JP2010067863A - 発光装置、発光モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子から出力される光を、蛍光体を用いて波長変換を行う発光装置において、出力される光の色のばらつきを抑制しつつ、発光素子の配置の自由度を高める。
【解決手段】発光装置６０は、樹脂容器６１の凹部６１ａの底面７０に露出するように設けられた金属リード部と、凹部６１ａの底面７０において金属リード部に取り付けられた第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂ、第３半導体発光素子６４ｃと、凹部６１ａを覆う封止樹脂６５とを備えている。ここで、樹脂容器６１は白色の樹脂にて構成され、金属リード部は、銅合金等をベースとする金属板に、光沢度が０．３以上１．０以下の範囲に設定された銀メッキ層を形成したもので構成される。また、封止樹脂６５は、２種類の蛍光体を含む蛍光体粉体６５ａと蛍光体粉体６５ａを分散させた透明樹脂６５ｂにて構成され、封止樹脂６５の出射面６５ｃは凹状に形成される。
【選択図】図３

Description

本発明は、発光素子を用いた発光装置、発光モジュールに関する。

近年、携帯電話機の液晶ディスプレイのバックライトに白色ＬＥＤ（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）が採用されたことにより、白色ＬＥＤの生産量が飛躍的に拡大している。ここで、白色ＬＥＤのパッケージとは、半導体発光素子（ＬＥＤ）を備えた発光装置のことであって、例えば凹部を有する白色樹脂ケースの凹部内側にリードフレームを露出させるように配置し、凹部の内側に露出するリードフレームに半導体発光素子を取り付けるとともにこれらを電気的に接続し、半導体発光素子を覆うように、凹部に蛍光体を含有させた封止樹脂を形成してなるものである。今後、携帯電話機以外の用途でも、液晶ディスプレイのバックライトに白色ＬＥＤの使用が広まっていくことが期待されている。また、液晶ディスプレイのバックライトへの使用量が増えるに伴って、他の照明分野でも採用が検討されている。今後、携帯電話機以外の用途でも液晶ディスプレイのバックライトに白色ＬＥＤが使われることは確実と思われる。液晶ディスプレイのバックライトへの使用量が増えるに伴って他の照明分野でも採用が検討されている。

液晶ディスプレイのバックライトに白色ＬＥＤを使う場合、大画面をできるだけ少ない電力で規定の輝度を得るために、白色ＬＥＤを搭載したパッケージの高効率化がきわめて強く要求されている。さらに、液晶ディスプレイの表示面全体における色のばらつきについても、厳しい規格が存在する。例えばＣＩＥのＹｘｙ表色系の色度の範囲として規定すると、ｘ、ｙそれぞれにおいて±０．００８程度のばらつきに抑制することが要求されている。ディスプレイの表示面全体における色のばらつきを前述の範囲内に収めるためには、パッケージについても、その範囲に入れる必要がある。

ハンドラーテスターなどで一つ一つ測定して要求範囲からずれているパッケージを発見した場合は、そのパッケージを取り除かなければならない。よって、パッケージのコストは、すべてのパッケージを要求される色度の範囲に入れないと、その分だけ上がってしまう。逆を言うと白色ＬＥＤを用いた照明（バックライトも含む）を普及させるためには、白色ＬＥＤのパッケージのコストを下げる必要があり、そのためにはパッケージの製造工程で輝度低下の原因を極力排除するとともに色のばらつきを極力減らすことが要求されている。

ところで、白色ＬＥＤのパッケージにおいては、半導体発光素子で発生した光がすべて有効に使われているわけではなく、パッケージ内部に閉じ込められて、出て来られない部分がかなりある。封止樹脂は一般に１．４〜１．５の屈折率があり、空気は１であるから、屈折率の違いにより一定の入射角以下で入射した光は反射して元に戻る。球面の中心に発光体（例えば半導体発光素子）があると仮定すると、発光体から出力されるすべての光は、境界面に対して直角に入射するので反射されることが無く、光の取り出し効率が最も高いといわれている。そこで、半球状のレンズをつくりその中心に発光体を配置する発光装置（パッケージ）が数多く提案されている。

ところが、実際に発光装置を試作してみると、そのような構造では十分な発光効率を得ることができず、方向ごとに色度のばらつきも大きく、パッケージ間での色度のばらつきも実用に耐えるものはできなかった。色のばらつきには２種類あり、パッケージごとに色度が異なる場合と、一つのパッケージで方向（位置）に応じて色度が異なる場合とがある。そこで、光の取り出し効率を極限まで向上させるとともに、これら２種類の色のばらつきを抑える技術が、いろいろと提案されてきている（特許文献１〜４参照）。

さらに、パッケージから出力される光の色度が時間とともに変化してしまうと、規格から外れてしまうので、時間とともに輝度や色度が変化するのを極力抑える必要がある。したがって、リフレクタが形成される樹脂容器の樹脂材料および封止樹脂については、リードフレームのメッキ表面の変色を押さえ込むために十分な検討が必要とされる。

特許文献１及び特許文献２では、一つのパッケージで方向により色度が異なることを防ぐために以下の記述がある。すなわち、発光素子から発光装置の光取り出し面までに存在する蛍光体を含有した樹脂の層の厚さが一定であることを必須の要件としている。これを達成するために特殊な形状のパッケージにするとか封止樹脂を２層に分けて、蛍光体含有の層で発光素子を均一の厚さで覆うことかパッケージの外周に均一の厚さの蛍光体含有封止樹脂を塗りつけるようなことをする必要がある。

そこで、特許文献３には、主に方向によって色度がばらつくのを防ぐのを目的として、次の方法が提案されている。すなわち、白色パッケージ容器に封止樹脂を注入すると蛍光体が部分的に沈んでしまい、発光している半導体発光素子から封止樹脂の光が通過する距離を一定にできないので、方向により色度がばらつくとして、蛍光体を含んだ層を粒子が沈降しない電気泳動法などの別な方法で作成し、蛍光体を含んだ層の厚さを均一にすることが提案されている。

一方、特許文献４では、上記とは異なる手法で、１つのパッケージで方向によって発光色がばらつくことを防ぐことが提案されている。すなわち、蛍光体を封止樹脂に均一に分散することで、１つのパッケージで方向によって色度がばらつくことを防げるとしている。しかし、特許文献１、２、３の記述のように発光素子から出た光が封止樹脂を通って外に出るまでの距離が異なるパッケージでは、封止樹脂に蛍光体を均一に分散しただけでは、２つあるばらつき要因のうち、パッケージ間の色度のばらつきを抑えるのに効果はあるが、１つのパッケージで方向によって色度がばらつくのを抑えることはできない。

また、仮に封止樹脂に蛍光体を均一分散させたとしても、１つの発光素子を覆う蛍光体含有封止樹脂層の厚みがばらつくと、１つのパッケージで方向によって発光色がばらつく原因となる。さらに、パッケージごとに蛍光体を含んだ層の厚さが異なると、パッケージごとに色度がばらつくことになる。パッケージごとに色度がばらつくことに関しては、それを防ぐ方法に対する明確な記述はないが、実際には、発光素子を覆う蛍光体含有封止樹脂層の厚みを極力同じにすることが前提条件になっているものと考えられる。
米国特許第６５７６９３０号明細書 米国特許第７１２６１６２号明細書 特開２００３−１１０１５３号公報 特開２００５−２７７４４１号公報

ＬＥＤ等の発光素子を利用した照明は、液晶ディスプレイのバックライトとして採用されたのを需要の中心として発展してきている。しかしながら、現状では、携帯電話機向けの小型のディスプレイが主体であり、パソコン用モニタや大型ＴＶなどの大面積の液晶ディスプレイ用には、ほとんど採用されていない。これは、上述したように、輝度が十分でなかったり、色のばらつきに対する安定性、輝度・色座の経時的変化に対する安定性が十分確保されていなかったりするためである。

携帯電話機等の液晶ディスプレイの場合は、色再現範囲がＮＴＳＣ比で７０％程度でも実用上問題ないので、黄色蛍光体と青色ＬＥＤとの組合せで白色を発色させるのが一般的である。これに対し、大型液晶テレビの場合は、最低でもＮＴＳＣ比で８２％以上の色再現範囲が要求されている。これを達成するためには、黄色一種類の蛍光体では難しく、青色の光で緑色に発光する緑色蛍光体と、赤色に発光する赤色蛍光体とを混ぜて使用する必要がある。このように２種類の蛍光体を用いた場合、各蛍光体が均一に分散していない限り、発光装置毎の色度のばらつきと、同じ発光装置内でも方向によって色度が変動してしまう問題がますます深刻になる。

ところが一般に、緑色蛍光体と赤色蛍光体とでは密度、粒度分布とも異なるので、沈降速度に差があり、発光色の色度が変化してしまう。１つの発光装置の方向による色度のばらつきと発光装置毎の色度のばらつきとを極力小さくし、液晶表示装置のバックライトに要求される規格である、色度ｘ，ｙともに±０．００８以内に９５％以上を入れるための製造技術が必要となる。

また、半導体発光素子と蛍光体とを組み合わせて構成したパッケージでは、半導体発光素子を搭載する位置によって、出力される光の色度にばらつきが生じることがある。例えば、半導体発光素子に近い側では蛍光体の発光色よりも半導体発光素子の発光色が強くなり、半導体発光素子から遠い側では半導体発光素子の発光色が弱まる分、蛍光体の発光色が強くなる傾向がある。

本発明は、発光素子から出力される光を、蛍光体を用いて波長変換を行う発光装置において、出力される光の色のばらつきを抑制しつつ、発光素子の配置の自由度を高めることを目的とする。

かかる目的のもと、本発明が適用される発光装置は、底面と、底面の周縁から立ち上がる壁面とを含む凹部を備えた樹脂容器と、金属導体と、金属導体の表面に形成された０．３以上且つ１．０以下の光沢度を有する銀メッキ層とを有し、樹脂容器の凹部の底面に露出した状態で配置される導体部と、凹部の底面において、底面の中心位置とは異なる位置に取り付けられ、導体部と電気的に接続される発光素子と、発光素子の発光波長に対して透明な透明樹脂と、透明樹脂に分散され発光素子の発光波長をより長波長の光に変換する蛍光体とを含み、凹部において発光素子を封止する封止樹脂とを含んでいる。

このような発光装置において、導体部は、０．３以上且つ１．０以下の光沢度を有する銀メッキ層によって得られるランバーシアン型の反射特性によって発光素子からの光を反射させることを特徴とすることができる。
また、樹脂容器が、白色顔料を用いて白色化されていることを特徴とすることができる。
さらに、導体部における銀メッキ層の光沢度が、０．５以上且つ０．７以下であることを特徴とすることができる。
さらにまた、発光素子は青色光を出力し、蛍光体は、青色光を緑色光に変換して出力する第１の蛍光体と、青色光を赤色光に変換して出力する第２の蛍光体とを含むことを特徴とすることができる。
また、透明樹脂が、シリコン樹脂にて構成されることを特徴とすることができる。
そして、封止樹脂は、発光素子から出力される光を外部に出射する出射面を有し、出射面は、樹脂容器との境界部側から中央部側に向けて凹む凹状の形状を有し、出射面の凹み量が、２０μｍ以上且つ１００μｍ以下の範囲に設定されることを特徴とすることができる。

また、他の観点から捉えると、本発明が適用される発光装置は、凹部を有する樹脂容器と、金属導体と、金属導体の表面に形成された０．３以上且つ１．０以下の光沢度を有する銀メッキ層とを有し、樹脂容器の凹部の内側に露出した状態で形成される導体部と、凹部の内側に設けられ、導体部と電気的に接続される複数の発光素子と、複数の発光素子の発光波長に対して透明な透明樹脂と、透明樹脂に分散され発光素子の発光波長をより長波長の光に変換する蛍光体とを含み、凹部において複数の発光素子を封止する封止樹脂とを含んでいる。

このような発光装置において、導体部は、０．３以上且つ１．０以下の光沢度を有する銀メッキ層によって得られるランバーシアン型の反射特性によって発光素子からの光を反射させることを特徴とすることができる。
また、樹脂容器は、チタニア微粒子を含む樹脂にて構成されることを特徴とすることができる。
さらに、導体部における銀メッキ層の光沢度が、０．５以上且つ０．７以下であることを特徴とすることができる。
さらにまた、可視領域における樹脂容器および導体部の銀メッキ層の光反射率が８５％以上９８％以下であることを特徴とすることができる。
そして、凹部の底面に露出する導体部の面積が、底面の全面積の半分以上に設定されることを特徴とすることができる。

さらに、他の観点から捉えると、本発明が適用される発光モジュールは、基板と、基板に取り付けられる複数の発光装置とを備え、発光装置は、底面と、底面の周縁から立ち上がる壁面とを含む凹部を備えた樹脂容器と、金属導体と、金属導体の表面に形成された０．３以上且つ１．０以下の光沢度を有する銀メッキ層とを有し、樹脂容器の凹部の底面に露出した状態で配置される導体部と、凹部の底面において、底面の中心位置とは異なる位置に取り付けられ、導体部と電気的に接続される発光素子と、発光素子の発光波長に対して透明な透明樹脂と、透明樹脂に分散され発光素子の発光波長をより長波長の光に変換する蛍光体とを含み、凹部において発光素子を封止する封止樹脂とを有することを特徴としている。

このような発光モジュールにおいて、発光装置の導体部は、０．３以上且つ１．０以下の光沢度を有する銀メッキ層によって得られるランバーシアン型の反射特性によって発光素子からの光を反射させることを特徴とすることができる。
また、発光装置の樹脂容器が、白色顔料を用いて白色化されていることを特徴とすることができる。
さらに、発光装置の導体部における銀メッキ層の光沢度が、０．５以上且つ０．７以下であることを特徴とすることができる。

本発明によれば、発光素子から出力される光を、蛍光体を用いて波長変換を行う発光装置において、出力される光の色のばらつきを抑制しつつ、発光素子の配置の自由度を高めることができる。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
＜実施の形態１＞
図１は、本実施の形態が適用される液晶表示装置の全体構成を示す図である。この液晶表示装置は、液晶表示モジュール５０と、この液晶表示モジュール５０の背面側（図１では下部側）に設けられるバックライト装置１０とを備えている。

バックライト装置１０は、バックライトフレーム１１と、発光装置がそれぞれに配列され、バックライトフレーム１１に収容される複数の発光モジュール１２とを備えている。また、バックライト装置１０は、光学フィルムの積層体として、面全体を均一な明るさとするために光を散乱・拡散させる板（またはフィルム）である拡散板１３と、前方への集光効果を持たせたプリズムシート１４、１５とを備えている。また、輝度を向上させるための拡散・反射型の輝度向上フィルム１６が、必要に応じて備えられる。

一方、液晶表示モジュール５０は、２枚のガラス基板により液晶が挟まれて構成される液晶パネル５１と、この液晶パネル５１の各々のガラス基板に積層され、光波の振動をある方向に制限するための偏光板５２、５３とを備えている。更に、本液晶表示装置には、図示しない駆動用ＬＳＩなどの周辺部材も装着される。

液晶パネル５１は、図示しない各種構成要素を含んで構成されている。例えば、２枚のガラス基板に、図示しない表示電極、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）などのアクティブ素子、液晶、スペーサ、シール剤、配向膜、共通電極、保護膜、カラーフィルタ等を備えている。

図２は、バックライト装置１０の構造を説明するための図である。ここで、図２（ａ）は、発光モジュール１２が装着されたバックライトフレーム１１を、図１に示す液晶表示モジュール５０側からみた上面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のIIB−IIB断面図である。本実施の形態では、液晶表示モジュール５０の背面直下に光源を置く直下型のバックライト構造を採用している。そして、このバックライト構造では、液晶表示モジュール５０の背面の全体に対してほぼ均等に、発光素子を有する発光装置６０が配列されている。なお本実施の形態で用いる発光装置６０は、一般的にＬＥＤパッケージと呼ばれるものである。

バックライトフレーム１１は、例えばアルミニウムやマグネシウム、鉄、またはそれらを含む金属合金などで生成される筐体構造を形成している。そして、その筐体構造の内側に、例えば白色高反射の性能を有するポリエステルフィルムなどが貼られ、リフレクタとしても機能するようになっている。この筐体構造としては、液晶表示モジュール５０の大きさに対応して設けられる背面部１１ａ、この背面部１１ａの四隅を囲う側面部１１ｂを備えている。そして、この背面部１１ａ上には放熱シート１８を設けることができる。

図２に示す例では、発光モジュール１２が複数（この例では８枚）設けられている。そして、各発光モジュール１２は、それぞれ複数 （この例では１枚の発光モジュール１２に対して２本） のネジ１７により、放熱シート１８を介してバックライトフレーム１１に固定されている。

発光モジュール１２は、基板の一例としての配線基板２０と、この配線基板２０に実装される複数（この例では２８個）の発光装置６０とを備えている。なお、各発光装置６０は、後述する構成を備えることにより、それぞれが白色光を出力するようになっている。

図３は、本実施の形態で用いられる発光装置６０の構成を説明するための図である。ここで、図３（ａ）は発光装置６０の上面図を、図３（ｂ）は図３（ａ）のIIIＢ−IIIＢ断面図を、それぞれ示している。

この発光装置６０は、上部側に凹部６１ａが形成された樹脂容器６１と、樹脂容器６１と一体化したリードフレームからなる第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃおよびカソード用リード部６３と、凹部６１ａの底面７０に取り付けられた第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃと、凹部６１ａを覆うように設けられた封止樹脂６５とを備えている。なお、図３（ａ）においては、封止樹脂６５の記載を省略している。

樹脂容器６１は、第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃおよびカソード用リード部６３を含む金属リード部に、白色顔料が含有された熱可塑性樹脂（以下の説明では白色樹脂と呼ぶ）を射出成型することによって形成されている。

この樹脂容器６１を構成する白色樹脂は、可視光の光反射率が８５％以上であって９８％以下となるように白色顔料の含有率、粒径等が調整されている。言い換えると、樹脂容器６１の可視光の光吸収率が１５％未満とされている。白色顔料としては、チタニア（酸化チタン）を微粒子化したものを用いることが好ましい。チタニアは、他の白色顔料に比べて屈折率が高く、また、光吸収率が低いので、本実施形態の樹脂容器６１に好適に用いることができる。他の白色顔料、例えば酸化アルミニウムは、チタニアに比べて輝度が大幅に低下するので、チタニアと比較して好ましくない。ただし、チタニアは、光触媒作用があるので樹脂を変質させてしまうおそれがある。そこで、チタニアに対し、水酸化アルミニウムなどで表面処理を行うことが好ましい。この表面処理が十分でないと、樹脂容器６１を構成する樹脂が変質して特定の波長を吸収するので、経時的な色度座標の変化が起こることがある。したがって、白色顔料としてのチタニアの選定およびその添加量は極めて重要である。樹脂容器６１の光反射率を向上させるためには、チタニアの添加量を多くした方がよいが、射出成型などで樹脂容器６１の形を作るためには流動性が低下する面もあり、その添加量には上限がある。

また、製造工程でハンダリフローなどの温度がかかる工程が複数あるので、白色樹脂は、耐熱性も十分考慮された材質が選定されている。基材となる樹脂としてはＰＰＡ（polyphthalamide）が最も一般的であるが、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、ポリスチレンなどでもよい。

樹脂容器６１に設けられる凹部６１ａは、円形状を有する底面７０と、底面７０の周縁から樹脂容器６１の上部側に向けて拡開するように立ち上がる壁面８０とを備えている。ここで、底面７０は、凹部６１ａに露出する第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃおよびカソード用リード部６３と、第１アノード用リード部６２ａと第２アノード用リード部６２ｂと第３アノード用リード部６２ｃとカソード用リード部６３との間の隙間に露出する樹脂容器６１の白色樹脂とによって構成されている。ただし、底面７０の半分以上の領域が、第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃとカソード用リード部６３とによって占められている。一方、壁面８０は、樹脂容器６１を構成する白色樹脂によって構成されている。なお、底面７０の形状については、円形、矩形、楕円形、多角形のいずれでもよい。また、壁面８０の形状は、円形、矩形、楕円形、多角形のいずれでもよく、また、底面形状と同一でもよく、本実施の形態のように異なっていてもよい。

導体部の一例としての第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃおよびカソード用リード部６３は、それぞれの一部が樹脂容器６１内に挟まれて保持されるとともに、他の一部が樹脂容器６１の外部に露出されており、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃに電流を印加するための端子となっている。表面実装を前提とするときは、図３に示すように、第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃおよびカソード用リード部６３を、それぞれ樹脂容器６１の裏側に折り曲げて樹脂容器６１の底部にその先端を配設することが望ましい。

また、第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃおよびカソード用リード部６３すなわちリードフレームは、０．１〜０．５ｍｍ程度の厚みをもつ金属板であり、銅合金等の金属導体をベースとし、その表面には銀メッキが施されることによって銀メッキ層が形成されている。したがって、凹部６１ａの底面７０には、第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃおよびカソード用リード部６３の銀メッキ層が露出していることになる。これら第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃおよびカソード用リード部６３の光反射率すなわち銀メッキ層の光反射率は、８５％以上９８％以下であることが好ましい。また、第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃおよびカソード用リード部６３の光沢度は、０．３以上且つ１．０以下の範囲内、より好ましくは、０．５以上且つ０．７以下の範囲内とすることが好ましい。ここで、光沢度は、ＪＩＳＺ８７４１に規定されるものであり、ここでは入射光の入射角を６０°とした場合の値としている。

一般に、銀メッキの条件を検討することによって、その表面の凹凸の状態を制御することができる。リードフレームへの銀メッキはシアン溶液による電解メッキが一般的である。電解メッキでは、一度銀が析出したところが突起となり、その尖ったところに電流が集中しやすいので突起周辺がさらに成長する。その結果として所謂デンドライト状析出が起こりやい。特に銀の電解メッキでは、この傾向が顕著である。シアン溶液の銀電解を、成膜速度を速くして行うと、いわゆる無光沢白色メッキになる。これはランバーシアン反射にきわめて近い光反射特性を示すが、その代わりに光吸収率が比較的高くなり、１０％を超えてしまう。これに対し、銀メッキを行う際にＳｅなどの光沢剤を入れると、デンドライト成長が抑制されて平滑化し、完全鏡面反射に近い挙動を示す面を得ることができる。この場合も、完全鏡面を得られるまで光沢剤を添加すると、析出面に添加剤が残り光吸収率が高くなってしまう。銀メッキ表面の形状（光沢度）は、銀メッキのＡｇ⁺の濃度、温度、ｐＨ、シアンイオン濃度、他の陽イオン・陰イオン添加、電流密度、有機物添加剤などの条件を振ることにより、適宜調整することができる。

また、第１半導体発光素子６４ａは凹部６１ａの底面７０に露出する第１アノード用リード部６２ａ上に、第２半導体発光素子６４ｂは凹部６１ａの底面７０に露出する第２アノード用リード部６２ｂ上に、第３半導体発光素子６４ｃは凹部６１ａの底面７０に露出する第３アノード用リード部６２ｃ上に、それぞれシリコン樹脂またはエポキシ樹脂からなるダイボンド剤で接着され、固定されている。

ここで、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃは、それぞれ、ｎ型電極およびｐ型電極を有している。そして、第１半導体発光素子６４ａのｐ型電極が第１アノード用リード部６２ａに、第２半導体発光素子６４ｂのｐ型電極が第２アノード用リード部６２ｂに、第３半導体発光素子６４ｃのｐ型電極が第３アノード用リード部６２ｃに、それぞれボンディングワイヤを介して接続されている。一方、これら第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂ、および第３半導体発光素子６４ｃのそれぞれに設けられたｎ型電極は、共通のカソード用リード部６３に接続されている。したがって、この発光装置６０において、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂ、および第３半導体発光素子６４ｃは、並列に接続されていることになる。

さらに、この発光装置６０では、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂ、および第３半導体発光素子６４ｃが、円形状を有する底面７０の中心Ｃからずれた位置に、それぞれ配置されている。

第１半導体発光素子６４ａは、４３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有する青色光を発するものであり、サファイア基板の上に形成されるＡｌＮからなるシード層と、シード層上に形成される下地層と、ＧａＮを主体とする積層半導体層とを少なくとも備えている。積層半導体層は、基板側から下地層、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層の順に積層されて構成されている。なお、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃも、第１半導体発光素子６４ａと同一の構成を有しており、青色光を出力するようになっている。

封止樹脂６５は、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃが発する光を吸収してより長波長の光を発する二種類以上の蛍光体（以下、蛍光体粉体ともいう）６５ａと、蛍光体粉体６５ａを均一に分散させた状態で含有する透明樹脂６５ｂとから構成されている。この例において、蛍光体粉体６５ａは、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃが発する青色光を吸収して緑色光を発する緑色蛍光体と、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃが発する青色光を吸収して赤色光を発する赤色蛍光体とを含んでいる。なお、赤色蛍光体は、緑色蛍光体が発する光でも励起されるので、緑および赤の蛍光体の比率により、発光装置６０から出力される光の色度の動きは非常に複雑に変化する。このような色度の調節には、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃの発光波長と緑および赤の蛍光体の比率と、封止樹脂６５における蛍光体の濃度と、封止樹脂６５の上面すなわち光が出射される出射面６５ｃの形状とが関係する。

この発光装置６０においては、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃが発する青色光と、蛍光体粉体６５ａに含まれる緑色蛍光体が発する緑色光と、同じく蛍光体粉体６５ａに含まれる赤色蛍光体が発する赤色光とによって、青、緑、赤の３原色が揃う。このため、封止樹脂６５の出射面６５ｃからは、白色光が出射されるようになっている。液晶表示装置のバックライトとしてこの白色光を使った場合の色再現範囲は、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃの主発光ピークの波長および半値幅と、蛍光体粉体６５ａの発光ピークの波長および半値幅とで決まる。

上述した蛍光体粉体６５ａに好適に用いられる第１の蛍光体の一例としての緑色蛍光体は、シリケート系蛍光体（ＢａＳｉＯ₄：Ｅｕ²⁺）が好ましく、また、第２の蛍光体の一例としての赤色蛍光体は窒化物蛍光体（ＣａＡｌＳｉＮ₃：Ｅｕ²⁺）が好ましい。これらの緑色蛍光体および赤色蛍光体は、真密度が３．５ｇ／ｃｍ³〜４．７ｇ／ｃｍ³と比較的低く、平均粒径も質量平均で１０μｍ程度の粉体の作成が可能であるためである。

ここで、緑色蛍光体（ＢａＳｉＯ₄：Ｅｕ²⁺）は、励起波長が３８０〜４４０ｎｍ、発光波長が５０８ｎｍであるので、本実施の形態で用いる青色光を緑色光に変換するための要求特性に対しては、励起波長も発光波長も短すぎる。ただし、Ｂａの一部をＳｒ、Ｃａ、Ｍｇなどの他のアルカリ土類元素で置き換えることで、励起波長及び発光波長を長波長側に移動させることができる。本実施の形態では、励起波長を４５５ｎｍに、発光波長５２８ｎｍにそれぞれ調節することが好ましい。

また、赤色蛍光体（ＣａＡｌＳｉＮ₃：Ｅｕ²⁺）は、励起波長が４００ｎｍ〜５００ｎｍ、発光波長が６４０ｎｍである。ピーク波長の半値幅は使用目的によって異なる。照明用ではできるだけピーク波長の波形がブロードなものが良いが、本実施の形態のような液晶表示装置のバックライト用途では、できるだけ波形がシャープなものが良い。照明用で演色性（太陽光の下で見た色と同じに見える度合い）を高めるためには、できるだけ太陽光と同じ波長分布をしている必要があり、すべての波長を同程度含んでいることが要求される。これに対し、液晶表示装置のバックライトに使った場合の色再現範囲は青、緑、赤の色度座標上の３点ができるだけ広い必要がある。すなわち色純度ができるだけ高いことが重要である。そのためには３原色の波長分布をできるだけシャープにすることが好ましい。

一方、封止樹脂６５を構成する透明樹脂６５ｂとしては、可視領域において透明な各種樹脂を適用して差し支えないが、耐熱性の観点から、シリコン樹脂を用いることが好ましい。

また、封止樹脂６５には、白色光を出射させる出射面６５ｃが設けられている。この例では、図３（ｂ）に示すように、樹脂容器６１の上部側すなわち凹部６１ａの開口部側に出射面６５ｃが形成されている。
この発光装置６０においては、図３（ｂ）に示すように、出射面６５ｃの中央部が樹脂容器６１の上面よりも凹んでおり、その凹み量ｄが上面から−２０μｍ〜−１００μｍの範囲に設定されている。凹み量ｄは、樹脂容器６１の開口端の高さと、出射面６５ｃの最低高さとの差になる。なお、ここでは、樹脂容器６１の開口端の高さを基準（０）としたとき、底面７０に近づく側をマイナス（−）としている。したがって、凹み量ｄが上面から−２０μｍ〜−１００μｍの範囲とは、樹脂容器６１の開口端の高さを０μｍとしたときに、出射面６５ｃの最低高さが上面よりも２０μｍ〜１００μｍの範囲で底面７０側に位置していることを意味する。

この凹み量ｄは、樹脂容器６１の開口端の延長面Ｌを仮想的に設定し、凹部６１ａ内で硬化した封止樹脂６５の中心点をＡとし、点Ａと延長面Ｌとの距離から求める。実際の測定は、レーザ変位計（たとえばオムロン製 ＺＳＨＬＤ２）で行うことができる。

では、図３に示す発光装置６０の発光動作について説明する。
第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂおよび第３アノード用リード部６２ｃを正極とし、カソード用リード部６３を負極として第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃのそれぞれに電流を流すと、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃは青色光を出力する。第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃから出力された青色光は、封止樹脂６５内を進行し、直接あるいは底面７０や壁面８０で反射した後に出射面６５ｃから外部に出射される。但し、出射面６５ｃに向かう光の一部は、出射面６５ｃで反射し、再び封止樹脂６５内を進行する。この間、封止樹脂６５内において、青色光の一部は蛍光体粉体６５ａによって緑色光および赤色光に変換され、変換された緑色光および赤色光は、直接あるいは底面７０や壁面８０で反射した後、青色光と共に出射面６５ｃから外部に出射される。したがって、出射面６５ｃからは、青色光、緑色光および赤色光を含む白色光が出射されることになる。

本実施の形態の発光装置６０のように、封止樹脂６５において蛍光体粉体６５ａが透明樹脂６５ｂに均一に分散されており、封止樹脂６５の光反射率が、８５％以上９８％以下の白色樹脂からなる樹脂容器６１の凹部６１ａに収納されている場合の光の挙動は次のようになる。例えば、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃから出力された光のうち、壁面８０や底面７０を構成する白色樹脂に入射した光は、反射されて封止樹脂６５に戻り、それがまた白色樹脂に入射するというように何度も行き来する複雑な動きをした上で、最終的に封止樹脂６５を通過して出射面６５ｃに抜けて出る。この場合、底面７０に設けられた銀メッキ層の反射の仕方および光吸収率が、非常に大きく影響する。本実施の形態では、底面７０や壁面８０を構成する銀メッキ層や白色樹脂に所謂ランバーシアン反射型の反射特性を持たせることで、これらを所謂鏡面反射型の反射特性とした場合と比較して、底面７０や壁面８０の銀メッキ層や白色樹脂で吸収される光の量を低減することができる。したがって、ランバーシアン反射型の反射特性と鏡面反射型の反射特性とで、発光装置６０から出力される光の量すなわち明るさに違いが出るのは、底面７０や壁面８０での光吸収率の違いによるものであり、仮に光吸収率がゼロであれば、出力に差は生じない。感覚的には、凹部６１ａを構成する底面７０や壁面８０に鏡面反射型の反射特性を持たせた方が、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃから出力される光を、少ない反射回数で出射面６５ｃに導くことができると思われる。しかしながら、実際には、上述したような複雑な光の挙動があるために、底面７０や壁面８０にランバーシアン型の反射特性を持たせた方が、底面７０や壁面８０で吸収される光の量を少なくすることができる。

これらのうち、底面７０や壁面８０に向かう光は、底面７０や壁面８０を構成する銀メッキ層や白色樹脂によって反射されることを繰り返して、最終的に出射面６５ｃに抜け出る。これに対し、出射面６５ｃに向かう光は、底面７０や壁面８０での反射には関係ないかというとそうではなく、一部は封止樹脂６５内に分散された蛍光体粉体６５ａで散乱され、壁面８０を構成する白色樹脂で反射され、底面７０の銀メッキ層および白色樹脂で再び反射されるということを繰り返したのちに出射面６５ｃに抜け出る。このような散乱や反射を行う過程において、少しずつではあるが光の吸収が発生する。第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃから出力される光を極力有効に取り出そうとすると、光を散乱・反射させる回数は極力少ない方がよい。しかしながら、出射面６５ｃ上の位置による色度のばらつきを極力抑える観点からすれば、徹底して散乱・反射を繰り返させた方がよい。このように、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃから出力される光を、極力有効に取り出すとともに方位ごとの色度のばらつきをなくす、という矛盾したことが、現実には要求されている。

このような要求に対し、本実施の形態では、樹脂容器６１を光吸収が少ない白色樹脂で構成し、且つ、リードフレームを構成する第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃおよびカソード用リード部６３の表面に銀メッキ層を形成することで、凹部６１ａ内における可視光の光吸収率を少なくしている。具体的には、底面７０や壁面８０を構成する銀メッキ層および白色樹脂の可視領域における光吸収率を２％超１５％未満の範囲としている。特に、本実施の形態では、底面７０を構成する第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃおよびカソード用リード部６３の表面に形成される銀メッキの光沢度を０．３〜１．０の範囲とし、且つ、壁面８０を白色樹脂にて構成することにより、このような構成を有していないものと比較して、光の取り出し効率すなわち発光効率を向上させている。

では続いて、図４を参照しながら、図３に示す発光装置６０の製造方法について説明する。
まず、第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃおよびカソード用リード部６３を一体化したリードフレームに、白色樹脂を射出成形して、凹部６１ａを有する樹脂容器６１を形成する。次いで、樹脂容器６１の凹部６１ａの底面７０に露出する第１アノード用リード部６２ａ上に第１半導体発光素子６４ａを、第２アノード用リード部６２ｂ上に第２半導体発光素子６４ｂを、第３アノード用リード部６２ｃ上に第３半導体発光素子６４ｃを、それぞれ接着固定する。そして、ボンディングワイヤを用いて、第１半導体発光素子６４ａのｐ型電極を第１アノード用リード部６２ａに、第２半導体発光素子６４ｂのｐ型電極を第２アノード用リード部６２ｂに、第３半導体発光素子６４ｃのｐ型電極を第３アノード用リード部６２ｃに、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃのｎ型電極を、それぞれカソード用リード部６３に、それぞれ接続する。

次に、凹部６１ａに、蛍光体粉体６５ａと未硬化状態の透明樹脂６５ｂとを含む混合樹脂ペーストＲを充填する。その際、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃおよびボンディングワイヤを混合樹脂ペーストＲによって覆うとともに、混合樹脂ペーストＲの液面Ｒ₁を樹脂容器６１の上面６１ｂよりも凹ませ、その凹み量ｄを上面６１ｂから−２０μｍ〜−１００μｍの範囲に設定する。例えば図４に示す例では、液面Ｒ₁の中心部Ａ₁の高さと液面Ｒ₁の端部Ｂ₁の高さとの差を２０μｍ〜１００μｍの範囲にする。

樹脂容器６１の凹部６１ａに対する混合樹脂ペーストＲの充填は、ペーストの吐出装置を用いたポッディング法で行うとよい。この吐出装置は、混合樹脂ペーストＲを吐出する吐出ノズルＮと、図示しない制御部とを具備して構成されている。

混合樹脂ペーストＲは、真密度が３ｇ／ｃｍ³以上４．７ｇ／ｃｍ³以下の範囲であるとともに質量平均粒径が７μｍ以上１５μｍ以下の範囲である蛍光体粉体６５ａが、未硬化状態の透明樹脂６５ｂに混合されてなるものであり、粘度が４０００ｃＰ〜１５０００ｃＰの範囲に調整されてなるものである。

ここで、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃが取り付けられた状態での凹部６１ａの空容積を６．５μＬとし、混合樹脂ペーストＲの注入量の繰り返し精度を例えば±０．２μＬとした場合、注入量が０．２μＬ変動すると、注入後の混合樹脂ペーストＲの液面Ｒ₁の中心部Ａ₁の高さが約２５μｍ変動する。そして、液面Ｒ₁の高さが例えば１００μｍ動いた場合において、出射面６５ｃから出射される光の発光色の色度ｙが０．０１だけ動くので、注入量のばらつきにより動く色度ｙの動きは±０．００２５になる。

なお、混合樹脂ペーストＲの注入量は注入圧力によって制御されるが、注入圧力の最小調整量だけ動かすと、注入量が約０．３μＬ程度変動する。これは、液面Ｒ₁の高さを３８μｍ動かすことに相当する。発光装置６０の発光色の色度ｙの管理幅を±０．００８とした場合、混合樹脂ペーストＲの粘度の変化などで注入後の液面Ｒ₁が動いてしまうような状況では、注入圧力を制御して注入量を変化させ、これにより液面Ｒ₁のレベルを±４０μｍに制御する必要がある。なお、液面Ｒ₁の高さは、上述したレーザ変位計（たとえばオムロン製 ＺＳＨＬＤ２）で行うことができる。このとき、凹部６１ａの端部Ｂ₁同士を結んだ中点から注入後の液面Ｒ₁までの距離を測定する。注入後の硬化熱処理をする前に液面Ｒ₁の高さを測定し、その位置が凹部６１ａの端部Ｂ₁同士を結んだ中点から−２０μｍ〜−１００μｍに入るように注入圧力を制御すればよい。

次に、混合樹脂ペーストＲを硬化させて封止樹脂６５を形成する。硬化処理は、例えば、加熱等を行えばよい。その後、リードフレームを第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃおよびカソード用リード部６３に分離する切断およびリードフレームの折り曲げを行って、発光装置６０が得られる。

ではここで、発光装置６０の樹脂容器６１の凹部６１ａに形成した封止樹脂６５の凹み量ｄや、封止樹脂６５を構成する蛍光体粉体６５ａの真密度及び質量平均粒径を、上記範囲に限定した理由について説明する。

上述した発光装置６０を複数用い、液晶表示装置のバックライトとして使用する場合には、バックライトの発光色の色度の分布を極力抑える目的で、各発光装置６０による発光色の色度座標（ｘ，ｙ）上でのばらつきを、それぞれ±０．００８の範囲内に収めることが要求される。また発光装置６０を長期にわたって点灯し続けた場合に、発光色が経時的に変化してしまうと、使用中に発光色の色度のばらつきが生じてしまうので、これも同時に抑え込む必要がある。

本発明者は、発光装置６０の封止樹脂６５において、蛍光体粉体６５ａを透明樹脂６５ｂ中に均一に分散させることにより、狙いとする色度からのばらつきを抑えることが可能なことを見出した。発光装置６０からの出射光の白色の色度を決める要因としては、封止樹脂６５中の蛍光体粉体６５ａの濃度、緑色蛍光体と赤色蛍光体との比率、そして形成される封止樹脂６５の出射面６５ｃの形状、の３種類が考えられている。したがって、発光装置６０の発光色のばらつきが生じる原因は、蛍光体粉体６５ａの濃度が封止樹脂６５中の場所によって異なったり、場所によって緑色蛍光体と赤色蛍光体との比率がずれていたり、樹脂容器６１の凹部６１ａに形成された封止樹脂６５の出射面６５ｃの形状が変動していたりすると、発光装置６０から出射される光の色度が変化し、色むらが生じることになる。また、発光装置６０の製造において、樹脂容器６１の凹部６１ａに混合樹脂ペーストＲを注入した後、混合樹脂ペーストＲに含まれる蛍光体粉体６５ａが底面７０側に沈むということが起こるかぎり、封止樹脂６５中における蛍光体粉体６５ａの濃度のばらつきと、緑色蛍光体と赤色蛍光体との比率のばらつきとが起きてしまう。

したがって、封止樹脂６５における蛍光体粉体６５ａの均一分散性を向上させることが、発光装置６０から出射される光の色度を安定させるために重要である。また、封止樹脂６５における蛍光体粉体６５ａの均一分散が達成されている場合には、封止樹脂６５の出射面６５ｃの形状によって色度が大きく変動するので、出射面６５ｃの形状の管理を均一分散の管理と共に行わないと、蛍光体粉体６５ａを均一分散したことによって却って色度のばらつきが大きくなることもありうる。さらに、封止樹脂６５において蛍光体粉体６５ａが均一分散されていたとしても、発光装置６０から出射される光の出力および色度は、樹脂容器６１の凹部６１ａの大きさ、形状、底面７０や壁面８０の表面状態の影響を大きく受ける。これに対し、本発明者は、凹部６１ａの底面７０の多くを担っている第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃおよびカソード用リード部６３の銀メッキ層に、ランバーシアン反射に近い反射特性を持たせることが、光吸収を少なくするとともに出射面６５ｃ内の位置による発光色のばらつきをなくす上で、極めて重要であることを見出した。

なお、このことを別の観点から見れば、凹部６１ａの底面７０における第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃの取り付け位置とは関係なく、発光色のばらつきを押さえることが可能になることを意味する。すなわち、発光装置６０における第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃの配置位置の設定に関する自由度が高まることになる。

また、上述した発光装置６０の製造方法において、樹脂容器６１の凹部６１ａに混合樹脂ペーストＲを注入した後、透明樹脂６５ｂが硬化するまでの間に蛍光体粉体６５ａが沈んでしまうと、複数の発光装置６０において蛍光体粉体６５ａの沈み方を全て同じようにすることは実質的に不可能である。したがって、複数の発光装置６０をほぼ同じ色度の発光色で発光させるためには、蛍光体粉体６５ａに含まれる緑色蛍光体と赤色蛍光体とが、透明樹脂６５ｂ中にできるだけ均一に分散していることが望ましい。

発光装置６０の製造に際して、混合樹脂ペーストＲすなわち蛍光体粉体６５ａを含む未硬化状態の透明樹脂６５ｂを、樹脂容器６１の凹部６１ａにポッティングするまでは攪拌することも可能であるが、ポッティングしてから加熱によって未硬化状態の透明樹脂６５ｂを硬化させるまでの時間は、一般には１時間程度が必要である。この間に、凹部６１ａにおいて蛍光体粉体６５ａが沈降してしまうことがある。

ところで、未硬化状態の透明樹脂６５ｂにおける蛍光体粉体６５ａの沈降速度Ｖｓは、下記式（１）で示されるストークスの式にしたがう。式（１）において、Ｄ_pは蛍光体粉体６５ａの質量平均粒径であり、ρ_pは蛍光体粉体６５ａの真密度であり、ρ_fは透明樹脂６５ｂの密度である。ｇは重力加速度であり、ηは未硬化状態の透明樹脂６５ｂの粘度である。

Ｖｓ＝Ｄ_p ²（ρ_p−ρ_f）ｇ／１８η … （１）

ここで、凹部６１ａにポッティングされた混合樹脂ペーストＲにおいて、蛍光体粉体６５ａが沈降しにくくなるように沈降速度Ｖｓを低下させるには、硬化前の透明樹脂６５ｂの粘度ηを高くすればよいが、あまり粘度ηが高くなると、定量的にポッティングすることが困難になる。

また、蛍光体粉体６５ａの質量平均粒径Ｄ_pを小さくすれば沈降速度Ｖｓは低下するが、蛍光体粉体６５ａの質量平均粒径Ｄ_pをあまり小さくすると、今度は蛍光体粉体６５ａの発光特性を維持するのが難しくなる。

さらに、蛍光体粉体６５ａの真密度ρ_pが透明樹脂６５ｂの密度と同じであれば蛍光体粉体６５ａは沈降しないが、未硬化状態の透明樹脂６５ｂの真密度が１．４ｇ／ｃｍ³〜１．８ｇ／ｃｍ³程度であるのに対し、ほとんどの蛍光体粉体６５ａは重金属を含むためにその真密度が２．０ｇ／ｃｍ³よりもはるかに大きくなる。

以上のように、蛍光体粉体６５ａの質量平均粒径Ｄ_p、蛍光体粉体６５ａの真密度ρ_p、未硬化状態の透明樹脂６５ｂの粘度η、の３つの特性値のうち、一つだけをクリアすることで、蛍光体粉体６５ａの沈降を防ぐのは難しいという結論になる。すなわち、ポッティングで定量的に注入することが可能な範囲で粘度ηの大きな透明樹脂６５ｂを使い、発光特性を維持できる範囲でできるだけ小さい粒径であって、発光特性を維持できる範囲でできるだけ真密度の小さい蛍光体粉体６５ａを選択することが必要になる。

図３に示す発光装置６０の封止樹脂６５の厚みが０．５ｍｍ程度である場合、未硬化の透明樹脂６５ｂが硬化する１時間の間に蛍光体粉体６５ａが０．５ｍｍ沈むと、全ての蛍光体粉体６５ａが凹部６１ａの底に沈降してしまう。したがって、色度のばらつきを抑える目的で、蛍光体粉体６５ａの沈降距離を無視しうる範囲に抑えようとすると、１時間での沈降距離を０．０５ｍｍ以下にする必要がある。この沈降距離に入るようにするためには、蛍光体粉体６５ａの質量平均粒径Ｄ_p、蛍光体粉体６５ａの真密度ρ_p、未硬化状態の透明樹脂６５ｂの粘度ηを上記の範囲に入れる必要がある。

また、発光装置６０から出射される発光色の色度のばらつきを発生させる原因の一つとして、封止樹脂６５を形成するために注入される混合樹脂ペーストＲの量がある。図３に示すような所謂トップビューパッケージと呼ばれる発光装置６０の場合、注入する混合樹脂ペーストＲの量によって、得られる封止樹脂６５の出射面６５ｃの形状が変動してしまう。具体的に説明すると、封止樹脂６５が、樹脂容器６１の上面６１ｂよりも凸状に膨らむ場合と凹状に引き込む場合とがある。凹部６１ａに注入した混合樹脂ペーストＲが凸状に膨らんだ場合、波長変換において有効に働く蛍光体粉体６５ａの量が増えるので、蛍光体粉体６５ａの濃度を高めた場合と同様な作用が働き、発光色の色度はｘ値、ｙ値とも大きくなる方にシフトする。しかし、封止樹脂６５が凸状に膨らんでいると、製造工程において、パーツフィーダーなどで搬送するときにお互いにくっついてしまうのでハンドリングが極めて困難となってしまう。したがって封止樹脂６５が凸状になることを避けることが望ましい。このような理由によっても、封止樹脂６５が樹脂容器６１に対し凹状に引き込む形状にそろえることが好ましいといえる。また、封止樹脂６５が樹脂容器６１に対し凹状に引き込んでいたとしても、どの程度引き込んでいるかによって、出射面６５ｃから出射される出力光の色度が動く。本発明者らが相関を測定したところ、凹み量ｄが１００μｍ動くと色度のＹ値が０．０１動くことがわかった。液晶表示装置用のバックライトの場合、Ｘ値、Ｙ値をそれぞれ±０．００８以内に収めることが要求されていることから、封止樹脂６５の凹み量ｄを−２０μｍ〜−１００μｍの範囲に収めなければならない。

以上のことから、本実施の形態では、封止樹脂６５に含まれる蛍光体粉体６５ａの真密度ρ_pを３ｇ／ｃｍ³以上４．７ｇ／ｃｍ³以下の範囲とするとともに、蛍光体粉体６５ａの質量平均粒径Ｄ_pを７μｍ以上１５μｍ以下の範囲としている。また、樹脂容器６１の凹部６１ａに形成される封止樹脂６５の凹み量ｄを−２０μｍ〜−１００μｍの範囲としている。

以上説明したように、このような発光装置６０によれば、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃを覆う封止樹脂６５が、所定の範囲の真密度と質量平均粒径とを有する蛍光体粉体６５ａを透明樹脂６５ｂに混合させて構成されているので、透明樹脂６５ｂ中に蛍光体粉体６５ａを均一に分散させることができる。その結果、各発光装置６０において、色度ｙの幅が±０．００８の範囲内に制御された白色光を出射させることができる。

また、封止樹脂６５の出射面６５ｃが上面６１ｂよりも凹んでおり、その凹み量ｄが上面６１ｂから−２０μｍ〜−１００μｍの範囲に設定されているので、複数の発光装置６０から出射される白色光の色度ｙの幅を±０．００８の範囲内におさめることができる。

また、上述した発光装置６０の製造方法によれば、未硬化の透明樹脂６５ｂに、上記の範囲の真密度と質量平均粒径とを有する蛍光体粉体６５ａを混合して所定の粘度の混合樹脂ペーストＲとし、これを第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃを覆うように充填して硬化させることで封止樹脂６５を形成するので、透明樹脂６５ｂ中に蛍光体粉体６５ａを均一に分散させることができる。また、出射面６５ｃを上面６１ｂよりも凹ませ、その凹み量ｄを上面６１ｂから−２０μｍ〜−１００μｍの範囲に設定することで、封止樹脂６５の出射面６５ｃから均質で色むらの少ない白色光が出射される発光装置６０を構成することができる。

そして、本実施の形態の発光装置６０では、上述した構成を備えることにより、凹部６１ａの底面７０において第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃが底面７０の中心Ｃとは異なる位置に配置されていても、封止樹脂６５の出射面６５ｃから均質で色むらの少ない白色光を出力させることができる。

＜実施の形態２＞
図５は、本実施の形態が適用される発光装置６０の構成を説明するための図である。ここで、図５（ａ）は発光装置６０の上面図を、図５（ｂ）は図５（ａ）のVＢ−VＢ断面図を、それぞれ示している。

この発光装置６０の基本構成は、実施の形態１で用いたものとほぼ同じである。ただし、この発光装置６０では、第１半導体発光素子６４ａのみが搭載されており、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃは搭載されていない。ここで、第１半導体発光素子６４ａは、実施の形態１と同様に、底面７０に露出する第１アノード用リード部６２ａに取り付けられており、第１アノード用リード部６２ａおよびカソード用リード部６３に電気的に接続されている。

また、この発光装置６０では、第１半導体発光素子６４ａが、実施の形態１と同様に、円形状を有する底面７０の中心Ｃからずれた位置に配置されている。このような構成は、例えばリードフレームの形状やワイヤボンドなどを行うために、第１半導体発光素子６４ａを底面７０の中心Ｃに配置しにくい場合に採用される。

なお、実施の形態１と同様に、第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃ、およびカソード用リード部６３の各表面には、光沢度が０．３〜１．０、より好ましくは０．５〜０．７の範囲に収まる銀メッキが施される。

本実施の形態の発光装置６０においても、樹脂容器６１を光吸収が少ない白色樹脂とし、且つ、リードフレームを構成する第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃ、およびカソード用リード部６３の表面に銀メッキ層を形成し、可視領域におけるこれらの光吸収率を２％超１５％未満の範囲としている。そして、底面７０を構成する第１アノード用リード部６２ａ、第２アノード用リード部６２ｂ、第３アノード用リード部６２ｃ、およびカソード用リード部６３の表面に形成される銀メッキの光沢度を０．３〜１．０の範囲とし、且つ、壁面８０を白色樹脂にて構成することにより、このような構成を有していないものと比較して、光の取り出し効率すなわち発光効率を向上させることができる。

また、上述した構成を備えることにより、凹部６１ａの底面７０における第１半導体発光素子６４ａが底面７０の中心Ｃとは異なる位置に配置されていても、封止樹脂６５の出射面６５ｃから均質で色むらの少ない白色光を出力させることができる。

なお、実施の形態１および実施の形態２では、発光装置６０を用いて構成した発光モジュール１２を、液晶表示装置のバックライト装置１０に適用する例について説明を行ったが、これに限られるものではない。例えば発光モジュール１２をシェード等と組み合わせることによって、空間や物体などを照明する照明装置として利用することもできる。

また、上述した発光装置６０を、例えば信号機、スキャナの光源装置、プリンタの露光装置、車載用の照明機器、ＬＥＤのドットマトリクスを用いたＬＥＤディスプレイ装置等にも適用することができる。

さらに、実施の形態１では、青色光を出力する第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃと、青色光を緑色光に変換する蛍光体および青色光を赤色光に変換する蛍光体とを用いて、白色光を出力する例について説明を行ったが、これに限られるものではない。すなわち、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃの発光色については適宜選定して差し支えなく、また、蛍光体についても適宜選定して差し支えない。

では次に、本発明の実施例について説明を行う。
図６は、実施例および比較例に用いた各試料とその構成との関係を示す図である。
ここでは、上面における縦横の大きさが５．０ｍｍ×５．５ｍｍに設定された樹脂容器６１を用いた。ここで、樹脂容器６１を構成する白色樹脂の光吸収率は７％である。なお、使用した発光装置６０は、図３に示した構造を有しており、各々３個の半導体発光素子すなわち第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂおよび第３半導体発光素子６４ｃが搭載されている。

また、ここでは、上述した樹脂容器６１に対し、光沢度の異なる銀メッキを施した７種類のリードフレームを組み合わせた。なお、銀メッキ層の光沢度は、リードフレーム表面凹凸の形成に対応している。ここで、光沢度が０．１であるリードフレームを有する発光装置６０を、試料Ｓ１と呼ぶ。また、光沢度が０．３であるリードフレームを有する発光装置６０を、試料Ｓ２と呼ぶ。さらに、光沢度が０．５であるリードフレームを有する発光装置６０を、試料Ｓ３と呼ぶ。さらにまた、光沢度が０．６であるリードフレームを有する発光装置６０を、試料Ｓ４と呼ぶ。また、光沢度が０．７であるリードフレームを有する発光装置６０を、試料Ｓ５と呼ぶ。さらに、光沢度が１．０であるリードフレームを有する発光装置６０を、試料Ｓ６と呼ぶ。そして、光沢度が１．３であるリードフレームを有する発光装置６０を、試料Ｓ７と呼ぶ。なお、この例では、試料Ｓ２〜Ｓ６が本発明の実施例となり、試料Ｓ１およびＳ７が、本発明の比較例となる。

ここで、試料Ｓ１では、リードフレームの銀メッキ層が光沢のない所謂無光沢白色の状態となっており、きわめてランバーシアン反射に近い特性を示している。また、試料Ｓ２〜Ｓ６では、リードフレームの銀メッキ層が半光沢の状態となっており、部分的なランバーシアン反射特性を示している。これに対し、試料Ｓ７では、リードフレームの銀メッキ層が非常に光沢の高い所謂全光沢の状態となっており、きわめて完全鏡面反射に近い特性を示している。

では、各試料Ｓ１〜Ｓ７の作成手順について簡単に説明する。
上述した形状の樹脂容器６１を有する試料Ｓ１〜Ｓ７は、１枚のリードフレームに対し、白色樹脂にて４０個の樹脂容器６１を形成して作成した。なお、試料Ｓ１〜Ｓ７のそれぞれにおいて、樹脂容器６１の凹部６１ａの深さはすべて０．６ｍｍである。

そして、各樹脂容器６１に対し、第１半導体発光素子６４ａ、第２半導体発光素子６４ｂ、第３半導体発光素子６４ｃのそれぞれを、ダイアタッチペーストを用いてダイボンドを行い、１５０℃で２時間加熱してダイアタッチペーストを硬化させたのち、直径２５μｍの田中貴金属製４Ｎの金線を用いてそれぞれワイヤボンドを行った。

また、注入時の粘度が９０００ｃＰで密度が１．７ｇ／ｃｍ³のシリコン樹脂からなる未硬化の透明樹脂６５ｂに、密度４．５ｇ／ｃｍ³で励起波長４５０ｎｍ、発光波長５３０ｎｍで質量平均粒径１２μｍのシリケート蛍光体と、密度４．２ｇ／ｃｍ³で励起波長４６０ｎｍ、発光波長６４０ｎｍで質量平均粒径９μｍの窒化物蛍光体とを含む蛍光体粉体６５ａを練り込んだ混合樹脂ペーストＲを準備した。ここでは、透明樹脂６５ｂに対する蛍光体粉体６５ａの混入量を、緑色蛍光体を５．８質量％、赤色蛍光体を２．１質量％として一定とした。

そして、このようにして得られた混合樹脂ペーストＲを、自動樹脂注入器の吐出ノズルＮを用いて、樹脂容器６１の凹部６１ａにそれぞれ６．８μＬずつ注入した。この例では、上述したように、１つのリードフレームに４０個の樹脂容器６１が設けられている。そこで、４００枚のリードフレームを用意して、合計で１６０００個の発光装置６０を試作した。なお、１つの樹脂容器６１に対して混合樹脂ペーストＲを注入するのに、１．５秒程度の時間を要した。

得られた各試料Ｓ１〜Ｓ７（発光装置６０）について、上述したレーザ変位計で出射面６５ｃの上面の形状を測定した。スタートする前にダミーを流し、１０個の凹み量ｄの平均値（平均凹み量）が−６０μｍ±１０μｍになるように注入量を微調整した。一つのリードフレームの平均凹み量が２０μｍ以上ずれてきたら注入圧力を変え、−６０μｍ±１０μｍに入るように調節した。１つのリードフレーム内のばらつきはσ＝約１１μｍであった。
ここで、混合樹脂ペーストＲの注入量が小さいほどそのばらつきは大きくなるが、１つのリードフレームで平均化すると凹み量ｄの動きは、時間経過とともにほぼ同じように動いた。その結果どの樹脂容器６１を用いても、すべて凹み量ｄを−２０μｍ〜−１００μｍに入れることができた。混合樹脂ペーストＲの注入後、１５０℃で４時間熱を加え、硬化処理を行った。

そして、得られた各発光装置６０に対し、Ｌａｂｓｐｈｅｒｅ社製積分球を用いて出力Ｐ（ｍＷ）、全光束Φ（ｌｍ）、発光効率Ｅ（ｌｍ／Ｗ）、色度（ｘ，ｙ）の測定を行った。このとき、通電電流Ｉは２０ｍＡとした。これらの測定結果は、各試料Ｓ１〜Ｓ７をそれぞれ構成する２０個の発光装置６０の平均値とした。なお、色度（ｘ，ｙ）は、ＣＩＥのＹｘｙ（ＸＹＺ）表色系におけるｘ値とｙ値とで表される。

また、分光放射輝度計（コニカミノルタ ＣＳ１０００Ｓ）を用いて、各試料Ｓ１〜Ｓ７から出力される光の色度の方位依存性（色度のばらつき）を測定した。この測定は、以下の手順にしたがった。発光装置６０の発光面（出射面６５ｃ）に対して垂直な方向については、発光面の中心に垂線を立てたとし、この垂線を含む一つの面内で、垂線に対して０度から１８０度の範囲で測定を行った。一方、発光面に対して平行な方向については、上記垂線から６０度傾いたところで、発光面に平行な面内で３６０度回転させて測定を行った。色度のばらつき度合いは、出射面６５ｃに対し垂直な方向および平行な方向における、ｘ値、ｙ値それぞれの最大最小差すなわちｘΔmax-minおよびｙΔmax-minで示される。また各試料Ｓ１〜Ｓ７において、それぞれ１０００個の発光装置６０について出射面６５ｃの正面から測定を行い、ｘとｙとの標準偏差である色度のばらつきを評価した。ここで、前者は、単一の発光装置６０における、方位による色度の変化を定量化することを目的とするものであり、後者は、複数の発光装置６０における、色度のばらつきを定量化することを目的とするものである。

図７は、実施例および比較例で用いた各試料と得られた特性との関係を示す図である。より具体的に説明すると、図７は、各試料Ｓ１〜Ｓ７と、各試料Ｓ１〜Ｓ７に対する通電電流Ｉ（ｍＡ）、各試料Ｓ１〜Ｓ７に対する印加電圧Ｖ（Ｖ）、各試料Ｓ１〜Ｓ７からの光の出力Ｐ（ｍＷ）、各試料Ｓ１〜Ｓ７が出力する全光束Φ（ｌｍ）、各試料Ｓ１〜Ｓ７の発光効率Ｅ（ｌｍ／Ｗ）、各試料Ｓ１〜Ｓ７の発光色の色度（ｘ，ｙ）、各試料Ｓ１〜Ｓ７の色度ｙのばらつきσ、各試料Ｓ１〜Ｓ７の垂直方向の色度のばらつき具合に対応するｘΔmax-minおよびｙΔmax-min、そして各試料Ｓ１〜Ｓ７の平行方向の色度のばらつき具合に対応するｘΔmax-minおよびｙΔmax-min、との関係を示している。

そして、図８は、図６および図７に示す関係から、各試料Ｓ１〜Ｓ７の光沢度と発光効率Ｅとの関係を示すグラフ図である。
図８から明らかなように、リードフレームがほぼ無光沢となる光沢度＝０．１およびリードフレームがほぼ鏡面光沢となる光沢度＝１．３と比較して、リードフレームが半光沢となる光沢度＝０．３〜１．０の範囲において、より高い発光効率Ｅが得られることがわかる。また、特に光沢度＝０．５〜０．７の範囲において、より高い発光効率Ｅが得られることがわかる。これは、例えばリードフレームの光沢度が０．１の場合には、そのときのリードフレームの光吸収率が１２％まで増加しているために、リードフレームによる光吸収の影響が大きくなるためである。一方、例えばリードフレームの光沢度が１．３の場合には、リードフレームの反射特性が鏡面反射に近づいているために、リードフレームで反射した光が出射面６５ｃから抜け出るまでの反射回数が増大し、リードフレームや白色樹脂による光吸収の影響が大きくなるためである。したがって、リードフレームの光沢度を０．３〜１．０の範囲、より好ましくは０．５〜０．７の範囲より選択すればよいことが理解される。

また、図９は、図６および図７に示す関係から、各試料Ｓ１〜Ｓ７の光沢度と、出射面６５ｃに対し垂直な方向におけるｘ値、ｙ値それぞれの最大最小差ｘΔmax-minおよびｙΔmax-minとの関係を示すグラフ図である。なお、図９では、例えばｘ値の最大最小差ｘΔmax-minを、（ｘ）として示し、ｙ値の最大最小差ｙΔmax-minを（ｙ）として示している。

図９より明らかなように、リードフレームがほぼ鏡面光沢となる光沢度＝１．３と比較して、光沢度＝０．１〜１．０の範囲において、各発光装置６０の出射面６５ｃ上において、垂直方向のｘ値、ｙ値のばらつきが小さくなること、換言すれば、各発光装置６０から出射される光の色むらが抑制されることがわかる。

一方、図１０は、図６および図７に示す関係から、各試料Ｓ１〜Ｓ７の光沢度と、出射面６５ｃに対し平行な方向におけるｘ値、ｙ値それぞれの最大最小差ｘΔmax-minおよびｙΔmax-minとの関係を示すグラフ図である。なお、図１０では、図９と同様に、例えばｘ値の最大最小差ｘΔmax-minを、（ｘ）として示し、ｙ値の最大最小差ｙΔmax-minを（ｙ）として示している。

図１０から明らかなように、リードフレームがほぼ鏡面光沢となる光沢度＝１．３と比較して、光沢度＝０．１〜１．０の範囲において、各発光装置６０の出射面６５ｃ上において、平行方向のｘ値、ｙ値のばらつきが小さくなること、換言すれば、各発光装置６０から出射される光の色むらが抑制されることがわかる。ただし、図８に示したように、リードフレームがほぼ無光沢となる光沢度＝０．１の場合には、リードフレームが半光沢となる光沢度＝０．３〜１．０の場合よりも、発光効率Ｅが低くなる。したがって、リードフレームの光沢度を０．３〜１．０の範囲、より好ましくは０．５〜０．７の範囲より選択すればよいことが理解される。

さらに、図１１は、図６および図７に示す関係から、各試料Ｓ１〜Ｓ７の光沢度と、発光装置６０間の色度ｙのばらつきとの関係を示すグラフ図である。なお、ここでは、各試料Ｓ１〜Ｓ７をそれぞれ２０個ずつ用意し、各試料Ｓ１〜Ｓ７を構成するそれぞれ２０個の発光装置６０から出力される光の色度ｙのばらつきを、σで評価している。

図１１から明らかなように、リードフレームがほぼ鏡面光沢となる光沢度＝１．３と比較して、光沢度＝０．１〜１．０の範囲において、より色度ｙのばらつきσが小さくなること、換言すれば、発光装置６０間での色むらが抑制されることがわかる。ただし、図８にも示したように、リードフレームがほぼ無光沢となる光沢度＝０．１の場合には、リードフレームが半光沢となる光沢度＝０．３〜１．０の場合よりも、発光効率Ｅが低くなる。したがって、リードフレームの光沢度を０．３〜１．０の範囲、より好ましくは０．５〜０．７の範囲より選択すればよいことが理解される。

液晶表示装置の全体構成を示す図である。 バックライト装置の構造を説明するための図である。 実施の形態１の発光装置の構成を説明するための図である。 発光装置の製造方法を説明するための図である。 実施の形態２の発光装置の構成を説明するための図である。 実施例および比較例で用いた各試料とその構成との関係を示す図である。 実施例および比較例で用いた各試料と得られた特性との関係を示す図である。 各試料の光沢度と発光効率との関係を示すグラフ図である。 各試料の光沢度と、出射面に対し垂直な方向におけるｘ値、ｙ値それぞれの最大最小差との関係を示すグラフ図である。 各試料の光沢度と、出射面に対し平行な方向におけるｘ値、ｙ値それぞれの最大最小差との関係を示すグラフ図である。 各試料の光沢度と、発光装置間の色度ｙのばらつきとの関係を示すグラフ図である。

符号の説明

１０…バックライト装置、１２…発光モジュール、５０…液晶表示モジュール、５１…液晶パネル、６０…発光装置、６１…樹脂容器、６１ａ…凹部、６１ｂ…上面、６２ａ…第１アノード用リード部、６２ｂ…第２アノード用リード部、６２ｃ…第３アノード用リード部、６３…カソード用リード部、６４ａ…第１半導体発光素子、６４ｂ…第２半導体発光素子、６４ｃ…第３半導体発光素子、６５…封止樹脂、６５ａ…蛍光体粉体、６５ｂ…透明樹脂、６５ｃ…出射面、７０…底面、８０…壁面

Claims (17)

1. 底面と、当該底面の周縁から立ち上がる壁面とを含む凹部を備えた樹脂容器と、
   金属導体と、当該金属導体の表面に形成された０．３以上且つ１．０以下の光沢度を有する銀メッキ層とを有し、前記樹脂容器の前記凹部の前記底面に露出した状態で配置される導体部と、
   前記凹部の前記底面において、当該底面の中心位置とは異なる位置に取り付けられ、前記導体部と電気的に接続される発光素子と、
   前記発光素子の発光波長に対して透明な透明樹脂と、当該透明樹脂に分散され当該発光素子の発光波長をより長波長の光に変換する蛍光体とを含み、前記凹部において当該発光素子を封止する封止樹脂と
   を含む発光装置。
2. 前記導体部は、前記０．３以上且つ１．０以下の光沢度を有する銀メッキ層によって得られるランバーシアン型の反射特性によって前記発光素子からの光を反射させることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
3. 前記樹脂容器が、白色顔料を用いて白色化されていることを特徴とする請求項１または２記載の発光装置。
4. 前記導体部における前記銀メッキ層の光沢度が、０．５以上且つ０．７以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載の発光装置。
5. 前記発光素子は青色光を出力し、
   前記蛍光体は、前記青色光を緑色光に変換して出力する第１の蛍光体と、当該青色光を赤色光に変換して出力する第２の蛍光体とを含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項記載の発光装置。
6. 前記透明樹脂が、シリコン樹脂にて構成されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項記載の発光装置。
7. 前記封止樹脂は、前記発光素子から出力される光を外部に出射する出射面を有し、
   前記出射面は、前記樹脂容器との境界部側から中央部側に向けて凹む凹状の形状を有し、当該出射面の凹み量が、２０μｍ以上且つ１００μｍ以下の範囲に設定されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項記載の発光装置。
8. 凹部を有する樹脂容器と、
   金属導体と、当該金属導体の表面に形成された０．３以上且つ１．０以下の光沢度を有する銀メッキ層とを有し、前記樹脂容器の前記凹部の内側に露出した状態で形成される導体部と、
   前記凹部の内側に設けられ、前記導体部と電気的に接続される複数の発光素子と、
   前記複数の発光素子の発光波長に対して透明な透明樹脂と、当該透明樹脂に分散され当該発光素子の発光波長をより長波長の光に変換する蛍光体とを含み、前記凹部において当該複数の発光素子を封止する封止樹脂と
   を含む発光装置。
9. 前記導体部は、前記０．３以上且つ１．０以下の光沢度を有する銀メッキ層によって得られるランバーシアン型の反射特性によって前記発光素子からの光を反射させることを特徴とする請求項８記載の発光装置。
10. 前記樹脂容器は、チタニア微粒子を含む樹脂にて構成されることを特徴とする請求項８または９記載の発光装置。
11. 前記導体部における前記銀メッキ層の光沢度が、０．５以上且つ０．７以下であることを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか１項記載の発光装置。
12. 可視領域における前記樹脂容器および前記導体部の前記銀メッキ層の光反射率が８５％以上９８％以下であることを特徴とする請求項８ないし１１のいずれか１項記載の発光装置。
13. 前記凹部の底面に露出する前記導体部の面積が、当該底面の全面積の半分以上に設定されることを特徴とする請求項８ないし１２のいずれか１項記載の発光装置。
14. 基板と、
    前記基板に取り付けられる複数の発光装置とを備え、
    前記発光装置は、
    底面と、当該底面の周縁から立ち上がる壁面とを含む凹部を備えた樹脂容器と、
    金属導体と、当該金属導体の表面に形成された０．３以上且つ１．０以下の光沢度を有する銀メッキ層とを有し、前記樹脂容器の前記凹部の前記底面に露出した状態で配置される導体部と、
    前記凹部の前記底面において、当該底面の中心位置とは異なる位置に取り付けられ、前記導体部と電気的に接続される発光素子と、
    前記発光素子の発光波長に対して透明な透明樹脂と、当該透明樹脂に分散され当該発光素子の発光波長をより長波長の光に変換する蛍光体とを含み、前記凹部において当該発光素子を封止する封止樹脂と
    を有することを特徴とする発光モジュール。
15. 前記発光装置の前記導体部は、前記０．３以上且つ１．０以下の光沢度を有する銀メッキ層によって得られるランバーシアン型の反射特性によって前記発光素子からの光を反射させることを特徴とする請求項１４記載の発光モジュール。
16. 前記発光装置の前記樹脂容器が、白色顔料を用いて白色化されていることを特徴とする請求項１４または１５記載の発光モジュール。
17. 前記発光装置の前記導体部における前記銀メッキ層の光沢度が、０．５以上且つ０．７以下であることを特徴とする請求項１４ないし１６のいずれか１項記載の発光モジュール。

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