JP2007201342A

JP2007201342A - 光学部材保持装置、光学ユニット、及び露光装置

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Publication number: JP2007201342A
Application number: JP2006020575A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Nishikawa; 仁西川
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2006-01-30
Filing date: 2006-01-30
Publication date: 2007-08-09

Abstract

【課題】光学部材を広いストロークで、かつ高精度に調整する。
【解決手段】分割鏡筒１２Ａに対してミラーＭ１を移動可能に保持する投影光学系ＰＯであって、ミラーＭ１を保持するインナーリング２１と、分割鏡筒１２Ａの位置を広い範囲で大まかに調整するワッシャ１４Ａと、分割鏡筒１２Ａに対するインナーリング２１の位置を中程度のストロークで中程度の精度で調整するレバー方式調整機構２４と、分割鏡筒１２Ａに対するインナーリング２１の位置を狭いストロークで高精度に調整するパラレルリンク機構２２とを有する。
【選択図】図４

Description

本発明は、光学部材を移動可能に保持する光学部材保持装置、該光学部材保持装置を備える光学ユニット、及び該光学ユニットを投影光学系として具備する露光装置に関する。

従来より、半導体素子、液晶表示素子等を製造するためのリソグラフィ工程では、マスクとしてのレチクルに形成されたパターンを、投影光学系を介してレジスト等が塗布されたウエハ又はガラスプレート等の基板上に転写する露光装置が用いられている。この種の露光装置としては、近年では、ステッパ等の一括露光方式及びスキャニングステッパ等の走査露光型の投影露光装置が主に用いられている。

露光装置では、従来、露光ビーム（露光用の照明光）として水銀ランプからの輝線（例えばｉ線）やＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）のような紫外光が使用されていた。最近ではより高い解像度を得るために、露光ビームとしてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）などの遠紫外光やＦ₂ レーザ光（波長１５７ｎｍ）のような真空紫外光を使用する露光装置の開発も行われている。

これに対して、より微細な半導体素子等を製造するために、最近では、露光ビームとして波長が１００ｎｍ程度以下の軟Ｘ線領域の光、すなわち極端紫外光（以下、ＥＵＶ（Extreme Ultraviolet)光と呼ぶ。）を使用するＥＵＶ露光装置の開発も行われている。このＥＵＶ露光装置では、ＥＵＶ光が透過する光学材料が現時点では存在しないため、照明光学系及び投影光学系は全て反射光学素子（ミラー）によって構成され、レチクルもまた反射型レチクルが使用される。

投影光学系として、屈折系、反射屈折系、及び反射系のいずれを用いる場合であっても、レチクルパターンの像を高解像度でウエハ上に転写するためには投影光学系の結像特性（諸収差）を調整することが必要であり、そのための手段として、投影光学系を構成する少なくとも一部の光学部材の位置・姿勢を調整する調整機構が一般的に採用される。この位置・姿勢の調整機構としては、レバーと、このレバーの動きを機械的に縮小する機構とを用いる機構が知られている（例えば、特許文献１参照）。その他の位置・姿勢の調整機構として、パラレルリンクメカニズムを採用したパラレルリンク式調整機構も知られている。
特開２００２−１３１６０５号公報

従来の投影光学系としては、屈折系又は反射屈折系が主として用いられていたことから、投影光学系内部で光束が最大でも２〜３回（反射屈折系の場合）反射されるだけであったのに対し、ＥＵＶ露光装置などで採用される反射系の内部では、光束が複雑に何度も折り返されるような光路を通って、多数回反射される。このような反射系でさらに結像特性を高精度に調整するためには、所定の光学部材をできるだけ広いストロークで、かつ高い精度（分解能）で調整する必要がある。しかしながら、従来のレバーを用いる機構では、調整ストロークは広いが、精度が十分でない場合があった。また、従来のパラレルリンク式調整機構では、高精度に調整できるが、調整ストロークが狭い恐れがあった。

また、投影光学系として屈折系又は反射屈折系を用いる場合でも、今後より高精度に結像特性を調整するためには、所定の光学部材の調整ストロークをより広くして、かつより高精度に調整できるようにしておくことが望まれる。
本発明は斯かる点に鑑み、光学部材の調整のストロークを広くして、かつその調整の精度を高めることができる光学部材保持技術及び光学ユニットを提供することを目的とする。さらに本発明は、そのような光学ユニットを投影光学系として備えた露光装置を提供することをも目的とする。

本発明による第１の光学部材保持装置は、光学部材（Ｍ１）を移動可能に保持する光学部材保持装置であって、その光学部材を少なくとも１つの自由度で第１の精度及び第１のストロークで駆動する第１調整機構（２２）と、その光学部材を少なくとも１つの自由度で第２の精度及び第２のストロークで駆動する第２調整機構（２４）と、その光学部材を少なくとも１つの自由度で第３の精度及び第３のストロークで駆動する第３調整機構（１４Ａ）とを備え、その光学部材の駆動精度は、その第３の精度、その第２の精度、及びその第１の精度の順に高くなり、その光学部材を駆動する際のストロークは、その第３のストローク、その第２のストローク、及びその第１のストロークの順に狭くなるものである。

また、本発明による第２の光学部材保持装置は、光学部材（Ｍ１）を移動可能に保持する光学部材保持装置であって、その光学部材を収容するベース部材（１２Ａ）と、その光学部材を少なくとも１つの自由度で第１の精度及び第１のストロークで駆動する第１調整機構（２２）と、その光学部材を少なくとも１つの自由度で、その第１の精度と異なる第２の精度及びその第１のストロークと異なる第２のストロークで駆動する第２調整機構（２４）とを有し、その光学部材は、その第２調整機構で駆動された後、その第１調整機構で駆動されるものである。
これらの本発明によれば、３つ又は２つの調整機構を組み合わせることによって、光学部材の調整のストロークを広くして、かつその調整の精度を高めることができる。

また、本発明による光学ユニットは、複数の光学部材を備える光学ユニットにおいて、その複数の光学部材の少なくとも一つが本発明の光学部材保持装置により保持されているものである。
また、本発明による露光装置は、投影光学系（ＰＯ）を介して物体（Ｗ）上にパターンを形成する露光装置であって、本発明の光学ユニットをその投影光学系として具備するものである。本発明の光学ユニット中の光学部材は、広いストロークでかつ高精度に駆動できるため、その投影光学系が反射系である場合にも、その投影光学系の結像特性を高精度に調整できる。
なお、以上の本発明の所定要素に付した括弧付き符号は、本発明の一実施形態を示す図面中の部材に対応しているが、各符号は本発明を分かり易くするために本発明の要素を例示したに過ぎず、本発明をその実施形態の構成に限定するものではない。

本発明によれば、狭いストロークで高精度（分解能）の第１調整機構、中程度のストロークで中程度の精度の第２調整機構、及び広いストロークで低い精度の第３調整機構を組み合わせて用いるか、又は精度及びストロークの異なる２つの調整機構を組み合わせて用いることによって、調整対象の光学部材の調整のストロークを広くして、かつその調整の精度を高めることができる。

以下、本発明の実施形態の一例につき図面を参照して説明する。本例は、露光ビームとして極端紫外光、即ちＥＵＶ（Extreme Ultraviolet)光を使用するＥＵＶ露光装置に本発明を適用したものである。
図１には、本例の露光装置１０の全体構成が概略的に示されている。この露光装置１０では、後述するように、投影光学系ＰＯが使用されているので、以下では、投影光学系ＰＯの光軸に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で図１における紙面内左右方向にＹ軸を取り、紙面に直交する方向にＸ軸を取って説明する。露光装置１０は、マスクとしてのレチクルＲに形成された回路パターンの一部の像を投影光学系ＰＯを介して物体としてのウエハＷ上に投影しつつ、レチクルＲとウエハＷとを投影光学系ＰＯに対して１次元方向（ここではＹ方向）に相対走査することによって、レチクルＲの回路パターンの全体をウエハＷ上の複数のショット領域の各々にステップ・アンド・スキャン方式で転写するものである。

露光装置１０は、軟Ｘ線領域の光、即ち波長１００ｎｍ程度以下の極端紫外光（ＥＵＶ光）を露光用の照明光ＥＬ（露光ビーム）として射出する光源装置１、この光源装置１からの照明光ＥＬを反射して所定の入射角、例えば約５０ｍｒａｄでレチクルＲのパターン面（下面）に入射させる光路折り曲げ用のミラーＭを含む照明光学系、レチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、レチクルＲのパターン面で反射された照明光ＥＬをウエハＷの被露光面（上面）に対して垂直に投射する光学ユニットとしての投影光学系ＰＯ、及びウエハＷを保持するウエハステージＷＳＴ等を備えている。なお、ミラーＭは、平面ミラーで形成され、投影光学系ＰＯの鏡筒２の内部に配置されているが、実際には照明光学系の一部である。光源装置１としては、一例として、レーザ励起プラズマ光源が用いられている。また、照明光ＥＬとしては、一例として、主に波長５〜２０ｎｍ、例えば波長１１ｎｍのＥＵＶ光が用いられる。照明光ＥＬの気体による吸収を防止するため、露光装置１０は不図示の真空チャンバ内に収容されている。

前記照明光学系は、複数の照明用ミラー、波長選択窓等（いずれも図示省略）、及びミラーＭ等を含んで構成されている。また、光源装置１内の集光ミラーとしての放物面鏡も照明光学系の一部を構成する。光源装置１から射出され、照明光学系の端部のミラーＭで反射された照明光ＥＬは、レチクルＲのパターンの一部の領域を円弧スリット状で照明する。
前記レチクルステージＲＳＴは、ＸＹ平面に沿って配置されたレチクルベース３上に配置され、駆動系４を構成する例えば磁気浮上型２次元リニアアクチュエータが発生する磁気浮上力によってレチクルベース３上に浮上支持されている。レチクルステージＲＳＴは、駆動系４が発生する駆動力によってＹ方向に所定ストロークで駆動されるとともに、Ｘ方向及びθｚ方向（Ｚ軸回りの回転方向）にも微小量駆動される。また、レチクルステージＲＳＴは、駆動系４が複数箇所で発生する磁気浮上力の調整によってＺ方向、Ｘ軸回りの回転方向（θｘ方向）、及びＹ軸回りの回転方向（θｙ方向）にも微小量だけ駆動可能である。

レチクルステージＲＳＴの下面側に不図示の静電チャック方式（又はメカチャック方式）のレチクルホルダが設けられ、該レチクルホルダによってレチクルＲが保持されている。このレチクルＲとしては、照明光ＥＬがＥＵＶ光であることから反射型レチクルが用いられている。レチクルＲは、シリコンウエハ、石英、低膨張ガラスなどの薄い板から成り、そのパターン面には、ＥＵＶ光を反射する反射膜が形成されている。この反射膜は、モリブデンＭｏとベリリウムＢｅとの膜が交互に約５．５ｎｍの周期で、約５０ペア積層された多層膜である。この多層膜は波長１１ｎｍのＥＵＶ光に対して約７０％の反射率を有する。なお、ミラーＭ、その他の照明光学系及び投影光学系ＰＯ内の各ミラーの反射面にも同様の構成の多層膜が形成されている。レチクルＲのパターン面に形成された多層膜上には、吸収層として例えばニッケルＮｉ又はアルミニウムＡｌが一面に塗布され、その吸収層にパターンニングが施されて反射部としての回路パターンが形成されている。その回路パターンで反射されたＥＵＶ光（照明光ＥＬ）が投影光学系ＰＯに向かう。

レチクルステージＲＳＴ（レチクルＲ）のＸＹ面内の位置（Ｘ，Ｙ，θｚ）は、レチクルステージＲＳＴに設けられた（又は形成された）反射面にレーザビームを投射するレーザ干渉計（以下、「レチクル干渉計」という）５Ｒによって、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出される。また、レチクルＲのＺ方向の位置及びＸＹ面に対する傾斜角（θｘ，θｙ）は、そのパターン面に対し斜め方向から検出ビームを照射する送光系６Ｒａと、そのパターン面で反射された検出ビームを受光する受光系６Ｒｂとから構成されるフォーカスセンサによって計測されている。このフォーカスセンサとしては、例えば特開平６−２８３４０３号公報（対応米国特許第５，４４８，３３２号）等に開示される多点焦点位置検出系が用いられている。レチクル干渉計５Ｒ及びフォーカスセンサ（６Ｒａ，６Ｒｂ）の計測値は、主制御装置（不図示）に供給され、この主制御装置がその計測値に基づいて駆動部４を介してレチクルステージＲＳＴ（レチクルＲ）を６自由度で駆動する。

投影光学系ＰＯは、開口数ＮＡが例えば０．１で、反射光学素子（ミラー）のみから成る反射光学系が使用されており、本例の投影倍率は１／４倍である。投影光学系ＰＯの鏡筒２には、ミラーＭに入射する照明光ＥＬ及びレチクルＲに入射して反射される照明光ＥＬをそれぞれ通過させるための開口２ａ及び２ｂが形成され、投影光学系ＰＯからウエハＷに入射する照明光ＥＬを通過させるための開口（不図示）も形成されている。レチクルＲによって反射された照明光ＥＬは、投影光学系ＰＯを介してウエハＷ上に投射され、これによりレチクルＲ上のパターンは１／４に縮小されてウエハＷに転写される。

前記ウエハステージＷＳＴは、ＸＹ平面に沿って配置されたウエハベース７上に配置され、例えば磁気浮上型２次元リニアアクチュエータから成る駆動系８によってウエハベース７上に浮上支持されている。このウエハステージＷＳＴは、駆動系８によってＸ方向及びＹ方向に例えば３００〜４００ｍｍの所定ストロ−クで駆動され、θｚ方向にも微小量駆動される。また、ウエハステージＷＳＴは、駆動系８によってＺ方向及びＸＹ面に対する傾斜方向にも微小量だけ駆動可能である。

ウエハステージＷＳＴの上面には、静電チャック方式の不図示のウエハホルダが載置され、該ウエハホルダによってウエハＷが吸着保持されている。ウエハステージＷＳＴのＸ方向、Ｙ方向の位置、及びＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の周りの回転角θｘ，θｙ，θｚは、外部に配置されたレーザ干渉計（以下、「ウエハ干渉計」という）５Ｗにより、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出されている。また、投影光学系ＰＯの鏡筒２を基準とするウエハＷのＺ方向の位置及びＸＹ面に対する傾斜角（θｘ，θｙ）は、その被露光面に対し斜め方向から検出ビームを照射する送光系６Ｗａと、その被露光面で反射された検出ビームを受光する受光系６Ｗｂとから構成されるフォーカスセンサによって計測されている。このフォーカスセンサは、レチクルＲ用のフォーカスセンサ（６Ｒａ，６Ｒｂ）と同様の多点焦点位置検出系である。ウエハ干渉計５Ｗ及びフォーカスセンサ（６Ｗａ，６Ｗｂ）の計測値は、不図示の主制御装置に供給され、主制御装置はその計測値及びレチクルステージＲＳＴの位置の計測値に基づいて、駆動系８を介してウエハステージＷＳＴ（ウエハＷ）を６自由度で駆動する。

さらに、本実施形態では、図１に示されるように、投影光学系ＰＯの鏡筒２に、ウエハＷ上のアライメントマークの位置を計測するためのアライメント系ＡＬＧが固定されている。このアライメント系ＡＬＧとしては、いわゆるＦＩＡ（Field Image Alignment)方式のような画像処理方式のセンサやＡＦＭ（原子間力顕微鏡）のような走査型プローブ顕微鏡等を用いることができる。ウエハステージＷＳＴ上面の一端部には、レチクルＲに形成されたパターンの投影像の位置とアライメント系ＡＬＧとの相対位置関係の計測（いわゆるベースライン計測）等を行うための空間像計測部ＦＭが設けられている。

次に、投影光学系ＰＯについて詳細に説明する。図２は、投影光学系ＰＯを構成する複数の光学部材としての６枚のミラーＭ１〜Ｍ６の配置を示し、この図２において、レチクルＲからウエハＷに向かって、反射面を下方（−Ｚ方向）に向けたミラーＭ２、反射面を下方に向けたミラーＭ４、反射面を上方（＋Ｚ方向）に向けたミラーＭ３、反射面を上方に向けたミラーＭ１、反射面を下方に向けたミラーＭ６、及び反射面を上方に向けたミラーＭ５が配置され、照明光学系の一部であるミラーＭは、ミラーＭ３及びＭ４の反射面を延長した２つの面Ｃａ及びＣｂの間に配置されている。ミラーＭ１〜Ｍ６の反射面は、それぞれ球面又は非球面などの回転対称な面であり、その回転対称軸が投影光学系ＰＯの光軸ＡＸにほぼ一致するように位置調整されている。また、ミラーＭ１，Ｍ２，Ｍ４，Ｍ６は凹面鏡であり、他のミラーＭ３，Ｍ５は凸面鏡である。ミラーＭ１〜Ｍ６それぞれの反射面は、設計値に対して露光波長の約５０分の１から６０分の１以下の凹凸となる加工精度で加工され、ＲＭＳ値（標準偏差）で０．２ｎｍから０．３ｎｍ以下の平坦度誤差のみが残存している。各ミラーの反射面の形状は、計測と加工とを交互に繰り返しながら形成されている。

図２の構成において、レチクルＲで反射された照明光ＥＬは、ミラーＭ１で上方に反射され、ミラーＭ２で下方に反射された後、ミラーＭ３で上方に反射され、ミラーＭ４で下方に反射される。そして、ミラーＭ５で上方に反射された照明光ＥＬは、ミラーＭ６で下方に反射されて、ウエハＷ上にレチクルＲのパターンの像を形成する。
図３（Ａ）は、その６枚のミラーＭ１〜Ｍ６を斜め上方から見た斜視図を示し、図３（Ｂ）は、その６枚のミラーＭ１〜Ｍ６を斜め下方から見た斜視図を示している。なお、図３（Ａ）、（Ｂ）では、各ミラーの反射面に、ハッチングが付されている。これらの図から分かるように、ミラーＭ１〜Ｍ６は、それぞれ照明光ＥＬを遮光しないような形状に加工されている。

図４は、投影光学系ＰＯの鏡筒及びミラーＭ１〜Ｍ６の保持調整機構を示し、この図４において、ミラーＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６はそれぞれほぼ円筒状の分割鏡筒１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ，１２Ｅ，１２Ｆ内に保持調整機構１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅ，１３Ｆによって、不図示のコラムに対してＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の位置、及びＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の周りの回転角の６自由度で移動（駆動）可能に保持されている。なお、分割鏡筒１２Ｄのみは、ミラーＭ４を配置するために＋Ｙ方向の側面が切り欠かれており、その−Ｙ方向の内部に照明光学系のミラーＭが配置されている。また、分割鏡筒１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｅ，１２Ｆ内にそれぞれリング状の支持板２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ，２５Ｅ，２５Ｆが固定され、保持調整機構１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｄ，１３Ｆは、それぞれ支持板２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ，２５Ｆ上に固定され、保持調整機構１３Ｃ，１３Ｅはそれぞれ支持板２５Ｃ，２５Ｅの底面に固定されている。

また、その不図示のコラムに大型のリング状のフランジ１１が固定され、フランジ１１の底面にワッシャ１４Ａを介してボルト１５によって分割鏡筒１２Ａが固定され、分割鏡筒１２Ａの底面にワッシャ１４Ｆを介してボルト１６及びナット１７によって分割鏡筒１２Ｆが固定され、分割鏡筒１２Ｆの底面にワッシャ１４Ｅを介してボルト（不図示）によって分割鏡筒１２Ｅが固定され、分割鏡筒１２Ｅの底面にボルト及びナット（不図示）によって、分割鏡筒１２Ｅ内のミラーＭ５を覆うように照明光を通過させる開口が形成された分割鏡筒１２Ｈが固定されている。

また、フランジ１１の上面にワッシャ１４Ｃを介してボルト（不図示）によって分割鏡筒１２Ｃが固定され、分割鏡筒１２Ｃの上面にボルト（不図示）によって分割鏡筒１２Ｄが固定され、分割鏡筒１２Ｄの上面にワッシャ１４Ｂを介してボルト及びナット（不図示）によって分割鏡筒１２Ｂが固定され、分割鏡筒１２Ｂの上面に、分割鏡筒１２Ｂ内のミラーＭ２を覆うようにボルト及びナット（不図示）によって、照明光を通過させる開口が形成された分割鏡筒１２Ｇが固定されている。本例では、フランジ１１、分割鏡筒１２Ａ〜１２Ｈ、ワッシャ１４Ａ〜１４Ｆ、及びこれらを固定するためのボルトやナット等から図１の投影光学系ＰＯの鏡筒２が構成されている。分割鏡筒１２Ａ〜１２Ｈ及びフランジ１１は、ステンレス等の脱ガスの少ない材料にて形成されている。

上記の保持調整機構１３Ａ〜１３Ｆのうち、保持調整機構１３Ａ〜１３Ｅの構成は、大きさは異なるが基本的に同一であるため、そのうちの保持調整機構１３Ａの構成につき説明する。即ち、フランジ１１の底面にワッシャ１４Ａ（第３調整機構）を介して分割鏡筒１２Ａ（ベース部材）が固定され、分割鏡筒１２Ａ内の支持板２５Ａ上に、保持調整機構１３Ａを介してミラーＭ１が保持されている。保持調整機構１３Ａは、ミラーＭ１を保持するインナーリング２１（保持機構）と、これに対してＺ方向に離れて配置されたアウターリング２３（支持台）と、アウターリング２３に対してインナーリング２１のＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の位置、及びＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の周りの角度からなる６自由度の相対位置をアクティブに微調整するパラレルリンク機構２２（第１調整機構）と、支持板２５Ａに対してアウターリング２３のＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の位置、及びＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の周りの角度からなる６自由度の相対位置を調整する半固定式のレバー方式調整機構２４（第２調整機構）とを備えている。パラレルリンク機構２２は、独立に伸縮量が制御可能な６個のロッド状のリンク４７Ａ，４７Ｂ，４７Ｃ，４７Ｄ，４７Ｅ，４７Ｆを備え（詳細後述）、レバー方式調整機構２４は、それぞれ２自由度の変位を制御できる３個のレバー方式駆動部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃを備えている（詳細後述）。

ワッシャ１４Ａの厚さを調整することで不図示のコラムに対する分割鏡筒１２Ａ、ひいてはミラーＭ１を保持するインナーリング２１のＺ方向（ミラーＭ１の光軸方向）の位置を制御できる。また、ボルト１５の径に比べて分割鏡筒１２Ａに設けられたボルト用の孔の径が或る程度大きいことを利用して、不図示の調整治具を用いて、不図示のコラムに対する分割鏡筒１２ＡのＸ方向、Ｙ方向の位置を調整することも可能である。この場合、ワッシャ１４Ａは例えば０．１ｍｍ単位で種々の厚さのものが用意されており、それらの中から必要な厚さのワッシャ１４Ａを選択することによって、分割鏡筒１２ＡのＺ方向の位置を数ｍｍ程度のストロークで、かつ０．１ｍｍ（１００μｍ）程度の分解能（最小設定単位）で制御できる。

また、レバー方式調整機構２４によるインナーリング２１（ミラーＭ１）の駆動のストローク及び分解能はそれぞれ数１００μｍ及び数１００ｎｍ程度であり（詳細後述）、パラレルリンク機構２２によるインナーリング２１（ミラーＭ１）の駆動のストローク及び分解能はそれぞれ約１０μｍ及び数１０ｎｍ程度である（詳細後述）。このように本例では、インナーリング２１（ミラーＭ１）の駆動（移動）のストロークについては、パラレルリンク機構２２、レバー方式調整機構２４、及びワッシャ１４Ａの順に広くなり、その駆動時の分解能（最小設定単位）については、パラレルリンク機構２２、レバー方式調整機構２４、及びワッシャ１４Ａの順に大きく（粗く）なっている。言い換えると、インナーリング２１（ミラーＭ１）を駆動する際の精度（駆動精度）については、パラレルリンク機構２２、レバー方式調整機構２４、及びワッシャ１４Ａの順により低精度になっている。このようにストローク及び駆動精度の異なる３種類の調整機構を組み合わせて用いることによって、インナーリング２１（ミラーＭ１）の位置及び姿勢を広いストロークで、かつ極めて小さい分解能で高精度に調整できる。これは、保持調整機構１３Ｂ〜１３Ｅにおいても同様である。ただし、保持調整機構１３Ｃ及び１３Ｄにおいては、ワッシャ１４Ｃは兼用されている。

これに対して、保持調整機構１３Ｆは、ミラーＭ６を保持する円筒状の保持部材２１Ｆ（保持機構）と、支持板２５Ｆに対して保持部材２１Ｆ（ミラーＭ６）を駆動するレバー方式調整機構２４（第２調整機構）とから構成されている。なお、ワッシャ１４Ｆは、ミラーＭ６に対して第３調整機構として作用している。従って、保持調整機構１３Ｆにおいては、保持調整機構１３Ａと比べて最もストロークが短く最も分解能が小さい第１調整機構としてのパラレルリンク機構２２が省略されている。なお、ミラーＭ６についても、保持調整機構１３Ａと同様に３種類の調整機構を設けてもよいことは言うまでもない。また、ミラーＭ１〜Ｍ６のうちの少なくとも１枚のミラーについては、保持調整機構１３Ａと同様の保持調整機構で保持し、他のミラーについては、保持調整機構１３Ｆと同様の保持調整機構で保持してもよい。さらに、保持調整機構１３Ｆの代わりに、保持調整機構１３Ａと比べてレバー方式調整機構２４を省略したタイプの保持調整機構を使用してもよい。

次に、図４中の保持調整機構１３Ａの構成につき図５〜図１１を参照して詳細に説明する。
図５は、図４中の分割鏡筒１２Ａの側面の一部を切り欠いて保持調整機構１３Ａの構成を示し、この図５において、分割鏡筒１２Ａ内の凸部上に固定された支持板２５Ａ上にほぼ等角度間隔で３箇所に配置されたレバー方式駆動部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ（４１Ｃは不図示）を介してアウターリング２３が支持され、アウターリング２３上に６本のリンク４７Ａ〜４７Ｆを備えたスチュワートプラットホーム型のパラレルリンク機構２２を介してインナーリング２１が支持され、インナーリング２１上にほぼ等角度間隔で３箇所に配置されたほぼ逆Ｕ字型のミラー保持部材４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃよりなる機械的なクランプ機構によって、ミラーＭ１が保持されている。リンク４７Ａ〜４７Ｆにはそれぞれ伸縮量を計測するためのセンサ（図６参照）が装着され、その計測データは外部のミラー制御装置（不図示）に供給される。

また、ミラーＭ１には、それぞれほぼＸ軸及びＹ軸に垂直な基準平面Ｍ１ａ及びＭ１ｂが形成され、投影光学系ＰＯの外部に設置されたレーザ干渉計２６Ｘ，２６Ｙからの測長用レーザビームが、分割鏡筒１２Ａに設けられた開口１２Ａｘ，１２Ａｙを介して基準平面Ｍ１ａ，Ｍ１ｂに照射されている。レーザ干渉計２６Ｘ，２６Ｙはそれぞれ不図示のコラムに固定された参照鏡を基準として、ミラーＭ１の基準平面Ｍ１ａのＸ方向の位置及び基準平面Ｍ１ｂのＹ方向の位置を例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出し、検出結果をそのミラー制御装置に供給する。そのミラー制御装置は、その検出結果に基づいて、例えば露光中にミラーＭ１の位置がその不図示のコラムに対して所定の位置関係となるように、継続してリンク４７Ａ〜４７Ｆの伸縮量を制御する。
なお、ミラーＭ１の位置は、前述したパラレルリンク機構の伸縮量から算出してもよい。また、レーザ干渉計の代わりに、光学式エンコーダを用いることも可能である。

これに対して、レバー方式駆動部４１Ａ〜４１Ｃは例えば投影光学系ＰＯの組立調整時やメンテナンス時等にマニュアル方式で調整されて、調整終了後は固定される半固定式である。そのため、分割鏡筒１２Ａのレバー方式駆動部４１Ａ〜４１Ｃの近傍にはそれぞれ調整用の窓部１２Ａａ，１２Ａｂ，１２Ａｃ（１２Ａｂ，１２Ａｃは不図示）が形成されている。

ここで、パラレルリンク機構２２を構成する６本のリンク４７Ａ〜４７Ｆの構成について詳細に説明する。これら６本のリンクは図５に示すように、リンク４７Ａ及び４７Ｂ、リンク４７Ｃ及び４７Ｄ、リンク４７Ｅ及び４７Ｆがそれぞれ対をなした状態で配置されている。また、各リンク４７Ａ〜４７Ｆにはそれぞれ以下のように駆動機構が組み込まれている。

図６（Ａ）はリンク４７Ａ及び４７Ｂを示し、リンク４７Ａ及び４７Ａの上端部は断面が２等辺三角形状の連結部材５１（端部）で連結され、連結部材５１の上面が図５のインナーリング２１の底面に固定される。また、リンク４７Ａ及び４７Ｂの下端部はそれぞれ断面が直角三角形状の固定部材５７Ａ及び５７Ｂを介して図５のアウターリング２３の上面に固定される。連結部材５１、固定部材５７Ａ，５７Ｂは、例えばチタンあるいはステンレス鋼等より形成されている。リンク４７Ａ（リンク４７Ｂも同様）の長手方向の両端部には、リンク４７Ａが長手方向に直交する方向には小さい力である程度変位できるように、直交する２方向のスリ割リ部を含む弾性ヒンジ部６１Ａ及び６１Ｂが形成されている。

リンク４７Ａ，４７Ｂは、図６（Ａ）に示すように、概略細長い枠状の本体部５３Ａ，５３Ｂと、該本体部５３Ａ，５３Ｂの中空部に配置された駆動素子としてのピエゾ素子５５Ａ，５５Ｂとを備えている。なお、以下においては、本体部５３Ａの長手方向をＡ方向、このＡ方向に直交する短手方向をＢ方向、これらＡ方向及びＢ方向に直交する方向（厚さ方向）をＣ方向として説明する。

ピエゾ素子５５Ａ，５５Ｂは、積層型圧電素子から成り、例えば所定厚さのＰＺＴ（＝Ｐｂ（Ｚｒ・Ｔｉ）Ｏ₃ ）と所定厚さの銀・パラジウム（ＡｇＰｄ）合金とから成る内部電極とを交互に積層したものである。ここで圧電素子の厚さ（Ａ方向の長さ）は要求される駆動量（ストローク）によって定められる。本例のピエゾ素子５５Ａ，５５Ｂのストロークは一例として５０μｍ程度である。

図６（Ｂ）は、図６（Ａ）のリンク４７Ａ，４７Ｂの本体部５３Ａ，５３Ｂの構成を示し、本体部５３Ａの上端部に変位縮小機構部５９が設けられている。これは本体部５３Ｂも同様である。変位縮小機構部５９は、図７（Ａ）に拡大して示すように、概略台形状の第１部分５９Ａ、第２部分５９Ｂ、第１平行テーブル５９Ｃ及び第２平行テーブル５９Ｄから構成されている。第１部分５９Ａは、その＋Ｂ方向側面の＋Ａ方向側端部近傍で連結部分５９Ｅを介してガイド部５４に連結されている。連結部分５９Ｅは、一種のヒンジとしての機能を有しており、第１部分５９Ａに＋Ａ方向又は−Ａ方向の力が作用した際に、連結部分５９Ｅを支点として第１部分５９Ａが時計回り又は反時計回りに回動する。第１部分５９Ａの−Ａ方向の端面には、図６（Ａ）のピエゾ素子５５Ａの先端面が連結されており、ピエゾ素子５５Ａの伸縮により、上記の＋Ａ方向又は−Ａ方向の力が第１部分５９Ａに作用する。

また、第１部分５９Ａの＋Ｃ方向の面には、図６（Ａ）の検出対象片６７が一体的に取り付けられており、この検出対象片６７に対向してセンサ１６３Ａ１が配置されている。このセンサ１６３Ａ１としては、例えば静電容量センサ（ギャップセンサ）が用いられている。このセンサ１６３Ａ１は、本体部５３Ａのガイド部５４に固定され、前述した検出対象片６７との間の距離の変化（変位）を検出する。センサ１６３Ａ１の出力は、上記のミラー制御装置に供給されており、ミラー制御装置では、センサ１６３Ａ１の出力に基づいてピエゾ素子５５Ａの伸縮量（変位）を安定して精度良く検出することができる。

図７（Ａ）に戻り、前記第２部分５９Ｂは、その−Ａ方向で＋Ｂ方向の端部近傍で連結部分５９Ｆを介して第１部分５９Ａと連結され、その＋Ａ方向の側面は弾性ヒンジ部６１Ｂを構成するスリ割リ部１６２ｃ，１６２ｄとされている。前記第１平行テーブル５９Ｃは、その＋Ｂ方向側面で連結部分５９Ｇを介して第２部分５９Ｂに連結され、その−Ｂ方向側面で連結部分５９Ｈを介してガイド部５４に連結されている。また、前記第２平行テーブル５９Ｄは、第１平行テーブル５９Ｃの＋Ａ方向側に配置され、その＋Ｂ方向側面で連結部分５９Ｉを介して第２部分５９Ｂに連結され、その−Ｂ方向側面で連結部分５９Ｊを介してガイド部５４に連結されている。

このようにして構成された変位縮小機構部５９によると、ピエゾ素子５５Ａが伸長して、＋Ａ方向に力を発生した場合には、図７（Ｂ）に示すように、第１部分５９Ａが連結部分５９Ｅを支点として時計回りに回転駆動され、点線で示される状態から実線で示される状態に変化する。これに伴って、第２部分５９Ｂにも連結部分５９Ｆを介して＋Ａ方向の力が作用するが、第１平行テーブル５９Ｃ及び第２平行テーブル５９Ｄの両者に第２部分５９Ｂが連結されていることから、その力の作用に起因する第２部分５９Ｂの回転が抑制され、結果的に第２部分５９Ｂは＋Ａ方向にスライドする（平行移動する）のみである。

このときの第２部分５９Ｂの平行移動量は、ピエゾ素子５５Ａの伸張量を、変位縮小機構部５９により所定の縮小率γで縮小した量である。具体的には、縮小率γは、連結部分５９Ｅと第１部分５９Ａに対するピエゾ素子５５Ａからの駆動力の作用点までのＢ方向の距離をａ１、連結部分５９Ｅと連結部分５９ＦとのＢ方向の距離をａ２とすると、γ＝ａ２／ａ１である。縮小率γは一例として１／５程度である。また、図７（Ｃ）に示すように、ピエゾ素子５５Ａが−Ａ方向に収縮した場合も上記と同様の原理により、ピエゾ素子５５Ａの変位が縮小されて第２部分５９Ｂに伝達されるようになっている。このように、本実施形態のリンク４７Ａでは、ピエゾ素子５５Ａの伸縮量が所定の縮小率γにより縮小された分だけ、リンク４７Ａの全長を伸縮することが可能な構成となっている。なお、変位縮小機構部５９は省略してもよい。

次に、パラレルリンク機構２２の動作の一例につき説明する。先ず、リンク４７Ａ〜４７Ｆを共通に伸張させることによって、図８（Ａ）に示すように、アウターリング２３に対してインナーリング２１を光軸方向にＬ１だけ移動できる。また、リンク４７Ａ，４７Ｂ，４７Ｆを伸張させて、リンク４７Ｃ，４７Ｄ，４７Ｅを収縮させることで、図８（Ｂ）に示すように、インナーリング２１を光軸に直交する方向にＬ２だけ移動できる。このように、リンク４７Ａ〜４７Ｆの伸縮量を独立に制御することによって、アウターリング２３に対してインナーリング２１（ミラーＭ１）のＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の位置、及びＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の周りの角度を制御できる。なお、パラレルリンク機構２２の駆動の自由度は１方向（例えばＺ方向のみ）でもよい。

次に、図５中のレバー方式駆動部４１Ａの構成につき図９〜図１１を参照して説明する。図９は、図５の支持板２５Ａ及びこの上面２５Ａａで等角度間隔に配置された３箇所の取付部８０に、ボルト９７によって固定されたレバー方式駆動部４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃよりなるレバー方式調整機構２４を示す。この図９において、レバー方式駆動部４１Ａは、連結ブロック９２と、フレクシャ本体８４と、このフレクシャ本体８４を挟むように連結された垂直方向駆動レバー８５ａ（第１操作部）及び水平方向駆動レバー８５ｂ（第２操作部）とを備えており、連結ブロック９２の上面に図５のアウターリング２３の底面が固定される。

また、駆動レバー８５ａ及び８５ｂの外側の自由端付近にそれぞれ外部からその自由端をＺ方向に持ち上げるためのリフトレバー１０２が形成されている。さらに、駆動レバー８５ａ及び８５ｂの外側の自由端と支持板２５Ａの上面２５ａとの間に、それぞれ駆動レバー８５ａ及び８５ｂの自由端のＺ方向への移動量を調整して固定するための厚さが調整可能な調整ワッシャ９９が配置されている。調整ワッシャ９９は、一例として、厚さが約１μｍ単位で設定されている微調用ワッシャと、厚さが約１０μｍ単位で設定されている粗調用ワッシャとを組み合わせたものであり、この組み合わせを変えることによって、その厚さを数ｍｍの範囲内で約１μｍステップで調整することが可能である。本例では、垂直方向駆動レバー８５ａ及び水平方向駆動レバー８５ｂの自由端の調整ワッシャ９９の厚さを調整することによって、連結ブロック９２、ひいてはその位置でのアウターリング２３を垂直方向（Ｚ方向）及び水平方向（支持板２５Ａの外周に沿った円周方向）に、その調整ワッシャ９９の厚さの数分の１程度だけ移動させることができる（詳細後述）。

図１０は、図９のレバー方式駆動部４１Ａの要部を示す拡大図であり、この図１０において、支持板２５Ａ上面の取付部８０に直方体のブロック状のフレクシャ本体８４が固定され、フレクシャ本体８４と連結ブロック９２との間には中央のフレクシャ基部８９ｄを挟むように矩形貫通孔８８ａが形成され、これらの外側にはスリット８６ａが形成されている。即ち、フレクシャ本体８４と連結ブロック９２とはフレクシャ基部８９ｄによって連結されている。また、フレクシャ本体８４の下部のフレクシャ固定部９１とその上部とを分けるように、３箇所にスリット８７が形成され、左右（ほぼＸ方向）の薄肉部９０ａ及び９０ｂを挟むようにそれぞれ１対の円形貫通孔８８ｂが形成されている。

また、フレクシャ本体８４の上部は３箇所のスリット８６及び１箇所のスリット８６ｂによって、＋Ｘ方向から−Ｘ方向にかけて駆動ブロック９５ａ、拘束ブロック９３ａ、拘束ブロック９４ａ、及び駆動ブロック９６ａに分かれ、駆動ブロック９６ａ内の２つのスリット８６が交差する位置に基準孔８４ｃが形成されている。また、駆動ブロック９５ａと拘束ブロック９３ａとは下方でフレクシャ基部８９ａ（その両端に矩形貫通孔８８ａがある）によって連結され、拘束ブロック９３ａと拘束ブロック９４ａとは上方でフレクシャ基部８９ｃ（その両端に矩形貫通孔８８ａがある）によって連結され、拘束ブロック９４ａと駆動ブロック９６ａとは上方でフレクシャ基部８９ｂ（その両端に矩形貫通孔８８ａがある）によって連結されている。さらに、拘束ブロック９３ａと連結ブロック９２とがフレクシャ基部８９ｄによって連結され、駆動ブロック９６ａの外側面に水平方向駆動レバー８５ｂが連結され、駆動ブロック９５ａの外側面に垂直方向駆動レバー８５ａが連結されている。この結果、駆動ブロック９５ａ、拘束ブロック９３ａ、及びフレクシャ基部８９ａから、垂直方向駆動レバー８５ａの動きを連結ブロック９２のＺ方向（ミラーＭ１の光軸方向）への変位とする垂直方向駆動リンク９５（第１駆動部）が形成され、駆動ブロック９６ａ、拘束ブロック９４ａ、及びフレクシャ基部８９ｂから、水平方向駆動レバー８５ｂの動きを連結ブロック９２の水平方向（外周方向）への変位とする水平方向駆動リンク９６（第２駆動部）が形成される。

図１１は、図１０におけるレバー方式駆動部４１Ａの駆動レバー８５ａ及び８５ｂの動きと連結ブロック９２（アウターリング２３）の動きとの関係を説明するための簡略化した図であり、図１１において、垂直方向駆動レバー８５ａの自由端を上下方向Ｆ１に変位させると、駆動ブロック９５ａにモーメントＭ１が作用して、駆動ブロック９５ａの他端が上下方向に変位し、これに対してフレクシャ基部８９ａ、拘束ブロック９３ａ、及びフレクシャ基部８９ｃ，８９ｄを介して連結されている連結ブロック９２も上下方向に変位する。一方、水平方向駆動レバー８５ｂの自由端を上下方向Ｆ２に変位させると、駆動ブロック９６ａにモーメントＭ２が作用して、駆動ブロック９６ａの他端が水平方向に変位し、これに対してフレクシャ基部８９ｂ、拘束ブロック９４ａ、及びフレクシャ基部８９ｃ，８９ｄを介して連結されている連結ブロック９２も水平方向に変位する。

即ち、駆動レバー８５ａ及び８５ｂの自由端の移動によって、てこの原理によって連結ブロック９２（アウターリング２３）が垂直方向及び水平方向に変位する。この際に、ほぼ駆動ブロック９６ａ及び９５ａの幅と駆動レバー８５ｂ及び８５ａの長さとの比の値分だけ、駆動レバー８５ｂ及び８５ａの自由端の移動量に対する連結ブロック９２の変位は縮小される。なお、図１０におけるスリット８６，８７の配置は、駆動レバー８５ａ及び８５ｂの自由端の移動量を連結ブロック９２の異なる方向の変位に変換できるものであればどのような配置であってもよい。

図９に戻り、３箇所に配置されたレバー方式駆動部４１Ａ〜４１Ｃは、それぞれＺ方向及び支持板２５Ａの外周方向の２自由度で図５のアウターリング２３を駆動できる。この結果、レバー方式調整機構２４を用いることによって、支持板２５Ａに対してＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の位置、及びＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の周りの角度の６自由度で図５のアウターリング２３、ひいてはインナーリング２１（ミラーＭ１）の位置を調整することができる。なお、レバー方式調整機構２４の駆動の自由度は１方向（例えばＺ方向のみ）でもよい。

図４に戻り、本例の投影光学系ＰＯの組立調整時には、ワッシャ１４Ａ〜１４Ｆの厚さの調整やＸ方向、Ｙ方向の位置調整を行うことで、不図示のコラム及びフランジ１１に対する分割鏡筒１２Ａ〜１２Ｈ（ミラーＭ１〜Ｍ６及びミラーＭ）の大まかな相対位置の調整が行われる。本例の投影光学系ＰＯは反射系であるため、調整時には、ＥＵＶ光の代わりに可視光等を使用することができる。その後、保持調整機構１３Ａ〜１３Ｅ内のレバー方式調整機構２４を用いてミラーＭ１〜Ｍ６及びミラーＭの相対位置の調整が行われ、調整が済んだ状態で、各レバー方式調整機構２４の調整量は固定される。

その後、図１の露光装置１０を用いた露光開始前又は定期的に、オペレータによってテストプリント等によって投影光学系ＰＯの結像特性が計測され、その結像特性の計測結果に基づいて不図示のミラー制御装置により図４の保持調整機構１３Ａ〜１３Ｅ内のパラレルリンク機構２２を駆動して、投影光学系ＰＯの所定の結像特性、例えば像面湾曲、非点収差、コマ収差、球面収差及び歪曲収差などを補正することもできる。この場合、対応するレーザ干渉計で検出されるミラーＭ１〜Ｍ５（ミラーＭ６にはパラレルリンク機構２２が使用されていないため）の位置情報がそのミラー制御装置に供給され、一例としてそのミラー制御装置では検出されるミラーＭ１〜Ｍ５の駆動方向の位置偏差が０となるようにフィードバック制御によりパラレルリンク機構２２を制御する。これによって、常に高精度に露光を行うことができる。

この際に、露光装置１０では、極めて波長の短いＥＵＶ光を照明光ＥＬとして用い、色収差のない反射系の投影光学系ＰＯを介してレチクルＲのパターンがウエハＷ上に転写されるので、レチクルＲ上の微細パターンをウエハＷ上の各ショット領域に高精度に転写することができる。具体的には、最小線幅７０ｎｍ程度以下の微細パターンの高精度な転写が可能である。

なお、上記実施形態では、駆動素子として、ピエゾ素子を採用する場合について説明したが、本発明がこれに限られるものではなく、その長手方向の全長を伸縮させることが可能な駆動素子であれば、種々の駆動素子を採用することができる。また、上記実施形態では、ピエゾ素子の伸縮量を検出するセンサとして、静電容量センサを採用した場合について説明したが、これに限らず、その他のセンサ（例えばリニアエンコーダなど）の、駆動素子の伸縮量を検出することが可能なセンサであれば、種々のセンサを採用することが可能である。

なお、レバー方式駆動部の駆動源としてアクチュエータを用いることによって、自動調整することも可能である。この場合、レバー方式駆動部と、パラレルリンク機構とを協働させることも可能である。
また、投影光学系ＰＯの組立調整時に、分割鏡筒の端面の接触だけで、分割鏡筒の精度を確保できる場合には、ワッシャを省略することが可能である。すなわち、本実施形態では、第３調整機構を省略することもできる。

なお、上記実施形態では、６つのミラーのそれぞれを、いずれも６自由度方向に駆動する場合について説明したが、少なくとも１つのミラーが駆動可能であれば良い。また、上記実施形態では、投影光学系ＰＯ内の全てのミラーを本発明の光学部材保持装置により保持する場合について説明したが、投影光学系ＰＯ内の１つ以上のミラーが本発明の光学部材保持装置により保持されていれば良く、この場合であっても、そのミラーを高精度に微小駆動することが可能であることから、投影光学ＰＯ内でのミラーの微調整、ひいては投影光学系ＰＯの光学特性の高精度な調整が可能である。

また、上記実施形態では、光学部材がミラーの場合について説明したが、本発明がこれに限られるものではなく、光学部材がレンズであっても良い。
また、上記実施形態では、露光ビームとしてＥＵＶ光を用い、６枚のミラーのみから成るオール反射の投影光学系を用いる場合について説明したが、これは一例であって、本発明がこれに限定されないことは勿論である。すなわち、例えば、特開平１１−３４５７６１号公報に開示されるような４枚のミラーのみから成る投影光学系を備えた露光装置は勿論、光源に波長１００〜１６０ｎｍのＶＵＶ光源、例えばＡｒ₂ レーザ（波長１２６ｎｍ）を用い、４〜８枚のミラーを有する投影光学系などにも好適に適用することができる。また、レンズのみから成る屈折系の投影光学系、レンズを一部に含む反射屈折系の投影光学系のいずれにも、本発明は好適に適用することができる。

なお、上記実施形態では、本発明の光学ユニットを、露光装置を構成する投影光学系として採用した場合について説明したが、本発明がこれに限られるものではなく、例えば、本発明の光学ユニットを照明光学系として採用することとしても良い。
なお、上記実施形態では、露光光として波長１１ｎｍのＥＵＶ光を用いる場合について説明したが、これに限らず、露光光として波長１３ｎｍのＥＵＶ光を用いても良い。この場合には、波長１３ｎｍのＥＵＶ光に対して約７０％の反射率を確保するため、各ミラーの反射膜としてモリブデンＭｏとケイ素Ｓｉとを交互に積層した多層膜を用いる必要がある。また、上記実施形態では、露光光源としてレーザ励起プラズマ光源を用いるものとしたが、これに限らず、ＳＯＲ（Synchrotron Orbital Radiation）リング、ベータトロン光源、ディスチャージド光源、Ｘ線レーザなどのいずれを用いても良い。このように、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。

本発明の露光装置によれば、本発明の光学ユニットを用いているため、投影光学系が反射系である場合にも、その結像特性を高精度に調整できる。従って、これをＥＵＶ露光装置に適用することによって、微細な回路パターンを有する次世代の半導体素子等のデバイスを高精度に製造できる。

本発明の実施形態の一例の露光装置の概略構成を示す一部を切り欠いた図である。図１の投影光学系ＰＯ内の照明光の光路を示す断面図である。（Ａ）は投影光学系ＰＯを構成する複数のミラーを斜め上方から見た斜視図、（Ｂ）はその複数のミラーを斜め下方から見た斜視図である。図１の投影光学系ＰＯの鏡筒構造及びミラーの保持調整機構を示す断面図である。図４中のミラーＭ１用の分割鏡筒１２Ａ及び保持調整機構を示す一部を切り欠いた斜視図である。（Ａ）は図５中のリンク４７Ａ，４７Ｂを示す斜視図、（Ｂ）は図６（Ａ）中の本体部５３Ａ，５３Ｂを示す斜視図である。図６（Ａ）の変位縮小機構部５９の構成及び作用の説明図である。図５のパラレルリンク機構２２の動作説明図である。図４の支持板２５Ａ及びレバー方式調整機構２４を示す斜視図である。図９中のレバー方式駆動部４１Ａを示す要部の正面図である。図９のレバー方式駆動部４１Ａの動作を説明するための図である。

符号の説明

１０…露光装置、Ｒ…レチクル（マスク）、ＰＯ…投影光学系、Ｍ１〜Ｍ６…ミラー、Ｗ…ウエハ（物体）、１１…フランジ、１２Ａ〜１２Ｅ…分割鏡筒、１３Ａ〜１３Ｅ…保持調整機構、１４Ａ〜１４Ｆ…ワッシャ、２１…インナーリング、２２…パラレルリンク機構、２３…アウターリング、２４…レバー方式調整機構、２５Ａ〜２５Ｅ…支持板、４１Ａ〜４１Ｃ…レバー方式駆動部、４７Ａ〜４７Ｆ…リンク４７

Claims

光学部材を移動可能に保持する光学部材保持装置であって、
前記光学部材を少なくとも１つの自由度で第１の精度及び第１のストロークで駆動する第１調整機構と、
前記光学部材を少なくとも１つの自由度で第２の精度及び第２のストロークで駆動する第２調整機構と、
前記光学部材を少なくとも１つの自由度で第３の精度及び第３のストロークで駆動する第３調整機構とを備え、
前記光学部材の駆動精度は、前記第３の精度、前記第２の精度、及び前記第１の精度の順に高くなり、前記光学部材を駆動する際のストロークは、前記第３のストローク、前記第２のストローク、及び前記第１のストロークの順に狭くなることを特徴とする光学部材保持装置。
前記光学部材を収容するベース部材を有し、
前記第３調整機構は、前記ベース部材の位置を調整することによって、前記光学部材を駆動することを特徴とする請求項１に記載の光学部材保持装置。
前記第２調整機構及び前記第１調整機構は、前記ベース部材に対して前記光学部材を当該光学部材の光軸方向に移動させると共に、前記ベース部材に対して前記光学部材を当該光学部材の光軸に対して傾斜させることを特徴とする請求項２に記載の光学部材保持装置。
前記第２調整機構及び前記第１調整機構は、前記ベース部材と前記光学部材との間に前記第２調整機構及び前記第１調整機構の順に配置されることを特徴とする請求項２又は３に記載の光学部材保持装置。
前記第２調整機構と前記第１調整機構との間に、前記第１調整機構を支持する支持台を有することを特徴とする請求項２から４のいずれか一項に記載の光学部材保持装置。
前記第２調整機構は、前記ベース部材と前記支持台との間に配置され、前記支持台の位置を調整することによって、前記光学部材を駆動することを特徴とする請求項５に記載の光学部材保持装置。
前記第１調整機構は、一端部が前記光学部材に取り付けられ、他端部が前記支持台に取り付けられるパラレルリンク機構と、前記パラレルリンク機構を駆動する駆動機構とを有することを特徴とする請求項５又は６に記載の光学部材保持装置。
前記第２調整機構は、第１操作部と、該第１操作部を操作することによって、前記光学部材を当該光学部材の光軸方向に移動させる第１駆動部と、第２操作部と、該第２操作部を操作することによって、前記光学部材を当該光学部材の光軸に対して傾斜させる第２駆動部とを有することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の光学部材保持装置。
前記パラレルリンク機構は、前記光学部材を６自由度方向に駆動することを特徴とする請求項７に記載の光学部材保持装置。
光学部材を移動可能に保持する光学部材保持装置であって、
前記光学部材を収容するベース部材と、
前記光学部材を少なくとも１つの自由度で第１の精度及び第１のストロークで駆動する第１調整機構と、
前記光学部材を少なくとも１つの自由度で、前記第１の精度と異なる第２の精度及び前記第１のストロークと異なる第２のストロークで駆動する第２調整機構とを有し、
前記光学部材は、前記第２調整機構で駆動された後、前記第１調整機構で駆動されることを特徴とする光学部材保持装置。
前記光学部材を少なくとも１つの自由度で、前記第１、第２の精度と異なる第３の精度、及び前記第１、第２のストロークと異なる第３のストロークで駆動する第３調整機構を有し、
前記第３調整機構は、前記ベース部材の位置を調整することによって、前記光学部材を駆動することを特徴とする請求項１０に記載の光学部材保持装置。
前記光学部材の駆動精度は、前記第３の精度、前記第２の精度、前記第１の精度の順に高くなり、前記光学部材を駆動する際のストロークは、前記第３のストローク、前記第２のストローク、及び前記第１のストロークの順に狭くなることを特徴とする請求項１１に記載の光学部材保持装置。
複数の光学部材を備える光学ユニットにおいて、
前記複数の光学部材の少なくとも一つが請求項１から１２のいずれか一項に記載の光学部材保持装置により保持されていることを特徴とする光学ユニット。
投影光学系を介して物体上にパターンを形成する露光装置であって、
請求項１３に記載の光学ユニットを前記投影光学系として具備する露光装置。
前記マスクとして反射型マスクが用いられ、
前記光学ユニットを構成する全ての光学部材はミラーであり、
前記各ミラーの反射面には極端紫外光を反射させるための多層膜が設けられていることを特徴とする請求項１４に記載の露光装置。