JP2010050261A - Method of manufacturing wiring board, and wiring board - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a wiring board with high insulation reliability between a conductive substrate and via in a wiring board having vias on the conductive substrate through an insulation layer. <P>SOLUTION: The method of manufacturing the wiring board includes a process for preparing the conductive substrate having a through-hole, a process for immersing the substrate in a solution in which aryldiazonium salt having a reactive substituent is dissolved, a process for arranging a resin composition containing organic resin which reacts with the reactive substituent on a wall surface of the through-hole, a process for forming the insulation layer having an electrical insulation property by curing the resin composition, and a process for arranging a conductive layer on an opposite side to the substrate while the insulation layer is sandwiched therebetween. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、導電性のコア基板を含んでなる配線基板の製造方法及び配線基板に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board including a conductive core board and a wiring board.

近年の電子機器の小型化、高性能化に伴い、電子機器を構成する半導体装置およびこれを実装する多層配線基板には、小型薄型化、高性能化、高信頼性が要求されている。これらの要求を受け、半導体素子が直接プリント基板に実装されるベアチップ実装が行われている。また、半導体素子の多ピン化に伴い、これを搭載する基板の多層化の必要性が増加している。さらに、半導体を試験するテスターボードにおいても、多ピン化は必須となっている。この多層化された基板の一例として、基体の片面もしくは両面に、絶縁層と導体層を交互に積み重ねた微細配線が可能なビルトアップ方式の多層配線基板が挙げられる。   With recent downsizing and higher performance of electronic devices, semiconductor devices constituting the electronic devices and multilayer wiring boards on which the devices are mounted are required to be smaller and thinner, have higher performance, and have higher reliability. In response to these requirements, bare chip mounting is performed in which a semiconductor element is directly mounted on a printed circuit board. In addition, with the increase in the number of pins of semiconductor elements, the necessity of multilayering a substrate on which the semiconductor elements are mounted is increasing. Furthermore, the increase in the number of pins is also essential for tester boards for testing semiconductors. As an example of the multilayered substrate, there is a built-up type multilayer wiring substrate capable of fine wiring in which insulating layers and conductor layers are alternately stacked on one side or both sides of a base.

ベアチップ実装では、シリコンチップがプリント板(ガラスクロス−エポキシ基板)上に直接実装される。シリコンチップの熱膨張係数は約3.5ppm/℃である。絶縁層として安価で汎用の材料であるエポキシ樹脂の熱膨張係数は、熱膨張係数が無機フィラーを混合して熱膨張係数が低減された樹脂であっても、通常は40ppm/℃以上である。このため、ガラスクロス−エポキシ基板の熱膨張係数は12〜20ppm/℃であり、シリコンチップのそれとの差が大きい。ゆえに、シリコンチップが実装されたプリント板の内部の配線は温度変化により断絶しやすいという問題があった。そこで、実装される物体の熱膨張係数に近い熱膨張係数を備える配線基板の開発が行われている。例えば、ガラスクロスの代わりに、熱膨張率が1.0〜2.0ppm/℃程度である炭素繊維やインバー等、実装される物体の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する材料を用いた配線基板を使用する事例がある。炭素繊維やインバー等、導電性を有する材料を含む配線基板は、通常、絶縁層の両面を貫通する貫通孔(スルーホール)に設けられる導電性の配線(ビア)と基板との間に電気的絶縁性を確保するための絶縁層を備える。この絶縁層は、例えば、印刷法により導電性基板の貫通孔の内部に絶縁性の樹脂を充填し、更に充填された樹脂に貫通孔を形成することにより設けることができる。樹脂に形成された貫通孔に、例えばめっき法により配線が設けられる。   In bare chip mounting, a silicon chip is mounted directly on a printed board (glass cloth-epoxy substrate). The thermal expansion coefficient of the silicon chip is about 3.5 ppm / ° C. The thermal expansion coefficient of an epoxy resin, which is an inexpensive and general-purpose material for the insulating layer, is usually 40 ppm / ° C. or higher even when the thermal expansion coefficient is a resin in which an inorganic filler is mixed to reduce the thermal expansion coefficient. For this reason, the thermal expansion coefficient of the glass cloth-epoxy substrate is 12 to 20 ppm / ° C., and the difference from that of the silicon chip is large. Therefore, there is a problem that the wiring inside the printed board on which the silicon chip is mounted is easily cut off due to a temperature change. Therefore, development of a wiring board having a thermal expansion coefficient close to that of an object to be mounted has been performed. For example, instead of glass cloth, wiring using a material having a thermal expansion coefficient close to the thermal expansion coefficient of an object to be mounted, such as carbon fiber or invar having a thermal expansion coefficient of about 1.0 to 2.0 ppm / ° C. There is an example of using a substrate. A wiring board including a conductive material such as carbon fiber or invar is usually electrically connected between a conductive wiring (via) provided in a through hole (through hole) penetrating both surfaces of an insulating layer and the board. An insulating layer for ensuring insulation is provided. This insulating layer can be provided, for example, by filling an insulating resin inside the through hole of the conductive substrate by a printing method, and further forming a through hole in the filled resin. Wiring is provided in the through hole formed in the resin, for example, by plating.

しかし、樹脂の充填の際、樹脂の充填不足によりボイド(空隙)が発生したり、温度変化に伴いクラックが生じたりする。ボイドやクラックには、製造時に配線形成用のめっき液が浸透しやすい。このため、ビアと導電性基板とが導通(短絡)するおそれがある。
特開2006−222216号公報
However, when the resin is filled, voids (voids) are generated due to insufficient filling of the resin, and cracks occur due to temperature changes. The plating solution for forming the wiring is likely to penetrate into the voids and cracks during production. For this reason, there is a possibility that the via and the conductive substrate are electrically connected (short-circuited).
JP 2006-222216 A

本発明は、導電性のコア基板を含む配線基板において、導電性基板とビアとの絶縁信頼性が高い配線基板を製造する方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a wiring board having high insulation reliability between the conductive board and the via in the wiring board including the conductive core board.

本発明の一側面によると、
貫通孔を備える導電性の基板を準備する工程と、
反応性置換基を有するアリールジアゾニウム塩が溶解した溶液に前記基板を浸漬する工程と、
前記貫通孔の壁面に前記反応性置換基と反応可能な有機樹脂を含む樹脂組成物を設ける工程と、
前記樹脂組成物を硬化させ、電気的絶縁性を有する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層を挟んで前記基板と反対側に導電層を設ける工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
According to one aspect of the invention,
Preparing a conductive substrate having a through hole;
Immersing the substrate in a solution in which an aryldiazonium salt having a reactive substituent is dissolved;
Providing a resin composition containing an organic resin capable of reacting with the reactive substituent on the wall surface of the through hole;
Curing the resin composition to form an insulating layer having electrical insulation;
And a step of providing a conductive layer on the opposite side of the substrate with the insulating layer interposed therebetween.

本発明によれば、ビアと導電性基板との間の絶縁信頼性が高い配線基板が得られる。   According to the present invention, a wiring board having high insulation reliability between a via and a conductive substrate can be obtained.

1.配線基板
図1は、本発明の配線基板の一実施形態を示す模式的断面図である。
1. Wiring Board FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a wiring board of the present invention.

本実施形態の配線基板1は、少なくとも一つの貫通孔21を備える基板11と、貫通孔内に被覆した絶縁層14と、絶縁層14の表面に設けた配線部15とを備える。   The wiring board 1 of this embodiment includes a substrate 11 having at least one through hole 21, an insulating layer 14 covered in the through hole, and a wiring portion 15 provided on the surface of the insulating layer 14.

基板11は、配線基板1の形を保ち整える芯として機能する。基板11には、主面を貫通する孔(例えば、図1に示される貫通孔21)が少なくとも1つ設けられている。貫通孔は、その内部に配線基板の上面と下面とを電気的に接続可能な配線部15を設けるために設けられる。基板11は、25〜200℃の範囲において熱膨張係数がおよそ10ppm/℃以下の比較的小さな熱膨張係数を有する。このような、熱膨張係数が比較的低い基板としては、例えば、5〜200℃の範囲において熱膨張率が1.0〜2.0ppm/℃程度である繊維が編み込まれてなるシートとそのシートを包容するように配置される樹脂とを備える樹脂基板が挙げられる。繊維としては、例えば炭素やインバーからなる繊維を用いることができる。これらの繊維は導電性を有する。樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂などを用いることができる。樹脂には、熱膨張率を低減させるため、アルミナフィラー、窒化アルミニウムフィラー、シリカフィラー等の無機フィラーが混合されていてもよい。具体的には、厚さ0.2mmの炭素繊維シートと樹脂組成物とを複合化してなるプリプレグ(図示せず)を例えば5枚積層して圧着したものが、基板11として用いられうる。この場合基板11の厚さはおよそ1.0mmである。貫通孔の数は1つ以上であればよい。貫通孔の形状は特に限定されない。配線基板1の配線の設計に応じて、貫通孔の数及び形状が決定される。貫通孔の直径は例えば0.5mmである。貫通孔21の壁面には、通常、貫通孔21を形成する際に生じたバリ12が存在する。バリ12は、基板11として上記樹脂基板を用いた場合に生じやすい。バリ12は、例えば、樹脂基板に含まれる導電性の繊維が露出したものである。   The substrate 11 functions as a core that maintains and shapes the shape of the wiring substrate 1. The substrate 11 is provided with at least one hole (for example, the through hole 21 shown in FIG. 1) penetrating the main surface. The through hole is provided in order to provide a wiring portion 15 that can electrically connect the upper surface and the lower surface of the wiring board. The substrate 11 has a relatively small thermal expansion coefficient of about 10 ppm / ° C. or less in the range of 25 to 200 ° C. As such a substrate having a relatively low thermal expansion coefficient, for example, a sheet in which fibers having a thermal expansion coefficient of about 1.0 to 2.0 ppm / ° C. are woven in a range of 5 to 200 ° C. and the sheet. And a resin substrate that is arranged so as to contain the resin. As the fiber, for example, a fiber made of carbon or invar can be used. These fibers are conductive. As the resin, for example, an epoxy resin, a polyimide resin, or the like can be used. In order to reduce the thermal expansion coefficient, the resin may be mixed with an inorganic filler such as an alumina filler, an aluminum nitride filler, or a silica filler. Specifically, for example, a substrate 11 in which five prepregs (not shown) formed by combining a carbon fiber sheet having a thickness of 0.2 mm and a resin composition are stacked and pressure-bonded can be used. In this case, the thickness of the substrate 11 is approximately 1.0 mm. The number of through holes may be one or more. The shape of the through hole is not particularly limited. The number and shape of the through holes are determined according to the wiring design of the wiring board 1. The diameter of the through hole is 0.5 mm, for example. On the wall surface of the through hole 21, there are usually burrs 12 generated when the through hole 21 is formed. The burr 12 is likely to occur when the resin substrate is used as the substrate 11. The burrs 12 are, for example, exposed conductive fibers contained in the resin substrate.

本実施形態において、基板11として炭素繊維シート樹脂組成物とを複合化してなるプリプレグを5枚積層して圧着したものが用いられているが、本発明において基板11はこの圧着物に限定されるものではない。基板11としては、例えば、銅、鉄などの金属や、インバーなどの合金からなる基板を用いることができる。このような合金からなる基板に貫通孔21を形成するとき、上記樹脂基板と同様に貫通孔21内にバリ12を生じる。   In the present embodiment, a substrate 11 in which five prepregs formed by combining a carbon fiber sheet resin composition are laminated and pressure-bonded is used. In the present invention, the substrate 11 is limited to this pressure-bonded material. It is not a thing. As the substrate 11, for example, a substrate made of a metal such as copper or iron or an alloy such as invar can be used. When the through hole 21 is formed in the substrate made of such an alloy, the burr 12 is generated in the through hole 21 as in the case of the resin substrate.

絶縁層14は、貫通孔21が設けられた基板11の表面、裏面、側端面、及び貫通孔の壁面に設けられる。絶縁層14は、基板11と配線部15との間を電気的に絶縁することが可能な絶縁性を有する。基板11の貫通孔の壁面には、通常、貫通孔21を形成する際に発生したバリ12が存在する。絶縁層14はバリ12を被覆するように形成される。絶縁層14は、基板11の貫通孔21の延在方向に沿った貫通孔22を備える。   The insulating layer 14 is provided on the front surface, back surface, side end surface, and wall surface of the through hole of the substrate 11 provided with the through hole 21. The insulating layer 14 has an insulating property capable of electrically insulating the substrate 11 and the wiring portion 15. On the wall surface of the through hole of the substrate 11, there is usually a burr 12 generated when the through hole 21 is formed. The insulating layer 14 is formed so as to cover the burr 12. The insulating layer 14 includes a through hole 22 along the extending direction of the through hole 21 of the substrate 11.

基板11と絶縁層14との界面において、下記一般式(1)で示される基が基板11に含まれる原子と共有結合を形成している。   At the interface between the substrate 11 and the insulating layer 14, a group represented by the following general formula (1) forms a covalent bond with an atom contained in the substrate 11.

Arは、置換若しくは未置換の芳香族基、又は置換若しくは未置換の複素環基を示す。   Ar represents a substituted or unsubstituted aromatic group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.

Arは、たとえば、炭素数5〜36の芳香族基、または酸素原子、窒素原子、硫黄原子のようなヘテロ原子を含んでいる芳香族複素環基である。Arの具体例は、例えば下記の構造式で示される。   Ar is, for example, an aromatic group having 5 to 36 carbon atoms, or an aromatic heterocyclic group containing a hetero atom such as an oxygen atom, a nitrogen atom, or a sulfur atom. A specific example of Ar is represented by the following structural formula, for example.

但し、上記構造式中において、R〜Rは水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシキ基、及びヒドロキシル基の中から選択される基である。R〜Rは互いに同一であっても異なっていてもよい。連結基ZはO、S、SOの中から選択される基である。 However, in said structural formula, R < 1 > -R < 8 > is group selected from a hydrogen atom, a C1-C6 alkyl group, a C1-C6 alkoxy group, and a hydroxyl group. R 1 to R 8 may be the same as or different from each other. Linking group Z is a group selected O, S, from the SO 2.

中でも、可溶性、入手容易さ、構造の簡単さの点から、1,4−フェニレン基が好ましく用いられる。   Among these, a 1,4-phenylene group is preferably used from the viewpoints of solubility, availability, and structural simplicity.

連結基Yは、エポキシ基と、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基の中から選択される官能基とが反応することにより形成される基である。連結基Yは、具体的には、−NHR−、−N(R−)R−、−O−R−、−COO−R−などが挙げられる。但しR、Rは、−CH−CH(OH)−、−CH(OH)−CH−の中から選択される基であり、同じであっても異なっていてもよいが、通常、−CH−CH(OH)−である。 The linking group Y is a group formed by a reaction between an epoxy group and a functional group selected from a hydroxyl group, a carboxyl group, and an amino group. Linking group Y is specifically, -NHR 2 -, - N ( R 2 -) R 3 -, - O-R 2 -, - COO-R 2 - , and the like. R 2 and R 3 are groups selected from —CH 2 —CH (OH) — and —CH (OH) —CH 2 —, which may be the same or different. , —CH 2 —CH (OH) —.

は、エポキシ樹脂及びエポキシ変性ポリイミド樹脂が備えるエポキシ基のうち、連結基Yの形成に関与したエポキシ基を除く基である。ここで、好適な芳香族2官能エポキシ樹脂の例としては、ビスフェノールA型エポキシ、ビスフェノールS型エポキシ、ビスフェノールF型エポキシ等の2官能性エポキシ樹脂を挙げることができ、芳香族3官能エポキシ樹脂としては、トリグリシジルイソシアヌレート、三井化学社製のVG3101L等、そして芳香族4官能エポキシ樹脂としては、チバガイギー社製のアラルダイトMTO163等を挙げることができる。好適な脂環式エポキシ樹脂の例としては、アラルダイトCY179(チバガイギー社)、EHPE−3150(ダイセル化学社)等の2官能エポキシ樹脂、エポリードGT300(ダイセル化学社)等の3官能エポキシ樹脂、エポリードGT400(ダイセル化学社)等の4官能エポキシ樹脂を挙げることができる。また、エポキシ変性ポリイミド樹脂の例としては、Arlon社製の37Nが挙げられる。 R 1 is a group excluding the epoxy group involved in the formation of the linking group Y among the epoxy groups included in the epoxy resin and the epoxy-modified polyimide resin. Examples of suitable aromatic bifunctional epoxy resins include bifunctional epoxy resins such as bisphenol A type epoxy, bisphenol S type epoxy, and bisphenol F type epoxy. Are triglycidyl isocyanurate, VG3101L manufactured by Mitsui Chemicals, and examples of the aromatic tetrafunctional epoxy resin include Araldite MTO163 manufactured by Ciba Geigy. Examples of suitable alicyclic epoxy resins include bifunctional epoxy resins such as Araldite CY179 (Ciba Geigy) and EHPE-3150 (Daicel Chemical), trifunctional epoxy resins such as Eporide GT300 (Daicel Chemical), and Epolide GT400. A tetrafunctional epoxy resin such as (Daicel Chemical Company) can be used. Moreover, 37N made from Arlon is mentioned as an example of an epoxy-modified polyimide resin.

また、上記エポキシ樹脂には、上記エポキシ樹脂が備えるエポキシ基と硬化剤とが反応して得られる樹脂も含まれ、上記エポキシ変性ポリイミド樹脂には、上記エポキシ変性ポリイミド樹脂が備えるエポキシ基と硬化剤とが反応して得られる樹脂も含まれる。硬化剤としては、使用するエポキシ化合物を硬化させるのに有用なものであればどのようなものでもよいが、上述した絶縁層の特性を損なわないように選択することが好ましい。このような硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂、アミン化合物、シアネートエステル樹脂、酸無水物を使用することができる。フェノール樹脂としては、アラルキル型フェノール樹脂(例えば、三井化学社製、商品名「XLC−LL」)、フェノールノボラック樹脂(例えば、群栄化学社製、商品名「PSM−4300」)を使用することができる。アミン化合物としては、具体的には、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジエチルアミノプロピルアミン、N−アミノエチルピペラジン、メンセンジアミン、m-キシレンジアミン、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン、ジアミノジシクロヘキシルメタンなどを使用することができる。シアネートエステル樹脂としては、具体的には、例えばプライムセット(ロンザ社)PT−15、PT−30、PT−60S、CT−90及びBA−230S、並びにフェノールノボラックシアネートエステルなどが挙げられる。酸無水物としては、具体的には、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、メチルブテニルテトラヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロメチル無水フタル酸、無水メチルナジック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、またこれらの混合物などが挙げられる。絶縁層に要求される特性に応じて、複数種の硬化剤の混合物を使用してもよい。上記エポキシ樹脂及びエポキシ変性ポリイミド樹脂は熱硬化性樹脂であり、反応して得られる生成物は剛直な3次元網目構造をとる。   The epoxy resin also includes a resin obtained by a reaction between an epoxy group included in the epoxy resin and a curing agent, and the epoxy-modified polyimide resin includes an epoxy group and a curing agent included in the epoxy-modified polyimide resin. The resin obtained by reacting with is also included. Any curing agent may be used as long as it is useful for curing the epoxy compound to be used, but it is preferable to select the curing agent so as not to impair the properties of the insulating layer. As such a curing agent, for example, a phenol resin, an amine compound, a cyanate ester resin, and an acid anhydride can be used. As the phenol resin, an aralkyl type phenol resin (for example, trade name “XLC-LL” manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) or a phenol novolak resin (for example, trade name “PSM-4300” manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd.) should be used. Can do. Specific examples of amine compounds include diethylenetriamine, triethylenetetramine, diethylaminopropylamine, N-aminoethylpiperazine, mensendiamine, m-xylenediamine, metaphenylenediamine, diaminodiphenylmethane, diaminodiphenylsulfone, and diaminodicyclohexylmethane. Can be used. Specific examples of the cyanate ester resin include Prime Set (Lonza) PT-15, PT-30, PT-60S, CT-90 and BA-230S, and phenol novolac cyanate ester. Specific examples of acid anhydrides include trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic anhydride, maleic anhydride, succinic anhydride, methylbutenyltetrahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, tetrahydromethyl. Examples thereof include phthalic anhydride, methyl nadic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, and mixtures thereof. Depending on the properties required for the insulating layer, a mixture of a plurality of curing agents may be used. The epoxy resin and the epoxy-modified polyimide resin are thermosetting resins, and the product obtained by reaction takes a rigid three-dimensional network structure.

上記式(1)で示される基と基板11に含まれる原子との共有結合により、絶縁層14が基板11の貫通孔の壁面に対して化学吸着しているため、絶縁層14と基板11との密着性が高い。基板11が炭素繊維を含む樹脂基板は、炭素繊維に含まれる炭素原子を介して式(1)で表現される基と共有結合を形成している。基板11が金属繊維を含む樹脂基板である場合、式(1)で表現される基は、金属繊維に含まれる金属元素と共有結合を形成する。式(1)で表現される基との共有結合が可能な金属としては、例えば、銅、鉄、ニッケルなどが挙げられる。   Since the insulating layer 14 is chemically adsorbed to the wall surface of the through hole of the substrate 11 by the covalent bond between the group represented by the above formula (1) and the atoms contained in the substrate 11, the insulating layer 14 and the substrate 11 High adhesion. The resin substrate in which the substrate 11 includes carbon fibers forms a covalent bond with the group represented by the formula (1) through the carbon atoms included in the carbon fibers. When the board | substrate 11 is a resin substrate containing a metal fiber, group represented by Formula (1) forms a covalent bond with the metal element contained in a metal fiber. Examples of the metal that can be covalently bonded to the group represented by the formula (1) include copper, iron, nickel, and the like.

樹脂基板に含まれる繊維を構成する原子と式(1)で表現される基とが共有結合していることは、例えば、配線基板を切断することにより基板11と絶縁層14との境界付近を露出させたサンプルについて、反射赤外吸収スペクトルの測定を行うことにより確認することができる。   The fact that the atoms constituting the fibers contained in the resin substrate and the group represented by the formula (1) are covalently bonded is, for example, that the vicinity of the boundary between the substrate 11 and the insulating layer 14 is obtained by cutting the wiring substrate. It can confirm by measuring a reflected infrared absorption spectrum about the exposed sample.

配線部15は、絶縁層14に設けられた貫通孔22に接するように設けられる。配線部15は、基板11の両面を電気的に接続することが可能である。図1に示される配線基板において、配線層15は層状である。しかし、配線層15の形態は、基板11の両面を電気的に接続することが可能な形態であればよい。図2は、本発明の配線基板の別の実施形態を示す模式的断面図である。尚、これ以降、前述した構成要素と同様のものについては、同一の参照番号を付して表す。また、前述した構成要素と重複する説明については、記載を省略する。本発明の配線基板は、例えば、図2に示される配線基板のように、配線部15は、貫通孔22の内部を埋めるように設けられていてもよい。配線基板15を構成する材料は、導電性を有するものであればよく、特に限定されないが、例えば、銅を用いることができる。
2.配線基板の製造方法
本発明の配線基板の製造方法の一実施形態について図3〜5を用いて説明する。
The wiring portion 15 is provided so as to be in contact with the through hole 22 provided in the insulating layer 14. The wiring unit 15 can electrically connect both surfaces of the substrate 11. In the wiring substrate shown in FIG. 1, the wiring layer 15 is layered. However, the form of the wiring layer 15 may be any form that can electrically connect both surfaces of the substrate 11. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the wiring board of the present invention. Hereinafter, the same components as those described above are denoted by the same reference numerals. Further, description overlapping with the above-described components is omitted. In the wiring board of the present invention, for example, as in the wiring board shown in FIG. 2, the wiring portion 15 may be provided so as to fill the inside of the through hole 22. The material constituting the wiring board 15 is not particularly limited as long as it has conductivity, and for example, copper can be used.
2. Wiring Board Manufacturing Method An embodiment of a wiring board manufacturing method of the present invention will be described with reference to FIGS.

図3〜5は、本発明の配線基板の製造方法の一実施形態を示す模式的断面図である。本実施形態における配線基板の製造方法は、第1貫通孔を備え、導電性を有する基板を準備する第1工程と、反応性置換基を有するアリールジアゾニウム塩が溶解した水溶液に前記第1貫通孔を浸漬する第2工程と、前記反応性置換基と反応可能な有機樹脂を前記第1貫通孔に設ける第3工程と、前記有機樹脂を硬化させ、絶縁層を形成する第4工程と、前記絶縁層に第2貫通孔を設ける第5工程と、前記第2貫通孔に導電性の配線を設ける第6工程とを含んでなる。以下、第1工程から第6工程について順に説明する。
(1)第1工程
第1工程において、図3(a)に示されるように、第1貫通孔21を備え、導電性を有する基板11を準備する。このような基板を構成する材料として、上記配線基板の説明で述べたように、例えば熱膨張率が1.0〜2.0ppm/℃程度である繊維が編み込まれてなるシートとそのシートを包容するように配置される樹脂とを備える、熱膨張係数が比較的低い樹脂基板が挙げられる。
3-5 is typical sectional drawing which shows one Embodiment of the manufacturing method of the wiring board of this invention. The method for manufacturing a wiring board according to the present embodiment includes a first step of preparing a conductive substrate having a first through hole, and the first through hole in an aqueous solution in which an aryldiazonium salt having a reactive substituent is dissolved. A second step of immersing the organic resin, a third step of providing an organic resin capable of reacting with the reactive substituent in the first through hole, a fourth step of curing the organic resin and forming an insulating layer, A fifth step of providing a second through hole in the insulating layer; and a sixth step of providing a conductive wiring in the second through hole. Hereinafter, the first to sixth steps will be described in order.
(1) First Step In the first step, as shown in FIG. 3A, a substrate 11 having a first through hole 21 and having conductivity is prepared. As a material constituting such a substrate, as described in the description of the wiring substrate, for example, a sheet in which fibers having a coefficient of thermal expansion of about 1.0 to 2.0 ppm / ° C. are knitted and the sheet is contained. And a resin substrate having a relatively low coefficient of thermal expansion.

以下、第1の工程の一具体例を説明する。まず、カーボンファイバがシート状に編み込まれた厚さ0.2mmのカーボンファイバシートとエポキシ系樹脂組成物とを複合させたプリプレグを例えば5枚重ねて、例えば真空プレス法によりこれらを圧着することにより、平板状の導電性コア基板(樹脂基板)を形成する。プリプレグの圧着は、真空プレス法に限らず、真空ラミネータ等のラミネータ、積層板プレス機等を用いて行ってもよい。形成されたコア基板の厚さはおよそ1.0mmである。   Hereinafter, a specific example of the first step will be described. First, by stacking, for example, five prepregs made by combining a carbon fiber sheet having a thickness of 0.2 mm, in which carbon fibers are knitted into a sheet, and an epoxy resin composition, these are bonded by, for example, vacuum pressing. Then, a flat conductive core substrate (resin substrate) is formed. The pressure bonding of the prepreg is not limited to the vacuum pressing method, and may be performed using a laminator such as a vacuum laminator, a laminated plate pressing machine, or the like. The thickness of the formed core substrate is approximately 1.0 mm.

次いで、形成された導電性コア基板に、表面から裏面に貫通する第1貫通孔(スルーホール)21を形成する(図3(a)参照)。この貫通孔の形成には、例えば、UV−YAGレーザ、炭酸ガスレーザ、及びエキシマレーザ等を用いるドライエッチング法、並びに
機械的ドリル法(切削加工法)等を使用することができる。第1貫通孔21の直径は、例えば0.5mmとする。このとき、第1貫通孔21の壁面には、カーボンファイバからなるバリ12が生じる。
Next, first through holes (through holes) 21 penetrating from the front surface to the back surface are formed in the formed conductive core substrate (see FIG. 3A). For example, a dry etching method using a UV-YAG laser, a carbon dioxide laser, an excimer laser, a mechanical drill method (cutting method), or the like can be used to form the through hole. The diameter of the 1st through-hole 21 shall be 0.5 mm, for example. At this time, a burr 12 made of carbon fiber is generated on the wall surface of the first through hole 21.

なお、第1貫通孔21が形成された基板11に対し、必要に応じて酸性又はアルカリ性の溶液を用いた脱脂・洗浄処理を行ってもよい。
(2)第2工程
第2工程において、反応性置換基を有するアリールジアゾニウム塩が溶解した水溶液に第1貫通孔を有する基板を浸漬する。反応性置換基を有するアリールジアゾニウム塩は、下記一般式(2)で示される。
In addition, you may perform the degreasing | cleaning process which used the acidic or alkaline solution with respect to the board | substrate 11 in which the 1st through-hole 21 was formed as needed.
(2) Second Step In the second step, the substrate having the first through hole is immersed in an aqueous solution in which the aryldiazonium salt having a reactive substituent is dissolved. The aryldiazonium salt having a reactive substituent is represented by the following general formula (2).

Arは、一般式(1)のそれと同じく、置換若しくは未置換の芳香族基、又は置換若しくは未置換の複素環基を示す。Rは、本実施形態における反応性置換基である。Rは、第3工程の有機樹脂に対して反応性を示す官能基である。後述するように、有機樹脂として、配線部15と基板11との絶縁性確保の点及び反応性に優れる点から、エポキシ基を有する有機樹脂が好ましく用いられる。 Ar represents a substituted or unsubstituted aromatic group or a substituted or unsubstituted heterocyclic group as in the general formula (1). R 4 is a reactive substituent in the present embodiment. R 4 is a functional group showing reactivity with the organic resin in the third step. As will be described later, an organic resin having an epoxy group is preferably used as the organic resin from the viewpoint of ensuring insulation between the wiring portion 15 and the substrate 11 and excellent reactivity.

エポキシ基を有する有機樹脂に対して反応性を有する官能基Rとしては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基が挙げられる。Xは、任意のアニオンである。式(2)中のXについて、その具体例を例示すると、たとえば、フッ素アニオン、塩素アニオン、臭素アニオン、ヨウ素アニオン、などのハロゲンアニオン;酢酸アニオン、トリフルオロ酢酸アニオン、硫酸アニオン、硫酸水素アニオン、メタン硫酸アニオン、トリフルオロメタン硫酸アニオン、パークロレートアニオン、テトラフルオロボレートアニオン、ヘキサフルオロホスフェートアニオン、ヘキサクロロアンチモネートアニオンなどを挙げることができる。これらの中でも、反応性、利便性の点から、テトラフルオロボレートアニオンが好ましいものの一つとして例示される。 Examples of the functional group R 4 having reactivity with an organic resin having an epoxy group include a hydroxyl group, a carboxyl group, and an amino group. X is an arbitrary anion. Specific examples of X in the formula (2) are exemplified by halogen anions such as a fluorine anion, a chlorine anion, a bromine anion and an iodine anion; an acetate anion, a trifluoroacetate anion, a sulfate anion and a hydrogen sulfate anion. Methane sulfate anion, trifluoromethane sulfate anion, perchlorate anion, tetrafluoroborate anion, hexafluorophosphate anion, hexachloroantimonate anion, and the like. Among these, tetrafluoroborate anions are exemplified as one preferable from the viewpoint of reactivity and convenience.

第2工程により、第1貫通孔21の壁面は有機膜13により被覆される。有機膜13は、上記一般式(2)で示されるアリールジアゾニウム塩が基板11を構成する原子と結合を形成してなる膜である。例えば、基板11がカーボンファイバシートとエポキシ系樹脂組成物とを複合させたプリプレグを重ねて形成した樹脂基板であるとき、樹脂基板に含まれるカーボン繊維を構成する原子とアリールジアゾニウム塩とが下記式(3)に示される反応により貫通孔21の壁面に結合を形成する。導電性コア基板に含まれる繊維を構成する原子と、アリールジアゾニウムカチオンからジアゾニウム基が脱離した基との結合は共有結合性が強いため、第1貫通孔21の壁面と有機膜13との吸着は、水素結合、ファンデルワールス力等による物理吸着よりも、化学吸着が支配的である考えられる。   By the second step, the wall surface of the first through hole 21 is covered with the organic film 13. The organic film 13 is a film in which the aryldiazonium salt represented by the general formula (2) forms a bond with atoms constituting the substrate 11. For example, when the substrate 11 is a resin substrate formed by overlapping a prepreg in which a carbon fiber sheet and an epoxy resin composition are combined, the atoms constituting the carbon fibers contained in the resin substrate and the aryldiazonium salt are represented by the following formulae: A bond is formed on the wall surface of the through hole 21 by the reaction shown in (3). Since the bond between the atoms constituting the fibers contained in the conductive core substrate and the group from which the diazonium group is eliminated from the aryldiazonium cation is highly covalent, the adsorption between the wall surface of the first through-hole 21 and the organic film 13 is strong. It is considered that chemisorption is dominant over physical adsorption by hydrogen bonding, van der Waals force, and the like.

導電性コア基板に含まれる繊維を構成する原子と、アリールジアゾニウムカチオンからジアゾニウム基が脱離した基との結合が共有結合性であることは、例えば、アリールジアゾニウム水溶液に浸漬させた後の基板11の表面について、反射赤外吸収スペクトルの測定を行うことにより確認できる。   The bond between the atoms constituting the fibers contained in the conductive core substrate and the group from which the diazonium group is eliminated from the aryldiazonium cation is covalent. For example, the substrate 11 after being immersed in an aryldiazonium aqueous solution This surface can be confirmed by measuring a reflection infrared absorption spectrum.

具体的には、例えば、アリールジアゾニウム塩としてp−carboxyphenyl
diazonium tetrafluoroborateを用いる場合、式(3)に示されるAr基に含まれるフェニレンのC=C伸縮振動に起因するピークは、1590cm−1及び1660cm−1の波数に現れる。
Specifically, for example, p-carbophenyl as an aryldiazonium salt
When using a Diazonium tetrafluoroborate, peaks derived from C = C stretching vibration phenylene contained in the Ar groups shown in the formula (3) appears at wave number of 1590 cm -1 and 1660 cm -1.

なお、基板11が銅や鉄などの金属やインバーなどの合金からなる場合、下記式(4)の反応により貫通孔21の壁面に結合を形成する。この結合も共有結合性が強く、第1貫通孔21の壁面と有機膜13との吸着は化学吸着が支配的であると考えられる。   In addition, when the board | substrate 11 consists of alloys, such as metals, such as copper and iron, and Invar, a bond is formed in the wall surface of the through-hole 21 by reaction of following formula (4). This bond is also strong in covalent bond, and it is considered that chemical adsorption is dominant in the adsorption between the wall surface of the first through hole 21 and the organic film 13.

但しMは銅原子、鉄原子、又はニッケル原子である。   However, M is a copper atom, an iron atom, or a nickel atom.

式(3)及び式(4)で示される化学反応は酸性条件化、常温で進行する。上記アリールジアゾニウム塩が溶解した水溶液に基板11を浸漬した後、基板11から未反応アリールジアゾニウム水溶液を除去するため水洗浄を行うことが好ましい。   The chemical reactions represented by the formulas (3) and (4) proceed under acidic conditions and at room temperature. After immersing the substrate 11 in the aqueous solution in which the aryldiazonium salt is dissolved, it is preferable to perform water washing to remove the unreacted aryldiazonium aqueous solution from the substrate 11.

尚、反応性置換基を有するアリールジアゾニウム塩が溶解した水溶液に第1貫通孔21を有する基板を浸漬すると、通常、基板11の表面、裏面、及び側端面にも有機膜が形成される。また、基板11の表面、裏面、及び側端面には、第1貫通孔21と異なりバリが存在しないため、これらの面に有機膜が形成されなくても後述する絶縁層14の密着性は確保できる。
(3)第3工程
次いで、第3工程において、有機膜13が被覆された第1貫通孔21内に、有機膜13が有する反応性置換基と反応可能な有機樹脂を含む樹脂組成物14を設ける。第1貫通孔21内に樹脂組成物を設ける手段は特に限定されない。樹脂組成物を設ける手段として、例えば、以下の方法を好適に用いることができる。まず、任意のシートの上に、反応性置換基と反応可能な有機樹脂を含んでなる液状の樹脂組成物を塗布し、更に乾燥させて、樹脂組成物のドライフィルムを形成する。その後、第2工程で得られた基材11にドライフィルムをラミネートし、第1貫通孔21に樹脂組成物14を充填する。
In addition, when the board | substrate which has the 1st through-hole 21 is immersed in the aqueous solution which the aryl diazonium salt which has a reactive substituent melt | dissolved, an organic film will also be normally formed in the surface of the board | substrate 11, a back surface, and a side end surface. Further, unlike the first through-hole 21, there are no burrs on the front surface, the back surface, and the side end surfaces of the substrate 11, so that the adhesion of the insulating layer 14 to be described later is ensured even if no organic film is formed on these surfaces. it can.
(3) Third Step Next, in the third step, in the first through hole 21 covered with the organic film 13, a resin composition 14 containing an organic resin capable of reacting with the reactive substituent of the organic film 13 is provided. Provide. The means for providing the resin composition in the first through hole 21 is not particularly limited. As means for providing the resin composition, for example, the following method can be suitably used. First, a liquid resin composition containing an organic resin capable of reacting with a reactive substituent is applied on an arbitrary sheet, and further dried to form a dry film of the resin composition. Thereafter, a dry film is laminated on the substrate 11 obtained in the second step, and the resin composition 14 is filled in the first through holes 21.

上記樹脂組成物は、基板11の表面に設けられた反応性置換基Rと反応可能なエポキシ基を有するモノマー、オリゴマー又はポリマーの中から選択される1種類以上の化合物を主剤として含み、主剤と反応して硬化を開始、促進、調整するための硬化剤を含む。樹脂組成物は、更に、硬化を促進させる硬化促進剤を含んでいてもよい。 The resin composition contains, as a main ingredient, one or more kinds of compounds selected from monomers, oligomers or polymers having an epoxy group capable of reacting with the reactive substituent R 4 provided on the surface of the substrate 11. Contains a curing agent for initiating, accelerating and adjusting curing. The resin composition may further contain a curing accelerator that accelerates curing.

主剤は、分子中に2以上のエポキシ基を有し、硬化により成膜することができるエポキシ樹脂であって、硬化生成物が回路基板における絶縁層として十分な特性、例えばピール
(剥離)強度、引張り伸び、めっき工程における耐性等を提供できるものを選択することが好ましい。
The main agent is an epoxy resin that has two or more epoxy groups in the molecule and can be formed into a film by curing, and the cured product has sufficient properties as an insulating layer in a circuit board, such as peel (peel) strength, It is preferable to select one that can provide tensile elongation, resistance in the plating process, and the like.

主剤として好ましいエポキシ樹脂は、脂環式又は芳香族のエポキシ樹脂である。このエポキシ樹脂は2以上の官能性を持ち、より好ましくは2〜4の官能性を持つ。好適な芳香族2官能エポキシ樹脂の例としては、ビスフェノールA型エポキシ、ビスフェノールS型エポキシ、ビスフェノールF型エポキシ等の2官能性エポキシ樹脂を挙げることができ、芳香族3官能エポキシ樹脂としては、トリグリシジルイソシアヌレート、三井化学社製のVG3101L等、そして芳香族4官能エポキシ樹脂としては、チバガイギー社製のアラルダイトMTO163等を挙げることができる。好適な脂環式エポキシ樹脂の例としては、アラルダイトCY179(チバガイギー社)、EHPE−3150(ダイセル化学社)等の2官能エポキシ樹脂、エポリードGT300(ダイセル化学社)等の3官能エポキシ樹脂、エポリードGT400(ダイセル化学社)等の4官能エポキシ樹脂を挙げることができる。特に、これらの3官能あるいは4官能のエポキシ樹脂から生成した低分子量のエポキシ樹脂を含むことで、樹脂組成物から形成した絶縁膜における分子間のネットワーク構造を強化して、絶縁性及び機械的特性に優れた絶縁層を提供することが可能になる。   A preferable epoxy resin as the main agent is an alicyclic or aromatic epoxy resin. This epoxy resin has a functionality of 2 or more, more preferably 2 to 4 functionality. Examples of suitable aromatic bifunctional epoxy resins include bifunctional epoxy resins such as bisphenol A type epoxy, bisphenol S type epoxy, bisphenol F type epoxy, and the like. Examples of glycidyl isocyanurate, VG3101L manufactured by Mitsui Chemicals, and aromatic tetrafunctional epoxy resin include Araldite MTO163 manufactured by Ciba Geigy. Examples of suitable alicyclic epoxy resins include bifunctional epoxy resins such as Araldite CY179 (Ciba Geigy) and EHPE-3150 (Daicel Chemical), trifunctional epoxy resins such as Eporide GT300 (Daicel Chemical), and Epolide GT400. A tetrafunctional epoxy resin such as (Daicel Chemical Company) can be used. In particular, by including a low molecular weight epoxy resin generated from these trifunctional or tetrafunctional epoxy resins, the intermolecular network structure in the insulating film formed from the resin composition is strengthened, and the insulation and mechanical properties are improved. It is possible to provide an excellent insulating layer.

エポキシ樹脂は、上述のとおり絶縁層として十分な特性を提供することができるように、2種類以上を混合して使用することができ、脂環式エポキシ樹脂と芳香族エポキシ樹脂の混合物を使用するのが好ましい。この場合、エポキシ樹脂の混合物が3以上の官能性を有するエポキシ樹脂を少なくとも1種含むようにすることにより、ピール強度が大きく、引張り伸びも大きく、ガラス転移温度(Tg)の高い絶縁層を形成することができ、特に有利である。好ましくは、本発明のエポキシ樹脂組成物は、少なくとも2官能性の脂環式エポキシと芳香族エポキシ樹脂を含むほかに、3官能以上のエポキシ樹脂を少なくとも1種含む。   As described above, the epoxy resin can be used by mixing two or more kinds so as to provide sufficient properties as an insulating layer, and a mixture of an alicyclic epoxy resin and an aromatic epoxy resin is used. Is preferred. In this case, the epoxy resin mixture contains at least one epoxy resin having a functionality of 3 or more, thereby forming an insulating layer having high peel strength, high tensile elongation, and high glass transition temperature (Tg). This is particularly advantageous. Preferably, the epoxy resin composition of the present invention includes at least one trifunctional or higher functional epoxy resin in addition to at least a bifunctional alicyclic epoxy and an aromatic epoxy resin.

主剤として上記エポキシ樹脂のほか、例えば、エポキシ変性ポリイミド樹脂を用いることができる。エポキシ変性ポリイミド樹脂は、ジアミンとテトラカルボン酸二無水物(それらのうちの少なくとも一方、通常は少なくともジアミンの方が、ヒドロキシル基を有する)を非プロトン系極性溶媒中で重合させてポリアミド酸中間体を作り、この中間体をポリイミド化して合成される、側鎖中にヒドロキシル基を持つポリイミドをエポキシ化して得られる溶剤可溶性の高分子である。   In addition to the above epoxy resin, for example, an epoxy-modified polyimide resin can be used as the main agent. Epoxy-modified polyimide resin is a polyamic acid intermediate obtained by polymerizing diamine and tetracarboxylic dianhydride (at least one of them, usually at least diamine has a hydroxyl group) in an aprotic polar solvent. Is a solvent-soluble polymer obtained by epoxidizing a polyimide having a hydroxyl group in the side chain, which is synthesized by polyimidating this intermediate.

エポキシ変性ポリイミド樹脂としては、市販のArlon社製、商品名「37N」などを用いてもよい。   As the epoxy-modified polyimide resin, a commercially available product name “37N” manufactured by Arlon may be used.

硬化剤としては、使用するエポキシ化合物を硬化させるのに有用なものであればどのようなものでもよいが、上述した絶縁層の特性を損なわないように選択することが好ましい。このような硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂、アミン化合物、シアネートエステル樹脂、酸無水物を使用することができる。フェノール樹脂としては、アラルキル型フェノール樹脂(例えば、三井化学社製、商品名「XLC−LL」)、フェノールノボラック樹脂(例えば、群栄化学社製、商品名「PSM−4300」)を使用することができる。アミン化合物としては、具体的には、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジエチルアミノプロピルアミン、N−アミノエチルピペラジン、メンセンジアミン、m-キシレンジアミン、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン、ジアミノジシクロヘキシルメタンなどを使用することができる。シアネートエステル樹脂としては、具体的には、例えばプライムセット(ロンザ社)PT−15、PT−30、PT−60S、CT−90及びBA−230S、並びにフェノールノボラックシアネートエステルなどが挙げられる。酸無水物としては、具体的には、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、無水マレイ
ン酸、無水コハク酸、メチルブテニルテトラヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、またこれらの混合物などが挙げられる。絶縁層に要求される特性に応じて、複数種の硬化剤の混合物を使用してもよい。
Any curing agent may be used as long as it is useful for curing the epoxy compound to be used, but it is preferable to select the curing agent so as not to impair the properties of the insulating layer. As such a curing agent, for example, a phenol resin, an amine compound, a cyanate ester resin, and an acid anhydride can be used. As the phenol resin, an aralkyl type phenol resin (for example, trade name “XLC-LL” manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) or a phenol novolak resin (for example, trade name “PSM-4300” manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd.) should be used. Can do. Specific examples of amine compounds include diethylenetriamine, triethylenetetramine, diethylaminopropylamine, N-aminoethylpiperazine, mensendiamine, m-xylenediamine, metaphenylenediamine, diaminodiphenylmethane, diaminodiphenylsulfone, and diaminodicyclohexylmethane. Can be used. Specific examples of the cyanate ester resin include Prime Set (Lonza) PT-15, PT-30, PT-60S, CT-90 and BA-230S, and phenol novolac cyanate ester. Specific examples of acid anhydrides include trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic anhydride, maleic anhydride, succinic anhydride, methylbutenyltetrahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methyltetrahydro Examples thereof include phthalic anhydride, methyl nadic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, and mixtures thereof. Depending on the properties required for the insulating layer, a mixture of a plurality of curing agents may be used.

硬化剤の使用量は、形成する絶縁層の特性等を考慮して適宜決定すればよいが、通常は、組成物中のエポキシ基1当量に対し硬化剤の活性水素当量が0.8〜1.1となるような量で配合するのが好ましい。   The amount of the curing agent used may be appropriately determined in consideration of the characteristics of the insulating layer to be formed, etc., but usually the active hydrogen equivalent of the curing agent is 0.8 to 1 with respect to 1 equivalent of the epoxy group in the composition. It is preferable to blend in an amount such that .1.

硬化促進剤としては、使用するエポキシ化合物とその硬化剤の種類に応じて適当なものを使用するようにすればよい。このような硬化促進剤としては、イミダゾール化合物、トリフェニルホスフィン、三級アミン、並びにCu(II)、Co(II)、Zn(II)、及びMn(II)のアセチルアセトナート錯体などを使用することができる。   As a hardening accelerator, what is necessary is just to use a suitable thing according to the epoxy compound to be used and the kind of the hardening | curing agent. Examples of such curing accelerators include imidazole compounds, triphenylphosphine, tertiary amines, and acetylacetonate complexes of Cu (II), Co (II), Zn (II), and Mn (II). be able to.

硬化促進剤の使用量も、使用するエポキシ樹脂とその硬化剤の種類に応じて適宜決定すればよい。イミダゾール化合物、トリフェニルホスフィン、三級アミンを硬化促進剤として用いる場合、通常、組成物中のエポキシ樹脂100重量部に対して1〜10重量部が用いられる。また、Cu(II)、Co(II)、Zn(II)、及びMn(II)のアセチルアセトナート錯体を硬化促進剤として用いる場合、通常、組成物中の全固形分100万重量部当たりの活性金属イオン含有量が100〜500部(100〜500ppm)となるように用いられる。   What is necessary is just to determine the usage-amount of a hardening accelerator suitably according to the epoxy resin to be used and the kind of the hardening | curing agent. When using an imidazole compound, triphenylphosphine, and a tertiary amine as a curing accelerator, 1 to 10 parts by weight is usually used with respect to 100 parts by weight of the epoxy resin in the composition. Further, when an acetylacetonate complex of Cu (II), Co (II), Zn (II), and Mn (II) is used as a curing accelerator, it is usually per 1 million parts by weight of the total solid content in the composition. It is used so that the active metal ion content is 100 to 500 parts (100 to 500 ppm).

樹脂組成物には、必要に応じて種々の添加剤を添加してもよい。そのような添加剤の例として、例えばフィラーが挙げられる。特に、フィラーとしてシリカ粉末を添加すると、配線基板の熱膨張係数を低減させる点から有利である。シリカ粉末の添加量は、形成する絶縁層の他の特性を損なわないように決定すべきであり、具体的には、樹脂組成物の全固形分100重量部に対し2.5〜10重量部程度とするのがよい。添加剤としては、フィラーのほか、レベリング剤、防錆顔料、ハジキ防止剤、ダレ止め剤、消泡剤、紫外線吸収剤、光安定剤等などを挙げることができる。   You may add a various additive to a resin composition as needed. Examples of such additives include fillers. In particular, the addition of silica powder as a filler is advantageous from the viewpoint of reducing the thermal expansion coefficient of the wiring board. The addition amount of the silica powder should be determined so as not to impair other properties of the insulating layer to be formed. Specifically, 2.5 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total solid content of the resin composition. It is good to be about. Examples of the additive include a leveling agent, a rust preventive pigment, a repellency inhibitor, an anti-sagging agent, an antifoaming agent, an ultraviolet absorber, a light stabilizer and the like in addition to a filler.

樹脂組成物は、一般にワニス状にして処理基板(コア基板又はその上に絶縁層と配線層を形成したもの)上へ塗布される。ワニス状組成物とするために、樹脂組成物は上記の成分以外に、適当な溶媒を含むことができる。溶媒の例としては、プロピレングリコールモノエーテルアセテート等のアセテート類、シクロヘキサン、ジオキサン、メチルエチルケトン(MEK)、キシレン、N−メチルピロリドンなどの有機溶剤を挙げることができる。   The resin composition is generally applied in the form of a varnish onto a processing substrate (a core substrate or an insulating layer and a wiring layer formed thereon). In order to obtain a varnish-like composition, the resin composition can contain an appropriate solvent in addition to the above components. Examples of the solvent include acetates such as propylene glycol monoether acetate, and organic solvents such as cyclohexane, dioxane, methyl ethyl ketone (MEK), xylene, and N-methylpyrrolidone.

尚、第3の工程において、樹脂組成物は、通常、第1貫通孔21だけでなく、基板11の表面11a、裏面11b、及び側端面(図示せず)に形成されてもよい。   In the third step, the resin composition may be usually formed not only on the first through hole 21 but also on the front surface 11a, the back surface 11b, and the side end surface (not shown) of the substrate 11.

有機層13が設けられた第1貫通孔21の表面は、有機層13が設けられない第1貫通孔21の表面よりも上記樹脂組成物に対する濡れ性が高い。このため、樹脂組成物は第1貫通孔21の形成の際に生じたバリ12の凹凸形状沿うように充填される。また、反応性置換基を有する有機膜13と樹脂組成物に含まれる主剤とは、第4工程における加熱により反応し、一体化して絶縁層14を形成する。絶縁層14の第1貫通孔21に対する吸着は、上述のとおり、化学吸着が支配的である。   The surface of the first through hole 21 in which the organic layer 13 is provided has higher wettability with respect to the resin composition than the surface of the first through hole 21 in which the organic layer 13 is not provided. For this reason, the resin composition is filled so as to follow the irregular shape of the burr 12 generated when the first through hole 21 is formed. Moreover, the organic film 13 having a reactive substituent and the main agent contained in the resin composition react by heating in the fourth step and are integrated to form the insulating layer 14. As described above, the adsorption of the insulating layer 14 to the first through-hole 21 is dominated by chemical adsorption.

上記ラミネートの際、基材11の両面にドライフィルムをラミネートすることが、第1貫通孔21内への有機樹脂の充填率を向上させる点から好ましい。ラミネートに用いる装置としては、例えば、既存の真空プレス、積層板プレス、ラミネータ、真空ラミネータな
どが挙げられる。ラミネートは、樹脂組成物の反応を促進させるため、また第1貫通孔21における有機樹脂の充填率を向上させるため、加熱しながら行ってもよい。加熱温度は、樹脂組成物14に含まれる化合物に応じて適宜選択できる。
(4)第4の工程
第4の工程では、図3(d)に示されるように、第1貫通孔21の壁面に設けられた樹脂組成物14に対して加熱することにより硬化反応を促進させる。樹脂組成物14に含まれるエポキシ樹脂及びエポキシ変性ポリイミド樹脂は熱硬化性樹脂であり、反応して得られる生成物は剛直な3次元網目構造をとる。
When laminating, it is preferable to laminate a dry film on both surfaces of the substrate 11 from the viewpoint of improving the filling rate of the organic resin into the first through holes 21. Examples of the apparatus used for laminating include an existing vacuum press, a laminated plate press, a laminator, and a vacuum laminator. Lamination may be performed while heating in order to promote the reaction of the resin composition and to improve the filling rate of the organic resin in the first through holes 21. The heating temperature can be appropriately selected according to the compound contained in the resin composition 14.
(4) Fourth Step In the fourth step, the curing reaction is accelerated by heating the resin composition 14 provided on the wall surface of the first through-hole 21 as shown in FIG. Let The epoxy resin and the epoxy-modified polyimide resin contained in the resin composition 14 are thermosetting resins, and the product obtained by reaction takes a rigid three-dimensional network structure.

また、この加熱により、下記式(5)に示されるように、有機層13が有する反応性置換基と、樹脂組成物14に含まれるエポキシ基とが反応する。このとき、有機層13に含まれる反応性官能基と、樹脂組成物14に含まれる有機樹脂とが反応することにより投錨(アンカー)効果が発揮されるため、硬化後における貫通孔21の壁面と絶縁層14との密着性は向上する。加熱温度は、樹脂組成物に含まれる化合物に応じて適宜選択できる。   Moreover, the reactive substituent which the organic layer 13 has, and the epoxy group contained in the resin composition 14 react by this heating, as shown by following formula (5). At this time, since a reactive functional group contained in the organic layer 13 reacts with an organic resin contained in the resin composition 14, a anchoring (anchor) effect is exhibited. Adhesion with the insulating layer 14 is improved. The heating temperature can be appropriately selected according to the compound contained in the resin composition.

Arは、一般式(1)のそれと同様に、置換若しくは未置換の芳香族基、又は置換若しくは未置換の複素環基を示す。Rは、式(2)のそれと同様に、本実施形態における反応性置換基である。Rは、第3工程の有機樹脂に対して反応性を示す官能基であり、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基が挙げられる。連結基Yは、エポキシ基と、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基の中から選択される官能基とが反応することにより形成される連結基である。連結基Yは、具体的には、−NHR−、−N(R−)R−、−O−R−、−COO−R−などが挙げられる。但しR、Rは、−CH−CH(OH)−、−CH(OH)−CH−の中から選択される基であり、同じであっても異なっていてもよいが、通常、−CH−CH(OH)−である。Rは、一般式(1)のそれと同様に、エポキシ樹脂及びエポキシ変性ポリイミド樹脂が備えるエポキシ基のうち、連結基Yの形成に関与したエポキシ基を除く部分である。 Ar represents a substituted or unsubstituted aromatic group or a substituted or unsubstituted heterocyclic group as in the general formula (1). R 4 is a reactive substituent in the present embodiment, similar to that of formula (2). R 4 is a functional group that is reactive with the organic resin in the third step, and examples thereof include a hydroxyl group, a carboxyl group, and an amino group. The linking group Y is a linking group formed by a reaction between an epoxy group and a functional group selected from a hydroxyl group, a carboxyl group, and an amino group. Linking group Y is specifically, -NHR 2 -, - N ( R 2 -) R 3 -, - O-R 2 -, - COO-R 2 - , and the like. R 2 and R 3 are groups selected from —CH 2 —CH (OH) — and —CH (OH) —CH 2 —, which may be the same or different. , —CH 2 —CH (OH) —. R 1 is a portion excluding the epoxy group involved in the formation of the linking group Y among the epoxy groups included in the epoxy resin and the epoxy-modified polyimide resin, similarly to that of the general formula (1).

なお、第3の工程において、加熱しながらラミネートを行うことにより、第4の工程に代えることができる。
(5)第5の工程
第5の工程では、図4(a)に示されるように、硬化した樹脂組成物、すなわち絶縁層14に第2貫通孔22を形成する。第2貫通孔22の形成は、第1貫通孔21の形成と同様に、例えば、UV−YAGレーザ、炭酸ガスレーザ、及びエキシマレーザ等を用いるドライエッチング法、並びに機械的ドリル法(切削加工法)等を使用することができる。第2貫通孔22の直径は、例えば0.2mmとする。更に、必要に応じて第2貫通孔22に対して、樹脂残渣を除去するデスミア処理を行ってもよい。デスミア処理は、過マンガン酸等の薬液により行ってもよいし、プラズマを用いて行ってもよい。
In addition, it can replace with a 4th process by laminating in a 3rd process, heating.
(5) Fifth Step In the fifth step, as shown in FIG. 4A, the second through hole 22 is formed in the cured resin composition, that is, the insulating layer 14. The formation of the second through hole 22 is similar to the formation of the first through hole 21, for example, a dry etching method using a UV-YAG laser, a carbon dioxide gas laser, an excimer laser, and the like, and a mechanical drill method (cutting method). Etc. can be used. The diameter of the second through hole 22 is, for example, 0.2 mm. Furthermore, you may perform the desmear process which removes a resin residue with respect to the 2nd through-hole 22 as needed. The desmear treatment may be performed with a chemical solution such as permanganic acid or may be performed using plasma.

なお、第3工程において、上記第2貫通孔に対応する形状になるように樹脂組成物14を第1貫通孔21内に設けた場合には、第5の工程を行わなくてもよい。
(6)第6の工程
第6の工程では、図4(b)に示されるように、第2貫通孔22を導電性材料で被覆し、配線部15を設ける。導電性材料としては、例えば銅が好ましく用いられる。導電性材
料を被覆する方法は特に限定されないが、例えば無電解めっき法及びそれに続く電解めっき法により被覆することができる。無電解めっき法により被覆した銅膜の膜厚は例えば0.3μmであり、更にめっき法により被覆した銅膜の膜厚は例えば30μmである。被覆された導電性材料により、基板11の両面を電気的に接続することが可能になる。
In the third step, the fifth step may not be performed when the resin composition 14 is provided in the first through hole 21 so as to have a shape corresponding to the second through hole.
(6) Sixth Step In the sixth step, as shown in FIG. 4B, the second through hole 22 is covered with a conductive material, and the wiring portion 15 is provided. For example, copper is preferably used as the conductive material. The method for coating the conductive material is not particularly limited, and for example, the conductive material can be coated by an electroless plating method and a subsequent electrolytic plating method. The film thickness of the copper film coated by the electroless plating method is, for example, 0.3 μm, and the film thickness of the copper film coated by the plating method is, for example, 30 μm. The coated conductive material makes it possible to electrically connect both sides of the substrate 11.

配線基板は、通常、第2貫通孔22のみならず、基板の表面11a、裏面11b、及び側端面(図示されず)にも導電性の材料からなる配線部が設けられる。これらの面に設けられる配線部の形態は、配線の設計に応じて決定されるものであり、特に限定されない。これらの面に設けられる配線部は、例えば、以下のようにして設けることができる。   The wiring board is usually provided with a wiring portion made of a conductive material not only on the second through hole 22 but also on the front surface 11a, the back surface 11b, and the side end surface (not shown) of the substrate. The form of the wiring portion provided on these surfaces is determined according to the wiring design and is not particularly limited. The wiring portions provided on these surfaces can be provided as follows, for example.

まず、上記第6の工程で無電解めっき法により第2貫通孔とともに、基板の表面11a、裏面11b、及び側端面(図示されず)にも導電性の材料を被覆する。次いで、ドライフィルムレジストで基板11をラミネートすることにより、基板11の表裏面に形成された銅膜上に、例えば膜厚50μmのレジスト層を形成する(図示せず)。次いで、フォトリソグラフィ技術により、レジスト層31に、配線形成予定領域を露出する開口部30を形成する(図4(c)参照)。   First, in the sixth step, a conductive material is also coated on the front surface 11a, the back surface 11b, and the side end surfaces (not shown) of the substrate together with the second through holes by the electroless plating method. Next, by laminating the substrate 11 with a dry film resist, a resist layer having a thickness of 50 μm, for example, is formed on the copper film formed on the front and back surfaces of the substrate 11 (not shown). Next, an opening 30 exposing the wiring formation scheduled region is formed in the resist layer 31 by photolithography (see FIG. 4C).

次いで、無電解めっき法により形成された銅膜15をシードとして、電解めっき法により、レジスト層31の開口部30に露出した銅膜15上及び第2貫通孔22の壁面に形成されている銅膜15上に、例えば、膜厚30μmの銅膜を堆積する(図4(d)参照)。   Next, with the copper film 15 formed by electroless plating as a seed, copper formed on the copper film 15 exposed at the opening 30 of the resist layer 31 and the wall surface of the second through hole 22 by electrolytic plating. For example, a copper film having a thickness of 30 μm is deposited on the film 15 (see FIG. 4D).

電解めっき法により銅膜15の膜厚を増加させた後、レジスト層31を除去する(図5(a)参照)。次いで、配線形成予定領域以外の部分に設けられた銅膜15をパネルエッチングにより除去する。エッチング液としては、例えば過酸化水素水と硫酸との混合液を用いる。こうして、基板の表裏面に形成された絶縁層14上に、銅膜15よりなる配線32a、32bがそれぞれ形成される。また、基板11の側端面に形成された絶縁層上に、銅膜よりなる配線が形成される(図示せず)。また、第2貫通孔22の壁面には、銅膜15よりなる配線32cが形成される(図5(b)参照)。   After increasing the film thickness of the copper film 15 by electrolytic plating, the resist layer 31 is removed (see FIG. 5A). Next, the copper film 15 provided in a portion other than the wiring formation scheduled region is removed by panel etching. As the etching solution, for example, a mixed solution of hydrogen peroxide and sulfuric acid is used. In this way, wirings 32a and 32b made of the copper film 15 are formed on the insulating layer 14 formed on the front and back surfaces of the substrate. Further, a wiring made of a copper film is formed on the insulating layer formed on the side end surface of the substrate 11 (not shown). Moreover, the wiring 32c which consists of the copper film 15 is formed in the wall surface of the 2nd through-hole 22 (refer FIG.5 (b)).

こうして、本実施形態による配線基板が形成される。   Thus, the wiring board according to the present embodiment is formed.

多層配線基板を形成する場合には、以後、絶縁層を形成する工程と、上記と同様の配線を形成する工程とを繰り返す。基板11の表裏面のそれぞれに、例えば5層の多層配線を形成することができる。このようなビルドアップ手法による多層配線基板の製造は、当業者にとって周知であるため説明を省略する。多層配線が形成された基板11の表裏面の最上層には、例えばスクリーン印刷技術とフォトリソグラフィ技術とを併用して、オーバーコート層を形成してもよい。   In the case of forming a multilayer wiring board, the process of forming an insulating layer and the process of forming a wiring similar to the above are repeated thereafter. For example, five layers of multilayer wiring can be formed on each of the front and back surfaces of the substrate 11. Since the manufacture of a multilayer wiring board by such a build-up technique is well known to those skilled in the art, description thereof is omitted. An overcoat layer may be formed on the top and bottom layers of the substrate 11 on which the multilayer wiring is formed by using, for example, a screen printing technique and a photolithography technique together.

このように、本実施形態によれば、基板11の貫通孔21にバリ12を被覆するように有機層13が形成される。基板11に含まれる原子と有機層13に含まれる原子とは共有結合性の結合を形成している。また、有機層13は、貫通孔21の樹脂組成物に対する濡れ性を向上させる。このため、樹脂組成物14は第1貫通孔21の形成の際に生じたバリ12の凹凸形状に沿うように設けられる。貫通孔21に設けられた樹脂組成物14は、加熱により、有機層13と反応して硬化する。このとき、有機層13に含まれる反応性官能基と、樹脂組成物14に含まれる有機樹脂とが反応することにより投錨(アンカー)効果が発揮されるため、硬化後における貫通孔21の壁面と絶縁層14との密着性は向上する。よって、絶縁層14にボイドが発生したり、配線基板の使用時における温度変化に伴いクラックが発生したりしにくい。ボイドやクラックの発生がない絶縁層には配線形成用のめっき液が浸透しにくいため、貫通孔に設けられた配線と導電性基板とが短絡しにくい。したがって、本実施形態によれば、信頼性の高い配線基板を提供することができる。   Thus, according to this embodiment, the organic layer 13 is formed so that the through-hole 21 of the substrate 11 covers the burr 12. The atoms contained in the substrate 11 and the atoms contained in the organic layer 13 form a covalent bond. Moreover, the organic layer 13 improves the wettability with respect to the resin composition of the through-hole 21. For this reason, the resin composition 14 is provided along the concavo-convex shape of the burr 12 generated when the first through hole 21 is formed. The resin composition 14 provided in the through-hole 21 reacts with the organic layer 13 and is cured by heating. At this time, since a reactive functional group contained in the organic layer 13 reacts with an organic resin contained in the resin composition 14, a anchoring (anchor) effect is exhibited. Adhesion with the insulating layer 14 is improved. Therefore, voids are unlikely to occur in the insulating layer 14, and cracks are unlikely to occur due to temperature changes during use of the wiring board. Since the plating solution for forming the wiring hardly penetrates into the insulating layer where no voids or cracks are generated, the wiring provided in the through hole and the conductive substrate are not easily short-circuited. Therefore, according to the present embodiment, a highly reliable wiring board can be provided.

<実施例1>
以下の方法により実施例1の配線基板を作成した。
<Example 1>
The wiring board of Example 1 was created by the following method.

まず、厚さが0.2mmのカーボン繊維を編みこんだシートとエポキシ系樹脂組成物を複合させたプリプレグを5枚重ねて真空プレスで積層し、板厚1.0mmの導電性を有する基板を作成した。カーボン繊維はX、Y方向(基板に対して平行で互いに垂直な2方向)に編みこまれている。エポキシ系樹脂組成物として、組成物全体の10重量%のアルミナフィラーと、同じく10重量%シリカフィラーとを含有しているものが用いられた。アルミナフィラーとして、平均粒径7μm以下で熱膨張率は7ppm/℃のものが用いられた。シリカフィラーとして、平均粒径3μm以下で熱膨張率は3ppm/℃のものが用いられた。このコア材料の、X、Y方向の平均熱膨張率は2ppm/℃、Z方向の平均熱膨張率は80ppm/℃であった。上記熱膨張率の温度範囲は25〜200℃の範囲である。   First, five sheets of a prepreg obtained by combining a carbon fiber sheet having a thickness of 0.2 mm and an epoxy resin composition are stacked and stacked by a vacuum press to form a conductive substrate having a thickness of 1.0 mm. Created. The carbon fibers are woven in the X and Y directions (two directions parallel to the substrate and perpendicular to each other). As the epoxy resin composition, an epoxy resin composition containing 10% by weight of an alumina filler and 10% by weight of a silica filler was used. An alumina filler having an average particle size of 7 μm or less and a thermal expansion coefficient of 7 ppm / ° C. was used. A silica filler having an average particle size of 3 μm or less and a thermal expansion coefficient of 3 ppm / ° C. was used. The average thermal expansion coefficient in the X and Y directions of this core material was 2 ppm / ° C., and the average thermal expansion coefficient in the Z direction was 80 ppm / ° C. The temperature range of the coefficient of thermal expansion is in the range of 25 to 200 ° C.

この基板の主面に、以下の方法で開口部を形成した。まず、基板にドリルにて基板の主面にφ0.5mmの貫通孔を約1000個形成した。この基板に所定の脱脂・洗浄処理を行った。その後、基板をp−carboxyphenyl diazonium tetrafluoroborate(0.1mol)水溶液(0.1N、HSO)に30分浸漬させたあと水洗浄を行った。その後、基板の両面にエポキシ系樹脂シートを真空プレスによりラミネートし、貫通孔にエポキシ系樹脂を充填した。真空プレスは200℃、30分間の条件で行われた。 An opening was formed in the main surface of the substrate by the following method. First, about 1000 through-holes with a diameter of 0.5 mm were formed on the main surface of the substrate with a drill. The substrate was subjected to predetermined degreasing / cleaning treatment. Thereafter, the substrate was immersed in an aqueous solution (0.1N) of p-carbophenyl diazonium tetrafluoroborate (0.1 mol) (0.1 N, H 2 SO 4 ) for 30 minutes and then washed with water. Thereafter, an epoxy resin sheet was laminated on both surfaces of the substrate by a vacuum press, and the through hole was filled with the epoxy resin. The vacuum press was performed at 200 ° C. for 30 minutes.

なお、エポキシ系樹脂シートは以下の手順で作成した。まず、テトラブロモビスフェノ−ルA型エポキシ樹脂(大日本インキ社製、商品名「エピクロン153」)75重量部、シクロヘキサン骨格の脂環式エポキシ樹脂(チバガイギー社製、商品名「アラルダイトCY179」)25重量部、フェノールノボラック樹脂(群栄化学社製、商品名「PSM−4300」)40重量部、2−メチル−4−エチル−イミダゾール(四国化成社製)1.0重量部、シリカ粉末(日本アエロジル社製、商品名「Aerosil 200」、粒子径:12nm)10.0重量部をプロピリングリコールモノエーテル18重量部とシクロヘキサン29重量部に溶解し、塗液を調整した。次いで、この塗液を、ギャップ100μmのドクターブレード(Doctor Blade)を用いて、厚さ100μmのPETフィルム上に塗布し、乾燥させ、エポキシ系樹脂シートを得た。エポキシ系樹脂シート上の、エポキシ樹脂の厚さは0.05mmだった。   The epoxy resin sheet was prepared by the following procedure. First, 75 parts by weight of a tetrabromobisphenol A type epoxy resin (Dainippon Ink Co., Ltd., trade name “Epicron 153”), cyclohexane alicyclic epoxy resin (Ciba Geigy Co., Ltd., trade name “Araldite CY179”) 25 parts by weight, phenol novolac resin (manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd., trade name “PSM-4300”) 40 parts by weight, 2-methyl-4-ethyl-imidazole (manufactured by Shikoku Chemicals) 1.0 part by weight, silica powder ( 10.0 parts by weight manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd. (trade name “Aerosil 200”, particle size: 12 nm) were dissolved in 18 parts by weight of propylene glycol monoether and 29 parts by weight of cyclohexane to prepare a coating solution. Next, this coating solution was applied onto a PET film having a thickness of 100 μm using a doctor blade having a gap of 100 μm and dried to obtain an epoxy resin sheet. The thickness of the epoxy resin on the epoxy resin sheet was 0.05 mm.

次に、上記貫通孔に充填されたエポキシ系樹脂に、基板に形成された貫通孔の中心を通るφ0.2mmの貫通孔を、UV−YAGレーザを用いて形成した。次に、基板及び基板の貫通孔に設けられたエポキシ樹脂の表面に無電解銅めっき膜(いわゆるシード層)を形成した。次に、無電解銅めっき膜の表面に、配線パタンに対応する形状を有するドライフィルムレジストを設けた。次いで、シード層の表面に、電解銅めっきにより銅を被覆させた。この時、φ0.2mmの貫通孔にも銅が被覆された。次いで、ドライフィルムレジストを剥離した。次いで無電解銅めっき膜をパネルエッチングすることにより配線基板を得た。エッチング液としては過酸化水素水と硫酸の混合液を用いた。
(評価)
1.熱サイクル試験
得られた実施例1の配線基板について、貫通孔に設けられた銅配線の抵抗値を測定した。本抵抗値は、アドバンテスト製デジタルマルチメータR-6551を用い4端子方法によって測定した。
Next, a through hole having a diameter of 0.2 mm passing through the center of the through hole formed in the substrate was formed in the epoxy resin filled in the through hole using a UV-YAG laser. Next, an electroless copper plating film (a so-called seed layer) was formed on the surface of the substrate and the epoxy resin provided in the through hole of the substrate. Next, a dry film resist having a shape corresponding to the wiring pattern was provided on the surface of the electroless copper plating film. Next, copper was coated on the surface of the seed layer by electrolytic copper plating. At this time, copper was also coated on the through hole having a diameter of 0.2 mm. Next, the dry film resist was peeled off. Subsequently, the electroless copper plating film was subjected to panel etching to obtain a wiring board. As the etching solution, a mixed solution of hydrogen peroxide and sulfuric acid was used.
(Evaluation)
1. Thermal cycle test About the obtained wiring board of Example 1, the resistance value of the copper wiring provided in the through-hole was measured. This resistance value was measured by a 4-terminal method using an Advantest digital multimeter R-6551.

次いで熱サイクル試験を行った。配線基板を−65℃の温度下に30分間放置し、続いて125℃の温度下に30分間放置した。この温度及び時間の条件を1サイクルとし、これを1000サイクル繰り返す熱サイクル試験を行った。   A thermal cycle test was then performed. The wiring board was left at a temperature of −65 ° C. for 30 minutes, and then left at a temperature of 125 ° C. for 30 minutes. The temperature and time conditions were set to 1 cycle, and a thermal cycle test was repeated for 1000 cycles.

次いで熱サイクル試験を行った配線基板について、再び貫通孔に設けられた銅配線の抵抗値を測定した。   Subsequently, the resistance value of the copper wiring provided in the through hole was again measured for the wiring board subjected to the thermal cycle test.

配線基板の熱サイクル試験前後の抵抗値の変化率はそれぞれ5%以下だった。
2.外観評価
導電性基板の貫通孔の壁面とエポキシ樹脂との間のクラックや空隙の有無を確認するため、配線基板の基板に平行な断面を5枚、断面SEMにより観察したところ、クラックや空隙は認められなかった。また、導電性基板の貫通孔の壁面とエポキシ樹脂との間への銅めっき液の浸み込みは確認されなかった。
<実施例2>
実施例1の配線基板の作成方法において、エポキシ系樹脂組成物が、組成物全体の10重量%のアルミナフィラーと、10重量%シリカフィラーとを含有する代わりに、組成物全体の5重量%の窒化アルミニウムフィラーと、25重量%のシリカフィラーとを含有し、窒化アルミニウムフィラーは平均粒径8μm以下で熱膨張率は5ppm/℃だった点、導電性基板のX、Y方向の平均熱膨張率、Z方向の平均熱膨張率、平均熱膨張率の温度範囲がそれぞれ2ppm/℃、80ppm/℃、25〜200℃である代わりに、それぞれ3ppm/℃、70ppm/℃、25〜150℃だった点、基板をp−carboxyphenyl diazonium tetrafluoroborate(0.1mol)水溶液(0.1N、HSO)に30分浸漬させる代わりに、基板をp−aminophenyl diazonium tetrafluoroborate(0.1mol)水溶液(0.1N、HSO)に30分浸漬させた点、及び基板の両面にエポキシ系樹脂シートを真空プレスによりラミネートし、貫通孔にエポキシ系樹脂を充填する代わりに、基板の両面にシアネートエステル−エポキシ系樹脂シートを真空プレスによりラミネートし、貫通孔にエポキシ系樹脂を充填する点を除き、実施例1の配線基板の作成方法と同様の方法で実施例2の配線基板を作成した。
The change rate of the resistance value before and after the thermal cycle test of the wiring board was 5% or less, respectively.
2. Appearance evaluation In order to confirm the presence or absence of cracks or voids between the wall surface of the through hole of the conductive substrate and the epoxy resin, the cross section parallel to the substrate of the wiring substrate was observed with a cross-sectional SEM. I was not able to admit. Moreover, the penetration of the copper plating solution between the wall surface of the through hole of the conductive substrate and the epoxy resin was not confirmed.
<Example 2>
In the method for producing the wiring board of Example 1, the epoxy resin composition contains 10% by weight of alumina filler and 10% by weight of silica filler, instead of 5% by weight of the total composition. It contains an aluminum nitride filler and 25% by weight silica filler. The aluminum nitride filler has an average particle size of 8 μm or less and a thermal expansion coefficient of 5 ppm / ° C., and an average thermal expansion coefficient in the X and Y directions of the conductive substrate. The temperature ranges of the average thermal expansion coefficient in the Z direction and the average thermal expansion coefficient were 2 ppm / ° C, 80 ppm / ° C, and 25-200 ° C, respectively, but were 3 ppm / ° C, 70 ppm / ° C, and 25-150 ° C, respectively. Dot, substrate is p-carbophenyl diazonium tetrafluoroborate (0.1 mol) aqueous solution (0.1 N, H 2 SO 4) ) For 30 minutes, the substrate was immersed in an aqueous solution of p-aminophenyl diazonium tetrafluoroborate (0.1 mol) (0.1N, H 2 SO 4 ) for 30 minutes, and an epoxy resin sheet was placed on both sides of the substrate. Instead of laminating by vacuum press and filling the through hole with epoxy resin, cyanate ester-epoxy resin sheet is laminated on both sides of the substrate by vacuum press, except that the through hole is filled with epoxy resin The wiring board of Example 2 was created by the same method as that for creating the wiring board of Example 1.

なお、シアネートエステル−エポキシ系樹脂シートは以下の手順で作成した。まず、テトラブロモビスフェノ−ルA型エポキシ樹脂(大日本インキ社製、商品名「エピクロン153」)65重量部、シクロヘキサン骨格の脂環式エポキシ樹脂(チバガイギー社製、商品名「アラルダイトCY179」)25重量部、ビスフェノ−ルA型ポリオールエポキシ(新日本理化社製、商品名「BEO−60E」)10重量部、シアネートエステル(Lonza corporation製、商品名「PT−30」)87重量部、シリカ粉末(日本アエロジル社製、商品名「AEROSIL200」、粒子径:12nm)6重量部、ポリアクリレート0.25重量部、及びCo(II)アセチルアセトナート錯体0.01重量部を、プロピレングリコールモノエーテル20重量部、シクロヘキサン29重量部に溶解し、塗液を調整した。次いで、この塗液を、ギャップ100μmのドクターブレード(Doctor Blade)を用いて、厚さ100μmのPETフィルム上に塗布し、乾燥させ、シアネートエステル−エポキシ系樹脂シートを得た。
(評価)
1.熱サイクル試験
得られた実施例2の配線基板について、実施例1の評価と同様の方法で、熱サイクル試験前後の抵抗値の変化率を求めた。実施例1の配線基板の抵抗値の変化率はそれぞれ5%以下だった。
2.外観評価
導電性基板の貫通孔の壁面とエポキシ樹脂との間のクラックや空隙の有無を確認するため、配線基板の、基板に平行な断面を5枚、断面SEMにより観察したところ、クラック
や空隙は認められなかった。また、導電性基板の貫通孔の壁面とエポキシ樹脂との間への銅めっき液の浸み込みは確認されなかった。
<実施例3>
実施例1の配線基板の作成方法において、エポキシ系樹脂組成物が、組成物全体の10重量%のアルミナフィラーと、10重量%シリカフィラーとを含有する代わりに、組成物全体の5重量%の窒化アルミニウムフィラーと、同じく25重量%のシリカフィラーとを含有し、窒化アルミニウムフィラーは平均粒径8μm以下で熱膨張率は5ppm/℃だった点、導電性基板のX、Y方向の平均熱膨張率、Z方向の平均熱膨張率、平均熱膨張率の温度範囲がそれぞれ2ppm/℃、80ppm/℃、25〜200℃である代わりに、それぞれ3ppm/℃、70ppm/℃、25〜150℃だった点、及び基板をp−carboxyphenyl diazonium tetrafluoroborate(0.1mol)水溶液(0.1N、HSO)に30分浸漬させる代わりに、基板を4−hydroxyphenyldiazonium tetrafluoroborate
salt(0.1mol)水溶液(0.1N、HSO)に30分浸漬させた点を除き、実施例1の配線基板の作成方法と同様の方法で実施例3の配線基板を作成した。
(評価)
1.熱サイクル試験
得られた実施例3の配線基板について、実施例1の評価と同様の方法で、熱サイクル試験前後の抵抗値の変化率を求めた。実施例1の配線基板の抵抗値の変化率はそれぞれ5%以下だった。
2.外観評価
導電性基板の貫通孔の壁面とエポキシ樹脂との間のクラックや空隙の有無を確認するため、配線基板の、基板に平行な断面を5枚、断面SEMにより観察したところ、クラックや空隙は認められなかった。また、導電性基板の貫通孔の壁面とエポキシ樹脂との間への銅めっき液の浸み込みは確認されなかった。
<比較例1>
実施例1の配線基板の作成方法において、基板をp−carboxyphenyl diazonium tetrafluoroborate(0.1mol)水溶液(0.1N、HSO)に30分浸漬させ、更に水洗浄を行う工程を行わなかった点を除き、実施例1の配線基板の作成方法と同様の方法で比較例1の配線基板を作成した。
(評価)
1.熱サイクル試験
得られた比較例1の配線基板について、実施例1の評価と同様の方法で、熱サイクル試験前後の抵抗値の変化率を求めた。比較例1の配線基板の抵抗値の変化率はそれぞれ5%を超えた。
2.外観評価
導電性基板の貫通孔の壁面とエポキシ樹脂との間のクラックや空隙の有無を確認するため、配線基板の基板に平行な断面を5枚、断面SEMにより観察したところ、クラック及び空隙が認められた。また、導電性基板の貫通孔の壁面とエポキシ樹脂との間への銅めっき液の浸み込みが確認された。
<比較例2>
実施例1の配線基板の作成方法において、基板をp−aminophenyl diazonium tetrafluoroborate(0.1mol)水溶液(0.1N、HSO)させ、更に水洗浄を行う工程を行わなかった点を除き、実施例2の配線基板の作成方法と同様の方法で比較例2の配線基板を作成した。
(評価)
1.熱サイクル試験
得られた比較例2の配線基板について、実施例1の評価と同様の方法で、熱サイクル試験前後の抵抗値の変化率を求めた。比較例2の配線基板の抵抗値の変化率はそれぞれ5%を超えた。
2.外観評価
導電性基板の貫通孔の壁面とエポキシ樹脂との間のクラックや空隙の有無を確認するため、配線基板の基板に平行な断面を5枚、断面SEMにより観察したところ、クラック及び空隙が認められた。また、導電性基板の貫通孔の壁面とエポキシ樹脂との間への銅めっき液の浸み込みが確認された。
The cyanate ester-epoxy resin sheet was prepared by the following procedure. First, 65 parts by weight of tetrabromobisphenol A type epoxy resin (Dainippon Ink Co., Ltd., trade name “Epiclon 153”), cyclohexane skeleton alicyclic epoxy resin (Ciba Geigy Co., Ltd., trade name “Araldite CY179”) 25 parts by weight, 10 parts by weight of bisphenol A type polyol epoxy (manufactured by Shin Nippon Chemical Co., Ltd., trade name “BEO-60E”), 87 parts by weight of cyanate ester (manufactured by Lonza Corporation, trade name “PT-30”), silica 6 parts by weight of powder (manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., trade name “AEROSIL200”, particle size: 12 nm), 0.25 parts by weight of polyacrylate, and 0.01 parts by weight of Co (II) acetylacetonate complex were mixed with propylene glycol monoether. Dissolve in 20 parts by weight of cyclohexane and 29 parts by weight of cyclohexane. It was. Subsequently, this coating liquid was applied onto a PET film having a thickness of 100 μm using a doctor blade having a gap of 100 μm and dried to obtain a cyanate ester-epoxy resin sheet.
(Evaluation)
1. Thermal cycle test With respect to the obtained wiring board of Example 2, the rate of change in resistance value before and after the thermal cycle test was determined in the same manner as in the evaluation of Example 1. The change rate of the resistance value of the wiring board of Example 1 was 5% or less, respectively.
2. Appearance evaluation In order to confirm the presence or absence of cracks or voids between the wall surface of the through hole of the conductive substrate and the epoxy resin, five cross-sections of the wiring substrate parallel to the substrate were observed with a cross-sectional SEM. Was not recognized. Moreover, the penetration of the copper plating solution between the wall surface of the through hole of the conductive substrate and the epoxy resin was not confirmed.
<Example 3>
In the method for producing the wiring board of Example 1, the epoxy resin composition contains 10% by weight of alumina filler and 10% by weight of silica filler, instead of 5% by weight of the total composition. It contains aluminum nitride filler and 25% by weight silica filler. Aluminum nitride filler has an average particle size of 8 μm or less and a coefficient of thermal expansion of 5 ppm / ° C., average thermal expansion in the X and Y directions of the conductive substrate Rate, Z-direction average thermal expansion coefficient, and average thermal expansion coefficient temperature ranges of 2 ppm / ° C, 80 ppm / ° C, and 25-200 ° C, respectively, 3 ppm / ° C, 70 ppm / ° C, and 25-150 ° C, respectively. And the substrate was washed with an aqueous solution (0.1 N, H) of p-carbophenyl diazonium tetrafluoroborate (0.1 mol). Instead of immersing 30 minutes 2 SO 4), the substrate 4-hydroxyphenyldiazonium tetrafluoroborate
A wiring board of Example 3 was created in the same manner as the wiring board of Example 1 except that it was immersed in a salt (0.1 mol) aqueous solution (0.1N, H 2 SO 4 ) for 30 minutes. .
(Evaluation)
1. Thermal cycle test With respect to the obtained wiring board of Example 3, the rate of change in resistance value before and after the thermal cycle test was determined in the same manner as in the evaluation of Example 1. The change rate of the resistance value of the wiring board of Example 1 was 5% or less, respectively.
2. Appearance evaluation In order to confirm the presence or absence of cracks or voids between the wall surface of the through hole of the conductive substrate and the epoxy resin, five cross-sections of the wiring substrate parallel to the substrate were observed with a cross-sectional SEM. Was not recognized. Moreover, the penetration of the copper plating solution between the wall surface of the through hole of the conductive substrate and the epoxy resin was not confirmed.
<Comparative Example 1>
In the method for producing the wiring substrate of Example 1, the substrate was immersed in an aqueous solution of p-carbophenyl diazonium tetrafluorate (0.1 mol) (0.1 N, H 2 SO 4 ) for 30 minutes, and the step of further washing with water was not performed. Except for the point, the wiring board of the comparative example 1 was created by the same method as that of the wiring board of the example 1.
(Evaluation)
1. Thermal cycle test With respect to the obtained wiring board of Comparative Example 1, the rate of change in resistance value before and after the thermal cycle test was determined in the same manner as in the evaluation of Example 1. The change rate of the resistance value of the wiring board of Comparative Example 1 exceeded 5%.
2. Appearance evaluation In order to confirm the presence or absence of cracks or voids between the wall surface of the through hole of the conductive substrate and the epoxy resin, five cross sections parallel to the substrate of the wiring substrate were observed by a cross-sectional SEM. Admitted. Further, it was confirmed that the copper plating solution penetrated between the wall surface of the through hole of the conductive substrate and the epoxy resin.
<Comparative example 2>
In the method for producing a wiring board of Example 1, except that the substrate was made into an aqueous solution of p-aminophenyl diazonium tetrafluoroborate (0.1 mol) (0.1 N, H 2 SO 4 ), and further washed with water, The wiring board of Comparative Example 2 was created in the same manner as the wiring board creation method of Example 2.
(Evaluation)
1. Thermal cycle test With respect to the obtained wiring board of Comparative Example 2, the rate of change in resistance value before and after the thermal cycle test was determined in the same manner as in the evaluation of Example 1. The change rate of the resistance value of the wiring board of Comparative Example 2 exceeded 5%.
2. Appearance evaluation In order to confirm the presence or absence of cracks or voids between the wall surface of the through hole of the conductive substrate and the epoxy resin, five cross sections parallel to the substrate of the wiring substrate were observed by a cross-sectional SEM. Admitted. Further, it was confirmed that the copper plating solution penetrated between the wall surface of the through hole of the conductive substrate and the epoxy resin.

ここで再び、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
(付記1)
貫通孔を備える導電性の基板を準備する工程と、
反応性置換基を有するアリールジアゾニウム塩が溶解した溶液に前記基板を浸漬する工程と、
前記貫通孔の壁面に前記反応性置換基と反応可能な有機樹脂を含む樹脂組成物を設ける工程と、
前記樹脂組成物を硬化させ、電気的絶縁性を有する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層を挟んで前記基板と反対側に導電層を設ける工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
(付記2)
前記基板は、前記アリールジアゾニウム塩と反応可能な材料を含んでなることを特徴とする付記1に記載の配線基板の製造方法。
(付記3)
前記基板は、カーボンを含んでなることを特徴とする付記1に記載の配線基板の製造方法。
(付記4)
前記カーボンは繊維状の形状であることを特徴とする付記3に記載の配線基板の製造方法。
(付記5)
前記基板が金属からなることを特徴とする付記1に記載の配線基板の製造方法。
(付記6)
前記反応性置換基が、ヒドロキシル基、カルボキシル基、及びアミノ基の中から選択される少なくとも1つの官能基であることを特徴とする付記1に記載の配線基板の製造方法。
(付記7)
前記有機樹脂が、エポキシ樹脂、エポキシ変性ポリイミド樹脂の中から選択される少なくとも1種類の樹脂を含んでなることを特徴とする付記1に記載の配線基板の製造方法。(付記8)
前記樹脂組成物を加熱することにより、前記有機樹脂が硬化することを特徴とする付記1に記載の配線基板の製造方法。
(付記9)
貫通孔を備える導電性の基板と、
前記貫通孔の壁面に接し、該壁面と共有結合を形成し、電気的絶縁性を有する絶縁層と、
前記絶縁層を挟んで前記基板と反対側に設けられた導電層と
を有することを特徴とする配線基板。
Here, the detailed features of the present invention will be described again.
(Appendix 1)
Preparing a conductive substrate having a through hole;
Immersing the substrate in a solution in which an aryldiazonium salt having a reactive substituent is dissolved;
Providing a resin composition containing an organic resin capable of reacting with the reactive substituent on the wall surface of the through hole;
Curing the resin composition to form an insulating layer having electrical insulation;
And a step of providing a conductive layer on the opposite side of the substrate with the insulating layer interposed therebetween.
(Appendix 2)
The method for manufacturing a wiring board according to appendix 1, wherein the substrate includes a material capable of reacting with the aryldiazonium salt.
(Appendix 3)
The method of manufacturing a wiring board according to appendix 1, wherein the substrate contains carbon.
(Appendix 4)
4. The method for manufacturing a wiring board according to appendix 3, wherein the carbon has a fibrous shape.
(Appendix 5)
The method for manufacturing a wiring board according to appendix 1, wherein the board is made of metal.
(Appendix 6)
The method for producing a wiring board according to appendix 1, wherein the reactive substituent is at least one functional group selected from a hydroxyl group, a carboxyl group, and an amino group.
(Appendix 7)
The method for manufacturing a wiring board according to appendix 1, wherein the organic resin comprises at least one resin selected from an epoxy resin and an epoxy-modified polyimide resin. (Appendix 8)
The method for manufacturing a wiring board according to appendix 1, wherein the organic resin is cured by heating the resin composition.
(Appendix 9)
A conductive substrate with a through hole;
An insulating layer that is in contact with the wall surface of the through hole, forms a covalent bond with the wall surface, and has electrical insulation;
And a conductive layer provided on the opposite side of the substrate with the insulating layer interposed therebetween.

本発明の配線基板の一実施形態を示す模式的断面図である。It is a typical sectional view showing one embodiment of a wiring board of the present invention. 本発明の配線基板の別の実施形態を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows another embodiment of the wiring board of this invention. 本発明の配線基板の製造方法の一実施形態を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows one Embodiment of the manufacturing method of the wiring board of this invention. 本発明の配線基板の製造方法の一実施形態を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows one Embodiment of the manufacturing method of the wiring board of this invention. 本発明の配線基板の製造方法の一実施形態を示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows one Embodiment of the manufacturing method of the wiring board of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 配線基板
11 基板
12 バリ
13 有機層
14 絶縁層(樹脂組成物)
15 配線層
21 第1貫通孔
22 第2貫通孔
30 開口部
31 レジスト層
32a〜32c 配線
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wiring board 11 Board | substrate 12 Burr 13 Organic layer 14 Insulating layer (resin composition)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 15 Wiring layer 21 1st through-hole 22 2nd through-hole 30 Opening part 31 Resist layer 32a-32c Wiring

Claims (6)

貫通孔を備える導電性の基板を準備する工程と、
反応性置換基を有するアリールジアゾニウム塩が溶解した溶液に前記基板を浸漬する工程と、
前記貫通孔の壁面に前記反応性置換基と反応可能な有機樹脂を含む樹脂組成物を設ける工程と、
前記樹脂組成物を硬化させ、電気的絶縁性を有する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層を挟んで前記基板と反対側に導電層を設ける工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
Preparing a conductive substrate having a through hole;
Immersing the substrate in a solution in which an aryldiazonium salt having a reactive substituent is dissolved;
Providing a resin composition containing an organic resin capable of reacting with the reactive substituent on the wall surface of the through hole;
Curing the resin composition to form an insulating layer having electrical insulation;
And a step of providing a conductive layer on the opposite side of the substrate with the insulating layer interposed therebetween.
前記基板はカーボンを含んでなることを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。   The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the substrate contains carbon. 前記カーボンは繊維状の形状を有することを特徴とする請求項2に記載の配線基板の製造方法。   The method for manufacturing a wiring board according to claim 2, wherein the carbon has a fibrous shape. 前記反応性置換基が、ヒドロキシル基、カルボキシル基、及びアミノ基の中から選択される少なくとも1つの官能基であることを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。   The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the reactive substituent is at least one functional group selected from a hydroxyl group, a carboxyl group, and an amino group. 前記有機樹脂が、エポキシ樹脂、エポキシ変性ポリイミド樹脂の中から選択される少なくとも1種類の樹脂を含んでなることを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。   2. The method of manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the organic resin comprises at least one resin selected from an epoxy resin and an epoxy-modified polyimide resin. 貫通孔を備える導電性の基板と、
前記貫通孔の壁面に接し、該壁面と共有結合を形成し、電気的絶縁性を有する絶縁層と、
前記絶縁層を挟んで前記基板と反対側に設けられた導電層と
を有することを特徴とする配線基板。
A conductive substrate with a through hole;
An insulating layer that is in contact with the wall surface of the through hole, forms a covalent bond with the wall surface, and has electrical insulation;
And a conductive layer provided on the opposite side of the substrate with the insulating layer interposed therebetween.
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