JP2010056383A - 光学系及び露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】鏡筒によってミラーM1〜M6を支持する投影光学系POにおいて、その鏡筒は、温度変化による熱変形によって、ミラーM1〜M6のうちのミラーM1をZ方向に変位させる支持部材22と、温度変化による熱変形によって、ミラーM1のZ方向への変位が相殺されるようにミラーM1を変位させ、支持部材22とは線膨張係数の異なる部分鏡筒12Aとを含む。
【選択図】図4
Description
投影光学系として、屈折系、反射屈折系、及び反射系のいずれを用いる場合であっても、温度変化によって光学部材の光軸方向の位置や光軸に対して半径方向の位置がずれると結像性能(諸収差)が劣化する恐れがある。そのため、投影光学系の鏡筒は、インバー等の低線膨張係数の金属等を用いて製造されていた。さらに、投影光学系の結像特性を調整することも必要であり、そのための手段として、投影光学系を構成する少なくとも一部の光学部材の位置・姿勢を調整する調整機構が一般的に採用されている。この位置・姿勢の調整機構としては、例えば調整ストローク及び精度の異なる複数の機構を組み合わせた機構が知られている(例えば、特許文献1参照)。
また、本発明によるデバイス製造方法は、本発明の露光装置を用いて感光性基板を露光することと、その露光された感光性基板を処理することと、を含むものである。
図1には、本例の露光装置10の全体構成が概略的に示されている。この露光装置10では、後述するように、投影光学系POが使用されているので、以下では、投影光学系POの光軸に平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内で図1における紙面内左右方向にY軸を取り、紙面に直交する方向にX軸を取って説明する。露光装置10は、マスクとしてのレチクルRに形成された回路パターンの一部の像を投影光学系POを介して物体としてのウエハW上に投影しつつ、レチクルRとウエハWとを投影光学系POに対して1次元方向(ここではY方向)に相対走査することによって、レチクルRの回路パターンの全体をウエハW上の複数のショット領域の各々にステップ・アンド・スキャン方式で転写するものである。
前記レチクルステージRSTは、XY平面に沿って配置されたレチクルベース3上に配置され、駆動系4を構成する例えば磁気浮上型2次元リニアアクチュエータが発生する磁気浮上力によってレチクルベース3上に浮上支持されている。レチクルステージRSTは、駆動系4が発生する駆動力によってY方向に所定ストロークで駆動されるとともに、X方向及びθz方向(Z軸回りの回転方向)にも微小量駆動される。また、レチクルステージRSTは、駆動系4が複数箇所で発生する磁気浮上力の調整によってZ方向、X軸回りの回転方向(θx方向)、及びY軸回りの回転方向(θy方向)にも微小量だけ駆動可能である。
図3(A)は、その6枚のミラーM1〜M6を斜め上方から見た斜視図を示し、図3(B)は、その6枚のミラーM1〜M6を斜め下方から見た斜視図を示している。なお、図3(A)、(B)では、各ミラーの反射面に、ハッチングが付されている。これらの図から分かるように、ミラーM1〜M6は、それぞれ照明光ELを遮光しないような形状に加工されている。
この場合、スペーサ14A及び分割鏡筒12Aの平均的な線膨張係数をαp1、保持調整機構13Aの平均的な線膨張係数をαp2(>αp1)とすると、これらの正の線膨張係数αp1,αp2は、次のように設定されている。
LZ1・αp1=LZ2・αp2 …(2)
このとき、投影光学系POの温度がΔTだけ変動しても、基準面SPからミラーM1の裏面までの+Z方向への距離の変動量ΔZM1は、式(2)を用いて以下のように0になる。
即ち、スペーサ14A及び分割鏡筒12Aは、基準面SPを固定端として−Z方向に膨張し、また、保持調整機構13Aは、支持板25Aを固定端として+Z方向に膨張することになる。したがって、基準面SPに対するスペーサ14A及び分割鏡筒12Aの熱変形によるミラーM1の−Z方向への変位が、保持調整機構13Aの熱変形によるミラーM1の+Z方向への変位によって相殺されるため、ミラーM1の基準面SPに対する相対位置が変化しない。なお、式(2)の関係には或る程度(結像性能が許容範囲を超えて変動しない程度)の許容範囲がある。特に温度変化ΔTが小さい場合には、その許容範囲は広くなる。
また、光軸AXから離れて配置されたミラーM4に関しても、基準面SPから支持板25Bまでの+Z方向への距離をLZ3、支持板25BからミラーM4の裏面までの−Z方向への距離(リンク部材22Dの長さ)をLZ4(<LZ3)、ミラーM4の厚さ(一定とみなす)をMt4とすると、基準面SPからミラーM4の反射面までの+Z方向への距離ZM4は次のようになる。
この場合、スペーサ14B,14C及び分割鏡筒12C,12Dの平均的な線膨張係数をαp1、リンク部材22Dの線膨張係数をαp4(>αp1)とすると、これらの正の線膨張係数αp1,αp4は、次のように設定されている。
LZ3・αp1=LZ4・αp4 …(5)
このとき、投影光学系POの温度がΔTだけ変動しても、式(3)と同様の関係が成立するため、距離ZM4は変化しない。
RM4=LR1−LR2 …(6)
この場合、支持板25B及びリンク部材23Dの平均的な線膨張係数をαr1、リンク部材21Dの線膨張係数をαr2(>αr1)とすると、これらの正の線膨張係数αr1,αr2は、次のように設定されている。
このとき、投影光学系POの温度がΔTだけ変動しても、式(3)と同様の関係が成立するため、光軸AXからミラーM4までの半径方向の距離RM4は変化しない。
すなわち、リンク部材23Dは、光軸AXを中心に外側に膨張し、支持板25B及びリンク部材23Dは、光軸AXに向かって膨張することになる。
同様に、他のミラーM2,M3,M5に関しても、保持調整機構13B,13C,13Eの線膨張係数及び長さと、分割鏡筒12A〜12F等の線膨張係数及び長さとが式(1)及び式(2)と同様の関係を満たすように設定されている。従って、温度変化があっても、基準面SPからミラーM2,M3,M5までのZ方向の距離が変化しない。
次に、本発明の第2の実施形態につき図5を参照して説明する。図5において図4に対応する部分には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。本実施形態の投影光学系は、正の線膨張係数の部材と負の線膨張係数の部材とを組み合わせて用いる点で第1の実施形態の投影光学系とは異なっている。
そして、分割鏡筒12A2内の支持板25A2の底面にミラーM6が保持され、分割鏡筒12Hの上面にミラーM5が保持され、コラム14C内の支持板25C1上にミラーM3が保持されている。また、分割鏡筒12Dの+Y方向の開口の端部に、Y方向に延びる連結部材52を介してインナーリング21D1が固定され、インナーリング21D1の底面にミラーM4が保持され、分割鏡筒12Gの底面にミラーM2が保持されている。なお、ミラーM1〜M6にはそれぞれ位置調整機構(不図示)が設けられている。
ZM1=LZm1+LZp1+Mt1 …(11)
この場合、スペーサ51の負の線膨張係数を−αm1(αm1>0)、インナーリング21の正の線膨張係数をαp1(>0)とすると、線膨張係数αm1,αp1は、次のように設定されている。
このとき、投影光学系POの温度がΔTだけ変動しても、基準面SPからミラーM1の裏面までの+Z方向への距離の変動量ΔZM1は、式(12)を用いて以下のように0になる。
ΔZM1=(−LZm1・αm1+LZp1・αp1)ΔT=0 …(13)
即ち、スペーサ51の熱変形によるミラーM1のZ方向への変位が、インナーリング21の熱変形によるミラーM1のZ方向への変位によって相殺されるため、ミラーM1の基準面SPに対する相対位置が変化しない。なお、式(12)の関係にも或る程度の許容範囲がある。
この場合、スペーサ14C、分割鏡筒12C1の平均的な負の線膨張係数を−αm2(αm2>0)、分割鏡筒12C2,12Dの平均的な正の線膨張係数をαp2(>0)とすると、線膨張係数αm2,αp2は、次のように設定されている。
LZm2・αm2=LZp2・αp2 …(15)
このとき、投影光学系POの温度がΔTだけ変動しても、式(13)と同様の関係が成立するため、距離ZM4は変化しない。
RM4=LRp1+LRm1 …(16)
この場合、分割鏡筒12C及びインナーリング21D1の平均的な正の線膨張係数をαrp1、連結部材52の負の線膨張係数を−αrm1(αrm1>0)とすると、これらの線膨張係数αrp1,αrm1は、次のように設定されている。
このとき、投影光学系POの温度がΔTだけ変動しても、式(13)と同様の関係が成立するため、光軸AXからミラーM4の中心までの半径方向の距離RM4は変化しない。
同様に、他のミラーM2,M3,M5に関しても、分割鏡筒12A1〜12Hの線膨張係数及び長さと、スペーサ14A〜14Fの線膨張係数及び長さとが式(11)及び式(12)と同様の関係を満たすように設定されている。従って、温度変化があっても、基準面SPからミラーM2,M3,M5までのZ方向の距離が変化しない。
また、上記の実施形態の露光装置を用いて半導体デバイス等の電子デバイス(又はマイクロデバイス)を製造する場合、電子デバイスは、図6に示すように、電子デバイスの機能・性能設計を行うステップ221、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ222、デバイスの基材である基板(ウエハ)を製造してレジストを塗布するステップ223、前述した実施形態の露光装置(EUV露光装置)によりマスクのパターンを基板(感応基板)に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱(キュア)及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ224、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)225、並びに検査ステップ226等を経て製造される。
また、上記実施形態では、露光光源としてレーザ励起プラズマ光源を用いるものとしたが、これに限らず、SOR(Synchrotron Orbital Radiation)リング、ベータトロン光源、ディスチャージド光源、X線レーザなどのいずれを用いても良い。
Claims (14)
- 鏡筒によって複数の光学部材を支持する光学系において、
前記鏡筒は、
温度変化による熱変形によって、前記複数の光学部材のうちの第1光学部材を少なくとも第1方向に変位させる第1部材と、
温度変化による熱変形によって、前記第1光学部材の前記第1方向への変位が相殺されるように前記第1光学部材を変位させ、前記第1部材とは線膨張係数の異なる第2部材と、
を含むことを特徴とする光学系。 - 前記鏡筒は、鏡筒本体部と、該鏡筒本体部に対して前記複数の光学部材を支持する支持機構とを含むことを特徴とする請求項1に記載の光学系。
- 前記鏡筒は、前記第1部材としての正の線膨張係数の第1部分鏡筒と、前記第2部材としての負の線膨張係数の第2部分鏡筒とを含み、
前記第1方向は前記光学系の光軸に平行な方向であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光学系。 - 前記第1及び第2部分鏡筒の線膨張係数をそれぞれαp及び−αn、前記第1及び第2部分鏡筒の前記第1光学部材の変位に寄与する部分の光軸方向の長さをそれぞれLp及びLnとしたとき、実質的に
αp・Lp=αn・Ln
の関係を満たすことを特徴とする請求項3に記載の光学系。 - 前記鏡筒は、前記第1部材としての部分鏡筒を含み、
前記支持機構は、前記部分鏡筒と並列に配置されて前記第1光学部材を支持する前記第2部材としての支持部材を含むことを特徴とする請求項2に記載の光学系。 - 前記部分鏡筒及び支持部材の線膨張係数をそれぞれαp1及びαp2、前記部分鏡筒及び前記支持部材の前記第1光学部材の変位に寄与する部分の光軸方向の長さをそれぞれLp1及びLp2としたとき、実質的に
αp1・Lp1=αp2・Lp2
の関係を満たすことを特徴とする請求項5に記載の光学系。 - 前記支持部材は前記第1光学部材の周囲の3箇所に配置されることを特徴とする請求項5又は6に記載の光学系。
- 前記支持機構は、前記光学系の光軸に交差する第2方向に延びる第1交差部材と、前記第2方向に延びて前記第1の交差部材と前記複数の光学部材のうちの第2光学部材との間に配置される前記第1交差部材とは線膨張係数の異なる第2交差部材とを含み、
前記第1交差部材の熱変形による前記第2光学部材の前記第2方向の変位を相殺するように、前記第2交差部材の熱変形によって前記第2光学部材が前記第2方向に変位することを特徴とする請求項2及び請求項5から7のいずれか一項に記載の光学系。 - 前記光学系は、波長100nm以下のEUV光によって照明され、
前記複数の光学部材はそれぞれ反射部材であることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の光学系。 - 前記光学系は、第1面のパターンの像を第2面上に形成する投影光学系であることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の光学系。
- 前記光学系は、照明光でパターンを照明する照明光学系であることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の光学系。
- 露光光でパターンを照明し、前記露光光で前記パターン及び投影光学系を介して基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系として請求項10に記載の光学系を用いることを特徴とする露光装置。 - 露光光でパターンを照明し、前記露光光で前記パターン及び投影光学系を介して基板を露光する露光装置において、
請求項11に記載の光学系を用いて前記パターンを照明することを特徴とする露光装置。 - 請求項12又は13に記載の露光装置を用いて感光性基板を露光することと、
前記露光された感光性基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。
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