JP2010085880A - 光偏向器及び光偏向器の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】簡易な仕組みで、光偏向器の重心ずれを防ぎ、駆動時の他モードの出現、回転ずれなどを抑えることができる光偏向器を提供する。
【解決手段】可動板１１及び反射膜２１から構成されるミラー２と、可動板１１を支持するための支持枠１２と、可動板１１を回動可能に支持枠１２に連結する弾性支持部１３と、可動板１１に設けられた貫通孔にはめ込まれた磁石２２を備え、ミラー２の厚さ方向において、磁石２２とミラー２の中心が略同一平面上にあるように配置されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、光偏向器及び光偏向器の製造方法に関するものである。

レーザ光を用いて画像描画を行うディスプレイ、プリンタ等に応用することを目的とした光偏向器においては、画像の解像度を上げるため、光走査の更なる高速化が要求されている。しかし、現状で用いられているポリゴンミラーやガルバノミラーの性能向上には限界があり、これらに置き換わる光偏向器としてＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）によってシリコン基板を加工して製作したミラーデバイスが期待されている。このようなＭＥＭＳミラーは、ポリゴンミラーやガルバノミラーよりも高い共振周波数で駆動させることができるため、より解像度の高い画像形成が可能となる。

例えば、特許文献１には、可動板を支持基板に対して相対的に駆動させ、反射面に入射する入射光を偏向する光偏向器であって、可動板の反射面が形成されない面に少なくとも２つ以上の凹部を形成し、磁性体が凹部に形成されている光偏向器が記載されている。

また、特許文献２には、疲労限の高い超弾性合金をトーションバネに採用し、そのバネ中央に鏡面加工された小磁石を取り付け、その外部にコイルを置き、交番電流を流すことにより交番磁界を発生させ、鏡面加工された小磁石を共振振動させる光走査装置が記載されている。
特開２００４−３７９８７号公報 特開平９−１３８３６６号公報

特許文献１に記載された光偏向器は、シリコンによる慣性モーメントを減らすことにより高速駆動を可能にする効果がある。しかし、一般に永久磁石の加工限界値は０．４ｍｍ程度であり、これよりもシリコンの厚さは小さいため、重心のずれは残ったままとなる。このため、可動板の回転中心がずれ、並進モードや磁石とコイルの引きつけ等の影響を受けた駆動になると考えられる。

また、特許文献２に記載された光走査装置は、磁石と別材料のトーションバネを持つため、トーションバネとミラーの接着強度が小さくなる可能性がある。特に、特許文献２に記載された光走査装置のように、トーションバネを直接磁石もしくはミラー部材に接着する場合、接着面積が非常に狭くなるため駆動時に外れることが考えられる。

本発明は、簡易な仕組みで、光偏向器の重心ずれを防ぎ、駆動時の他モードの出現、回転ずれなどを抑えることができる光偏向器及び光偏向器の製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る光偏向器は、光反射性を有する光反射部を備えた可動部と、前記可動部を支持するための支持部と、前記可動部を回動可能に前記支持部に連結する連結部と、前記可動部に設けられた貫通孔にはめ込まれた磁石と、を備え、前記可動部の厚さ方向において、前記磁石と前記可動部の中心が略同一平面上にあるように配置されているものである。

本発明によれば、可動部の厚さ方向において、磁石と可動部の中心が略同一平面上にあることにより、光偏向器の重心ずれを防ぐことができる。これにより、光偏向器の駆動時の他モードの出現、回転ずれなどを抑えることができる。磁石を可動部に設けた貫通孔にはめ込むことにより、可動部の表面に磁石を接着する場合と比較して、磁石の重心が可動部の重心の位置と重なるため、慣性モーメントを減少させることが出来る。これにより、連結部にかかる応力を低減させることができる。

また、前記可動部には、前記光反射部を挟んで１対の前記磁石が設けられているようにしてもよい。
また、前記光反射部は、前記可動部に設けられた前記磁石の表面に形成されていてもよい。

また、前記可動部は、表面に前記光反射部が形成された第１の可動部と、前記第１の可動部を挟んで設けられた１対の第２の可動部と、を備え、前記磁石は、各々の前記第２の可動部に設けられているようにすることもできる。
これにより、光反射部の面積を広くとることができる。

本発明に係る光偏向器の製造方法は、上記の光偏向器の製造方法であって、基板の表面に所定のパターンを有するマスクを形成する第１の工程と、前記マスクを用いて前記基板をエッチングし、前記可動部、前記支持部、前記連結部、及び前記貫通孔を形成する第２の工程と、前記貫通孔に前記磁石をはめ込む第３の工程と、を有するものである。
本発明によれば、磁石を可動部に設けた貫通孔にはめ込むことにより、可動部の表面に磁石を接着する場合と比較して、磁石の重心が可動部の重心の位置と重なるため、慣性モーメントを減少させることが出来る。これにより、連結部にかかる応力を低減させることができる。

また、前記第２の工程では、ウェットエッチングを用いて基板をエッチングすることが望ましい。
基板のエッチング方法をウェットエッチングとした場合には、ドライエッチングを用いた場合と比較して、基板の結晶面を利用することにより比較的広い範囲に接着剤を塗布することができるので、磁石と可動部をより強固に接着することができる。

また、前記第２の工程では、ウェットエッチングを用いて基板をオーバーエッチングすることが望ましい。
これにより、基板の結晶面がオーバーエッチングされ、磁石と可動部の接する面積が広くなるため、磁石の倒れを防止し、安定させることができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
実施の形態１．
図１は、実施の形態１による光偏向器１の構成を示す上面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線における断面図である。図３は、図１のＢ−Ｂ線における断面図である。

光偏向器１は、可動板（可動部）１１と、支持枠（支持部）１２と、可動板１１を支持枠１２に対してねじり回転可能に支持する一対の弾性連結部（連結部）１３とを有する。可動板１１、支持枠１２、及び弾性連結部１３は、例えば、シリコン基板をエッチング加工することにより一体形成される。可動板１１の表面には、反射膜２１が形成されている。可動板１１及び反射膜（光反射部）２１からミラー２が構成される。

また、可動板１１には、反射膜２１を挟んで１対の磁石２２が設けられている。磁石２２は、可動板１１に設けられた貫通孔にはめ込まれている。磁石２２は、可動板１１の厚さ方向において、磁石２２とミラー２の中心が略同一平面上にあるように配置されている。図に示すように、磁石２２は可動板１１の表面及び裏面に塗布された接着剤６０によって、可動板１１に固定されている。

磁石２２は、可動板１１を平面視したときに、可動板１１の回転中心軸である軸線Ｘに直交する方向に磁化されている。すなわち、磁石２２は、軸線Ｘを介して対向する互いに極性の異なる一対の磁極を有している。支持枠１２は、ホルダ５０に接合されており、ホルダ５０上には、可動板１１を駆動させるためのコイル５１が配置されている。

コイル５１には周期的に変化する電流（交流）が供給される。これにより、コイル５１は上方（可動板１１側）に向く磁界と下方に向く磁界とを交互に発生させる。これにより、コイル５１に対し磁石２２の一対の磁極のうち一方の磁極が接近し他方の磁極が離間するようにして弾性連結部１３を捩れ変形させながら、可動板１１がＸ軸回りに回動させられる。

光偏向器１の可動板１１、支持枠１２、弾性連結部１３は、図４に示すようなシリコン基板１０をエッチング加工することにより一体形成される。図５は、シリコン基板１０をドライエッチング加工することにより形成されるパターンを示す図である。図５は図１のＣ−Ｃ線における断面に相当する。図５に示すように、シリコン基板１０には可動板１１、支持枠１２、弾性連結部１３、及び磁石２２をはめ込むための貫通孔１４が形成される。貫通孔１４に磁石２２をはめ込んだ後、接着剤６０を塗布することによって、可動板１１に磁石２２が固定される。

シリコン基板１０のエッチング方法としては、ドライエッチング、ウェットエッチングのどちらを用いても良い。以下ウェットエッチングを用いた場合の光偏向器１の製造方法について説明する。
ドライエッチングを用いる場合と同様に、光偏向器１の可動板１１、支持枠１２、弾性連結部１３は、図４に示すようなシリコン基板１０をエッチング加工することにより一体形成される。

まず、図６に示すように、シリコン基板１０の両面に酸化シリコンからなるマスク３１,３２を形成し、さらにマスク３１，３２上にレジスト４１，４２を形成する。レジストは、ポジ型であってもネガ型であってもよい。

次に、レジスト４２を露光及び現像して、レジスト４２に所定の開口パターンＰ２を形成する。開口パターンＰ２は、例えば可動板１１、支持枠１２、弾性連結部１３以外の領域を開口するパターンである。さらに、レジスト４２をマスクとしてマスク３２をエッチングすることにより、レジスト４２の開口パターンＰ２が、マスク３２に転写される。マスク３２のエッチングには、例えばバッファードフッ酸（ＢＨＦ）が用いられる。

次に、シリコン基板１０両面のレジスト４１，４２を除去する。レジスト４１，４２の除去には、硫酸洗浄又はアッシングが用いられる。次に、再度シリコン基板１０の裏面側にレジスト４３を、表面側にレジスト４４を形成する。

次に、シリコン基板１０の表面側のレジスト４４を露光及び現像して、レジスト４４に所定の開口パターンＰ１を形成する。開口パターンＰ１は、例えば、開口パターンＰ２と同一のパターンである。さらにレジスト４４をマスクとしてマスク３１をエッチングする。これにより、レジスト４４の開口パターンＰ１が、マスク３１に転写される。マスク３１のエッチングには、マスク３１のエッチングと同様にバッファードフッ酸（ＢＨＦ）が用いられる。

次に、シリコン基板１０両面のレジスト４３，４４を除去する。レジスト４３，４４の除去には、硫酸洗浄又はアッシングが用いられる。
次に、マスク３１，３２を用いて、シリコン基板１０をエッチングする。シリコン基板１０のエッチングには、例えば、ＫＯＨを用いたウェットエッチングを用いる。これにより、シリコン基板１０に図７に示すパターンが形成される。図７は図１のＣ−Ｃ線における断面に相当する。図７に示すように、シリコン基板１０には可動板１１、支持枠１２、弾性連結部１３、及び磁石２２をはめ込むための貫通孔１４が形成される。

以下、主面が（１００）面のＳｉウェハからなるシリコン基板１０を用いた場合を例に説明する。
シリコン基板１０にＫＯＨを用いたウェットエッチングを施すと、シリコン基板１０の両面からエッチングが進行し始める。ウェットエッチングを用いた場合には、例えば、開口パターンＰ１，Ｐ２に露出したシリコン基板１０の部位は、テーパー状にエッチングされる。シリコン基板１０の表面からのエッチングにより形成された孔と、シリコン基板１０の裏面からのエッチングにより形成された孔の底同士が接触することにより、シリコン基板１０を貫通する１つの孔が形成される。このとき、ＫＯＨなどのウェットエッチングでは、Ｓｉの結晶方位（１１１）面がエッチングストッパとして機能するため、表面との角度θ＝５４．７３°の面で構成された側面形状が自動的に形成される。図７に示すように、通常、ウェットエッチングでシリコン基板１０を加工した場合には、シリコン基板１０の側面１５（（１１１）面）は、貫通孔の中心に向かって突出した状態となっている。

次に、マスク３１，３２を除去し、シリコン基板１０の表面に金属膜を成膜しパターニングすることにより可動板１１上に反射膜２１を形成する。金属膜の成膜方法としては、真空蒸着、スパッタリング、電気メッキ、無電解メッキ、金属箔の接合等が挙げられる。なお、マスク３１及びマスク３２を除去せずに、残しておいてもよい。

次に、可動板１１に設けられた貫通孔１４に磁石２２をはめ込み、接着剤６０によって磁石２２を固定する。
図８は、ウェットエッチング加工したシリコン基板１０に磁石２２を固定した状態の断面を示す図である。図８は図２と同じ断面を示している。図８に示すように、ウェットエッチングを用いた場合は、図２に示すドライエッチングを用いた場合と比較して、シリコンの（１１１）面を利用することにより比較的広い範囲に接着剤６０を塗布することができる。このように、広い接着面積を確保することにより、磁石２２と可動板１１をより強固に接着することができる。

なお、図９に示すように、シリコン基板１０を（１１１）面までエッチングした後、さらにオーバーエッチングすることにより、側面１６を形成するようにしてもよい。これにより、磁石２２と可動板１１の接する面積が図８に示す例と比較して広くなるため、磁石２２の倒れを防止し、安定させることができる。

また、上記の実施例では、シリコン基板１０の表、裏両面にマスク３１，３２を形成し、シリコン基板１０の両面からウェットエッチングを行ったが、シリコン基板１０の片面（例えば裏面）のみにマスクを形成して片面からのウェットエッチングを行ってもよい。図１０は、片面のみにマスクを形成して（１１１）面までエッチングしたシリコン基板１０に磁石２２を固定した状態の断面を示す図である。また、図１１は、片面のみにマスクを形成して（１１１）面までエッチングした後、オーバーエッチングすることにより側面１６を形成したシリコン基板１０に磁石２２を固定した状態の断面を示す図である。

図１０，１１に示す例では、シリコン基板１０の表面（反射膜２１形成面）にエッチングを施さないため、シリコン基板１０の両面をエッチングする場合に比べて反射膜２１の面積を広くとることができる。このため、より反射効率の高い光偏向器１を得ることができる。

可動板１１に磁石２２を固定した後は、シリコン基板１０を用いて作製された可動板１１、支持枠１２、弾性連結部１３を含む構造体を、ホルダ５０に取り付けることにより、光偏向器１が製造される。

以上のように実施の形態１によれば、磁石２２の厚さ方向の中心とミラー２の厚さ方向の中心が同一平面上にあることにより、光偏向器１の重心ずれを防ぐことができる。これにより、光偏向器１の駆動時の他モードの出現、回転ずれなどを抑えることができる。
磁石２２を可動板１１に設けた貫通孔１４にはめ込むことにより、可動板１１の表面に磁石２２を接着する場合と比較して、磁石２２の重心がミラー２の重心の位置と重なるため、慣性モーメントを減少させることが出来る。これにより、弾性連結部１３にかかる応力を低減させることができる。

また、シリコン基板１０のエッチング方法をウェットエッチングとした場合には、ドライエッチングとした場合と比較して、シリコン基板１０と磁石２２の接着面積を大きくすることが出来るため、磁石２２と可動板１１をより強固に接着することができる。さらに、（１１１）面までエッチングした後、オーバーエッチングすることにより、磁石２２と可動板１１の接する面積が図８に示す例と比較して広くなるため、磁石２２の倒れを防止し、安定させることができる。

実施の形態２．
本発明の実施の形態２による光偏向器は、実施の形態１と同様に、可動板、支持枠、弾性連結部はシリコン基板をエッチング加工することにより一体形成される。図１２は、実施の形態２による光偏向器７の構成を示す上面図である。図１３は、図１２のＡ−Ａ線における断面図である。なお、図１３は、可動板７１、支持枠７２、弾性連結部７３が一体形成されたシリコン基板の部分のみを示している。支持枠７２は実施の形態１と同様にホルダに接合されており、ホルダ上には、可動板７１を駆動させるためのコイルが配置されている。

図に示すように、実施の形態２では、可動板７１の中央部に磁石２２が設けられ、磁石２２の上に反射膜２１が設けられている。磁石２２は、実施の形態１と同様に、可動板７１に設けられた貫通孔にはめ込まれている。また、磁石２２は、磁石２２の厚さ方向の中心と可動板７１の厚さ方向の中心が略同一平面上にあるように配置されている。図に示すように、磁石２２は可動板７１の表面及び裏面に塗布された接着剤６０によって、可動板７１に固定されている。磁石２２は、可動板７１を平面視したときに、可動板７１の回転中心軸である軸線Ｘに直交する方向に磁化されている。

光偏向器７の可動板７１、支持枠７２、弾性連結部７３は、実施の形態１と同様に、シリコン基板をエッチング加工することにより一体形成される。この時、磁石２２をはめ込むための貫通孔も同時に形成される。シリコン基板のエッチング方法としては、ドライエッチング、ウェットエッチングのどちらを用いても良い。ウェットエッチングとした場合には、ドライエッチングとした場合と比較して、可動板７１と磁石２２の接着面積を大きくすることが出来る。さらに、（１１１）面までエッチングした後、オーバーエッチングすることにより、磁石２２と可動板７１の接する面積を広くして、磁石２２の倒れを防止し、安定させるようにしてもよい。

以上のように、実施の形態２によれば、磁石２２の厚さ方向の中心と可動板７１の厚さ方向の中心が同一平面上にあることにより、光偏向器７の重心ずれを防ぐことができる。これにより、光偏向器７駆動時の他モードの出現、回転ずれなどを抑えることができる。

また、実施の形態で２では、磁石２２の表面に直接反射膜２１を形成しているが、磁石２２と反射膜２１の間に薄い基板を挟むようにしてもよい。これにより、反射膜２１をより平坦な面の上に形成することができる。

実施の形態３．
本発明の実施の形態３による光偏向器は、実施の形態１と同様に、可動板、支持枠、弾性連結部はシリコン基板をエッチング加工することにより一体形成される。図１４は、実施の形態３による光偏向器８の構成を示す上面図である。図１５は、図１４のＡ−Ａ線における断面図である。なお、図１５は、可動板８１ａ，８１ｂ、支持枠８２、弾性連結部８３ａ，８３ｂが一体形成されたシリコン基板の部分のみを示している。支持枠８２は実施の形態１と同様にホルダに接合されており、ホルダ上には、可動板８１ａ，８１ｂを駆動させるためのコイルが配置されている。

図に示すように、光偏向器８は、表面に反射膜２１が形成された可動板８１ａと、可動板８１ａと弾性連結部８３ａを介して接続された２つの可動板８１ｂを有しており、２つの振動系を有する構造である。磁石２２は、各々の可動板８１ｂに設けられた貫通孔にはめ込まれている。磁石２２は、磁石２２の厚さ方向の中心と可動板８１ｂの厚さ方向の中心が略同一平面上にあるように配置されている。図に示すように、磁石２２は可動板８１ｂの表面及び裏面に塗布された接着剤６０によって、可動板８１ｂに固定されている。磁石２２は、可動板８１ａ，８１ｂを平面視したときに、可動板可動板８１ａ，８１ｂの回転中心軸である軸線Ｘに直交する方向に磁化されている。

光偏向器８の可動板８１ａ，８１ｂ、支持枠８２、弾性連結部８３ａ，８３ｂは、実施の形態１と同様に、シリコン基板をエッチング加工することにより一体形成される。この時、磁石２２をはめ込むための貫通孔も同時に形成される。シリコン基板のエッチング方法としては、ドライエッチング、ウェットエッチングのどちらを用いても良い。ウェットエッチングとした場合には、ドライエッチングとした場合と比較して、可動板８１ｂと磁石２２の接着面積を大きくすることが出来る。さらに、（１１１）面までエッチングした後、オーバーエッチングすることにより、磁石２２と可動板８１ｂの接する面積を広くして磁石２２の倒れを防止し、安定させるようにしてもよい。

以上のように、実施の形態３によれば、磁石２２の厚さ方向の中心と８１ａ，８１ｂの厚さ方向の中心が同一平面上にあることにより、光偏向器８の重心ずれを防ぐことができる。これにより、光偏向器８駆動時の他モードの出現、回転ずれなどを抑えることができる。

実施の形態で３では、反射膜２１を可動板８１ａに形成し、磁石２２は可動板８１ｂに設けられた貫通孔にはめ込まれているため、反射膜２１の面積を広く取ることが出来る。

（表示装置）
本発明に係る光偏向器の応用例として、投射型の表示装置を説明する。図１６は、投射型の表示装置の概略構成を示す図である。図１６に示す表示装置は、水平走査ミラーとして本発明に係る光偏向器を用いている。

図１６に示す表示装置は、光偏向器１の他に、レーザ光源１０１と、ダイクロイックミラー１０２と、フォトダイオード１０３と、垂直ミラー１０４とを備える。

レーザ光源１０１は、赤色レーザ光を出射する赤色レーザ光源１０１Ｒと、青色レーザ光を出射する青色レーザ光源１０１Ｂと、緑色レーザ光を出射する緑色レーザ光源１０１Ｇとを有する。ただし、２色以下又は４色以上のレーザ光源を用いてもよい。

ダイクロイックミラー１０２は、赤色レーザ光源１０１Ｒからの赤色レーザ光を反射するダイクロイックミラー１０２Ｒと、青色レーザ光を反射し赤色レーザ光を透過させるダイクロイックミラー１０２Ｂと、緑色レーザ光を反射し青色レーザ光及び赤色レーザ光を透過させるダイクロイックミラー１０２Ｇとを有する。この３種のダイクロイックミラー１０２により、赤色レーザ光、青色レーザ光、及び緑色レーザ光の合成光が振動ミラー１に入射する。

フォトダイオード１０３は、各ダイクロイックミラー１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂに反射されずに透過した赤色レーザ光、緑色レーザ光、青色レーザ光の光量を検出する。

光偏向器１は、ダイクロイックミラー１０２から送られたレーザ光を水平方向（軸線Ｘの垂直方向）に走査する。光偏向器１は、上述したように、ＭＥＭＳにより形成された、共振型ミラーである。

垂直ミラー１０４は、光偏向器１により反射されたレーザ光を垂直方向に走査する。垂直ミラー１０４は、例えば、ガルバノミラーにより構成される。ガルバノミラーとはミラーに軸を付け、電気振動に応じてミラーの回転角を変えられるようにした偏向器である。光偏向器１によるレーザ光の水平走査、及び垂直ミラー１０４によるレーザ光の垂直走査により画像が表示される。

この表示層装置は、上記のレーザ光源１０１、振動ミラー１、垂直ミラー１０４の駆動制御系として、さらに、レーザ光源１０１を駆動するレーザ駆動手段１１０と、光偏向器１を駆動する水平ミラー駆動手段１１１と、垂直ミラー１０４を駆動する垂直ミラー駆動手段１１２と、全体の動作の制御を担う制御手段１１３と、記憶手段１１４とを有する。

制御手段１１３は、パーソナルコンピュータや携帯電話等の各種の映像ソース１１５から送られた画像情報に基づいて、これらの画像を表示すべく、レーザ駆動手段１１０、水平ミラー駆動手段１１１、垂直ミラー駆動手段１１２の動作を制御する。

記憶手段１１４は、例えば、各種のプログラムを収納するＲＯＭと、変数等を収納するＲＡＭと、不揮発性メモリとにより構成される。

本発明に係る光偏向器１を表示装置に適用することにより、表示性能の良好な表示装置を実現できる。

本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
例えば、光偏向器１の可動板は円形以外の多角形でもよい。また、ここでは１次元１自由度で駆動するタイプの光偏向器１を例示したが、２次元に駆動するタイプの光偏向器１であってもよく、また、１次元２自由度で駆動するタイプの光偏向器１であってもよい。２次元に駆動するタイプの光偏向器１を用いた場合には、垂直ミラー１０４は不要である。
また、光偏向器１は、表示装置以外にもレーザプリンタ等に適用可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。

図１は、実施の形態１による光偏向器の構成を示す上面図である。 図２は、図１のＡ−Ａ線における断面図である。 図３は、図１のＢ−Ｂ線における断面図である。 図４は、実施の形態１による光偏向器の製造方法を説明するための断面図である。 図５は、実施の形態１による光偏向器の製造方法を説明するための断面図である。 図６は、実施の形態１による光偏向器の製造方法を説明するための断面図である。 図７は、実施の形態１による光偏向器の製造方法を説明するための断面図である。 図８は、ウェットエッチング加工したシリコン基板に磁石を固定した状態の断面を示す図である。 ウェットエッチングを用いてオーバーエッチングしたシリコン基板に磁石を固定した状態の断面を示す図である。 図１０は、片面のみにマスクを形成してウェットエッチングしたシリコン基板に磁石を固定した状態の断面を示す図である。 図１１は、片面のみにマスクを形成してウェットエッチングによりオーバーエッチングしたシリコン基板に磁石を固定した状態の断面を示す図である。 図１２は、実施の形態２による光偏向器の構成を示す上面図である。 図１３は、図１２のＡ−Ａ線における断面図である。 図１４は、実施の形態３による光偏向器の構成を示す上面図である。 図１５は、図１４のＡ−Ａ線における断面図である。 本発明に係る光偏向器を用いた表示装置の概略構成図である。

符号の説明

１，７，８ 光偏向器、１０ シリコン基板、１１，７１，８１ａ，８１ｂ 可動板、１２，７２，８２ 支持枠、１３，７３，８３ａ，８３ｂ 弾性支持部、１４ 貫通孔、１５，１６ 側面、２ ミラー、２１ 反射膜、２２ 磁石、３１,３２ マスク、４１，４２ レジスト、５０ ホルダ、５１ コイル、６０ 接着剤、１０１ レーザ光源、１０１Ｒ 赤色レーザ光源、１０１Ｇ 緑色レーザ光源、１０１Ｂ 青色レーザ光源、１０２，１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂ ダイクロイックミラー、１０３，１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ フォトダイオード、１０４ 垂直ミラー、１１０ レーザ駆動手段、１１１ 水平ミラー駆動手段、１１２ 垂直ミラー駆動手段、１１３ 制御手段、１１４ 記憶手段、１１５ 映像ソース

Claims (7)

1. 光反射性を有する光反射部を備えた可動部と、
   前記可動部を支持するための支持部と、
   前記可動部を回動可能に前記支持部に連結する連結部と、
   前記可動部に設けられた貫通孔にはめ込まれた磁石と、を備え、
   前記可動部の厚さ方向において、前記磁石と前記可動部の中心が略同一平面上にあるように配置されていることを特徴とする光偏向器。
2. 前記可動部には、前記光反射部を挟んで１対の前記磁石が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光偏向器。
3. 前記光反射部は、前記可動部に設けられた前記磁石の表面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光偏向器。
4. 前記可動部は、
   表面に前記光反射部が形成された第１の可動部と、
   前記第１の可動部を挟んで設けられた１対の第２の可動部と、を備え、
   前記磁石は、各々の前記第２の可動部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光偏向器。
5. 請求項１から請求項４のいずれかに記載の光偏向器の製造方法であって、
   基板の表面に所定のパターンを有するマスクを形成する第１の工程と、
   前記マスクを用いて前記基板をエッチングし、前記可動部、前記支持部、前記連結部、及び前記貫通孔を形成する第２の工程と、
   前記貫通孔に前記磁石をはめ込む第３の工程と、を有することを特徴とする光偏向器の製造方法。
6. 前記第２の工程では、ウェットエッチングを用いて基板をエッチングすることを特徴とする請求項５に記載の光偏向器の製造方法。
7. 前記第２の工程では、ウェットエッチングを用いて基板をオーバーエッチングすることを特徴とする請求項５に記載の光偏向器の製造方法。

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