料を付与して前記母型の表面のパターンを転写させる工程と、
前記被転写材料を前記母型から剥離させて前記被転写材料からなる転写構造体を得る工程と、
を含むことを特徴とする転写構造体の製造方法。
(式(I)中、nは8、10、12、又は14の整数を示し、mは3又は4の整数を示し、X、Y、Zは、それぞれ独立して、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、又はハロゲン原子を表す加水分解性基である。) - 前記一般式(I)において、nが10、12又は14であることを特徴とする請求項1に記載の転写構造体の製造方法。
- 前記一般式(I)において、X、Y、Zが全て同じであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の転写構造体の製造方法。
- 前記一般式(I)において、mが3で、X、Y、Zが全てメトキシ基であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の転写構造体の製造方法。
- 前記シランカップリング剤の膜を形成する工程の前工程として、前記表面に転写パターンが形成された母型を用意する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の転写構造体の製造方法。
- 前記シランカップリング剤の膜を形成する工程において、転写パターンが形成された前記母型の表面に前記シランカップリング剤を含む液を塗布した後に、加熱処理を行い、該加熱処理の前又は後に、前記シランカップリング剤を含む液が塗布された前記母型の表面をリンスすることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の転写構造体の製造方法。
- 前記母型の表面に形成された転写パターンが、高さが1μm未満であり、アスペクト比が2以上の微細な突起群を含むパターンであることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載の転写構造体の製造方法。
- 前記母型が、ガラス状炭素の基材からなり、該基材の表面に、先端に向けて縮径する形状を有する微細な突起群からなる転写パターンが形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか一項に記載の転写構造体の製造方法。
- 請求項1〜請求項8のいずれか一項に記載の方法によって製造される転写構造体。
- 表面に転写パターンが形成された母型であって、該転写パターンが形成されている表面に下記一般式(I)で表されるビフェニルアルキル鎖を有するシランカップリング剤の膜が形成されている母型。
(式中、nは8、10、12、又は14の整数を示し、mは3又は4の整数を示し、X、Y、Zは、それぞれ独立して、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ハロゲン原子を表す加水分解性基である。) - 前記一般式(I)において、mが3でX、Y、Zが全てメトキシ基であることを特徴とする請求項10に記載の母型。
- 前記母型の表面に形成された転写パターンが、高さが1μm未満であり、アスペクト比が2以上の微細な突起群を含むパターンであることを特徴とする請求10又は11に記載の母型。
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