JP2010066946A - メモリシステム、メモリ装置、メモリアクセス方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メモリセルアレイ100を有する第1メモリ装置10に、第1メモリ装置10を活性化するための第1制御信号CS1、メモリセルアレイ100にアクセスするためのコマンド信号CMD、アドレス信号ADD、及びデータ信号DATを入力する。第1メモリ装置10は、メモリセルアレイ100がビジー状態であるか否かを検知する状態検知部17、ビジー状態のときにコマンド信号CMDを一時記憶する第1バッファ14、ビジー状態のときにアドレス信号ADDを一時記憶する第2バッファ15、及びビジー状態のときにデータ信号DATを一時記憶する第1バッファ16を備える。第1〜第3バッファ14〜16により、ビジー状態であっても第1メモリ装置10に必要なデータを入力可能になる。
【選択図】図2
Description
また、メモリ装置がコマンドに優先順位を付ける機能を備える場合には、メモリ装置は、複数のコマンドが入力されると、これらのコマンドの優先順位に応じて処理を実行する。これによりメモリセルアレイがビジー状態であっても、メモリコントローラからのアクセスが許容される。
また、例えば、前記メモリコントローラが、前記1以上のメモリ装置のすべてに前記制御信号を、順次、複数回入力するものであってもよい。このような構成では、メモリコントローラは制御信号を再度入力するためにメモリ装置側からビジーコードを受け取る必要がなくなる。
このような構成では、ビジー状態のときには第1スイッチによりアクセス信号がバッファに入力され、ビジー状態が解除されると第2スイッチによりアクセス信号がメモリセルアレイ又は状態検知部に入力される。
本実施形態のメモリシステム1は、第1〜第4メモリ装置10〜40と、第1〜第4メモリ装置10〜40にアクセスするためのメモリコントローラ50とを備えている。第1〜第4メモリ装置10〜40は、それぞれデータが記憶されるメモリセルアレイを備えている。この実施形態のメモリシステム1は、メモリ装置を4つ備えた構成であるが、更に多くのメモリ装置を備えていてもよく、また、4つ未満の構成であってもよい。
活性化後に、メモリコントローラ50から、アクセスが書き込みと読み出しとのいずれであるかを表すコマンド信号CMD及びアクセス先のアドレスを表すアドレス信号ADDが、第1〜第4メモリ装置10〜40のうち活性化されたものに入力される。また、メモリコントローラ50と第1〜第4メモリ装置10〜40のうち活性化されたものとの間で、書き込みに用いるデータ或いは読み出されたデータを表すデータ信号DATが送受信される。
第1〜第4メモリ装置10〜40はそれぞれバッファを備えており、メモリセルアレイがビジー状態のときに、コマンド信号CMD、アドレス信号ADD、及びデータ信号DATを一時記憶可能になっている。
第1メモリ装置10は、コマンド信号CMDが入力されるコマンドデコーダ11と、アドレス信号ADDが入力されるアドレスデコーダ12と、データ信号DATを一時記憶するI/Oバッファ13と、第1〜第3バッファ14〜16と、状態検知部17と、状態レジスタ18と、ビジーコード生成部19と、メモリセルアレイ100と、第1〜第7スイッチSW1〜SW7と、を備えている。各構成要素は、メモリコントローラ50から入力されるクロック信号CLKにより動作する。
アドレスデコーダ12は、メモリコントローラ50から入力されるアドレス信号ADDをデコードする。アドレス信号ADDは、データが書き込まれるアドレス或いはデータが読み出されるアドレスを表している。
I/Oバッファ13は、コマンド信号CMDがデータの書き込みを指示するときには、メモリセルアレイ100に書き込まれるデータを一時記憶し、コマンドCMDがデータの読み出しを指示するときには、メモリセルアレイ100から読み出されたデータを一時記憶する。I/Oバッファ13に一時記憶されるデータは、メモリセルアレイ100に書き込まれるもの、メモリセルアレイ100から読み出されたもの、いずれもデータ信号DATと記載する。
第2バッファ15は、アドレスデコーダ12でデコードされたアドレス信号ADDを一時記憶するためのバッファである。
第3バッファ16は、I/Oバッファとメモリセルアレイ100との間で送受信されるデータ信号DATを一時記憶するためのバッファである。
第1〜第3バッファ14〜16は、前述のメモリセルアレイ100が既にアクセスされてビジー状態にあるときに、それぞれ信号を一時記憶するためのバッファの一例である。コマンド信号CMD、アドレス信号ADD、及びメモリセルアレイ100に書き込まれるデータ信号DATは、本発明のアクセス信号の一例である。
ビジーコード生成部19は、状態レジスタ18からビジーコード生成信号BSGが入力されると、メモリコントローラ50にメモリセルアレイ100がビジー状態であることを通知するためのビジーコードBCを出力する。つまり、ビジーコード生成部19は、メモリセルアレイ100がビジー状態にあると、ビジーコードBCを出力する。
第2スイッチSW2は、ビジー信号BUSYが入力されるとアドレスデコーダ12と第2バッファ15との間の経路を接続状態にし、ビジー信号BUSYが入力されないとアドレスデコーダ12と第5スイッチSW5との間の経路を接続状態にする。
第3スイッチSW3は、第1メモリ装置10が書き込みモードのときにビジー信号BUSYが入力されるとI/Oバッファ13と第3バッファ16との間の経路を接続状態にし、第1メモリ装置10が読み出しモード或いは書き込みモードであってもビジー信号BUSYが入力されないときにI/Oバッファ13と第6、第7スイッチSW6、SW7との間の経路を接続状態にする。
第4スイッチSW4は、レディ信号READYが入力されると第1バッファ14と状態検知部17との間の経路を接続状態にし、レディ信号READYが入力されないと第1スイッチSW1と状態検知部17との間の経路を接続状態にする。
第5スイッチSW5は、レディ信号READYが入力されると第2バッファ15とメモリセルアレイ100との間の経路を接続状態にし、レディ信号READYが入力されないと第2スイッチSW2とメモリセルアレイ100との間の経路を接続状態にする。
第6スイッチSW6は、第1メモリ装置10が書き込みモードのときにレディ信号READYが入力されると第3バッファ16とメモリセルアレイ100との間の経路を接続状態にし、第1メモリ装置10が読み出しモード或いは書き込みモードであってもレディ信号READYが入力されないときにメモリセルアレイ100と第3スイッチSW3との間の経路を接続状態にする。
第7スイッチSW7は、第1メモリ装置10が読み出しモードのときにビジー信号BUSYが入力されるとビジーコード生成部19と第3スイッチSW3との間の経路を接続状態にし、第1メモリ装置10が読み出しモード或いは書き込みモードであってもビジー信号BUSYが入力されないときにメモリセルアレイ100と第3スイッチSW3との間の経路を接続状態にする。
デコードされたコマンド信号CMDにより、第1メモリ装置10は書き込みモードになる。その後、第1メモリ装置10は、メモリセルアレイ100の、アドレスデコーダ12でデコードされたアドレス信号ADDが表すアドレスに、メモリコントローラ50から入力されてI/Oバッファ13で一時記憶されるデータ信号ADDが書き込む。
デコードされたコマンド信号CMDにより、第1メモリ装置10は読み出しモードになる。その後、第1メモリ装置10は、メモリセルアレイ100の、アドレスデコーダ12でデコードされたアドレス信号ADDが表すアドレスからデータを読み出す。読み出されたデータは、メモリセルアレイ100からI/Oバッファ13に一時記憶された後に、メモリコントローラ50に出力される。
書き込みモード及び読み出しモードのいずれも、メモリセルアレイ100がビジー状態にあるときには、第1バッファ14にコマンド信号CMDが一時記憶され、第2バッファ15には、アドレス信号ADDが一時記憶される。第3バッファ16には、書き込みモードで且つメモリセルアレイ100がビジー状態にあるときに、データ信号DATが一時記憶される。第3バッファ16には。メモリセルアレイ100がビジー状態であっても、読み出しモードであれば、何も記憶されない。
図4は、メモリシステム1の具体的な動作を説明するためのタイミングチャートである。図4は、メモリコントローラ50が第1〜第4メモリ装置10〜40にバーストアクセスを行う場合のタイミングチャートである。
メモリコントローラ50から、クロック信号CLKが第1〜第4メモリ装置10〜40に入力されており、第1〜第4メモリ装置10〜40は、クロック信号CLKに同期して動作する。第1〜第4制御信号CS1〜CS4は、異なるタイミングで入力されており第1〜第4メモリ装置10〜40が、同じタイミングで活性化されることはない。
第1〜第4メモリ装置10〜40には、第1〜第4制御信号CS1〜CS4が論理「0」のときに、コマンド信号CMDが入力される。例えば、第1メモリ装置10には、第1制御信号CS1が論理「0」のときに、読み出しを指示するコマンド信号CMDである「RD1」又は書き込みを指示するコマンド信号CMDである「WT1」が入力される。図示はしていないが、第1〜第4メモリ装置10〜40には、コマンド信号CMDと同時にアドレス信号ADDが入力される。第1〜第4メモリ装置10〜40には、コマンド信号CMDが書き込みを指示するときには、コマンド信号CMDと同時にデータ信号DATが入力される。例えば、第1メモリ装置には、書き込みを指示するコマンド信号CMDである「WT1」と同時に、データ信号DATとして、メモリセルアレイ100に書き込まれる「WT1-1」及び「WT1-2」が入力される。
第1〜第4メモリ装置10〜40の各メモリセルアレイ100がレディ状態にあるときに、読み出しモードでは、通常の読み出し動作が行われる。その結果、第1〜第4メモリ装置10〜40から読み出されたデータ信号DATが、メモリコントローラ50に順次送られる。図4では、第1メモリ装置10から読み出されたデータ信号DATとして「RD1-1」及び「RD1-2」がメモリコントローラ50に送られ、その後、第2メモリ装置20から読み出されたデータ信号DATとして「RD2-1」及び「RD2-2」、第3メモリ装置30から読み出されたデータ信号DATとして「RD3-1」及び「RD3-2」、第4メモリ装置40から読み出されたデータ信号DATとして「RD4-1」及び「RD4-2」の順に、メモリコントローラ50に送られる。
第1メモリ装置10のメモリセルアレイ100がビジー状態にあり、第2〜第4メモリ装置20〜40のメモリセルアレイ100がレディ状態にあるときに、読み出しモードでは、以下のような読み出し動作が行われる。
第1メモリ装置10は、メモリセルアレイ100がビジー状態にあるために、コマンド信号CMDである「RD1」の入力を受けて、I/Oバッファ13からビジーコードBCを出力する。ビジーコードは、データ信号DATとしてメモリコントローラ50に送られる。その後、第2メモリ装置20から読み出されたデータ信号DATとして「RD2-1」及び「RD2-2」、第3メモリ装置30から読み出されたデータ信号DATとして「RD3-1」及び「RD3-2」、第4メモリ装置40から読み出されたデータ信号DATとして「RD4-1」及び「RD4-2」の順に、メモリコントローラ50に送られる。
なお、メモリコントローラ50は、第1〜第4制御信号CS1〜CS4を、例えば第1制御信号CS1から順に第4制御信号CS4まで出力した後に、再び第1制御信号CS1から順に出力してもよい。このようにすると、メモリコントローラ50は、第1〜第4制御信号CS1〜CS4を、順次、所定回数(例えば2回)出力すればよく、ビジーコードBCによりどのメモリ装置がビジー状態にあるかを把握しておく必要はない。
メモリコントローラ50は、第1〜第4メモリ装置10〜40から、データ信号を「RD2-1」、「RD2-2」、「RD3-1」、「RD3-2」、「RD4-1」、「RD4-2」、「RD1-1」、「RD1-2」の順に取得するが、メモリコントローラ50からメモリシステム1の外部に出力するときには、順序をただして、「RD1-1」、「RD1-2」、「RD2-1」、「RD2-2」、「RD3-1」、「RD3-2」、「RD4-1」、「RD4-2」の順に出力する。
第1〜第4メモリ装置10〜40の各メモリセルアレイ100がレディ状態にあるときに、書き込みモードでは、通常の書き込み動作が行われる。その結果、第1メモリ装置10のメモリセルアレイ100には、「WT1-1」及び「WT1-2」が書き込まれ、その後、第2メモリ装置20のメモリセルアレイ100には「WT2-1」及び「WT2-2」、第3メモリ装置30のメモリセルアレイ100には「WT3-1」及び「WT3-2」、第4メモリ装置40のメモリセルアレイ100には「WT4-1」及び「WT4-2」が、順に書き込まれる。
第1メモリ装置10のメモリセルアレイ100がビジー状態にあり、第2〜第4メモリ装置20〜40のメモリセルアレイ100がレディ状態にあるときに、書き込みモードでは、以下のような読み出し動作が行われる。
第1メモリ装置10は、メモリセルアレイ100がビジー状態にあるために、コマンド信号CMDである「WT1」、アドレス信号ADD、及びデータ信号ADDである「WT1-1」及び「WT1-2」を、それぞれ第1バッファ14、第2バッファ15、及び第3バッファ16に一時記憶する。
ビジー状態の第1メモリ装置10があっても、他の第2〜第4メモリ装置20〜40には無関係に書き込み動作がなされる。そのために、ビジー状態であっても、書き込み速度が遅くなることはない。
図5は、メモリシステム1の具体的な動作を説明するための他のタイミングチャートである。図5も図4と同様に、メモリコントローラ50が第1〜第4メモリ装置10〜40にバーストアクセスを行う場合のタイミングチャートである。
メモリコントローラ50と第1〜第4メモリ装置10〜40との間で送受信される信号については、図4のタイミングチャートと同じであるので説明を省略する。
第1メモリ装置10は、ビジー状態で第1制信号CS1が入力されると、ハイインピーダンスから論理「1」に変位し、その後、1クロック分論理「0」に変位してハイインピーダンスに戻る。論理「1」に変位後、ハイインピーダンスに戻るまでは、略2クロックである。
Claims (8)
- 書き込みモードのときにデータの書き込み可能であるとともに読み出しモードのときにデータを読み出し可能であるメモリセルアレイを各々が有しており、前記メモリセルアレイに書き込み或いは読み出しが行われているときに当該メモリセルアレイがビジー状態になる1以上のメモリ装置と、
前記メモリ装置に、前記メモリ装置を活性化するための制御信号、及び前記メモリセルアレイにデータを書き込むために用いられる信号或いは前記メモリセルアレイからデータを読み出すための信号であるアクセス信号を入力可能なメモリコントローラと、を備えており、
前記メモリ装置は、
前記メモリセルアレイがビジー状態であるか否かを検知する状態検知部と、
読み出しモードのときに、前記状態検知部がビジー状態を検知すると前記アクセス信号を一時記憶して、前記状態検知部がビジー状態の解除を検知するとビジー状態の解除を検知した後に入力される制御信号を契機に一時記憶する当該アクセス信号を出力するとともに、書き込みモードのときに、前記状態検知部がビジー状態を検知すると前記アクセス信号を一時記憶して、前記状態検知部がビジー状態の解除を検知すると当該アクセス信号を出力するバッファと、を備える、
メモリシステム。 - 前記メモリ装置は、読み出しモードのときに前記状態検知部がビジー状態を検知すると、前記メモリコントローラに前記メモリセルアレイがビジー状態であることを表すビジーコードを出力するビジーコード生成部を備えており、
前記メモリコントローラは、前記ビジーコードが入力されると、前記1以上のメモリ装置のすべてに前記制御信号を順次入力した後に、前記ビジーコードを出力したメモリ装置に対して再度前記制御信号を入力する、
請求項1記載のメモリシステム。 - 前記メモリコントローラは、前記1以上のメモリ装置のすべてに前記制御信号を、順次、複数回入力する、
請求項1記載のメモリシステム。 - 書き込みモードのときにデータの書き込み可能であるとともに読み出しモードのときにデータを読み出し可能であり、書き込み或いは読み出しが行われているときにビジー状態になるメモリセルアレイを備えるメモリ装置であって、
前記メモリセルアレイがビジー状態であるか否かを検知する状態検知部と、
読み出しモードのときに、前記状態検知部がビジー状態を検知すると、前記メモリセルアレイにデータを書き込むために用いられる信号或いは前記メモリセルアレイからデータを読み出すための信号であるアクセス信号を一時記憶して、前記状態検知部がビジー状態の解除を検知するとビジー状態の解除を検知した後に、外部から入力される当該メモリ装置を活性化するための制御信号を契機に一時記憶する当該アクセス信号を出力するとともに、書き込みモードのときに、前記状態検知部がビジー状態を検知すると前記アクセス信号を一時記憶して、前記状態検知部がビジー状態の解除を検知すると当該アクセス信号を前記メモリセルアレイ又は前記状態検知部に入力するバッファと、を備える、
メモリ装置。 - 前記状態検知部によりビジー状態が検知されるとビジー信号を出力し、ビジー状態の解除が検出されるとレディ信号を出力する状態レジスタと、
前記ビジー信号が入力されると前記アクセス信号を前記バッファに入力するための経路を形成する第1スイッチと、
前記レディ信号が入力されると前記バッファに一時記憶された前記アクセス信号を前記メモリセルアレイ又は前記状態検知部に入力するための経路を形成する第2スイッチと、
を備えている、
請求項4記載のメモリ装置。 - 読み出しモードで且つ前記メモリセルアレイがビジー状態のときに、ビジーコードを生成するビジーコード生成部を備えている、
請求項4又は5記載のメモリ装置。 - 前記アクセス信号は、当該メモリ装置を書き込みモード或いは読み出しモードで動作させるためのコマンド信号、前記メモリセルアレイから読み出すデータのアドレス或いは前記メモリセルアレイに書き込むデータのアドレスを表すアドレス信号、及び書き込みモードのときに前記メモリセルアレイに書き込まれるデータであるデータ信号を含んでおり、
前記バッファは、
前記メモリセルアレイがビジー状態のときに、デコードされた前記コマンド信号を前記メモリセルアレイがレディ状態になるまで保持する第1バッファと、
前記メモリセルアレイがビジー状態のときに、デコードされた前記アドレス信号を前記メモリセルアレイがレディ状態になるまで保持する第2バッファと、
書き込みモードで前記メモリセルアレイがビジー状態のときに、前記データ信号を前記メモリセルアレイがレディ状態になるまで保持する第3バッファと、を含んでいる、
請求項4〜6のいずれか1項に記載のメモリ装置。 - 書き込みモードのときにデータの書き込み可能であるとともに読み出しモードのときにデータを読み出し可能であるメモリセルアレイ及びバッファを有しており、前記メモリセルアレイに書き込み或いは読み出しが行われているときに当該メモリセルアレイがビジー状態になるメモリ装置の前記メモリセルアレイにアクセスする方法であって、
読み出しモードのときにビジー状態を検知すると、前記メモリセルアレイにデータを書き込むために用いられる信号或いは前記メモリセルアレイからデータを読み出すための信号であるアクセス信号を前記バッファに記憶して、その後ビジー状態の解除を検知すると、外部から入力される当該メモリ装置を活性化するための制御信号を契機に前記バッファに記憶された当該アクセス信号を出力するとともに、書き込みモードのときにビジー状態を検知すると前記アクセス信号を前記バッファに記憶して、その後ビジー状態の解除を検知すると、前記バッファに記憶した前記アクセス信号を前記メモリセルアレイに入力する、
メモリアクセス方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10346087B2 (en) | 2016-08-16 | 2019-07-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for outputting internal state of memory apparatus and memory system using the apparatus |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09251375A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-09-22 | Fujitsu Ltd | バッファ・ビジー制御方式 |
JP2000105734A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-04-11 | Fujitsu Ltd | メモリ制御方法、メモリ装置及びコントローラ |
JP2001266579A (ja) * | 2000-01-12 | 2001-09-28 | Hitachi Ltd | 不揮発性半導体記憶装置および半導体ディスク装置 |
JP2002526882A (ja) * | 1998-10-01 | 2002-08-20 | モノリシック・システム・テクノロジー・インコーポレイテッド | 半導体メモリのリフレッシュの影響を全く受けないようにする読出し/書込みバッファ及びその動作方法 |
JP2008511904A (ja) * | 2004-08-27 | 2008-04-17 | マイクロン テクノロジー,インコーポレイテッド | 単方向データバスを有するメモリシステムおよび方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09251375A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-09-22 | Fujitsu Ltd | バッファ・ビジー制御方式 |
JP2000105734A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-04-11 | Fujitsu Ltd | メモリ制御方法、メモリ装置及びコントローラ |
JP2002526882A (ja) * | 1998-10-01 | 2002-08-20 | モノリシック・システム・テクノロジー・インコーポレイテッド | 半導体メモリのリフレッシュの影響を全く受けないようにする読出し/書込みバッファ及びその動作方法 |
JP2001266579A (ja) * | 2000-01-12 | 2001-09-28 | Hitachi Ltd | 不揮発性半導体記憶装置および半導体ディスク装置 |
JP2008511904A (ja) * | 2004-08-27 | 2008-04-17 | マイクロン テクノロジー,インコーポレイテッド | 単方向データバスを有するメモリシステムおよび方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10346087B2 (en) | 2016-08-16 | 2019-07-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for outputting internal state of memory apparatus and memory system using the apparatus |
US11003382B2 (en) | 2016-08-16 | 2021-05-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for outputting internal state of memory apparatus and memory system using the apparatus |
US11847339B2 (en) | 2016-08-16 | 2023-12-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for outputting internal state of memory apparatus and memory system using the apparatus |
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