JP2020075977A - Resin composition - Google Patents

Resin composition Download PDF

Info

Publication number
JP2020075977A
JP2020075977A JP2018209108A JP2018209108A JP2020075977A JP 2020075977 A JP2020075977 A JP 2020075977A JP 2018209108 A JP2018209108 A JP 2018209108A JP 2018209108 A JP2018209108 A JP 2018209108A JP 2020075977 A JP2020075977 A JP 2020075977A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
insulating layer
resin
group
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018209108A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP7131311B2 (en
Inventor
奈那 ▲高▼見
奈那 ▲高▼見
Nana Takami
嘉生 西村
Yoshio Nishimura
嘉生 西村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ajinomoto Co Inc
Original Assignee
Ajinomoto Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ajinomoto Co Inc filed Critical Ajinomoto Co Inc
Priority to JP2018209108A priority Critical patent/JP7131311B2/en
Publication of JP2020075977A publication Critical patent/JP2020075977A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7131311B2 publication Critical patent/JP7131311B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

To provide a resin composition that can suppress haloing phenomenon and can produce an insulation layer excellent in insulation properties when forming a thin resin composition layer.SOLUTION: The resin composition includes (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) an inorganic filler having a specific surface area of 15 m/g or more, (D) a compound represented by formula (1) as given below and (E) a phosphazene compound. Formula (1) is (X-R)Si(OR)(in formula (1), X's each independently represent an amino group which may have a substituent; R's each independently represent a 4C or more divalent aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent; R's each independently represent a hydrogen atom or a 1-3C monovalent aliphatic hydrocarbon group; and s and t each independently represent an integer which satisfies 1≤s≤3, 1≤t≤3 and s+t=4.)SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、樹脂組成物に関する。さらには、本発明は、当該樹脂組成物を含む樹脂シート;並びに、樹脂組成物の硬化物で形成された絶縁層を含有する、プリント配線板、及び半導体装置に関する。   The present invention relates to a resin composition. Furthermore, the present invention relates to a resin sheet containing the resin composition; and a printed wiring board and a semiconductor device containing an insulating layer formed of a cured product of the resin composition.

近年、電子機器の小型化を達成すべく、プリント配線板の更なる薄型化が進められている。それに伴い、内層基板における配線回路の微細化が進められている。例えば、特許文献1には、支持体及び樹脂組成物層を含む、微細配線に対応可能な樹脂シートが記載されている。   In recent years, printed wiring boards have been further reduced in thickness in order to achieve miniaturization of electronic devices. Along with this, miniaturization of wiring circuits on the inner layer substrate has been promoted. For example, Patent Document 1 describes a resin sheet including a support and a resin composition layer, which is compatible with fine wiring.

特開2017−36377号公報JP, 2017-36377, A

一般に、プリント配線板の絶縁層は、樹脂組成物を含む樹脂組成物層を硬化させて形成される。本発明者らは、さらなる電子機器の小型化及び薄型化を達成すべく、樹脂組成物層を薄くすることで、絶縁層を薄くすることを検討した。   Generally, an insulating layer of a printed wiring board is formed by curing a resin composition layer containing a resin composition. The present inventors have studied thinning the insulating layer by thinning the resin composition layer in order to further reduce the size and thickness of the electronic device.

前記の検討の結果、本発明者らは、薄い樹脂組成物層を絶縁層に適用した場合に、その絶縁層にビアホールを形成した後で粗化処理を行うと、ハローイング現象が大きく生じることを見い出した。ここで、ハローイング現象とは、ビアホールの周囲において絶縁層と内層基板との間で層間剥離が生じることをいう。このようなハローイング現象は、通常、ビアホールの形成時にビアホールの周囲の絶縁層が変色し、変色した部分が粗化処理時に浸食されて生じる。プリント配線板の層間の導通信頼性を高める観点から、このハローイング現象は抑制することが望まれる。   As a result of the above-mentioned examination, the inventors have found that when a thin resin composition layer is applied to an insulating layer, a roughening treatment occurs largely when a roughening treatment is performed after forming a via hole in the insulating layer. Found out. Here, the haloing phenomenon means that delamination occurs between the insulating layer and the inner layer substrate around the via hole. Such a haloing phenomenon usually occurs when the insulating layer around the via hole is discolored when the via hole is formed, and the discolored portion is eroded during the roughening treatment. From the viewpoint of increasing the reliability of conduction between layers of the printed wiring board, it is desired to suppress this haloing phenomenon.

さらに、前記の検討の結果、本発明者らは、絶縁層を薄くした場合、当該絶縁層の絶縁性が低下することがあることを見出した。   Further, as a result of the above-mentioned examination, the present inventors have found that when the insulating layer is thinned, the insulating property of the insulating layer may deteriorate.

本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、ハローイング現象を抑制でき、且つ、絶縁性に優れた薄い絶縁層を得ることができる樹脂組成物;前記の樹脂組成物を含む樹脂組成物層を備えた樹脂シート;並びに、前記の樹脂組成物の硬化物を含むプリント配線板及び半導体装置;を提供することを目的とする。   The present invention was devised in view of the above problems, and a resin composition capable of suppressing a haloing phenomenon and obtaining a thin insulating layer having excellent insulating properties; a resin containing the resin composition described above. (EN) A resin sheet provided with a composition layer; and a printed wiring board and a semiconductor device containing a cured product of the above resin composition.

本発明者らは、前記の課題を解決するべく鋭意検討を行った。その結果、本発明者らは、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)所定値以上の比表面積を有する無機充填材、(D)後述する式(1)で表される化合物、及び、(E)ホスファゼン化合物を組み合わせて含む樹脂組成物が、前記の課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、下記のものを含む。
The present inventors have earnestly studied to solve the above problems. As a result, the present inventors have found that (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) an inorganic filler having a specific surface area of a predetermined value or more, (D) a compound represented by the formula (1) described later. , And (E) a resin composition containing a combination of a phosphazene compound, was found to be able to solve the above problems, and completed the present invention.
That is, the present invention includes the following.

〔1〕 (A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)比表面積が15m/g以上の無機充填材、(D)下記式(1)で表される化合物、及び、(E)ホスファゼン化合物を含む、樹脂組成物。
(X−RSi(OR (1)
(式(1)において、
Xは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアミノ基を表し、
は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数4以上の2価の脂肪族炭化水素基を表し、
は、それぞれ独立に、水素原子、又は、炭素原子数1〜3の1価の脂肪族炭化水素基を表し、
s及びtは、1≦s≦3、1≦t≦3、且つ、s+t=4を満たす整数を表す。)
〔2〕 式(1)において、Rが、炭素原子数4以上のアルキレン基を表す、〔1〕に記載の樹脂組成物。
〔3〕 式(1)において、Xが、アリールアミノ基を表す、〔1〕又は〔2〕に記載の樹脂組成物。
〔4〕 (E)成分が、下記式(2)で表される、〔1〕〜〔3〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物。

Figure 2020075977
(式(2)において、R及びRは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基を示し、nは、1〜23の整数を示す。)
〔5〕 (C)成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、30質量%以上90質量%以下である、〔1〕〜〔4〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
〔6〕 (E)成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、0.1質量%以上10質量%以下である、〔1〕〜〔5〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
〔7〕 プリント配線板の絶縁層形成用である、〔1〕〜〔6〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
〔8〕 支持体と、
支持体上に設けられた、〔1〕〜〔7〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層とを含む、樹脂シート。
〔9〕 樹脂組成物層の厚みが、15μm以下である、〔8〕に記載の樹脂シート。
〔10〕 〔1〕〜〔7〕のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物で形成された絶縁層を含む、プリント配線板。
〔11〕 〔10〕記載のプリント配線板を含む、半導体装置。 [1] (A) Epoxy resin, (B) curing agent, (C) inorganic filler having a specific surface area of 15 m 2 / g or more, (D) compound represented by the following formula (1), and (E) A resin composition containing a phosphazene compound.
(X-R a ) s Si (OR b ) t (1)
(In formula (1),
X's each independently represent an amino group which may have a substituent,
R a's each independently represent a divalent aliphatic hydrocarbon group having 4 or more carbon atoms which may have a substituent,
R b's each independently represent a hydrogen atom or a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms,
s and t represent integers that satisfy 1 ≦ s ≦ 3, 1 ≦ t ≦ 3, and s + t = 4. )
[2] The resin composition according to [1], wherein in the formula (1), R a represents an alkylene group having 4 or more carbon atoms.
[3] The resin composition according to [1] or [2], wherein in the formula (1), X represents an arylamino group.
[4] The resin composition according to any one of [1] to [3], in which the component (E) is represented by the following formula (2).
Figure 2020075977
(In the formula (2), R 1 and R 2 each independently represent an aryl group which may have a substituent, and n represents an integer of 1 to 23.)
[5] The amount of the component (C) is 30% by mass or more and 90% by mass or less based on 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition, according to any one of [1] to [4]. Resin composition.
[6] Any one of [1] to [5], wherein the amount of the component (E) is 0.1% by mass or more and 10% by mass or less based on 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition. The resin composition according to.
[7] The resin composition according to any one of [1] to [6], which is used for forming an insulating layer of a printed wiring board.
[8] A support,
A resin sheet, comprising a resin composition layer provided on a support and containing the resin composition according to any one of [1] to [7].
[9] The resin sheet according to [8], wherein the resin composition layer has a thickness of 15 μm or less.
[10] A printed wiring board including an insulating layer formed of the cured product of the resin composition according to any one of [1] to [7].
[11] A semiconductor device including the printed wiring board according to [10].

本発明によれば、ハローイング現象を抑制でき、且つ、絶縁性に優れた薄い絶縁層を得ることができる樹脂組成物;前記の樹脂組成物を含む樹脂組成物層を備えた樹脂シート;並びに、前記の樹脂組成物の硬化物を含むプリント配線板及び半導体装置;を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the resin composition which can suppress a haloing phenomenon and can obtain a thin insulating layer excellent in insulation; resin sheet provided with the resin composition layer containing said resin composition; And a printed wiring board and a semiconductor device containing a cured product of the above resin composition.

図1は、両側に第1の導体層及び第2の導体層が設けられた絶縁層の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of an insulating layer in which a first conductor layer and a second conductor layer are provided on both sides. 図2は、一例としての樹脂組成物の硬化物で形成された絶縁層を、内層基板と共に模式的に示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view schematically showing an insulating layer formed of a cured product of a resin composition as an example together with an inner layer substrate. 図3は、一例としての樹脂組成物の硬化物で形成された絶縁層の、導体層とは反対側の面を模式的に示す平面図である。FIG. 3 is a plan view schematically showing a surface of an insulating layer formed of a cured product of a resin composition, which is opposite to the conductor layer. 図4は、一例としての樹脂組成物の硬化物で形成された、粗化処理後の絶縁層を、内層基板と共に模式的に示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing an insulating layer after roughening treatment, which is formed of a cured product of a resin composition as an example, together with an inner layer substrate. 図5は、一例としてのプリント配線板の模式的な断面図である。FIG. 5 is a schematic sectional view of a printed wiring board as an example.

以下、実施形態及び例示物を示して、本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に挙げる実施形態及び例示物に限定されるものでは無く、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。   Hereinafter, the present invention will be described in detail by showing embodiments and exemplifications. However, the present invention is not limited to the following embodiments and exemplifications, and may be implemented by being arbitrarily modified within the scope of the claims of the present invention and the scope of equivalents thereof.

[1.樹脂組成物の概要]
本発明の一実施形態に係る樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)比表面積が15m/g以上の無機充填材、(D)下記式(1)で表される化合物、及び、(E)ホスファゼン化合物を含む。
[1. Outline of resin composition]
The resin composition according to one embodiment of the present invention comprises (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) an inorganic filler having a specific surface area of 15 m 2 / g or more, and (D) the following formula (1). The compound represented and the (E) phosphazene compound are included.

(X−RSi(OR (1)
(式(1)において、
Xは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアミノ基を表し、Rは、置換基を有していてもよい炭素原子数4以上の2価の脂肪族炭化水素基を表し、Rは、それぞれ独立に、水素原子、又は、炭素原子数1〜3の1価の脂肪族炭化水素基を表し、s及びtは、1≦s≦3、1≦t≦3、且つ、s+t=4を満たす整数を表す。)
(X-R a ) s Si (OR b ) t (1)
(In formula (1),
X each independently represents an amino group which may have a substituent group, R a represents a divalent aliphatic hydrocarbon group optionally also be 4 or more carbon atoms have a substituent , R b each independently represent a hydrogen atom or a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms, s and t are 1 ≦ s ≦ 3, 1 ≦ t ≦ 3, and , S + t = 4 is satisfied. )

この樹脂組成物を用いることにより、絶縁性に優れ且つハローイング現象を抑制できる薄い絶縁層を得ることができる。   By using this resin composition, it is possible to obtain a thin insulating layer having excellent insulating properties and suppressing the haloing phenomenon.

[2.(A)成分:エポキシ樹脂]
(A)成分としてのエポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。(A)エポキシ樹脂は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
[2. (A) component: epoxy resin]
Examples of the epoxy resin as the component (A) include bixylenol type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, Trisphenol type epoxy resin, naphthol novolac type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidyl amine type epoxy resin, glycidyl ester Type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, epoxy resin having butadiene structure, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring containing epoxy resin, cyclohexane type epoxy resin Examples thereof include resins, cyclohexanedimethanol type epoxy resins, naphthylene ether type epoxy resins, trimethylol type epoxy resins, tetraphenylethane type epoxy resins and the like. The epoxy resin (A) may be used alone or in combination of two or more.

樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂として、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、(A)エポキシ樹脂の不揮発成分100質量%に対して、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは50質量%以上、より好ましくは60質量%以上、特に好ましくは70質量%以上である。   The resin composition preferably contains, as the epoxy resin (A), an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. From the viewpoint of remarkably obtaining the desired effects of the present invention, the ratio of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferably 50 mass with respect to 100 mass% of the non-volatile component of the (A) epoxy resin. % Or more, more preferably 60% by mass or more, and particularly preferably 70% by mass or more.

エポキシ樹脂には、温度20℃で液状のエポキシ樹脂(以下「液状エポキシ樹脂」ということがある。)と、温度20℃で固体状のエポキシ樹脂(以下「固体状エポキシ樹脂」ということがある。)とがある。樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、固体状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよいが、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて含むことが好ましい。(A)エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて用いることで、樹脂組成物の可撓性を向上させたり、樹脂組成物の硬化物の破断強度を向上させたりできる。   The epoxy resin may be a liquid epoxy resin at a temperature of 20 ° C. (hereinafter sometimes referred to as “liquid epoxy resin”) and a solid epoxy resin at a temperature of 20 ° C. (hereinafter referred to as “solid epoxy resin”). ) There is. The resin composition may contain only a liquid epoxy resin or only a solid epoxy resin as the epoxy resin (A), but it should contain a combination of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin. Is preferred. By using a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin in combination as the epoxy resin (A), it is possible to improve the flexibility of the resin composition and the breaking strength of the cured product of the resin composition.

液状エポキシ樹脂としては、1分子中に2個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂が好ましく、1分子中に2個以上のエポキシ基を有する芳香族系の液状エポキシ樹脂がより好ましい。ここで、「芳香族系」のエポキシ樹脂とは、その分子内に芳香環を有するエポキシ樹脂を意味する。   As the liquid epoxy resin, a liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferable, and an aromatic liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is more preferable. Here, the “aromatic epoxy resin” means an epoxy resin having an aromatic ring in its molecule.

液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂及びシクロヘキサン型エポキシ樹脂がより好ましく、ビスフェノールA型エポキシ樹脂が特に好ましい。   Examples of the liquid epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidyl amine type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, and ester skeleton. The alicyclic epoxy resin, cyclohexane type epoxy resin, cyclohexane dimethanol type epoxy resin, glycidyl amine type epoxy resin and epoxy resin having a butadiene structure are preferable, and bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin and cyclohexane type epoxy resin are preferable. A resin is more preferable, and a bisphenol A type epoxy resin is particularly preferable.

液状エポキシ樹脂の具体例としては、DIC社製の「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」(ナフタレン型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「828US」、「jER828EL」、「825」、「エピコート828EL」(ビスフェノールA型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「jER807」、「1750」(ビスフェノールF型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「jER152」(フェノールノボラック型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「630」、「630LSD」(グリシジルアミン型エポキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「ZX1059」(ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂の混合品);ナガセケムテックス社製の「EX−721」(グリシジルエステル型エポキシ樹脂);ダイセル社製の「セロキサイド2021P」(エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂);ダイセル社製の「PB−3600」(ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「ZX1658」、「ZX1658GS」(液状1,4−グリシジルシクロヘキサン型エポキシ樹脂)等が挙げられる。これらは、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。   Specific examples of the liquid epoxy resin include “HP4032”, “HP4032D” and “HP4032SS” (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC; “828US”, “jER828EL”, “825” and “Epicoat” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. 828EL "(bisphenol A type epoxy resin);" jER807 "and" 1750 "(bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Co .;" jER152 "(phenol novolac type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Co .; manufactured by Mitsubishi Chemical Co. "630", "630LSD" (glycidylamine type epoxy resin); "ZX1059" (a mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin) made by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd .; "EX made by Nagase Chemtex Co., Ltd." -721 "(glycidyl ester type epoxy resin);" Celoxide 2021P "manufactured by Daicel Corporation (alicyclic epoxy resin having an ester skeleton);" PB-3600 "(epoxy resin having a butadiene structure) manufactured by Daicel Corporation; Nippon Steel "ZX1658" and "ZX1658GS" (liquid 1,4-glycidyl cyclohexane type epoxy resin) manufactured by Sumikin Chemical Co., Ltd. may be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

固体状エポキシ樹脂としては、1分子中に3個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましく、1分子中に3個以上のエポキシ基を有する芳香族系の固体状エポキシ樹脂がより好ましい。   As the solid epoxy resin, a solid epoxy resin having 3 or more epoxy groups in one molecule is preferable, and an aromatic solid epoxy resin having 3 or more epoxy groups in one molecule is more preferable.

固体状エポキシ樹脂としては、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、及びビスフェノールAF型エポキシ樹脂がより好ましい。   As the solid epoxy resin, bixylenol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, biphenyl Type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin are preferable, and bixylenol type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, and bisphenol AF type epoxy resin is more preferable.

固体状エポキシ樹脂の具体例としては、DIC社製の「HP4032H」(ナフタレン型エポキシ樹脂);DIC社製の「HP−4700」、「HP−4710」(ナフタレン型4官能エポキシ樹脂);DIC社製の「N−690」(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂);DIC社製の「N−695」(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂);DIC社製の「HP−7200」(ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂);DIC社製の「HP−7200HH」、「HP−7200H」、「EXA−7311」、「EXA−7311−G3」、「EXA−7311−G4」、「EXA−7311−G4S」、「HP6000」(ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂);日本化薬社製の「EPPN−502H」(トリスフェノール型エポキシ樹脂);日本化薬社製の「NC7000L」(ナフトールノボラック型エポキシ樹脂);日本化薬社製の「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(ビフェニル型エポキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「ESN475V」(ナフタレン型エポキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「ESN485」(ナフトールノボラック型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「YX4000」、「YL6121」(ビフェニル型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「YX4000H」、「YX4000HK」(ビキシレノール型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「YX8800」(アントラセン型エポキシ樹脂);大阪ガスケミカル社製の「PG−100」、「CG−500」;三菱ケミカル社製の「YL7760」及び「YX7760」(ビスフェノールAF型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「YL7800」(フルオレン型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「jER1010」(固体状ビスフェノールA型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「jER1031S」(テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂)等が挙げられる。これらは、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。   Specific examples of the solid epoxy resin include "HP4032H" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC; "HP-4700" and "HP-4710" (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin) manufactured by DIC; DIC "N-690" (cresol novolac type epoxy resin) manufactured by DIC; "N-695" (cresol novolac type epoxy resin) manufactured by DIC; "HP-7200" (dicyclopentadiene type epoxy resin) manufactured by DIC; DIC "HP-7200HH", "HP-7200H", "EXA-7331", "EXA-7331-G3", "EXA-7331-G4", "EXA-7331-G4S", "HP6000" ( Naphthylene ether type epoxy resin); Nippon Kayaku Co., Ltd. "EPPN-502H" (trisphenol type epoxy resin); Nippon Kayaku Co., Ltd. "NC7000L" (naphthol novolac type epoxy resin); Nippon Kayaku Co., Ltd. "NC3000H", "NC3000", "NC3000L", "NC3100" (biphenyl type epoxy resin); "ESN475V" (naphthalene type epoxy resin) made by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. "ESN485" (naphthol novolak) made by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Type epoxy resin); "YX4000", "YL6121" (biphenyl type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd .; "YX4000H", "YX4000HK" (bixylenol type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Co .; YX8800 "(anthracene type epoxy resin);" PG-100 "and" CG-500 "manufactured by Osaka Gas Chemicals;" YL7760 "and" YX7760 "(bisphenol AF type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical; Mitsubishi Chemical "YL7800" (fluorene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical "jER1010" (solid bisphenol A type epoxy resin); "jER1031S" manufactured by Mitsubishi Chemical (tetraphenylethane type epoxy resin) and the like. .. These may be used alone or in combination of two or more.

(A)エポキシ樹脂として液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて用いる場合、それらの量比(液状エポキシ樹脂:固体状エポキシ樹脂)は、質量比で、好ましくは1:1〜1:20、より好ましくは1:2〜1:15、特に好ましくは1:5〜1:13である。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比が斯かる範囲にある場合、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得ることができる。また、通常は、樹脂シートの形態で使用する場合に、適度な粘着性及び十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する。さらに、通常は、十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる。   When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination as the (A) epoxy resin, the quantity ratio thereof (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is preferably 1: 1 to 1:20 by mass ratio. , More preferably 1: 2 to 1:15, and particularly preferably 1: 5 to 1:13. When the amount ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin is in such a range, the effects of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon can be remarkably obtained. In addition, usually, when used in the form of a resin sheet, appropriate tackiness and sufficient flexibility are obtained, and handleability is improved. Furthermore, usually, a cured product having sufficient breaking strength can be obtained.

(A)エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは50g/eq.〜5000g/eq.、より好ましくは50g/eq.〜3000g/eq.、さらに好ましくは80g/eq.〜2000g/eq.、さらにより好ましくは110g/eq.〜1000g/eq.である。エポキシ当量がこの範囲にある場合、樹脂組成物の硬化物の架橋密度が十分となり、表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。エポキシ当量は、1当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。このエポキシ当量は、JIS K7236に従って測定することができる。   The epoxy equivalent of the epoxy resin (A) is preferably 50 g / eq. ~ 5000 g / eq. , And more preferably 50 g / eq. ~ 3000 g / eq. , And more preferably 80 g / eq. ~ 2000 g / eq. , And even more preferably 110 g / eq. ~ 1000 g / eq. Is. When the epoxy equivalent is in this range, the cured product of the resin composition has a sufficient crosslink density, and an insulating layer having a small surface roughness can be obtained. Epoxy equivalent is the mass of resin containing 1 equivalent of epoxy groups. This epoxy equivalent can be measured according to JIS K7236.

(A)エポキシ樹脂の重量平均分子量(Mw)は、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得る観点から、好ましくは100〜5000、より好ましくは250〜3000、さらに好ましくは400〜1500である。   The weight average molecular weight (Mw) of the (A) epoxy resin is preferably 100 to 5,000, more preferably 250 to 3,000, and further preferably from the viewpoint of remarkably obtaining the effects of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon. Is 400 to 1500.

樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により、ポリスチレン換算の値として測定できる。具体的には、重量平均分子量は、測定装置として島津製作所社製LC−9A/RID−6Aを、カラムとして昭和電工社製Shodex K−800P/K−804L/K−804Lを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を40℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。   The weight average molecular weight of the resin can be measured as a polystyrene conversion value by a gel permeation chromatography (GPC) method. Specifically, the weight average molecular weight is LC-9A / RID-6A manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring device, Shodex K-800P / K-804L / K-804L manufactured by Showa Denko KK as a column, and chloroform as a mobile phase. And the like, the column temperature can be measured at 40 ° C., and can be calculated using a calibration curve of standard polystyrene.

樹脂組成物中の(A)エポキシ樹脂の量は、良好な機械強度及び絶縁信頼性を示す絶縁層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは5質量%以上、より好ましくは10質量%以上、さらに好ましくは15質量%以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得る観点から、好ましくは60質量%以下、より好ましくは50質量%以下、特に好ましくは40質量%以下である。   The amount of the epoxy resin (A) in the resin composition is preferably 5% by mass with respect to 100% by mass of the non-volatile components in the resin composition, from the viewpoint of obtaining an insulating layer having good mechanical strength and insulation reliability. As described above, the content is more preferably 10% by mass or more, and further preferably 15% by mass or more. The upper limit of the content of the epoxy resin is preferably 60% by mass or less, more preferably 50% by mass or less, and particularly preferably 40% by mass from the viewpoint of remarkably obtaining the effect of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon. % Or less.

[3.(B)成分:硬化剤]
樹脂組成物は、(B)硬化剤を含む。(B)硬化剤は、通常、(A)エポキシ樹脂と反応して樹脂組成物を硬化させる機能を有する。
[3. (B) component: curing agent]
The resin composition contains (B) a curing agent. The curing agent (B) usually has a function of reacting with the epoxy resin (A) to cure the resin composition.

(B)成分としての硬化剤としては、例えば、活性エステル系硬化剤、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤などが挙げられる。また、(B)硬化剤は1種類単独で用いてもよく、又は2種類以上を併用してもよい。   Examples of the curing agent as the component (B) include active ester curing agents, phenol curing agents, naphthol curing agents, benzoxazine curing agents, cyanate ester curing agents, carbodiimide curing agents, amine curing agents. , Acid anhydride type curing agents and the like. Further, the curing agent (B) may be used alone or in combination of two or more.

活性エステル系硬化剤としては、1分子中に1個以上の活性エステル基を有する化合物を用いることができる。中でも、活性エステル系硬化剤としては、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、N−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を1分子中に2個以上有する化合物が好ましい。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び/又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び/又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に、耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び/又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。   As the active ester curing agent, a compound having one or more active ester groups in one molecule can be used. Among them, as the active ester-based curing agent, two or more ester groups having high reaction activity in one molecule, such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds, are used. The compounds having are preferred. The active ester type curing agent is preferably obtained by a condensation reaction of a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound with a hydroxy compound and / or a thiol compound. Particularly, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester-based curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester-based curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a phenol compound and / or a naphthol compound is more preferable. ..

カルボン酸化合物としては、例えば、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。   Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid and pyromellitic acid.

フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールA、メチル化ビスフェノールF、メチル化ビスフェノールS、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン1分子にフェノール2分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。   Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, Examples thereof include benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol compound, and phenol novolac. Here, the "dicyclopentadiene type diphenol compound" means a diphenol compound obtained by condensing one molecule of dicyclopentadiene with two molecules of phenol.

活性エステル系硬化剤の好ましい具体例としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系硬化剤、ナフタレン構造を含む活性エステル系硬化剤、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系硬化剤、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系硬化剤が挙げられる。中でも、ナフタレン構造を含む活性エステル系硬化剤、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系硬化剤がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる2価の構造単位を表す。   Preferred specific examples of the active ester-based curing agent include an active ester-based curing agent containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, an active ester-based curing agent containing a naphthalene structure, and an active ester-based curing agent containing an acetylated product of phenol novolac, An active ester-based curing agent containing a benzoylated product of phenol novolac can be mentioned. Above all, an active ester-based curing agent containing a naphthalene structure and an active ester-based curing agent containing a dicyclopentadiene type diphenol structure are more preferable. The "dicyclopentadiene type diphenol structure" represents a divalent structural unit composed of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系硬化剤として、「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC−8000」、「HPC−8000H」、「HPC−8000−65T」、「HPC−8000H−65TM」、「EXB−8000L」、「EXB−8000L−65TM」、「EXB−8150−65T」(DIC社製);ナフタレン構造を含む活性エステル系硬化剤として「EXB9416−70BK」、「EXB−8150−65T」(DIC社製);フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系硬化剤として「DC808」(三菱ケミカル社製);フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系硬化剤として「YLH1026」(三菱ケミカル社製);フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「DC808」(三菱ケミカル社製);フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「YLH1026」(三菱ケミカル社製)、「YLH1030」(三菱ケミカル社製)、「YLH1048」(三菱ケミカル社製);等が挙げられる。   Commercially available active ester curing agents include "EXB9451", "EXB9460", "EXB9460S", "HPC-8000", "HPC-8000H" as active ester curing agents containing a dicyclopentadiene type diphenol structure. , "HPC-8000-65T", "HPC-8000H-65TM", "EXB-8000L", "EXB-8000L-65TM", "EXB-8150-65T" (manufactured by DIC); active ester containing naphthalene structure. "EXB9416-70BK", "EXB-8150-65T" (manufactured by DIC) as a system hardener; "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical) as an active ester hardener containing an acetylated product of phenol novolak; benzoyl of phenol novolak As an active ester-based curing agent containing a compound, "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Co.); As an active ester-based curing agent that is an acetylated product of phenol novolac, "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical Co.); Examples of the ester-based curing agent include “YLH1026” (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), “YLH1030” (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), “YLH1048” (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) and the like.

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するものが好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。   As the phenol-based curing agent and the naphthol-based curing agent, those having a novolac structure are preferable from the viewpoint of heat resistance and water resistance. From the viewpoint of adhesion to the conductor layer, a nitrogen-containing phenol-based curing agent is preferable, and a triazine skeleton-containing phenol-based curing agent is more preferable.

フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成社製の「MEH−7700」、「MEH−7810」、「MEH−7851」;日本化薬社製の「NHN」、「CBN」、「GPH」;新日鉄住金化学社製の「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495」、「SN−495V」「SN375」、「SN−395」;DIC社製の「TD−2090」、「LA−7052」、「LA−7054」、「LA−1356」、「LA−3018−50P」、「EXB−9500」;等が挙げられる。   Specific examples of the phenol-based curing agent and the naphthol-based curing agent include, for example, "MEH-7700", "MEH-7810", and "MEH-7851" manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd .; "NHN" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. "CBN", "GPH"; "SN170", "SN180", "SN190", "SN475", "SN485", "SN495", "SN-495V", "SN375", "SN-" manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. 395 ";" TD-2090 "," LA-7052 "," LA-7054 "," LA-1356 "," LA-3018-50P "," EXB-9500 "; and the like manufactured by DIC.

ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、JFEケミカル社製の「JBZ−OP100D」、「ODA−BOZ」;昭和高分子社製の「HFB2006M」;四国化成工業社製の「P−d」、「F−a」が挙げられる。   Specific examples of the benzoxazine-based curing agent include "JBZ-OP100D" and "ODA-BOZ" manufactured by JFE Chemical Co., Ltd., "HFB2006M" manufactured by Showa High Polymer Co., Ltd., and "Pd" manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd., "Fa" is mentioned.

シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールAジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ(3−メチレン−1,5−フェニレンシアネート)、4,4’−メチレンビス(2,6−ジメチルフェニルシアネート)、4,4’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールAジシアネート、2,2−ビス(4−シアネート)フェニルプロパン、1,1−ビス(4−シアネートフェニルメタン)、ビス(4−シアネート−3,5−ジメチルフェニル)メタン、1,3−ビス(4−シアネートフェニル−1−(メチルエチリデン))ベンゼン、ビス(4−シアネートフェニル)チオエーテル、及びビス(4−シアネートフェニル)エーテル、等の2官能シアネート樹脂;フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂;これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマー;などが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「PT30」及び「PT60」(フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂)、「ULL−950S」(多官能シアネートエステル樹脂)、「BA230」、「BA230S75」(ビスフェノールAジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー)等が挙げられる。   Examples of the cyanate ester-based curing agent include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4′-methylenebis (2,6-dimethylphenyl cyanate), 4,4. '-Ethylidene diphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenyl propane, 1,1-bis (4-cyanate phenylmethane), bis (4-cyanate-3,5-dimethyl) A bifunctional cyanate resin such as phenyl) methane, 1,3-bis (4-cyanatephenyl-1- (methylethylidene)) benzene, bis (4-cyanatephenyl) thioether, and bis (4-cyanatephenyl) ether; Examples thereof include polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolac, cresol novolac, and the like; prepolymers obtained by partially converting these cyanate resins into triazine. Specific examples of the cyanate ester-based curing agent include “PT30” and “PT60” (phenol novolac type polyfunctional cyanate ester resin), “ULL-950S” (polyfunctional cyanate ester resin), and “BA230” manufactured by Lonza Japan. , "BA230S75" (a prepolymer in which a part or all of bisphenol A dicyanate is triazined into a trimer) and the like.

カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル社製の「V−03」、「V−07」等が挙げられる。   Specific examples of the carbodiimide-based curing agent include "V-03" and "V-07" manufactured by Nisshinbo Chemical Inc.

アミン系硬化剤としては、1分子内中に1個以上のアミノ基を有する硬化剤が挙げられ、例えば、脂肪族アミン類、ポリエーテルアミン類、脂環式アミン類、芳香族アミン類等が挙げられる。中でも、芳香族アミン類が好ましい。アミン系硬化剤は、第1級アミン又は第2級アミンが好ましく、第1級アミンがより好ましい。アミン系硬化剤の具体例としては、4,4’−メチレンビス(2,6−ジメチルアニリン)、ジフェニルジアミノスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、m−フェニレンジアミン、m−キシリレンジアミン、ジエチルトルエンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジヒドロキシベンジジン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、3,3−ジメチル−5,5−ジエチル−4,4−ジフェニルメタンジアミン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン、ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン、等が挙げられる。アミン系硬化剤は市販品を用いてもよく、例えば、日本化薬社製の「KAYABOND C−200S」、「KAYABOND C−100」、「カヤハードA−A」、「カヤハードA−B」、「カヤハードA−S」、三菱ケミカル社製の「エピキュアW」等が挙げられる。   Examples of the amine-based curing agent include curing agents having one or more amino groups in one molecule. Examples thereof include aliphatic amines, polyether amines, alicyclic amines, aromatic amines, and the like. Can be mentioned. Of these, aromatic amines are preferable. The amine-based curing agent is preferably a primary amine or a secondary amine, more preferably a primary amine. Specific examples of the amine-based curing agent include 4,4′-methylenebis (2,6-dimethylaniline), diphenyldiaminosulfone, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, 3,3 ′. -Diaminodiphenyl sulfone, m-phenylenediamine, m-xylylenediamine, diethyltoluenediamine, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl- 4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dihydroxybenzidine, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane, 3,3-dimethyl-5,5-diethyl-4,4-diphenylmethane Diamine, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3- Bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 4,4′-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) sulfone, Bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl) sulfone and the like can be mentioned. The amine-based curing agent may be a commercially available product, for example, "KAYABOND C-200S", "KAYABOND C-100", "Kayahard A-A", "Kayahard A-B", and "Kayahard AB" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. Kayahard A-S "," Epicure W "manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, and the like.

酸無水物系硬化剤としては、1分子内中に1個以上の酸無水物基を有する硬化剤が挙げられる。酸無水物系硬化剤の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、5−(2,5−ジオキソテトラヒドロ−3−フラニル)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンソフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、3,3’−4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、1,3,3a,4,5,9b−ヘキサヒドロ−5−(テトラヒドロ−2,5−ジオキソ−3−フラニル)−ナフト[1,2−C]フラン−1,3−ジオン、エチレングリコールビス(アンヒドロトリメリテート)、スチレンとマレイン酸とが共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。酸無水物系硬化剤の市販品としては、新日本理化社製の「HNA−100」、「MH−700」等が挙げられる。   Examples of the acid anhydride-based curing agent include a curing agent having one or more acid anhydride groups in one molecule. Specific examples of the acid anhydride-based curing agent include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylnadic acid anhydride and hydrogenated methylnadic acid. Anhydride, trialkyltetrahydrophthalic anhydride, dodecenyl succinic anhydride, 5- (2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride, trianhydride Mellitic acid, pyromellitic dianhydride, benzophenonetetracarboxylic dianhydride, biphenyltetracarboxylic dianhydride, naphthalenetetracarboxylic dianhydride, oxydiphthalic dianhydride, 3,3'-4,4'- Diphenyl sulfone tetracarboxylic dianhydride, 1,3,3a, 4,5,9b-hexahydro-5- (tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl) -naphtho [1,2-C] furan-1 , 3-dione, ethylene glycol bis (anhydrotrimellitate), and polymer type acid anhydrides such as a styrene-maleic acid resin in which styrene and maleic acid are copolymerized. Examples of commercially available acid anhydride curing agents include "HNA-100" and "MH-700" manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.

上述した中でも、(B)硬化剤としては、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得る観点から、活性エステル系硬化剤、フェノール系硬化剤及びカルボジイミド系硬化剤が好ましく、活性エステル系硬化剤及びフェノール系硬化剤が更に好ましく、活性エステル系硬化剤が特に好ましい。活性エステル系硬化剤を用いる場合、(B)硬化剤100質量%に対する活性エステル系硬化剤の含有率は、好ましくは40質量%以上、より好ましくは50質量%以上、さらに好ましくは60質量%以上であり、好ましくは98質量%以下、より好ましくは96質量%以下、さらに好ましくは94質量%以下である。   Among the above, the (B) curing agent is preferably an active ester type curing agent, a phenol type curing agent and a carbodiimide type curing agent from the viewpoint of remarkably obtaining the effects of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon. , An active ester type curing agent and a phenol type curing agent are more preferable, and an active ester type curing agent is particularly preferable. When an active ester-based curing agent is used, the content of the active ester-based curing agent with respect to (B) 100% by weight of the curing agent is preferably 40% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, further preferably 60% by mass or more. It is preferably 98% by mass or less, more preferably 96% by mass or less, still more preferably 94% by mass or less.

樹脂組成物における(B)硬化剤の量は、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは0.1質量%以上、より好ましくは0.5質量%以上、さらに好ましくは1質量%以上であり、好ましくは30質量%以下、より好ましくは25質量%以下、さらに好ましくは20質量%以下である。   The amount of the (B) curing agent in the resin composition is preferably 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition, from the viewpoint of remarkably obtaining the effects of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon. 0.1 mass% or more, more preferably 0.5 mass% or more, still more preferably 1 mass% or more, preferably 30 mass% or less, more preferably 25 mass% or less, further preferably 20 mass% or less. is there.

(A)エポキシ樹脂のエポキシ基数を1とした場合、(B)硬化剤の活性基数は、好ましくは0.1以上、より好ましくは0.2以上、更に好ましくは0.3以上であり、好ましくは2以下、より好ましくは1.5以下、更に好ましくは1以下である。ここで、「(A)エポキシ樹脂のエポキシ基数」とは、樹脂組成物中に存在する(A)エポキシ樹脂の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値を全て合計した値である。また、「(B)硬化剤の活性基数」とは、樹脂組成物中に存在する(B)硬化剤の不揮発成分の質量を活性基当量で除した値を全て合計した値である。(A)エポキシ樹脂のエポキシ基数を1とした場合の(B)硬化剤の活性基数が前記範囲にあることにより、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得ることができ、更に通常は、樹脂組成物の硬化物の耐熱性がより向上する。   When the number of epoxy groups in the (A) epoxy resin is 1, the number of active groups in the (B) curing agent is preferably 0.1 or more, more preferably 0.2 or more, further preferably 0.3 or more, and preferably Is 2 or less, more preferably 1.5 or less, and further preferably 1 or less. Here, "(A) the number of epoxy groups in the epoxy resin" is a value obtained by summing all the values obtained by dividing the mass of the non-volatile components of the (A) epoxy resin present in the resin composition by the epoxy equivalent. Further, "(B) the number of active groups of the curing agent" is a value obtained by summing all the values obtained by dividing the mass of the non-volatile components of the (B) curing agent present in the resin composition by the active group equivalent. When the number of active groups of the curing agent (B) when the number of epoxy groups of the epoxy resin (A) is 1 is within the above range, the effects of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon can be remarkably obtained. In general, the heat resistance of the cured product of the resin composition is further improved.

[4.(C)成分:無機充填材]
樹脂組成物は、(C)成分として、比表面積が15m/g以上の無機充填材を含む。この(C)無機充填材を含む樹脂組成物の硬化物により、絶縁性に優れ、且つ、ハローイング現象を抑制できる薄い絶縁層を得ることができる。また、通常は、(C)無機充填材によって樹脂組成物の硬化物の熱膨張係数を小さくできるので、リフロー反りを抑制できる。
[4. (C) component: inorganic filler]
The resin composition contains, as the component (C), an inorganic filler having a specific surface area of 15 m 2 / g or more. With the cured product of the resin composition containing the inorganic filler (C), it is possible to obtain a thin insulating layer having excellent insulating properties and suppressing the haloing phenomenon. In addition, since the coefficient of thermal expansion of the cured product of the resin composition can be usually reduced by the inorganic filler (C), reflow warpage can be suppressed.

(C)無機充填材の材料としては、無機化合物を用いる。無機充填材の材料の例としては、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でもシリカが特に好適である。シリカとしては、例えば、無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等が挙げられる。また、シリカとしては、球状シリカが好ましい。無機充填材は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。   An inorganic compound is used as the material of the inorganic filler (C). Examples of the material of the inorganic filler, silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, aluminum hydroxide, Magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide , Barium titanate, barium titanate zirconate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, and zirconium tungstate phosphate. Among these, silica is particularly preferable. Examples of silica include amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, hollow silica, and the like. Further, spherical silica is preferable as the silica. The inorganic filler may be used alone or in combination of two or more.

(C)無機充填材の比表面積は、通常15m/g以上、好ましくは20m/g以上、特に好ましくは30m/g以上である。上限に特段の制限は無いが、好ましくは60m/g以下、50m/g以下又は40m/g以下である。無機充填材の比表面積は、BET法に従って、比表面積測定装置(マウンテック社製「Macsorb HM−1210」)を使用して、試料表面に窒素ガスを吸着させ、BET多点法を用いて算出することで得ることができる。(C)無機充填材の比表面積は、(D)成分等の表面処理剤による表面処理によって変化する場合がありうる。その場合、前記の(C)無機充填材の比表面積の範囲は、通常、表面処理をされていない状態での(C)無機充填材の比表面積の範囲を表す。一般に、適切な温度で焼成することによって表面処理剤は(C)無機充填材から除去できる。よって、表面処理された(C)無機充填材を試料として入手した場合には、通常、その(C)無機充填材を焼成した後に比表面積を測定することにより、表面処理をされていない状態での(C)無機充填材の比表面積を測定できる。 The specific surface area of the inorganic filler (C) is usually 15 m 2 / g or more, preferably 20 m 2 / g or more, and particularly preferably 30 m 2 / g or more. The upper limit is not particularly limited, but is preferably 60 m 2 / g or less, 50 m 2 / g or less, or 40 m 2 / g or less. The specific surface area of the inorganic filler is calculated according to the BET method by using a specific surface area measuring device (“Macsorb HM-1210” manufactured by Mountech Co., Ltd.) to adsorb nitrogen gas on the sample surface and using the BET multipoint method. It can be obtained. The specific surface area of the inorganic filler (C) may be changed by surface treatment with a surface treatment agent such as the component (D). In that case, the range of the specific surface area of the (C) inorganic filler usually represents the range of the specific surface area of the (C) inorganic filler in a state where the surface treatment is not performed. In general, the surface treatment agent can be removed from the (C) inorganic filler by firing at a suitable temperature. Therefore, when the surface-treated (C) inorganic filler is obtained as a sample, the surface area is usually not treated by measuring the specific surface area after firing the (C) inorganic filler. The specific surface area of the inorganic filler (C) can be measured.

また、表面処理によって(C)無機充填材の比表面積が変化する場合でも、通常は、その変化は小さい。よって、表面処理された(C)無機充填材の比表面積は、上述した表面処理をされていない状態での(C)無機充填材の比表面積の範囲に収まりうる。   Further, even when the specific surface area of the inorganic filler (C) is changed by the surface treatment, the change is usually small. Therefore, the specific surface area of the surface-treated (C) inorganic filler can fall within the range of the specific surface area of the (C) inorganic filler in the state where the surface treatment is not performed.

上述した範囲の比表面積を有する(C)無機充填材を用いることにより、絶縁性に優れ、且つ、ハローイング現象を抑制できる薄い絶縁層を得ることができる。また、上述した範囲の比表面積を有する(C)無機充填材を用いた場合、通常は、絶縁層を薄くすることができる。さらに、通常は、ビアホールの形状のコントロールを容易にして、良好な形状のビアホールを形成することができる。   By using the inorganic filler (C) having a specific surface area within the above range, it is possible to obtain a thin insulating layer having excellent insulating properties and capable of suppressing the haloing phenomenon. Further, when the (C) inorganic filler having the specific surface area within the above range is used, the insulating layer can be usually thinned. Further, usually, it is possible to easily control the shape of the via hole and form a via hole having a good shape.

前記のように大きい比表面積を有する(C)無機充填材としては、例えば、電気化学工業社製「UFP−30」、「UFP−40」等が挙げられる。   Examples of the inorganic filler (C) having a large specific surface area as described above include “UFP-30” and “UFP-40” manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.

(C)無機充填材の平均粒径は、好ましくは5.0μm以下、より好ましくは0.8μm以下、特に好ましくは0.4μm以下である。このように平均粒径が小さい(C)無機充填材を用いることにより、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得ることができる。更に、通常は、絶縁層を薄くしたり、良好な形状のビアホールを形成したりできる。該平均粒径の下限は、特に限定されないが、好ましくは50nm以上、60nm以上、又は、70nm以上である。   The average particle size of the inorganic filler (C) is preferably 5.0 μm or less, more preferably 0.8 μm or less, and particularly preferably 0.4 μm or less. By using the inorganic filler (C) having a small average particle diameter as described above, the effects of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon can be remarkably obtained. Further, usually, the insulating layer can be thinned and a via hole having a good shape can be formed. The lower limit of the average particle size is not particularly limited, but is preferably 50 nm or more, 60 nm or more, or 70 nm or more.

(C)無機充填材の平均粒径は、ミー(Mie)散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定できる。具体的には、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、無機充填材の粒径分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定できる。測定サンプルは、無機充填材を超音波によりメチルエチルケトン中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒径分布測定装置としては、堀場製作所社製「LA−960」を使用できる。このレーザー回折散乱式粒径分布測定装置を使用する場合、使用光源波長を青色および赤色とし、フローセル方式で測定することが可能である。   The average particle diameter of the inorganic filler (C) can be measured by a laser diffraction / scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, it can be measured by creating a particle size distribution of the inorganic filler on a volume basis with a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring device and setting the median size as the average particle size. As the measurement sample, an inorganic filler dispersed in methyl ethyl ketone by ultrasonic waves can be preferably used. As the laser diffraction / scattering particle size distribution measuring device, "LA-960" manufactured by Horiba Ltd. can be used. When this laser diffraction / scattering particle size distribution measuring device is used, it is possible to measure with a flow cell method with the light source wavelengths used being blue and red.

樹脂組成物における(C)無機充填材の量は、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは30質量%以上、より好ましくは35質量%以上、更に好ましくは40質量%以上、中でも好ましくは50質量%以上、特に好ましくは55質量%以上である。(C)無機充填材の量が前記の範囲にある場合、絶縁層の絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得ることができる。また、通常は、絶縁層の誘誘電正接を低くしたり、絶縁層の熱膨張係数を小さくしたりできる。(C)無機充填材の量の上限は、絶縁層の機械強度を高める観点から、好ましくは90質量%以下、より好ましくは85質量%以下、さらに好ましくは80質量%以下、特に好ましくは75質量%以下である。   The amount of the inorganic filler (C) in the resin composition is preferably 30% by mass or more, more preferably 35% by mass or more, still more preferably 40% by mass or more, with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition. Among them, 50% by mass or more is preferable, and 55% by mass or more is particularly preferable. When the amount of the inorganic filler (C) is within the above range, the effects of improving the insulating property of the insulating layer and suppressing the haloing phenomenon can be remarkably obtained. Further, usually, the dielectric loss tangent of the insulating layer can be lowered, and the thermal expansion coefficient of the insulating layer can be reduced. The upper limit of the amount of the inorganic filler (C) is preferably 90% by mass or less, more preferably 85% by mass or less, further preferably 80% by mass or less, and particularly preferably 75% by mass from the viewpoint of increasing the mechanical strength of the insulating layer. % Or less.

[5.(D)成分:式(1)で表される化合物]
樹脂組成物は、(D)成分として、式(1)で表される化合物を含む。この(D)成分を含む樹脂組成物の硬化物により、絶縁性に優れ、且つ、ハローイング現象を抑制できる薄い絶縁層を得ることができる。
[5. Component (D): Compound represented by Formula (1)]
The resin composition contains the compound represented by the formula (1) as the component (D). The cured product of the resin composition containing the component (D) makes it possible to obtain a thin insulating layer having excellent insulating properties and suppressing the haloing phenomenon.

(X−RSi(OR (1) (X-R a ) s Si (OR b ) t (1)

式(1)において、Xは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアミノ基を表す。アミノ基が有する置換基の数は、任意であり、1個でもよく、2個でもよい。よって、Xは、水素原子が置換されていない無置換のアミノ基であってもよく、アミノ基の水素原子1つが置換された1級アミノ基であってもよく、アミノ基の水素原子2つが置換された2級アミノ基であってもよい。また、2級アミノ基が有する置換基は、同じでもよく、異なっていてもよい。中でも、絶縁層の絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得る観点から、Xは、アミノ基の水素原子1つが置換された1級アミノ基であることが好ましい。   In the formula (1), X's each independently represent an amino group which may have a substituent. The number of substituents that the amino group has is arbitrary and may be one or two. Therefore, X may be an unsubstituted amino group in which a hydrogen atom is not substituted, may be a primary amino group in which one hydrogen atom of the amino group is substituted, and two hydrogen atoms of the amino group may be substituted. It may be a substituted secondary amino group. The substituents of the secondary amino group may be the same or different. Among them, X is preferably a primary amino group in which one hydrogen atom of the amino group is substituted, from the viewpoint of remarkably obtaining the effect of improving the insulating property of the insulating layer and suppressing the haloing phenomenon.

Xに含まれうる置換基としては、炭化水素基が好ましい。炭化水素基としては、例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられ、芳香族炭化水素基が好ましい。中でも、芳香族炭化水素基としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基等のアリール基が挙げられ、フェニル基が特に好ましい。また、前記の炭化水素基の水素原子は、二次置換基で置換されていてもよい。二次置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アリール基、アルコキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、カルボキシ基、スルホ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、オキソ基、などが挙げられる。中でも、前記の炭化水素基は、二次置換基を有さない無置換の炭化水素基が好ましい。Xに含まれうる置換基の炭素原子数は、好ましくは1以上、より好ましくは6以上であり、好ましくは14以下、より好ましくは10以下である。このような置換基を用いることにより、絶縁層の絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得ることができる。   The substituent that may be contained in X is preferably a hydrocarbon group. Examples of the hydrocarbon group include an aliphatic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group, and an aromatic hydrocarbon group is preferable. Among them, examples of the aromatic hydrocarbon group include aryl groups such as a phenyl group, a 1-naphthyl group and a 2-naphthyl group, and a phenyl group is particularly preferable. Moreover, the hydrogen atom of the said hydrocarbon group may be substituted by the secondary substituent. Examples of the secondary substituent include a halogen atom, an aryl group, an alkoxy group, a cycloalkyloxy group, an aryloxy group, an amino group, a silyl group, an acyl group, an acyloxy group, a carboxy group, a sulfo group, a cyano group and a nitro group. , A hydroxy group, a mercapto group, an oxo group, and the like. Among them, the hydrocarbon group is preferably an unsubstituted hydrocarbon group having no secondary substituent. The number of carbon atoms of the substituent that can be contained in X is preferably 1 or more, more preferably 6 or more, preferably 14 or less, more preferably 10 or less. By using such a substituent, the effects of improving the insulating property of the insulating layer and suppressing the haloing phenomenon can be remarkably obtained.

式(1)におけるXの好ましい例としては、例えば、1級アルキルアミノ基、2級アルキルアミノ基、および3級アルキルアミノ基等のアルキルアミノ基;フェニルアミノ基、ナフチルアミノ基等のアリールアミノ基等が挙げられる。中でも、Xとしては、アリールアミノ基が好ましく、フェニルアミノ基が特に好ましい。   Preferable examples of X in the formula (1) include alkylamino groups such as primary alkylamino group, secondary alkylamino group, and tertiary alkylamino group; arylamino groups such as phenylamino group and naphthylamino group. Etc. Among them, X is preferably an arylamino group, and particularly preferably a phenylamino group.

式(1)で表される化合物が1分子中にXを複数含む場合、それらのXは、同じでもよく、異なっていてもよい。   When the compound represented by the formula (1) contains a plurality of X's in one molecule, those X's may be the same or different.

式(1)において、Rは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数4以上の2価の脂肪族炭化水素基を表す。2価の脂肪族炭化水素基の炭素原子数は、通常4以上、好ましくは5以上、より好ましくは6以上、特に好ましくは7以上であり、好ましくは20以下、より好ましくは15以下、特に好ましくは12以下である。中でも、2価の脂肪族炭化水素に含有される炭素鎖のうち、式(1)に表示されたSi原子とXのアミノ基のN原子とを連結する炭素鎖(以下、「主鎖」ということがある。)の炭素原子数が、前記の範囲に収まることが好ましい。このような範囲の炭素原子数を有する2価の脂肪族炭化水素基をRが有する場合に、絶縁性に優れ、且つ、ハローイング現象を抑制できる薄い絶縁層を得ることができる。 In the formula (1), R a's each independently represent a divalent aliphatic hydrocarbon group having 4 or more carbon atoms, which may have a substituent. The number of carbon atoms of the divalent aliphatic hydrocarbon group is usually 4 or more, preferably 5 or more, more preferably 6 or more, particularly preferably 7 or more, preferably 20 or less, more preferably 15 or less, particularly preferably Is 12 or less. Among them, among the carbon chains contained in the divalent aliphatic hydrocarbon, the carbon chain connecting the Si atom represented by the formula (1) and the N atom of the amino group of X (hereinafter referred to as “main chain”) Sometimes, the number of carbon atoms of) may fall within the above range. When R a has a divalent aliphatic hydrocarbon group having the number of carbon atoms in such a range, it is possible to obtain a thin insulating layer having excellent insulating properties and capable of suppressing the haloing phenomenon.

2価の脂肪族炭化水素基は、環状構造を有していてもよく、鎖状構造を有していてもよい。また、2価の脂肪族炭化水素基は、アルキレン基等の飽和脂肪族炭化水素基であってもよく、アルケニレン基及びアルキニレン基等の不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。中でも、2価の脂肪族炭化水素基は、鎖状の飽和脂肪族炭化水素基であることが好ましく、アルキレン基が特に好ましい。   The divalent aliphatic hydrocarbon group may have a cyclic structure or a chain structure. Further, the divalent aliphatic hydrocarbon group may be a saturated aliphatic hydrocarbon group such as an alkylene group, or an unsaturated aliphatic hydrocarbon group such as an alkenylene group and an alkynylene group. Among them, the divalent aliphatic hydrocarbon group is preferably a chain saturated aliphatic hydrocarbon group, and particularly preferably an alkylene group.

アルキレン基は、直鎖状でもよく、分岐鎖状でもよいが、中でも直鎖状のアルキレン基が好ましい。アルキレン基の好ましい例を挙げると、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ウンデシレン基、ドデシレン基等が挙げられる。   The alkylene group may be linear or branched, but a linear alkylene group is preferable. Preferred examples of the alkylene group include a butylene group, a pentylene group, a hexylene group, a heptylene group, an octylene group, a nonylene group, a decylene group, an undecylene group and a dodecylene group.

アルケニレン基は、直鎖状でもよく、分岐鎖状でもよいが、中でも直鎖状のアルケニレン基が好ましい。アルケニレン基の好ましい例を挙げると、例えば、ブテニレン基、ペンテニレン基、へキセニレン基、ヘプテニレン基、オクテニレン基、ノネニレン基、デセニレン基、ウンデセニレン基、ドデセニレン基等が挙げられる。   The alkenylene group may be linear or branched, but linear alkenylene groups are preferred. Preferable examples of the alkenylene group include butenylene group, pentenylene group, hexenylene group, heptenylene group, octenylene group, nonenylene group, decenylene group, undecenylene group and dodecenylene group.

アルキニレン基は、直鎖状でもよく、分岐鎖状でもよいが、中でも直鎖状のアルキニレン基が好ましい。アルキニレン基の好ましい例を挙げると、例えば、ブチニレン基、ペンチニレン基、へキシニレン基、ヘプチニレン基、及びオクチニレン基が挙げられる。   The alkynylene group may be linear or branched, but linear alkynylene groups are preferred. Preferable examples of the alkynylene group include butynylene group, pentynylene group, hexynylene group, heptynylene group, and octynylene group.

の2価の脂肪族炭化水素基が有しうる置換基としては、例えば、Xが含みうる二次置換基と同じ例が挙げられる。ただし、絶縁層の絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得る観点から、Rは、置換基を有さない無置換の2価の脂肪族炭化水素基であることが好ましい。 Examples of the substituent that the divalent aliphatic hydrocarbon group for R a may have include the same examples as the secondary substituent that X may include. However, R a is an unsubstituted divalent aliphatic hydrocarbon group having no substituent from the viewpoint of remarkably obtaining the effect of improving the insulating property of the insulating layer and suppressing the haloing phenomenon. Is preferred.

式(1)で表される化合物が1分子中にRを複数含む場合、それらのRは、同じでもよく、異なっていてもよい。 When the compound represented by the formula (1) contains a plurality of R a in one molecule, those R a may be the same or different.

式(1)において、Rは、それぞれ独立に、水素原子、又は、炭素原子数1〜3の1価の脂肪族炭化水素基を表す。Rにおける1価の脂肪族炭化水素基としては、例えば、アルキル基等の1価の飽和脂肪族炭化水素基などが挙げられる。また、前記の脂肪族炭化水素基は、環状構造を有していてもよく、鎖状構造を有していてもよい。さらに、脂肪族炭化水素基が鎖状構造を有する場合、直鎖状でもよく、分岐鎖状でもよい。Rの炭素原子数は、通常1〜3であり、好ましくは1〜2、より好ましくは1である。1価の脂肪族炭化水素基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基が挙げられる。 In the formula (1), R b's each independently represent a hydrogen atom or a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms. Examples of the monovalent aliphatic hydrocarbon group for R b include a monovalent saturated aliphatic hydrocarbon group such as an alkyl group. Further, the aliphatic hydrocarbon group may have a cyclic structure or a chain structure. Furthermore, when the aliphatic hydrocarbon group has a chain structure, it may be linear or branched. The number of carbon atoms of R b is usually 1 to 3, preferably 1 to 2, and more preferably 1. Specific examples of the monovalent aliphatic hydrocarbon group include alkyl groups such as methyl group, ethyl group and propyl group.

式(1)で表される化合物が1分子中に基Rを複数含む場合、それらのRは、同じでもよく、異なっていてもよい。 When the compound represented by formula (1) contains a plurality of groups R b in one molecule, those R b may be the same or different.

式(1)において、s及びtは、1≦s≦3、1≦t≦3、且つ、s+t=4を満たす整数を表す。中でも、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得る観点から、sは1〜2が好ましく、tは2〜3が好ましい。   In the formula (1), s and t represent integers satisfying 1 ≦ s ≦ 3, 1 ≦ t ≦ 3, and s + t = 4. Above all, s is preferably 1 to 2 and t is preferably 2 to 3 from the viewpoint of remarkably obtaining the effect of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon.

式(1)で表される化合物の例としては、8−アミノオクチル−トリメトキシシラン、8−アミノオクチル−トリエトキシシラン等の、無置換のアミノトリアルコシシシラン;N−フェニル−4−アミノブチル−トリメトキシシラン、N−フェニル−5−アミノペンチル−トリメトキシシラン、N−フェニル−6−アミノヘキシル−トリメトキシシラン、N−フェニル−7−アミノヘプチル−トリメトキシシラン、N−フェニル−8−アミノオクチル−トリメトキシシラン、N−フェニル−9−アミノノニル−トリメトキシシラン、N−フェニル−10−アミノデシル−トリメトキシシラン、N−フェニル−8−アミノオクチル−トリエトキシシラン、N−ナフチル−8−アミノオクチル−トリメトキシシラン等の、N−アリールアミノトリアルコキシシラン;N,N−ジフェニル−8−アミノオクチル−トリメトキシシラン、N,N−ジフェニル−8−アミノオクチル−トリエトキシシラン等の、N,N−ジアリールアミノトリアルコキシシラン;などが挙げられる。中でも、N−アリールアミノトリアルコキシシランが好ましく、N−アリール−8−アミノオクチル−トリアルコキシシランが特に好ましい。   Examples of the compound represented by the formula (1) include unsubstituted aminotriacylsilane such as 8-aminooctyl-trimethoxysilane and 8-aminooctyl-triethoxysilane; N-phenyl-4-amino. Butyl-trimethoxysilane, N-phenyl-5-aminopentyl-trimethoxysilane, N-phenyl-6-aminohexyl-trimethoxysilane, N-phenyl-7-aminoheptyl-trimethoxysilane, N-phenyl-8 -Aminooctyl-trimethoxysilane, N-phenyl-9-aminononyl-trimethoxysilane, N-phenyl-10-aminodecyl-trimethoxysilane, N-phenyl-8-aminooctyl-triethoxysilane, N-naphthyl-8 -N-arylaminotrialkoxysilanes such as -aminooctyl-trimethoxysilane; N, N-diphenyl-8-aminooctyl-trimethoxysilane, such as N, N-diphenyl-8-aminooctyl-triethoxysilane, N, N-diarylaminotrialkoxysilane; and the like. Among them, N-arylaminotrialkoxysilane is preferable, and N-aryl-8-aminooctyl-trialkoxysilane is particularly preferable.

(D)成分は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組合わせて用いてもよい。   As the component (D), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination at any ratio.

(D)成分の分子量は、好ましくは193以上、より好ましくは270以上、特に好ましくは300以上であり、好ましくは550以下、より好ましくは500以下、より好ましくは450以下である。(D)成分の分子量が前記範囲にある場合、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得ることができる。   The molecular weight of the component (D) is preferably 193 or more, more preferably 270 or more, particularly preferably 300 or more, preferably 550 or less, more preferably 500 or less, more preferably 450 or less. When the molecular weight of the component (D) is within the above range, the effects of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon can be remarkably obtained.

樹脂組成物において、(D)成分は、(C)成分としての無機充填材から離れて樹脂成分中に遊離していてもよい。ここで、樹脂組成物の樹脂成分とは、樹脂組成物に含まれる不揮発成分のうち、無機充填材を除いた成分をいう。ただし、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得る観点から、(D)成分は、(C)無機充填材の表面にあることが好ましい。よって、(C)無機充填材は、(D)成分によって表面処理されていることが好ましい。また、(C)無機充填材の表面に(D)成分がある場合、(D)成分が表面処理剤として機能することによって、通常は、絶縁層の耐湿性及び分散性を高めることができる。   In the resin composition, the component (D) may be separated from the inorganic filler as the component (C) and may be liberated in the resin component. Here, the resin component of the resin composition refers to a component excluding the inorganic filler from the nonvolatile components contained in the resin composition. However, the component (D) is preferably present on the surface of the inorganic filler (C) from the viewpoint of remarkably obtaining the effects of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon. Therefore, the inorganic filler (C) is preferably surface-treated with the component (D). Further, when the component (D) is present on the surface of the inorganic filler (C), the component (D) functions as a surface treatment agent, and thus the moisture resistance and dispersibility of the insulating layer can be usually enhanced.

樹脂組成物における(D)成分の量は、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは0.1質量%以上、より好ましくは0.3質量%以上、特に好ましくは0.5質量%以上であり、好ましくは10質量%以下、より好ましくは5質量%以下、特に好ましくは3質量%以下である。   The amount of the component (D) in the resin composition is preferably 0 relative to 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition from the viewpoint of remarkably obtaining the effects of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon. 0.1% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, particularly preferably 0.5% by mass or more, preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, particularly preferably 3% by mass or less. Is.

樹脂組成物における(D)成分の量は、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得る観点から、(C)無機充填材100質量部に対して、好ましくは0.2質量部以上、より好ましくは0.3質量部以上、特に好ましくは0.5質量部以上であり、好ましくは10質量部以下、より好ましくは5質量部以下、特に好ましくは3質量部以下である。(C)無機充填材が前記の量の(D)成分で表面処理されていると、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得ることができる。   The amount of the component (D) in the resin composition is preferably 0. 0 with respect to 100 parts by mass of the inorganic filler (C) from the viewpoint of remarkably obtaining the effects of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon. 2 parts by mass or more, more preferably 0.3 parts by mass or more, particularly preferably 0.5 parts by mass or more, preferably 10 parts by mass or less, more preferably 5 parts by mass or less, particularly preferably 3 parts by mass or less. is there. When the inorganic filler (C) is surface-treated with the component (D) in the above-mentioned amount, the effects of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon can be remarkably obtained.

また、(C)無機充填材が(D)成分によって表面処理されている場合、(D)成分による表面処理の程度は、(C)無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。(C)無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得る観点から、0.02mg/m以上が好ましく、0.1mg/m以上がより好ましく、0.2mg/m以上が更に好ましく、また、1mg/m以下が好ましく、0.8mg/m以下がより好ましく、0.5mg/m以下が更に好ましい。さらに、カーボン量が前記範囲の下限値以上である場合、通常は、(C)無機充填材の分散性を向上させることができ、また、前記範囲の上限値以下である場合、通常は、樹脂ワニスの溶融粘度及びシート形態での溶融粘度の上昇を抑制することができる。 When the inorganic filler (C) is surface-treated with the component (D), the degree of surface treatment with the component (D) can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler (C). it can. The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler (C) is preferably 0.02 mg / m 2 or more, and 0.1 mg / m 2 or more, from the viewpoint of remarkably obtaining the effects of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon. m 2 or more is more preferable, 0.2 mg / m 2 or more is further preferable, 1 mg / m 2 or less is preferable, 0.8 mg / m 2 or less is more preferable, and 0.5 mg / m 2 or less is further preferable. Further, when the carbon amount is at least the lower limit value of the above range, the dispersibility of the inorganic filler (C) can be usually improved, and when it is at most the upper limit value of the above range, the resin is usually resin. It is possible to suppress an increase in the melt viscosity of the varnish and the melt viscosity in the sheet form.

無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の無機充填材を溶剤(例えば、メチルエチルケトン(MEK))により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のMEKを表面処理された無機充填材に加えて、25℃で5分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所社製「EMIA−320V」等を使用することができる。   The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured after cleaning the surface-treated inorganic filler with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to the surface-treated inorganic filler, and ultrasonic cleaning is performed at 25 ° C. for 5 minutes. After removing the supernatant and drying the solid content, the carbon amount per unit surface area of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As the carbon analyzer, "EMIA-320V" manufactured by Horiba, Ltd. can be used.

(C)無機充填材の表面積1m当たりの(D)成分の量は、好ましくは0.05mg以上、より好ましくは0.1mg以上、特に好ましくは0.5mg以上であり、好ましくは500mg以下、より好ましくは100mg以下、特に好ましくは10mg以下である。(C)無機充填材の表面積は、(C)無機充填材の比表面積と(C)無機充填材の質量との積として求められる。(C)無機充填材の表面積1m当たりの(D)成分の量が前記範囲にある場合、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得ることができる。 The amount of the component (D) per 1 m 2 of surface area of the inorganic filler (C) is preferably 0.05 mg or more, more preferably 0.1 mg or more, particularly preferably 0.5 mg or more, preferably 500 mg or less, It is more preferably 100 mg or less, and particularly preferably 10 mg or less. The surface area of the (C) inorganic filler is obtained as the product of the specific surface area of the (C) inorganic filler and the mass of the (C) inorganic filler. When the amount of the component (D) per 1 m 2 of surface area of the inorganic filler (C) is within the above range, the effects of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon can be remarkably obtained.

[6.(E)成分:ホスファゼン化合物]
樹脂組成物は、(E)成分として、ホスファゼン化合物を含む。この(E)ホスファゼン化合物を含む樹脂組成物の硬化物により、絶縁性に優れ、且つ、ハローイング現象を抑制できる薄い絶縁層を得ることができる。
[6. (E) component: phosphazene compound]
The resin composition contains a phosphazene compound as the component (E). With the cured product of the resin composition containing the (E) phosphazene compound, a thin insulating layer having excellent insulating properties and capable of suppressing the halo phenomenon can be obtained.

(E)ホスファゼン化合物とは、−P=N−で表される構造単位を含む化合物をいう。ホスファゼン化合物としては、例えば、−P=N−で表される構造単位からなる環状構造を有するシクロホスファゼン化合物、−P=N−で表される構造単位からなる鎖状構造を有するポリホスファゼン化合物等が挙げられる。(E)ホスファゼン化合物は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。   The (E) phosphazene compound means a compound containing a structural unit represented by -P = N-. Examples of the phosphazene compound include a cyclophosphazene compound having a cyclic structure composed of a structural unit represented by -P = N-, a polyphosphazene compound having a chain structure composed of a structural unit represented by -P = N-, and the like. Is mentioned. As the phosphazene compound (E), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination at an arbitrary ratio.

中でも、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得る観点から、(E)ホスファゼン化合物としては、−P=N−で表される構造単位からなる環状構造を有するシクロホスファゼン化合物が好ましい。さらには、(E)ホスファゼン化合物としては、下記式(2)で表されるホスファゼン化合物が、特に好ましい。   Among them, as the (E) phosphazene compound, a cyclophosphazene having a cyclic structure composed of a structural unit represented by -P = N- is used as the (E) phosphazene compound from the viewpoint of remarkably obtaining the effects of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon. Compounds are preferred. Furthermore, as the phosphazene compound (E), a phosphazene compound represented by the following formula (2) is particularly preferable.

Figure 2020075977
Figure 2020075977

(式(2)において、R及びRは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基を示し、nは、1〜23の整数を示す。) (In the formula (2), R 1 and R 2 each independently represent an aryl group which may have a substituent, and n represents an integer of 1 to 23.)

式(2)において、R及びRは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基を示す。好ましくは、R及びRは、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子、及び−X−R(Xは、単結合、−(アルキレン基)−、−O−、−S−、−CO−、−SO−、−NHCO−、−CONH−、−OCO−、又は−COO−を示し、Rは、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基及びハロゲン原子からなる群から選ばれる1〜3個の置換基を有していてもよいアリール基を示す。)で表される基からなる群から選ばれる1〜3個の置換基を有していてもよいアリール基を示す。 In formula (2), R 1 and R 2 each independently represent an aryl group which may have a substituent. Preferably, R 1 and R 2 are each independently a hydroxy group, an alkyl group, an alkoxy group, a cyano group, a halogen atom, and -X 1 -R 3 (X 1 is a single bond,-(alkylene group). -, - O -, - S -, - CO -, - SO 2 -, - NHCO -, - CONH -, - OCO-, or -COO- are shown, R 3 is hydroxy group, an alkyl group, an alkoxy group , An aryl group which may have 1 to 3 substituents selected from the group consisting of a cyano group and a halogen atom), and 1 to 3 substituents selected from the group consisting of Represents an aryl group which may have.

(E)ホスファゼン化合物は、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得る観点から、(A)エポキシ樹脂又は(B)硬化剤と反応できる官能基を含まないことが好ましい。このような官能基としては、例えば、ヒドロキシ基等が挙げられる。したがって、R及びRは、より好ましくは、それぞれ独立して、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子、及び−X−R(Xは、単結合、−(アルキレン基)−、−O−、−S−、−CO−、−SO−、−NHCO−、−CONH−、−OCO−、又は−COO−を示し、Rは、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、及びハロゲン原子からなる群から選ばれる1〜3個の置換基を有していてもよいアリール基を示す。)で表される基からなる群から選ばれる1〜3個の置換基を有していてもよいアリール基を示す。R及びRは、さらに好ましくは、それぞれ独立して、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、及びハロゲン原子からなる群から選ばれる1〜3個の置換基を有していてもよいアリール基を示す。R及びRは、特に好ましくは、それぞれ独立して、無置換のアリール基である。 The phosphazene compound (E) preferably does not contain a functional group capable of reacting with the epoxy resin (A) or the curing agent (B) from the viewpoint of remarkably obtaining the effects of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon. .. Examples of such a functional group include a hydroxy group and the like. Therefore, it is more preferable that R 1 and R 2 are each independently, an alkyl group, an alkoxy group, a cyano group, a halogen atom, and -X 1 -R 4 (X 1 is a single bond,-(alkylene group). -, - O -, - S -, - CO -, - SO 2 -, - NHCO -, - CONH -, - OCO-, or -COO- are shown, R 4 is an alkyl group, an alkoxy group, a cyano group And an aryl group which may have 1 to 3 substituents selected from the group consisting of halogen atoms.) And 1 to 3 substituents selected from the group consisting of The aryl group which may be shown is shown. More preferably, R 1 and R 2 are each independently an aryl group optionally having 1 to 3 substituents selected from the group consisting of an alkyl group, an alkoxy group, a cyano group, and a halogen atom. Indicates. R 1 and R 2 are particularly preferably each independently an unsubstituted aryl group.

一実施形態では、好ましくは、Rが、無置換のアリール基であり、かつRが、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子、及び−X−Rで表される基からなる群から選ばれる1〜3個の置換基を有していてもよいアリール基である。より好ましくは、Rが、無置換のアリール基であり、かつRが、それぞれ独立して、アルキル基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子、及び−X−Rで表される基からなる群から選ばれる1〜3個の置換基を有していてもよいアリール基である。 In one embodiment, preferably R 1 is an unsubstituted aryl group, and R 2 is each independently a hydroxy group, an alkyl group, an alkoxy group, a cyano group, a halogen atom, and —X 1 —. It is an aryl group optionally having 1 to 3 substituents selected from the group consisting of groups represented by R 3 . More preferably, R 1 is an unsubstituted aryl group, and R 2 is each independently an alkyl group, an alkoxy group, a cyano group, a halogen atom, and a group represented by —X 1 -R 4. It is an aryl group optionally having 1 to 3 substituents selected from the group consisting of:

式(2)において、アリール基の炭素原子数は、好ましくは6〜14、より好ましくは6〜10である。このアリール基としては、例えば、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基等が挙げられ、好ましくは、フェニル基である。   In formula (2), the aryl group preferably has 6 to 14 carbon atoms, and more preferably has 6 to 10 carbon atoms. Examples of the aryl group include a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group and the like, and a phenyl group is preferable.

式(2)において、アルキル基は、直鎖状でもよく、分枝鎖状でもよい。また、式(2)において、アルキル基の炭素原子数は、好ましくは1〜6、より好ましくは1〜3である。このアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。   In the formula (2), the alkyl group may be linear or branched. In formula (2), the alkyl group preferably has 1 to 6 carbon atoms, and more preferably 1 to 3 carbon atoms. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group and a neopentyl group.

式(2)において、アルコキシ基の炭素原子数は、好ましくは1〜6、より好ましくは1〜3である。このアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、ペンチルオキシ基等が挙げられる。   In the formula (2), the number of carbon atoms of the alkoxy group is preferably 1-6, more preferably 1-3. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, a butoxy group, an isobutoxy group, a sec-butoxy group, a tert-butoxy group and a pentyloxy group.

式(2)において、アルキレン基は、直鎖状でもよく、分枝鎖状でもよい。また、式(2)において、アルキレン基の炭素原子数は、好ましくは1〜6、より好ましくは1〜3である。このアルキレン基としては、例えば、−CH−、−CH−CH−、−CH(CH)−、−CH−CH−CH−、−CH−CH(CH)−、−CH(CH)−CH−、−C(CH−、−CH−CH−CH−CH−、−CH−CH−CH(CH)−、−CH−CH(CH)−CH−、−CH(CH)−CH−CH−、−CH−C(CH−、−C(CH−CH−等が挙げられる。 In the formula (2), the alkylene group may be linear or branched. Further, in the formula (2), the number of carbon atoms of the alkylene group is preferably 1 to 6, and more preferably 1 to 3. As the alkylene group, e.g., -CH 2 -, - CH 2 -CH 2 -, - CH (CH 3) -, - CH 2 -CH 2 -CH 2 -, - CH 2 -CH (CH 3) - , -CH (CH 3) -CH 2 -, - C (CH 3) 2 -, - CH 2 -CH 2 -CH 2 -CH 2 -, - CH 2 -CH 2 -CH (CH 3) -, - CH 2 -CH (CH 3) -CH 2 -, - CH (CH 3) -CH 2 -CH 2 -, - CH 2 -C (CH 3) 2 -, - C (CH 3) 2 -CH 2 - Etc.

式(2)において、nは、通常1〜23の整数を示し、好ましくは、1〜13の整数を示し、より好ましくは、1〜8の整数を示し、さらに好ましくは1又は2を示し、特に好ましくは1を示す。   In the formula (2), n usually represents an integer of 1 to 23, preferably an integer of 1 to 13, more preferably an integer of 1 to 8, and further preferably 1 or 2. Particularly preferably, 1 is shown.

(E)ホスファゼン化合物の具体例としては、例えば、下記式(2−1)〜(2−8)で表される化合物が挙げられる。下記式(2−1)〜(2−8)において、nは、上記と同様である。   Specific examples of the (E) phosphazene compound include compounds represented by the following formulas (2-1) to (2-8). In the following formulas (2-1) to (2-8), n is the same as above.

Figure 2020075977
Figure 2020075977

Figure 2020075977
Figure 2020075977

(E)ホスファゼン化合物は市販品を用いてもよい。例えば、大塚化学社製、「SPH−100」(上記式(2−6)で表される化合物)、「SPS−100」(上記式(2−1)で表される化合物)、「SPB−100」、「SPE−100」;伏見製薬所社製の「FP−100」(上記式(2−1)で表される化合物)、「FP−110」、「FP−300」(上記式(2−2)で表される化合物)、「FP−390」(上記式(2−3)で表される化合物)、「FP−400」;等が挙げられる。   As the phosphazene compound (E), a commercially available product may be used. For example, "SPH-100" (compound represented by the above formula (2-6)), "SPS-100" (compound represented by the above formula (2-1)), "SPB-" manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd. 100 "," SPE-100 ";" FP-100 "(compound represented by the above formula (2-1)) manufactured by Fushimi Pharmaceutical Co., Ltd.," FP-110 "," FP-300 "(the above formula ( 2-2)), "FP-390" (compound represented by the above formula (2-3)), "FP-400"; and the like.

(E)ホスファゼン化合物は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。   As the phosphazene compound (E), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination at an arbitrary ratio.

樹脂組成物における(E)ホスファゼン化合物の量は、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは0.1質量%以上、より好ましくは0.3質量%以上、特に好ましくは0.5質量%以上であり、好ましくは10質量%以下、より好ましくは5質量%以下、特に好ましくは3質量%以下である。   The amount of the (E) phosphazene compound in the resin composition is preferably 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition from the viewpoint of remarkably obtaining the effects of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon. 0.1 mass% or more, more preferably 0.3 mass% or more, particularly preferably 0.5 mass% or more, preferably 10 mass% or less, more preferably 5 mass% or less, particularly preferably 3 mass% It is below.

樹脂組成物における(E)ホスファゼン化合物の量は、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得る観点から、(C)無機充填材100質量部に対して、好ましくは0.2質量部以上、より好ましくは0.3質量部以上、特に好ましくは0.5質量部以上であり、好ましくは10質量部以下、より好ましくは5質量部以下、特に好ましくは3質量部以下である。   The amount of the (E) phosphazene compound in the resin composition is preferably 0 based on 100 parts by mass of the (C) inorganic filler from the viewpoint of remarkably obtaining the effects of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon. 0.2 parts by mass or more, more preferably 0.3 parts by mass or more, particularly preferably 0.5 parts by mass or more, preferably 10 parts by mass or less, more preferably 5 parts by mass or less, particularly preferably 3 parts by mass or less. Is.

(C)無機充填材の表面積1m当たりの(E)ホスファゼン化合物の量は、好ましくは0.01mg以上、より好ましくは0.05mg以上、特に好ましくは0.1mg以上であり、好ましくは50mg以下、より好ましくは10mg以下、特に好ましくは2mg以下である。(C)無機充填材の表面積1m当たりの(E)ホスファゼン化合物の量が前記範囲にある場合、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得ることができる。 The amount of the (E) phosphazene compound per 1 m 2 of surface area of the inorganic filler (C) is preferably 0.01 mg or more, more preferably 0.05 mg or more, particularly preferably 0.1 mg or more, and preferably 50 mg or less. , More preferably 10 mg or less, particularly preferably 2 mg or less. When the amount of the (E) phosphazene compound per 1 m 2 of the surface area of the inorganic filler (C) is in the above range, the effects of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon can be remarkably obtained.

[7.(F)成分:硬化促進剤]
樹脂組成物は、上述した成分に組み合わせて、更に任意の成分を含んでいてもよい。例えば、樹脂組成物は、任意の成分として(F)硬化促進剤を含んでいてもよい。
[7. (F) component: curing accelerator]
The resin composition may further contain an optional component in combination with the above components. For example, the resin composition may include (F) a curing accelerator as an optional component.

(F)硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられる。中でも、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。   Examples of the curing accelerator (F) include a phosphorus curing accelerator, an amine curing accelerator, an imidazole curing accelerator, a guanidine curing accelerator, and a metal curing accelerator. Of these, phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators and metal-based curing accelerators are preferable, and amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators and metal-based curing accelerators are more preferable. The curing accelerator may be used alone or in combination of two or more.

リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、n−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、(4−メチルフェニル)トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。   Examples of phosphorus-based curing accelerators include triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl) triphenylphosphonium thiocyanate. , Tetraphenylphosphonium thiocyanate, butyltriphenylphosphonium thiocyanate, and the like, and triphenylphosphine and tetrabutylphosphonium decanoate are preferable.

アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、4−ジメチルアミノピリジン(DMAP)、ベンジルジメチルアミン、2,4,6,−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)−ウンデセン等が挙げられ、4−ジメチルアミノピリジン、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)−ウンデセンが好ましい。   Examples of the amine-based curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine (DMAP), benzyldimethylamine, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol, 1, Examples thereof include 8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene, and 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene are preferable.

イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2,3−ジヒドロ−1H−ピロロ[1,2−a]ベンズイミダゾール、1−ドデシル−2−メチル−3−ベンジルイミダゾリウムクロライド、2−メチルイミダゾリン、2−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾールが好ましい。   Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl- 2-Phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecyl Imidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2,4- Diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2- Phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline , 2-phenylimidazoline and other imidazole compounds, and adducts of imidazole compounds and epoxy resins are mentioned, and 2-ethyl-4-methylimidazole and 1-benzyl-2-phenylimidazole are preferable.

イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱ケミカル社製の「P200−H50」等が挙げられる。   As the imidazole-based curing accelerator, a commercially available product may be used, and examples thereof include "P200-H50" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.

グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、1−メチルグアニジン、1−エチルグアニジン、1−シクロヘキシルグアニジン、1−フェニルグアニジン、1−(o−トリル)グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エン、7−メチル−1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エン、1−メチルビグアニド、1−エチルビグアニド、1−n−ブチルビグアニド、1−n−オクタデシルビグアニド、1,1−ジメチルビグアニド、1,1−ジエチルビグアニド、1−シクロヘキシルビグアニド、1−アリルビグアニド、1−フェニルビグアニド、1−(o−トリル)ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エンが好ましい。   Examples of the guanidine-based curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1- (o-tolyl) guanidine, dimethylguanidine, diphenylguanidine, trimethylguanidine, Tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] Deca-5-ene, 1-methyl biguanide, 1-ethyl biguanide, 1-n-butyl biguanide, 1-n-octadecyl biguanide, 1,1-dimethyl biguanide, 1,1-diethyl biguanide, 1-cyclohexyl biguanide, 1 Examples thereof include allyl biguanide, 1-phenyl biguanide, 1- (o-tolyl) biguanide, and dicyandiamide and 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene.

金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト(II)アセチルアセトナート、コバルト(III)アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅(II)アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛(II)アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄(III)アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル(II)アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン(II)アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。   Examples of the metal-based curing accelerator include organic metal complexes or organic metal salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin. Specific examples of the organic metal complex include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and zinc (II) acetylacetonate. And the like, organic iron complexes such as iron (III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate, and organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organic metal salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, zinc stearate and the like.

(F)硬化促進剤を使用する場合、樹脂組成物における(F)硬化促進剤の量は、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは0.01質量%以上、より好ましくは0.05質量%以上、さらに好ましくは0.1質量%以上であり、好ましくは3質量%以下、より好ましくは2質量%以下、さらに好ましくは1.5質量%以下である。   When the (F) curing accelerator is used, the amount of the (F) curing accelerator in the resin composition is set in the resin composition from the viewpoint that the effect of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon can be remarkably obtained. With respect to 100% by mass of the non-volatile components, it is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, further preferably 0.1% by mass or more, preferably 3% by mass or less, more preferably Is 2% by mass or less, more preferably 1.5% by mass or less.

[8.(G)成分:熱可塑性樹脂]
樹脂組成物は、任意の成分として(G)熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。
[8. (G) component: thermoplastic resin]
The resin composition may contain (G) a thermoplastic resin as an optional component.

(G)成分としての熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂等が挙げられる。中でも、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得る観点、並びに、表面粗さが小さく導体層との密着性に特に優れる絶縁層を得る観点から、フェノキシ樹脂が好ましい。また、熱可塑性樹脂は、1種類単独で用いてもよく、又は2種類以上を組み合わせて用いてもよい。   Examples of the thermoplastic resin as the component (G) include phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polybutadiene resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, and polyphenylene ether resin. , Polycarbonate resin, polyether ether ketone resin, polyester resin and the like. Among them, the phenoxy resin is preferable from the viewpoint of remarkably obtaining the effect of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon, and from the viewpoint of obtaining the insulating layer having a small surface roughness and particularly excellent adhesion to the conductor layer. The thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more.

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA骨格、ビスフェノールF骨格、ビスフェノールS骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される1種類以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱ケミカル社製の「1256」及び「4250」(いずれもビスフェノールA骨格含有フェノキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「YX8100」(ビスフェノールS骨格含有フェノキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「YX6954」(ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「FX280」及び「FX293」;三菱ケミカル社製の「YL7500BH30」、「YX6954BH30」、「YX7553」、「YX7553BH30」、「YL7769BH30」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」及び「YL7482」;等が挙げられる。   Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenolacetophenone skeleton, novolac skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene skeleton, anthracene skeleton, adamantane skeleton, terpene. Phenoxy resins having one or more types of skeletons selected from the group consisting of a skeleton and a trimethylcyclohexane skeleton are mentioned. The terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as a phenolic hydroxyl group and an epoxy group. Specific examples of the phenoxy resin include "1256" and "4250" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (both are bisphenol A skeleton-containing phenoxy resins); Mitsubishi Chemical Corporation "YX8100" (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin); Mitsubishi Chemical "YX6954" (phenoxy resin containing bisphenolacetophenone skeleton); "FX280" and "FX293" manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd .; "YL7500BH30", "YX6954BH30", "YX7553", "YX7553BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. "YL7769BH30", "YL6794", "YL7213", "YL7290" and "YL7482"; and the like.

ポリビニルアセタール樹脂としては、例えば、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂が挙げられ、ポリビニルブチラール樹脂が好ましい。ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業社製の「電化ブチラール4000−2」、「電化ブチラール5000−A」、「電化ブチラール6000−C」、「電化ブチラール6000−EP」;積水化学工業社製のエスレックBHシリーズ、BXシリーズ(例えばBX−5Z)、KSシリーズ(例えばKS−1)、BLシリーズ、BMシリーズ;等が挙げられる。   Examples of the polyvinyl acetal resin include polyvinyl formal resin and polyvinyl butyral resin, and polyvinyl butyral resin is preferable. Specific examples of the polyvinyl acetal resin include "electrochemical butyral 4000-2", "electrostatic butyral 5000-A", "electrostatic butyral 6000-C", and "electrostatic butyral 6000-EP" manufactured by Denki Kagaku Kogyo; Sekisui Chemical Co., Ltd. Eslec BH series, BX series (for example, BX-5Z), KS series (for example, KS-1), BL series, BM series;

ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化社製の「リカコートSN20」及び「リカコートPN20」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、2官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド(特開2006−37083号公報記載のポリイミド)、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド(特開2002−12667号公報及び特開2000−319386号公報等に記載のポリイミド)等の変性ポリイミドが挙げられる。   Specific examples of the polyimide resin include "Ricacoat SN20" and "Ricacoat PN20" manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd. Specific examples of the polyimide resin also include a linear polyimide obtained by reacting a bifunctional hydroxyl group-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound, and a tetrabasic acid anhydride (polyimide described in JP 2006-37083 A), a polysiloxane skeleton. Modified polyimides such as contained polyimides (polyimides described in JP-A-2002-12667 and JP-A-2000-319386) can be mentioned.

ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡社製の「バイロマックスHR11NN」及び「バイロマックスHR16NN」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成社製の「KS9100」、「KS9300」(ポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド)等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。   Specific examples of the polyamide-imide resin include “Vylomax HR11NN” and “Vylomax HR16NN” manufactured by Toyobo Co., Ltd. Specific examples of the polyamideimide resin also include modified polyamideimides such as "KS9100" and "KS9300" (polysiloxane skeleton-containing polyamideimide) manufactured by Hitachi Chemical.

ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学社製の「PES5003P」等が挙げられる。   Specific examples of the polyether sulfone resin include “PES5003P” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. and the like.

ポリフェニレンエーテル樹脂の具体例としては、三菱ガス化学社製のオリゴフェニレンエーテル・スチレン樹脂「OPE−2St 1200」等が挙げられる。   Specific examples of the polyphenylene ether resin include oligophenylene ether / styrene resin "OPE-2St 1200" manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company.

ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ社製のポリスルホン「P1700」、「P3500」等が挙げられる。   Specific examples of the polysulfone resin include polysulfone "P1700" and "P3500" manufactured by Solvay Advanced Polymers.

(G)熱可塑性樹脂の重量平均分子量(Mw)は、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得る観点から、好ましくは8,000以上、より好ましくは10,000以上、特に好ましくは20,000以上であり、好ましくは70,000以下、より好ましくは60,000以下、特に好ましくは50,000以下である。   (G) The weight average molecular weight (Mw) of the thermoplastic resin is preferably 8,000 or more, more preferably 10,000 or more, from the viewpoint of remarkably obtaining the effects of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon. It is particularly preferably 20,000 or more, preferably 70,000 or less, more preferably 60,000 or less, particularly preferably 50,000 or less.

(G)熱可塑性樹脂を使用する場合、樹脂組成物における(G)熱可塑性樹脂の量は、絶縁性の向上、及び、ハローイング現象の抑制といった効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、好ましくは0.1質量%以上、より好ましくは0.5質量%以上、さらに好ましくは1質量%以上であり、好ましくは15質量%以下、より好ましくは12質量%以下、さらに好ましくは10質量%以下である。   In the case of using the (G) thermoplastic resin, the amount of the (G) thermoplastic resin in the resin composition is not limited to that in the resin composition from the viewpoint of remarkably obtaining the effects of improving the insulating property and suppressing the haloing phenomenon. With respect to 100% by mass of the non-volatile component, it is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, further preferably 1% by mass or more, preferably 15% by mass or less, more preferably 12 It is not more than 10% by mass, more preferably not more than 10% by mass.

[9.(H)成分:他の任意の成分]
樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意の成分として、更に任意の添加剤を含んでいてもよい。このような添加剤としては、例えば、有機充填材;有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物;難燃剤、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、着色剤等の樹脂添加剤;などが挙げられる。これらの添加剤は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
[9. (H) component: other arbitrary component]
The resin composition may further contain an optional additive as an optional component in addition to the above-mentioned components. Examples of such additives include organic fillers; organometallic compounds such as organocopper compounds, organozinc compounds and organocobalt compounds; flame retardants, thickeners, defoamers, leveling agents, adhesion promoters, Resin additives such as colorants; and the like. These additives may be used alone or in combination of two or more.

[10.樹脂組成物の製造方法]
上述した樹脂組成物は、例えば、配合成分を、回転ミキサーなどの撹拌装置を用いて撹拌し、均一に分散させることにより製造できる。
[10. Method for producing resin composition]
The above-mentioned resin composition can be produced, for example, by stirring the blended components using a stirring device such as a rotary mixer and uniformly dispersing them.

[11.樹脂組成物の特性]
上述した樹脂組成物の硬化物によって絶縁層を形成した場合、その絶縁層は、絶縁性に優れ、且つ、ハローイング現象を抑制できる。また、これらの作用は、絶縁層が薄くても、発揮できる。したがって、上述した樹脂組成物によれば、絶縁性に優れ且つハローイング現象を抑制できる薄い絶縁層を得ることができる。
[11. Characteristics of resin composition]
When the insulating layer is formed by the cured product of the resin composition described above, the insulating layer has excellent insulating properties and can suppress the haloing phenomenon. Further, these effects can be exhibited even if the insulating layer is thin. Therefore, according to the resin composition described above, it is possible to obtain a thin insulating layer having excellent insulating properties and suppressing the haloing phenomenon.

絶縁性に優れる点に関して、具体的には、樹脂組成物の硬化物によって絶縁層を形成した場合に、その絶縁層の抵抗を大きくできる。一実施形態においては、樹脂組成物を130℃で30分間加熱し、次いで170℃で30分間加熱して硬化させて得られる絶縁層の表面に粗化処理を行った場合、その絶縁層は高い絶縁抵抗値を示すことができる。例えば、導体層間の絶縁層の厚みが4.0μm以上5.0μm以下の絶縁層の絶縁抵抗値は、好ましくは1.0×10Ω以上、より好ましくは1.0×10Ω以上、更に好ましくは1.0×10Ω以上、特に好ましくは1.0×1010Ω以上である。絶縁抵抗値は、後述する実施例([I.導体層間の絶縁層の厚み及び絶縁層の絶縁信頼性の測定]を参照)に記載の方法で測定できる。 Regarding the excellent insulating property, specifically, when the insulating layer is formed of a cured product of the resin composition, the resistance of the insulating layer can be increased. In one embodiment, when the surface of the insulating layer obtained by heating the resin composition at 130 ° C. for 30 minutes and then at 170 ° C. for 30 minutes to cure is subjected to a roughening treatment, the insulating layer is high. The insulation resistance value can be indicated. For example, the insulation resistance value of the insulating layer having a thickness of 4.0 μm or more and 5.0 μm or less between the conductor layers is preferably 1.0 × 10 7 Ω or more, more preferably 1.0 × 10 8 Ω or more, It is more preferably 1.0 × 10 9 Ω or more, and particularly preferably 1.0 × 10 10 Ω or more. The insulation resistance value can be measured by the method described in Examples described later (see [I. Measurement of thickness of insulating layer between conductor layers and insulation reliability of insulating layer]).

図1は、両側に第1の導体層1及び第2の導体層2が設けられた絶縁層3の一例を模式的に示す断面図である。図1に示すように、前記の「導体層間の絶縁層の厚み」とは、絶縁層3の両側に設けられた導体層(図1では、第1の導体層1及び第2の導体層2)の間の絶縁層3の厚みt1を表す。すなわち、「導体層間の絶縁層の厚み」は、第1の導体層1の主面11と第2の導体層2の主面21間の絶縁層3の厚みt1を表す。ここで、第1の導体層1及び第2の導体層2は、絶縁層3を介して隣り合う導体層であり、主面11及び主面21は互いに向き合っている。   FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of an insulating layer 3 provided with a first conductor layer 1 and a second conductor layer 2 on both sides. As shown in FIG. 1, the “thickness of the insulating layer between the conductor layers” means the conductor layers provided on both sides of the insulating layer 3 (the first conductor layer 1 and the second conductor layer 2 in FIG. 1). Represents the thickness t1 of the insulating layer 3 between the parentheses. That is, the “thickness of the insulating layer between the conductor layers” represents the thickness t1 of the insulating layer 3 between the main surface 11 of the first conductor layer 1 and the main surface 21 of the second conductor layer 2. Here, the first conductor layer 1 and the second conductor layer 2 are conductor layers adjacent to each other with the insulating layer 3 in between, and the main surface 11 and the main surface 21 face each other.

ハローイング現象を抑制できる点に関して、具体的には、樹脂組成物の硬化物によって形成された絶縁層にビアホールを形成し、粗化処理を施した場合に、ハローイング現象を抑制することができる。以下、図面を示して、ハローイング現象の抑制を更に詳細に説明する。   Regarding the point that the haloing phenomenon can be suppressed, specifically, when the via hole is formed in the insulating layer formed by the cured product of the resin composition and the roughening treatment is performed, the haloing phenomenon can be suppressed. .. Hereinafter, the suppression of the haloing phenomenon will be described in more detail with reference to the drawings.

図2は、一例としての樹脂組成物の硬化物で形成された絶縁層100を、内層基板200と共に模式的に示す断面図である。この図2においては、ビアホール110のボトム120の中心120Cを通り且つ絶縁層100の厚み方向に平行な平面で、絶縁層100を切断した断面を示す。   FIG. 2 is a sectional view schematically showing an insulating layer 100 formed of a cured product of a resin composition as an example together with an inner layer substrate 200. FIG. 2 shows a cross section of insulating layer 100 cut along a plane that passes through center 120C of bottom 120 of via hole 110 and is parallel to the thickness direction of insulating layer 100.

図2に示すように、この例に係る絶縁層100は、導体層210を含む内層基板200上に樹脂組成物の硬化物で形成されている。また、絶縁層100には、ビアホール110が形成されている。ビアホール110は、一般に、導体層210とは反対側の絶縁層100の面100Uに近いほど径が大きく、導体層210に近いほど径が小さい順テーパ状に形成され、理想的には、絶縁層100の厚み方向において一定の径を有する柱状に形成される。このビアホール110は、通常、導体層210とは反対側の絶縁層100の面100Uにレーザー光を照射して、絶縁層100の一部を除去することで、形成される。   As shown in FIG. 2, the insulating layer 100 according to this example is formed of a cured product of a resin composition on the inner layer substrate 200 including the conductor layer 210. A via hole 110 is formed in the insulating layer 100. The via hole 110 is generally formed in a forward tapered shape having a larger diameter as it approaches the surface 100U of the insulating layer 100 on the opposite side to the conductor layer 210 and a smaller diameter as it approaches the conductor layer 210. It is formed in a columnar shape having a constant diameter in the thickness direction of 100. The via hole 110 is usually formed by irradiating the surface 100U of the insulating layer 100 opposite to the conductor layer 210 with a laser beam to remove a part of the insulating layer 100.

前記のビアホール110の導体層210側のボトムを、適宜「ビアボトム」と呼び、符号120で示す。また、ビアホール110の導体層210とは反対側に形成された開口を、適宜「ビアトップ」と呼び、符号130で示す。通常、ビアボトム120及びビアトップ130は、絶縁層100の厚み方向から見た平面形状が円形状に形成されるが、楕円形状であってもよい。   The bottom of the via hole 110 on the side of the conductor layer 210 is appropriately referred to as a “via bottom” and denoted by reference numeral 120. Further, the opening formed on the side of the via hole 110 opposite to the conductor layer 210 is appropriately referred to as a “via top” and designated by reference numeral 130. Normally, the via bottom 120 and the via top 130 are formed to have a circular plan shape when viewed in the thickness direction of the insulating layer 100, but may have an elliptical shape.

図3は、一例としての樹脂組成物の硬化物で形成された絶縁層100の、導体層210(図3では図示せず。)とは反対側の面100Uを模式的に示す平面図である。
図3に示すように、ビアホール110を形成された絶縁層100を見ると、このビアホール110の周囲に、絶縁層100が変色した変色部140が観察されることがある。この変色部140は、ビアホール110の形成時に形成されうるもので、通常、ビアホール110から連続して形成される。また、多くの場合、変色部140は、白化部分となっている。
FIG. 3 is a plan view schematically showing a surface 100U of the insulating layer 100 formed of a cured product of a resin composition, which is opposite to the conductor layer 210 (not shown in FIG. 3). ..
As shown in FIG. 3, when the insulating layer 100 having the via hole 110 is viewed, a discolored portion 140 in which the insulating layer 100 is discolored may be observed around the via hole 110. The discolored portion 140 can be formed when the via hole 110 is formed, and is usually formed continuously from the via hole 110. In many cases, the discolored portion 140 is a whitened portion.

図4は、一例としての樹脂組成物の硬化物で形成された、粗化処理後の絶縁層100を、内層基板200と共に模式的に示す断面図である。この図4においては、ビアホール110のビアボトム120の中心120Cを通り且つ絶縁層100の厚み方向に平行な平面で、絶縁層100を切断した断面を示す。
図4に示すように、ビアホール110が形成された絶縁層100に粗化処理を施すと、ハローイング現象が生じて、変色部140の絶縁層100が導体層210から剥離し、ビアボトム120のエッジ150から連続した間隙部160が形成されることがある。この間隙部160は、通常、粗化処理の際に変色部140が浸食されて形成される。
FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing an insulating layer 100 after a roughening treatment, which is formed of a cured product of a resin composition, together with an inner layer substrate 200. FIG. 4 shows a cross section of insulating layer 100 taken along a plane that passes through center 120C of via bottom 120 of via hole 110 and is parallel to the thickness direction of insulating layer 100.
As shown in FIG. 4, when the insulating layer 100 in which the via hole 110 is formed is roughened, a haloing phenomenon occurs, the insulating layer 100 of the discolored portion 140 is separated from the conductor layer 210, and the edge of the via bottom 120 is removed. A continuous gap 160 may be formed from 150. The gap 160 is usually formed by eroding the discolored portion 140 during the roughening process.

上述した樹脂組成物を用いることにより、前記のハローイング現象を抑制できる。そのため、導体層210からの絶縁層100の剥離を抑制することができるので、間隙部160のサイズを小さくできる。   By using the resin composition described above, the haloing phenomenon can be suppressed. Therefore, peeling of the insulating layer 100 from the conductor layer 210 can be suppressed, and the size of the gap 160 can be reduced.

ビアボトム120のエッジ150は、間隙部160の内周側の縁部に相当する。よって、ビアボトム120のエッジ150から、間隙部160の外周側の端部(即ち、ビアボトム120の中心120Cから遠い側の端部)170までの距離Wbは、間隙部160の面内方向のサイズに相当する。ここで、面内方向とは、絶縁層100の厚み方向に垂直な方向をいう。また、以下の説明において、前記の距離Wbを、ビアホール110のビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbということがある。このビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbにより、ハローイング現象の抑制の程度を評価できる。具体的には、ビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbが小さいほど、ハローイング現象を効果的に抑制できたと評価できる。   The edge 150 of the via bottom 120 corresponds to the inner peripheral edge of the gap 160. Therefore, the distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120 to the outer peripheral side end of the gap 160 (that is, the end farther from the center 120C of the via bottom 120) 170 is the size of the gap 160 in the in-plane direction. Equivalent to. Here, the in-plane direction means a direction perpendicular to the thickness direction of the insulating layer 100. In the following description, the distance Wb may be referred to as a halo distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120 of the via hole 110. The degree of suppression of the halo phenomenon can be evaluated by the halo distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120. Specifically, it can be evaluated that the haloing phenomenon was effectively suppressed as the haloing distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120 was smaller.

一実施形態において、樹脂組成物を130℃で30分間加熱し、次いで170℃で30分間加熱して硬化させて得た厚み10μmの絶縁層100に、マスク径1mm、パルス幅16μs、エネルギー0.2mJ/ショット、ショット数2、バーストモード(10kHz)の条件でCOレーザー光を照射して、トップ径Ltが30μm±2μmのビアホール110を形成する。その後、膨潤液に60℃で10分間浸漬し、次いで、粗化液に80℃で20分間浸漬し、次いで、中和液に40℃で5分間浸漬した後、80℃で30分間乾燥する。上述した樹脂組成物を用いれば、このようにして得られた絶縁層100のビアホール110のビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbを、好ましくは5μm以下、より好ましくは4μm以下、更に好ましくは3μm以下、特に好ましくは2μm以下にできる。 In one embodiment, the resin composition is heated at 130 ° C. for 30 minutes, and then heated at 170 ° C. for 30 minutes to be cured, and then the insulating layer 100 having a thickness of 10 μm is applied to a mask diameter of 1 mm, a pulse width of 16 μs, and an energy of 0. A via hole 110 having a top diameter Lt of 30 μm ± 2 μm is formed by irradiating CO 2 laser light under the conditions of 2 mJ / shot, the number of shots 2 and the burst mode (10 kHz). Then, it is immersed in the swelling solution at 60 ° C. for 10 minutes, then in the roughening solution at 80 ° C. for 20 minutes, then in the neutralizing solution at 40 ° C. for 5 minutes, and then dried at 80 ° C. for 30 minutes. When the resin composition described above is used, the haloing distance Wb of the via hole 110 of the insulating layer 100 thus obtained from the edge 150 of the via bottom 120 is preferably 5 μm or less, more preferably 4 μm or less, and further preferably It can be 3 μm or less, particularly preferably 2 μm or less.

ビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbは、FIB(集束イオンビーム)を用いて、絶縁層100を、当該絶縁層100の厚み方向に平行で且つビアボトム120の中心120Cを通る断面が現れるように削り出した後、その断面を電子顕微鏡で観察することにより、測定できる。   The haloing distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120 is such that a cross section of the insulating layer 100 that is parallel to the thickness direction of the insulating layer 100 and that passes through the center 120C of the via bottom 120 appears by using a focused ion beam (FIB). After shaving, it can be measured by observing the cross section with an electron microscope.

さらに、本発明者らの検討によれば、一般に、ビアホール110の径が大きいほど、変色部140のサイズが大きくなり易いので、間隙部160のサイズも大きくなり易い傾向があることが判明している。よって、ビアホール110の径に対する間隙部160のサイズの比率によって、ハローイング現象の抑制の程度を評価できる。例えば、ビアホール110のボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbにより、評価ができる。ここで、ビアホール110のボトム半径Lb/2とは、ビアホール110のビアボトム120の半径をいい、通常、ビアホール110のボトム径Lbの半分の寸法を表す。また、ビアホール110のボトム径Lbとは、ビアホール110のビアボトム120の径をいう。さらに、ビアホール110のボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbとは、ビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbを、ビアホール110のボトム半径Lb/2で割って得られる比率である。ビアホール110のボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbが小さいほど、ハローイング現象を効果的に抑制できたことを表す。   Further, according to the study by the present inventors, it is generally found that the larger the diameter of the via hole 110 is, the larger the size of the color change portion 140 is, and thus the larger the size of the gap portion 160 is. There is. Therefore, the degree of suppression of the haloing phenomenon can be evaluated by the ratio of the size of the gap 160 to the diameter of the via hole 110. For example, it can be evaluated by the haloing ratio Hb with respect to the bottom radius Lb / 2 of the via hole 110. Here, the bottom radius Lb / 2 of the via hole 110 means the radius of the via bottom 120 of the via hole 110, and usually represents half the bottom diameter Lb of the via hole 110. The bottom diameter Lb of the via hole 110 means the diameter of the via bottom 120 of the via hole 110. Further, the haloing ratio Hb with respect to the bottom radius Lb / 2 of the via hole 110 is a ratio obtained by dividing the haloing distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120 by the bottom radius Lb / 2 of the via hole 110. The smaller the haloing ratio Hb with respect to the bottom radius Lb / 2 of the via hole 110, the more effectively the haloing phenomenon can be suppressed.

一実施形態において、樹脂組成物を130℃で30分間加熱し、次いで170℃で30分間加熱して硬化させて得た厚み10μmの絶縁層100に、マスク径1mm、パルス幅16μs、エネルギー0.2mJ/ショット、ショット数2、バーストモード(10kHz)の条件でCOレーザー光を照射して、トップ径Ltが30μm±2μmのビアホール110を形成する。その後、膨潤液に60℃で10分間浸漬し、次いで、粗化液に80℃で20分間浸漬し、次いで、中和液に40℃で5分間浸漬した後、80℃で30分間乾燥する。上述した樹脂組成物を用いれば、このようにして得られた絶縁層100のビアホール110のボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbを、好ましくは50%以下、より好ましくは40%以下、更に好ましくは30%以下、特に好ましくは20%以下にできる。 In one embodiment, the resin composition is heated at 130 ° C. for 30 minutes, and then heated at 170 ° C. for 30 minutes to be cured, and then the insulating layer 100 having a thickness of 10 μm is applied to a mask diameter of 1 mm, a pulse width of 16 μs, and an energy of 0. A via hole 110 having a top diameter Lt of 30 μm ± 2 μm is formed by irradiating CO 2 laser light under the conditions of 2 mJ / shot, the number of shots 2 and the burst mode (10 kHz). Then, it is immersed in the swelling solution at 60 ° C. for 10 minutes, then in the roughening solution at 80 ° C. for 20 minutes, then in the neutralizing solution at 40 ° C. for 5 minutes, and then dried at 80 ° C. for 30 minutes. When the resin composition described above is used, the haloing ratio Hb of the insulating layer 100 thus obtained to the bottom radius Lb / 2 of the via hole 110 is preferably 50% or less, more preferably 40% or less, and further preferably Can be 30% or less, particularly preferably 20% or less.

ビアホール110のボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbは、ビアホール110のボトム径Lb、及び、ビアホール110のビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbから計算できる。   The haloing ratio Hb with respect to the bottom radius Lb / 2 of the via hole 110 can be calculated from the bottom diameter Lb of the via hole 110 and the haloing distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120 of the via hole 110.

前記のように優れた効果が得られる仕組みを、本発明者らは、下記のように推察する。ただし、本発明の技術的範囲は、下記に説明する仕組みによって制限されない。   The present inventors presume the mechanism by which the excellent effects are obtained as described above as follows. However, the technical scope of the present invention is not limited by the mechanism described below.

まず、絶縁性について説明する。無機充填材を含む樹脂組成物及び絶縁層においては、一般に、無機充填材と樹脂成分との界面に応力が集中しやすい。また、プリント配線板の製造方法において、樹脂組成物を硬化させる工程、絶縁層にビアホールを形成する工程、及び、絶縁層上に導体層を形成する工程では、樹脂組成物及び絶縁層に応力が生じ易い。また、プリント配線板の製造後に、プリント配線板が高温度又は高湿度の環境に置かれると、これによっても絶縁層に応力が生じることがある。よって、従来は、無機充填材と樹脂成分との界面に応力が集中して、前記界面で剥離が生じ、無機充填材が脱離することがありえた。仮に無機充填材が脱離すると、絶縁層に脱離跡としての孔が形成されうる。この孔が絶縁層を貫通していると、この孔を通じた導通が可能となり、絶縁層の絶縁性を低下させることが考えられる。   First, the insulating property will be described. In the resin composition and the insulating layer containing the inorganic filler, generally, stress is likely to be concentrated on the interface between the inorganic filler and the resin component. In the method for manufacturing a printed wiring board, in the step of curing the resin composition, the step of forming a via hole in the insulating layer, and the step of forming a conductor layer on the insulating layer, stress is applied to the resin composition and the insulating layer. It is easy to occur. Further, if the printed wiring board is placed in an environment of high temperature or high humidity after the production of the printed wiring board, this may cause stress in the insulating layer. Therefore, conventionally, stress could be concentrated on the interface between the inorganic filler and the resin component, causing peeling at the interface, and the inorganic filler could be detached. If the inorganic filler is detached, holes may be formed in the insulating layer as traces of detachment. When this hole penetrates the insulating layer, it is considered that conduction through the hole is possible and the insulating property of the insulating layer is deteriorated.

これに対し、上述した樹脂組成物は、(D)成分と(E)ホスファゼン化合物とを含む。(D)成分の一部又は全部は、(C)無機充填材の表面にあることができるので、(C)無機充填材と樹脂成分との界面に存在できる。また、(D)成分は、式(1)のRで表されるように、2価の脂肪族炭化水素基を有する。この脂肪族炭化水素基は、炭素原子数が大きいことから分かるように、自由に動ける範囲が大きく、柔軟である。よって、(D)成分は、(C)無機充填材と樹脂成分との界面において応力を吸収できる。 On the other hand, the above-mentioned resin composition contains the component (D) and the phosphazene compound (E). Since part or all of the component (D) can be present on the surface of the inorganic filler (C), it can be present at the interface between the inorganic filler (C) and the resin component. Further, the component (D) has a divalent aliphatic hydrocarbon group as represented by R a in the formula (1). As can be seen from the large number of carbon atoms, this aliphatic hydrocarbon group has a large range of free movement and is flexible. Therefore, the component (D) can absorb stress at the interface between the inorganic filler (C) and the resin component.

さらに、(E)ホスファゼン化合物の一部又は全部は、(A)エポキシ樹脂と(B)硬化剤との結合によって形成される架橋構造から自由でありうる。よって、(E)ホスファゼン化合物は応力を緩和するように樹脂成分中の位置を変化させられるので、(E)ホスファゼン化合物によっても応力を吸収できる。   Furthermore, a part or all of the (E) phosphazene compound may be free from the crosslinked structure formed by the bond between the (A) epoxy resin and the (B) curing agent. Therefore, since the position of the (E) phosphazene compound can be changed in the resin component so as to relieve the stress, the stress can also be absorbed by the (E) phosphazene compound.

そうすると、(D)成分及び(E)ホスファゼン化合物の組み合わせによって応力を効果的に吸収できるから、応力による(C)無機充填材の脱離を抑制できる。さらに、比表面積が大きい(C)無機充填材は、一般に粒子径が小さい。よって、仮に(C)無機充填材の脱離が生じても、絶縁層を貫通する大きい孔は形成され難い。したがって、上述した樹脂組成物を用いることにより、優れた絶縁性を有する絶縁層を実現できる。   Then, since the stress can be effectively absorbed by the combination of the component (D) and the phosphazene compound (E), the desorption of the inorganic filler (C) due to the stress can be suppressed. Further, the inorganic filler (C) having a large specific surface area generally has a small particle size. Therefore, even if the inorganic filler (C) is detached, it is difficult to form a large hole penetrating the insulating layer. Therefore, by using the resin composition described above, an insulating layer having excellent insulating properties can be realized.

次に、ハローイング現象の抑制について説明する。通常、ビアホールを形成する際には、絶縁層のビアホールを形成しようとする部分に熱、光等のエネルギーが与えられる。この際に与えられたエネルギーの一部は、ビアホールを形成しようとする部分の周囲に伝わり、応力を発生させることがありえる。仮にこのような応力によって無機充填材と樹脂成分との界面が剥離して間隙が形成されると、この間隙に膨潤液及び粗化液等の液体が容易に進入し、絶縁層の浸食が促進されうる。そして、絶縁層の浸食が進むと、その浸食された部分でハローイング現象が生じて、導体層からの絶縁層が剥離しうる。   Next, suppression of the haloing phenomenon will be described. Normally, when forming a via hole, energy such as heat and light is applied to the portion of the insulating layer where the via hole is to be formed. A part of the energy applied at this time is transmitted to the periphery of the portion where the via hole is to be formed, and stress may be generated. If such an stress causes the interface between the inorganic filler and the resin component to separate and form a gap, liquids such as a swelling liquid and a roughening liquid easily enter the gap and promote erosion of the insulating layer. Can be done. Then, as the erosion of the insulating layer progresses, a haloing phenomenon occurs at the eroded portion, and the insulating layer may be separated from the conductor layer.

これに対し、上述した樹脂組成物は、前記のように、(D)成分及び(E)ホスファゼン化合物の組み合わせによって応力を効果的に吸収できる。よって、(C)無機充填材と樹脂成分との界面の剥離を抑制できるので、絶縁層の浸食を抑制できる。特に、(C)無機充填材が大きな比表面積を有するので、(C)無機充填材と樹脂成分との界面の剥離を抑制できる前記の作用は、絶縁層の浸食の抑制に効果的である。よって、上述した樹脂組成物を用いることにより、ハローイング現象を抑制することができる。   On the other hand, the resin composition described above can effectively absorb stress by the combination of the component (D) and the phosphazene compound (E) as described above. Therefore, (C) the separation of the interface between the inorganic filler and the resin component can be suppressed, so that the erosion of the insulating layer can be suppressed. In particular, since the inorganic filler (C) has a large specific surface area, the above-mentioned action capable of suppressing the peeling of the interface between the inorganic filler (C) and the resin component is effective in suppressing the erosion of the insulating layer. Therefore, the haloing phenomenon can be suppressed by using the resin composition described above.

特に、本発明者らの検討によれば、(C)無機充填材と樹脂成分との界面の剥離を抑制できる前記の作用は、(D)成分及び(E)ホスファゼン化合物をそれぞれ別々に用いるよりも、(D)成分及び(E)ホスファゼン化合物を組み合わせて用いる方が、顕著であることが判明している。   In particular, according to the study by the present inventors, the above-mentioned action capable of suppressing the peeling of the interface between the inorganic filler and the resin component (C) is more effective than using the component (D) and the phosphazene compound (E) separately. Also, it has been found that the combined use of the component (D) and the phosphazene compound (E) is more remarkable.

図4に示すように、上述した樹脂組成物を用いた場合、通常は、ビアホール110の形状を容易に制御することが可能である。よって、ビアホール110の形状を良好にできる。ここで、ビアホール110の形状が良好であるとは、ビアホール110のボトム径Lbをトップ径Ltで割って得られるテーパー率Lb/Lt(%)が100%に近いことをいう。ビアホール110のトップ径Ltとは、ビアホール110のビアトップ130の径をいう。ビアボトム120及びビアトップ130の平面形状が楕円形状である場合、そのボトム径Lb及びトップ径Ltは、それぞれ、前記の楕円形状の長径を表す。   As shown in FIG. 4, when the above-mentioned resin composition is used, it is usually possible to easily control the shape of the via hole 110. Therefore, the shape of the via hole 110 can be improved. The good shape of the via hole 110 means that the taper rate Lb / Lt (%) obtained by dividing the bottom diameter Lb of the via hole 110 by the top diameter Lt is close to 100%. The top diameter Lt of the via hole 110 means the diameter of the via top 130 of the via hole 110. When the planar shapes of the via bottom 120 and the via top 130 are elliptical, the bottom diameter Lb and the top diameter Lt of the via bottom 120 and the via top 130 respectively represent the major axis of the elliptical shape.

一実施形態において、樹脂組成物を130℃で30分間加熱し、次いで170℃で30分間加熱して硬化させて得た厚み10μmの絶縁層100に、マスク径1mm、パルス幅16μs、エネルギー0.2mJ/ショット、ショット数2、バーストモード(10kHz)の条件でCOレーザー光を照射して、トップ径Ltが30μm±2μmのビアホール110を形成する。その後、膨潤液に60℃で10分間浸漬し、次いで、粗化液に80℃で20分間浸漬し、次いで、中和液に40℃で5分間浸漬した後、80℃で30分間乾燥する。上述した樹脂組成物を用いれば、このようにして得られた絶縁層100のビアホール110のテーパー率Lb/Ltを、好ましくは60%〜100%、より好ましくは70%〜100%、特に好ましくは80%〜100%にできる。 In one embodiment, the resin composition is heated at 130 ° C. for 30 minutes, and then heated at 170 ° C. for 30 minutes to be cured, and then the insulating layer 100 having a thickness of 10 μm is applied to a mask diameter of 1 mm, a pulse width of 16 μs, and an energy of 0. A via hole 110 having a top diameter Lt of 30 μm ± 2 μm is formed by irradiating CO 2 laser light under the conditions of 2 mJ / shot, the number of shots 2 and the burst mode (10 kHz). Then, it is immersed in the swelling solution at 60 ° C. for 10 minutes, then in the roughening solution at 80 ° C. for 20 minutes, then in the neutralizing solution at 40 ° C. for 5 minutes, and then dried at 80 ° C. for 30 minutes. When the resin composition described above is used, the taper rate Lb / Lt of the via hole 110 of the insulating layer 100 thus obtained is preferably 60% to 100%, more preferably 70% to 100%, and particularly preferably. It can be 80% to 100%.

ビアホール110のテーパー率Lb/Ltは、ビアホール110のボトム径Lb及びトップ径Ltから計算できる。また、ビアホール110のボトム径Lb及びトップ径Ltは、FIB(集束イオンビーム)を用いて、絶縁層100を、当該絶縁層100の厚み方向に平行で且つビアボトム120の中心120Cを通る断面が現れるように削り出した後、その断面を電子顕微鏡で観察することにより、測定できる。   The taper ratio Lb / Lt of the via hole 110 can be calculated from the bottom diameter Lb and the top diameter Lt of the via hole 110. Further, regarding the bottom diameter Lb and the top diameter Lt of the via hole 110, a cross section that is parallel to the thickness direction of the insulating layer 100 and that passes through the center 120C of the via bottom 120 appears using FIB (focused ion beam). After shaving, the cross section can be measured by observing it with an electron microscope.

上述した樹脂組成物を用いることにより、通常は、ビアホール110の形成時の変色部140の形成を抑制できる。そのため、図3に示すように、変色部140のサイズを小さくでき、理想的には変色部140を無くすことができる。変色部140のサイズは、ビアホール110のビアトップ130のエッジ180からのハローイング距離Wtによって評価できる。   By using the resin composition described above, it is possible to usually suppress the formation of the discolored portion 140 when the via hole 110 is formed. Therefore, as shown in FIG. 3, the size of the color changing portion 140 can be reduced, and ideally the color changing portion 140 can be eliminated. The size of the discolored portion 140 can be evaluated by the halo distance Wt from the edge 180 of the via top 130 of the via hole 110.

ビアトップ130のエッジ180は、変色部140の内周側の縁部に相当する。ビアトップ130のエッジ180からのハローイング距離Wtとは、ビアトップ130のエッジ180から、変色部140の外周側の縁部190までの距離を表す。ビアトップ130のエッジ180からのハローイング距離Wtが小さいほど、変色部140の形成を効果的に抑制できたと評価できる。   The edge 180 of the via top 130 corresponds to the inner peripheral edge of the discolored portion 140. The halo distance Wt from the edge 180 of the via top 130 represents the distance from the edge 180 of the via top 130 to the edge portion 190 on the outer peripheral side of the discolored portion 140. It can be evaluated that the smaller the haloing distance Wt from the edge 180 of the via top 130 is, the more effectively the formation of the discolored portion 140 can be suppressed.

プリント配線板の製造過程において、ビアホール110は、通常、導体層210とは反対側の絶縁層100の面100Uに別の導体層(図示せず)が設けられていない状態で、形成される。そのため、プリント配線板の製造過程が分かれば、導体層210側にビアボトム120があり、導体層210とは反対側にビアトップ130が開口している構造が、明確に認識できる。しかし、完成したプリント配線板では、絶縁層100の両側に導体層が設けられている場合がありうる。この場合、導体層との位置関係によってビアボトム120とビアトップ130とを区別することが難しいことがありえる。しかし、通常、ビアトップ130のトップ径Ltは、ビアボトム120のボトム径Lb以上の大きさである。したがって、前記の場合、径が大きさによって、ビアボトム120とビアトップ130とを区別することが可能である。   In the process of manufacturing a printed wiring board, the via hole 110 is usually formed in a state where another conductor layer (not shown) is not provided on the surface 100U of the insulating layer 100 opposite to the conductor layer 210. Therefore, if the manufacturing process of the printed wiring board is known, the structure in which the via bottom 120 is on the conductor layer 210 side and the via top 130 is open on the side opposite to the conductor layer 210 can be clearly recognized. However, in the completed printed wiring board, the conductor layers may be provided on both sides of the insulating layer 100. In this case, it may be difficult to distinguish the via bottom 120 and the via top 130 depending on the positional relationship with the conductor layer. However, the top diameter Lt of the via top 130 is usually larger than the bottom diameter Lb of the via bottom 120. Therefore, in the above case, the via bottom 120 and the via top 130 can be distinguished by the diameter.

上述した樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層には、メッキ導体層を形成できる。この場合、通常は、絶縁層とメッキ導体層とのピール強度を高くできる。一実施形態において、樹脂組成物を130℃で30分間加熱し、次いで170℃で30分間加熱して硬化させる。その後、膨潤液に60℃で10分間浸漬し、次いで、粗化液に80℃で20分間浸漬し、次いで、中和液に40℃で5分間浸漬した後、80℃で30分間乾燥する。上述した樹脂組成物を用いれば、このようにして得られた絶縁層の表面に形成されたメッキ導体層との間のピール強度を高くできる。具体的なピール強度は、例えば、好ましくは0.30kgf/cm以上、より好ましくは0.40kgf/cm以上、さらに好ましくは0.45kgf/cm以上でありうる。ピール強度の上限値は特に限定されないが、5kgf/cm以下等とし得る。前記のピール強度の評価は、後述する実施例([メッキ導体層の引き剥がし強さ(ピール強度)の測定]を参照。)に記載の方法に従って測定できる。   A plated conductor layer can be formed on the insulating layer formed of the cured product of the resin composition described above. In this case, usually, the peel strength between the insulating layer and the plated conductor layer can be increased. In one embodiment, the resin composition is heated at 130 ° C. for 30 minutes and then at 170 ° C. for 30 minutes to cure. Then, it is immersed in the swelling solution at 60 ° C. for 10 minutes, then in the roughening solution at 80 ° C. for 20 minutes, then in the neutralizing solution at 40 ° C. for 5 minutes, and then dried at 80 ° C. for 30 minutes. By using the resin composition described above, the peel strength between the insulating layer thus obtained and the plated conductor layer formed on the surface can be increased. The specific peel strength can be, for example, preferably 0.30 kgf / cm or more, more preferably 0.40 kgf / cm or more, and still more preferably 0.45 kgf / cm or more. The upper limit of the peel strength is not particularly limited, but may be 5 kgf / cm or less. The evaluation of the peel strength can be performed according to the method described in Examples (see [Measurement of peeling strength (peel strength) of plated conductor layer]) described later.

[12.樹脂組成物の用途]
上述した樹脂組成物は、プリント配線板の絶縁層を形成するための樹脂組成物(プリント配線板の絶縁層形成用の樹脂組成物)として好適に使用することができる。中でも、上述した樹脂組成物は、プリント配線板の層間絶縁層を形成するための樹脂組成物(プリント配線板の層間絶縁層形成用の樹脂組成物)としてより好適に使用することができる。また、上述した樹脂組成物は、絶縁層上に導体層(再配線層を含む。)を形成するための当該絶縁層を形成するための樹脂組成物(導体層を形成するための絶縁層の形成用の樹脂組成物)として用いてもよい。
[12. Applications of resin composition]
The resin composition described above can be suitably used as a resin composition for forming an insulating layer of a printed wiring board (a resin composition for forming an insulating layer of a printed wiring board). Above all, the resin composition described above can be more preferably used as a resin composition for forming an interlayer insulating layer of a printed wiring board (a resin composition for forming an interlayer insulating layer of a printed wiring board). Further, the resin composition described above is a resin composition for forming a conductor layer (including a rewiring layer) on the insulating layer (a resin composition for forming the conductor layer). It may be used as a resin composition for forming).

特に、ハローイング現象を抑制できるという利点を有効に活用する観点から、上述した樹脂組成物は、ビアホールを有する絶縁層を形成するための樹脂組成物(ビアホールを有する絶縁層形成用の樹脂組成物)として好適であり、中でも、トップ径35μm以下のビアホールを有する絶縁層形成用の樹脂組成物として特に好適である。   In particular, from the viewpoint of effectively utilizing the advantage that the haloing phenomenon can be suppressed, the above-mentioned resin composition is a resin composition for forming an insulating layer having a via hole (a resin composition for forming an insulating layer having a via hole). In particular, it is particularly preferable as a resin composition for forming an insulating layer having a via hole having a top diameter of 35 μm or less.

さらに、薄い絶縁層であっても絶縁性の改善及びハローイング現象の抑制が可能であるとの利点を有効に活用する観点から、上述した樹脂組成物は、薄い絶縁層を形成するための樹脂組成物として用いることが好ましく、例えば厚み15μm以下の絶縁層を形成するための樹脂組成物層として好適である。   Furthermore, from the viewpoint of effectively utilizing the advantage that the insulating property can be improved and the haloing phenomenon can be suppressed even with a thin insulating layer, the resin composition described above is a resin for forming a thin insulating layer. It is preferably used as a composition, for example, suitable as a resin composition layer for forming an insulating layer having a thickness of 15 μm or less.

[13.樹脂シート]
本発明の一実施形態に係る樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた、上述した樹脂組成物を含む樹脂組成物層とを含む。
[13. Resin sheet]
A resin sheet according to one embodiment of the present invention includes a support and a resin composition layer provided on the support and containing the resin composition described above.

樹脂組成物層の厚さは、プリント配線板の薄型化の観点、並びに、薄くても絶縁性及びハローイング現象の抑制に優れた絶縁層を提供できるという観点から、好ましくは15μm以下、より好ましくは14μm以下、さらに好ましくは12μm以下、特に好ましくは10μm以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、任意であり、例えば1μm以上、3μm以上などでありうる。   The thickness of the resin composition layer is preferably 15 μm or less, more preferably 15 μm or less, from the viewpoint of making the printed wiring board thinner, and from the viewpoint of being able to provide an insulating layer excellent in insulation and suppressing haloing even if it is thin. Is 14 μm or less, more preferably 12 μm or less, and particularly preferably 10 μm or less. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is arbitrary, and can be, for example, 1 μm or more and 3 μm or more.

支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。   Examples of the support include a film made of a plastic material, a metal foil and a release paper, and a film made of a plastic material and a metal foil are preferable.

支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(以下「PET」と略称することがある。)、ポリエチレンナフタレート(以下「PEN」と略称することがある。)等のポリエステル、ポリカーボネート(以下「PC」と略称することがある。)、ポリメチルメタクリレート(以下「PMMA」と略称することがある。)等のアクリルポリマー、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース(以下「TAC」と略称することがある。)、ポリエーテルサルファイド(以下「PES」と略称することがある。)、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。   When a film made of a plastic material is used as the support, the plastic material may be, for example, polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PET”) or polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes referred to as “PEN”). .) Etc., polyesters, polycarbonates (hereinafter sometimes abbreviated as “PC”), polymethyl methacrylates (hereinafter sometimes referred to as “PMMA”) acrylic polymers, cyclic polyolefins, triacetyl cellulose (hereinafter abbreviated as “PMMA”). "TAC" may be abbreviated), polyether sulfide (hereinafter abbreviated as "PES"), polyetherketone, polyimide and the like. Among them, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.

支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属(例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等)との合金からなる箔を用いてもよい。   When a metal foil is used as the support, examples of the metal foil include copper foil and aluminum foil, and copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, and a foil made of an alloy of copper and another metal (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium) is used. You may use.

支持体は、樹脂組成物層と接合する面に、マット処理、コロナ処理、帯電防止処理等の処理が施されていてもよい。   The support may be subjected to a matting treatment, a corona treatment, an antistatic treatment or the like on its surface to be joined to the resin composition layer.

また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される1種類以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するPETフィルムである、リンテック社製の「SK−1」、「AL−5」、「AL−7」;東レ社製の「ルミラーT60」;帝人社製の「ピューレックス」;ユニチカ社製の「ユニピール」;等が挙げられる。   Further, as the support, a support with a release layer having a release layer on the surface to be joined with the resin composition layer may be used. Examples of the release agent used in the release layer of the support with release layer include one or more release agents selected from the group consisting of alkyd resin, polyolefin resin, urethane resin, and silicone resin. .. As the support with a release layer, a commercially available product may be used, for example, “SK-1” manufactured by Lintec Co., Ltd., which is a PET film having a release layer containing an alkyd resin-based release agent as a main component. "AL-5", "AL-7"; "Lumirror T60" manufactured by Toray Industries, Inc., "Purex" manufactured by Teijin Limited, "Unipeal" manufactured by Unitika Ltd., and the like.

支持体の厚みとしては、特に限定されないが、5μm〜75μmの範囲が好ましく、10μm〜60μmの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚みが上記範囲であることが好ましい。   The thickness of the support is not particularly limited, but is preferably in the range of 5 μm to 75 μm, more preferably in the range of 10 μm to 60 μm. When the support with release layer is used, the thickness of the support with release layer as a whole is preferably within the above range.

樹脂シートは、必要に応じて、支持体及び樹脂組成物層以外の任意の層を含んでいてもよい。斯かる任意の層としては、例えば、樹脂組成物層の支持体と接合していない面(即ち、支持体とは反対側の面)に設けられた、支持体に準じた保護フィルム等が挙げられる。保護フィルムの厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、1μm〜40μmである。保護フィルムにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを抑制することができる。   The resin sheet may include any layer other than the support and the resin composition layer, if necessary. Examples of such an optional layer include a protective film conforming to the support, which is provided on the surface of the resin composition layer that is not joined to the support (that is, the surface opposite to the support). Be done. The thickness of the protective film is not particularly limited, but is, for example, 1 μm to 40 μm. By the protective film, it is possible to suppress the adhesion of dust or the like to the surface of the resin composition layer and the scratches.

樹脂シートは、例えば、有機溶剤及び樹脂組成物を含む樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等の塗布装置を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより、製造することができる。   The resin sheet, for example, a resin varnish containing an organic solvent and a resin composition is prepared, the resin varnish is applied onto a support using a coating device such as a die coater, and further dried to form a resin composition layer. It can be manufactured by forming it.

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン及びシクロヘキサノン等のケトン溶剤;酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル溶剤;セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール溶剤;トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素溶剤;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド(DMAc)及びN−メチルピロリドン等のアミド系溶剤;等を挙げることができる。有機溶剤は、1種類単独で使用してもよく、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。   Examples of the organic solvent include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone; acetic acid ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate; carbitol such as cellosolve and butyl carbitol. Solvents; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone; and the like. The organic solvent may be used alone or in combination of two or more.

乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の方法により実施してよい。乾燥条件は、特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が、通常10質量%以下、好ましくは5質量%以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば30質量%〜60質量%の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、50℃〜150℃で3分間〜10分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。   Drying may be performed by a method such as heating or blowing hot air. The drying conditions are not particularly limited, but the resin composition layer is dried so that the content of the organic solvent is usually 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less. Although it varies depending on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, when using a resin varnish containing 30% by mass to 60% by mass of an organic solvent, the resin composition is dried at 50 ° C to 150 ° C for 3 minutes to 10 minutes. An object layer can be formed.

樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、通常は、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。   The resin sheet can be rolled up and stored. When the resin sheet has a protective film, it can usually be used by peeling off the protective film.

[14.プリント配線板]
本発明の一実施形態に係るプリント配線板は、上述した樹脂組成物の硬化物で形成された絶縁層を含む。この絶縁層は、薄くても、ハローイング現象を抑制でき、且つ、絶縁性が良好である。よって、このプリント配線板によれば、ハローイング現象又は絶縁不良による性能の低下を抑制しながら、プリント配線板の薄型化を達成することができる。
[14. Printed wiring board]
A printed wiring board according to an embodiment of the present invention includes an insulating layer formed of a cured product of the above resin composition. Even if this insulating layer is thin, it can suppress the halo phenomenon and has a good insulating property. Therefore, according to this printed wiring board, it is possible to reduce the thickness of the printed wiring board while suppressing the deterioration of the performance due to the haloing phenomenon or the insulation failure.

プリント配線板の絶縁層には、ビアホールが形成されていてもよい。ビアホールは、通常、当該ビアホールを有する絶縁層の両側に設けられた導体層を導通させるために設けられる。よって、プリント配線板は、第1の導体層、第2の導体層、及び、第1の導体層と第2の導体層との間に形成された絶縁層を含みうる。そして、絶縁層にビアホールが形成され、そのビアホールを通じて第1の導体層と第2の導体層とが導通しうる。   A via hole may be formed in the insulating layer of the printed wiring board. The via hole is usually provided for conducting the conductor layers provided on both sides of the insulating layer having the via hole. Therefore, the printed wiring board may include the first conductor layer, the second conductor layer, and the insulating layer formed between the first conductor layer and the second conductor layer. Then, a via hole is formed in the insulating layer, and the first conductor layer and the second conductor layer can be conducted through the via hole.

以下、図面を示して、好ましいプリント配線板の例について説明する。図5は、一例としてのプリント配線板300の模式的な断面図である。この図5においては、ビアホール110のビアボトム120の中心120Cを通り且つ絶縁層100の厚み方向に平行な平面で、プリント配線板300を切断した断面を示す。また、図5においては、図2〜図4に記載された要素に相当する部位は、図2〜図4で用いたのと同様の符号を付して示す。   Hereinafter, an example of a preferable printed wiring board will be described with reference to the drawings. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the printed wiring board 300 as an example. FIG. 5 shows a cross section of printed wiring board 300 cut along a plane that passes through center 120C of via bottom 120 of via hole 110 and is parallel to the thickness direction of insulating layer 100. In addition, in FIG. 5, parts corresponding to the elements described in FIGS. 2 to 4 are denoted by the same reference numerals as those used in FIGS. 2 to 4.

図5に示すように、本例に係るプリント配線板300は、第1の導体層210、第2の導体層220、及び、第1の導体層210と第2の導体層220との間に形成された絶縁層100を含む。絶縁層100には、ビアホール110が形成されている。また、通常、第2の導体層220は、ビアホール110が形成された後で設けられたものである。よって、第2の導体層220は、通常、絶縁層100の面100Uだけでなく、ビアホール110内にも形成され、このビアホール110を通して第1の導体層210と第2の導体層220とが導通している。   As shown in FIG. 5, the printed wiring board 300 according to the present example has a first conductor layer 210, a second conductor layer 220, and a space between the first conductor layer 210 and the second conductor layer 220. The formed insulating layer 100 is included. A via hole 110 is formed in the insulating layer 100. Further, the second conductor layer 220 is usually provided after the via hole 110 is formed. Therefore, the second conductor layer 220 is usually formed not only in the surface 100U of the insulating layer 100 but also in the via hole 110, and the first conductor layer 210 and the second conductor layer 220 are electrically connected through this via hole 110. is doing.

プリント配線板300が含む絶縁層100の導体層間の厚みTは、好ましくは15μm以下、より好ましくは12μm以下、更に好ましくは10μm以下である。厚みTは、特に好ましくは、6.0μm以下、5.5μm以下、5.0μm以下などでありうる。プリント配線板300がこのように薄い絶縁層100を有する場合、プリント配線板300自体の薄型化を達成できる。厚みTの下限は、絶縁層100の絶縁性能を高くする観点から、好ましくは1μm以上、より好ましくは2μm以上、特に好ましくは3μm以上である。ここで、絶縁層100の導体層間の厚みTとは、第1の導体層210と第2の導体層220との間の絶縁層100の寸法を表し、図1における厚みt1に相当する。この厚みTは、通常、ビアホール110の深さに一致する。   The thickness T between the conductor layers of the insulating layer 100 included in the printed wiring board 300 is preferably 15 μm or less, more preferably 12 μm or less, still more preferably 10 μm or less. The thickness T may be particularly preferably 6.0 μm or less, 5.5 μm or less, 5.0 μm or less. When the printed wiring board 300 has such a thin insulating layer 100, the printed wiring board 300 itself can be made thin. The lower limit of the thickness T is preferably 1 μm or more, more preferably 2 μm or more, and particularly preferably 3 μm or more, from the viewpoint of enhancing the insulating performance of the insulating layer 100. Here, the thickness T between the conductor layers of the insulating layer 100 represents the dimension of the insulating layer 100 between the first conductor layer 210 and the second conductor layer 220, and corresponds to the thickness t1 in FIG. This thickness T usually corresponds to the depth of the via hole 110.

なお、第1の導体層210及び第2の導体層220の間以外の部分における絶縁層100の厚み(図1の厚みt2に相当。)は、任意である。この厚みは、好ましくは15μm以下、より好ましくは13μm以下、さらに好ましくは10μm以下であり、また、好ましくは1μm以上、より好ましくは1.5μm以上、更に好ましくは2μm以上でありうる。   In addition, the thickness of the insulating layer 100 (corresponding to the thickness t2 in FIG. 1) in a portion other than between the first conductor layer 210 and the second conductor layer 220 is arbitrary. This thickness can be preferably 15 μm or less, more preferably 13 μm or less, still more preferably 10 μm or less, and preferably 1 μm or more, more preferably 1.5 μm or more, still more preferably 2 μm or more.

プリント配線板300が含む絶縁層100に形成されたビアホール110のトップ径Ltは、好ましくは35μm以下、より好ましくは33μm以下、更に好ましくは32μm以下である。プリント配線板300が、このようにトップ径Ltが小さいビアホール110を有する絶縁層100を含む場合、第1の導体層210及び第2の導体層220を含む配線の微細化を促進できる。ビアホール110のトップ径Ltの下限は、ビアホール110の形成を容易に行う観点から、好ましくは3μm以上、より好ましくは10μm以上、特に好ましくは15μm以上である。   The top diameter Lt of the via hole 110 formed in the insulating layer 100 included in the printed wiring board 300 is preferably 35 μm or less, more preferably 33 μm or less, and further preferably 32 μm or less. When the printed wiring board 300 includes the insulating layer 100 having the via hole 110 having the small top diameter Lt as described above, miniaturization of the wiring including the first conductor layer 210 and the second conductor layer 220 can be promoted. The lower limit of the top diameter Lt of the via hole 110 is preferably 3 μm or more, more preferably 10 μm or more, and particularly preferably 15 μm or more from the viewpoint of easily forming the via hole 110.

プリント配線板300が含む絶縁層100に形成されたビアホール110のテーパー率Lb/Lt(%)は、好ましくは60%〜100%、より好ましくは70%〜100%、特に好ましくは80%〜100%にできる。プリント配線板300が、このようにテーパー率Lb/Ltが高い良好な形状のビアホール110を有する絶縁層100を備える場合、第1の導体層210と第2の導体層220との間の導通の信頼性を効果的に高めることができる。   The taper rate Lb / Lt (%) of the via hole 110 formed in the insulating layer 100 included in the printed wiring board 300 is preferably 60% to 100%, more preferably 70% to 100%, and particularly preferably 80% to 100%. Can be%. When the printed wiring board 300 is provided with the insulating layer 100 having the good shape via hole 110 having the high taper rate Lb / Lt as described above, conduction between the first conductor layer 210 and the second conductor layer 220 is achieved. The reliability can be effectively increased.

プリント配線板300が含む絶縁層100に形成されたビアホール110のビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbは、好ましくは5μm以下、より好ましくは4μm以下、更に好ましくは3μm以下、特に好ましくは2μm以下である。プリント配線板300が、このハローイング距離Wbで表されるように、第1の導体層210からの絶縁層100の剥離が小さい場合、第1の導体層210と第2の導体層220との間の導通の信頼性を効果的に高めることができる。   The haloing distance Wb of the via hole 110 formed in the insulating layer 100 included in the printed wiring board 300 from the edge 150 of the via bottom 120 is preferably 5 μm or less, more preferably 4 μm or less, still more preferably 3 μm or less, and particularly preferably 2 μm. It is below. In the printed wiring board 300, when the separation of the insulating layer 100 from the first conductor layer 210 is small as represented by the halo distance Wb, the first conductor layer 210 and the second conductor layer 220 are separated from each other. The reliability of conduction between the two can be effectively increased.

プリント配線板300が含む絶縁層100に形成されたビアホール110のボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbは、好ましくは50%以下、より好ましくは40%以下、更に好ましくは30%以下、特に好ましくは20%以下である。プリント配線板300が、このハローイング比Hbで表されるように、第1の導体層210からの絶縁層100の剥離が小さい場合、第1の導体層210と第2の導体層220との間の導通の信頼性を効果的に高めることができる。ボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbの下限は、理想的にはゼロであるが、通常は5%以上である。   The haloing ratio Hb of the via hole 110 formed in the insulating layer 100 included in the printed wiring board 300 to the bottom radius Lb / 2 is preferably 50% or less, more preferably 40% or less, further preferably 30% or less, and particularly preferably. Is 20% or less. In the printed wiring board 300, when the separation of the insulating layer 100 from the first conductor layer 210 is small as indicated by the haloing ratio Hb, the first conductor layer 210 and the second conductor layer 220 are separated from each other. The reliability of conduction between the two can be effectively increased. The lower limit of the haloing ratio Hb with respect to the bottom radius Lb / 2 is ideally zero, but is usually 5% or more.

プリント配線板300が含む絶縁層100に形成されたビアホール110の数は、1個でもよく、2個以上でもよい。   The number of via holes 110 formed in the insulating layer 100 included in the printed wiring board 300 may be one or two or more.

前記の例に係るプリント配線板300は、上述した樹脂組成物の硬化物によって絶縁層100を形成することにより、実現できる。この際、絶縁層100に形成されるビアホール110のビアボトム120及びビアトップ130の平面形状は任意であるが、通常は円形状又は楕円形状であり、好ましくは円形状である。   The printed wiring board 300 according to the above example can be realized by forming the insulating layer 100 from a cured product of the resin composition described above. At this time, the planar shapes of the via bottom 120 and the via top 130 of the via hole 110 formed in the insulating layer 100 are arbitrary, but are usually circular or elliptical, and preferably circular.

プリント配線板の製造方法に制限は無い。プリント配線板は、例えば、樹脂シートを用いて、下記の工程(I)及び工程(II)を含む製造方法を行うことにより、製造できる。
(I)内層基板上に、樹脂組成物層が内層基板と接合するように、樹脂シートを積層する工程。
(II)樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する工程。
There is no limitation on the manufacturing method of the printed wiring board. The printed wiring board can be manufactured, for example, by using a resin sheet and performing a manufacturing method including the following steps (I) and (II).
(I) A step of laminating a resin sheet on the inner layer substrate so that the resin composition layer is bonded to the inner layer substrate.
(II) A step of thermosetting the resin composition layer to form an insulating layer.

工程(I)で用いる「内層基板」とは、プリント配線板の基板となる部材である。内層基板としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、BTレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等が挙げられる。通常、内層基板としては、その片面又は両面に、導体層を有しているものを用いる。そして、この導体層上に、絶縁層を形成する。この導体層は、例えば回路として機能させるために、パターン加工されていてもよい。基板の片面または両面に回路として導体層が形成された内層基板は、「内層回路基板」ということがある。また、プリント配線板を製造する際に更に絶縁層及び/又は導体層が形成されるべき中間製造物も、「内層基板」に含まれる。プリント配線板が部品内蔵回路板である場合、部品を内蔵した内層基板を使用してもよい。   The “inner layer substrate” used in the step (I) is a member that becomes a substrate of a printed wiring board. Examples of the inner layer substrate include a glass epoxy substrate, a metal substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, and a thermosetting polyphenylene ether substrate. Usually, as the inner layer substrate, one having a conductor layer on one side or both sides is used. Then, an insulating layer is formed on this conductor layer. This conductor layer may be patterned in order to function as a circuit, for example. The inner layer substrate in which a conductor layer is formed as a circuit on one side or both sides of the substrate may be referred to as "inner layer circuit board". In addition, an intermediate product in which an insulating layer and / or a conductor layer is to be formed when manufacturing a printed wiring board is also included in the “inner layer substrate”. When the printed wiring board is a circuit board with built-in components, an inner layer board with built-in components may be used.

内層基板と樹脂シートとの積層は、例えば、支持体側から樹脂シートを内層基板に加熱圧着することにより、内層基板に樹脂組成物層を貼り合わせることで、行うことができる。樹脂シートを内層基板に加熱圧着する部材(以下、「加熱圧着部材」ということがある。)としては、例えば、加熱された金属板(SUS鏡板等)又は金属ロール(SUSロール)等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、内層基板の表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。   The inner layer substrate and the resin sheet can be laminated by, for example, heating and pressure bonding the resin sheet to the inner layer substrate from the support side to bond the resin composition layer to the inner layer substrate. Examples of the member for thermocompression-bonding the resin sheet to the inner layer substrate (hereinafter, may be referred to as “thermocompression-bonding member”) include a heated metal plate (SUS end plate or the like), metal roll (SUS roll), or the like. .. It is preferable that the thermocompression-bonding member is not directly pressed onto the resin sheet, but is pressed via an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet sufficiently follows the surface irregularities of the inner layer substrate.

内層基板と樹脂シートとの積層は、例えば、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは60℃〜160℃、より好ましくは80℃〜140℃の範囲であり、加熱圧着圧力は、好ましくは0.098MPa〜1.77MPa、より好ましくは0.29MPa〜1.47MPaの範囲であり、加熱圧着時間は、好ましくは20秒間〜400秒間、より好ましくは30秒間〜300秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力26.7hPa以下の減圧条件下で実施する。   The inner layer substrate and the resin sheet may be laminated by, for example, a vacuum laminating method. In the vacuum laminating method, the thermocompression bonding temperature is preferably in the range of 60 ° C. to 160 ° C., more preferably 80 ° C. to 140 ° C., and the thermocompression bonding pressure is preferably 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably 0. It is in the range of 0.29 MPa to 1.47 MPa, and the thermocompression bonding time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably 30 seconds to 300 seconds. Lamination is preferably performed under reduced pressure conditions with a pressure of 26.7 hPa or less.

積層の後に、常圧下(大気圧下)で、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された樹脂シートの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。平滑化処理は、市販のラミネーターによって行うことができる。なお、積層と平滑化処理は、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。   After laminating, the laminated resin sheet may be subjected to a smoothing treatment under normal pressure (under atmospheric pressure), for example, by pressing a thermocompression-bonding member from the support side. The pressing conditions for the smoothing treatment can be the same as the above-mentioned thermocompression bonding conditions for the lamination. The smoothing treatment can be performed with a commercially available laminator. The lamination and smoothing treatment may be continuously performed using the above-mentioned commercially available vacuum laminator.

支持体は、工程(I)と工程(II)の間に除去してもよく、工程(II)の後に除去してもよい。   The support may be removed between step (I) and step (II), or may be removed after step (II).

工程(I)の後で、工程(II)を行う。工程(II)においては、樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する。樹脂組成物層の熱硬化条件は、特に限定されず、プリント配線板の絶縁層を形成するに際して採用される条件を任意に使用してよい。   After the step (I), the step (II) is performed. In the step (II), the resin composition layer is thermoset to form an insulating layer. The thermosetting conditions of the resin composition layer are not particularly limited, and the conditions adopted when forming the insulating layer of the printed wiring board may be arbitrarily used.

樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類等によっても異なりうる。硬化温度は、好ましくは120℃〜240℃、より好ましくは150℃〜220℃、さらに好ましくは170℃〜200℃でありうる。硬化時間は、好ましくは5分間〜120分間、より好ましくは10分間〜100分間、さらに好ましくは15分間〜90分間でありうる。   The thermosetting conditions for the resin composition layer may vary depending on the type of resin composition and the like. The curing temperature may be preferably 120 ° C to 240 ° C, more preferably 150 ° C to 220 ° C, and further preferably 170 ° C to 200 ° C. The curing time can be preferably 5 minutes to 120 minutes, more preferably 10 minutes to 100 minutes, still more preferably 15 minutes to 90 minutes.

樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層を、硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。例えば、樹脂組成物層を熱硬化させるのに先立ち、通常50℃以上150℃未満(好ましくは60℃以上140℃以下、より好ましくは70℃以上130℃以下)の温度にて、樹脂組成物層を、通常5分間以上(好ましくは5分間〜150分間、より好ましくは15分間〜120分間、さらに好ましくは15分間〜100分間)予備加熱してもよい。   Before thermosetting the resin composition layer, the resin composition layer may be preheated at a temperature lower than the curing temperature. For example, prior to thermosetting the resin composition layer, the resin composition layer is usually at a temperature of 50 ° C or higher and lower than 150 ° C (preferably 60 ° C or higher and 140 ° C or lower, more preferably 70 ° C or higher and 130 ° C or lower). May be preheated for usually 5 minutes or more (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes, further preferably 15 minutes to 100 minutes).

プリント配線板の製造方法は、更に、下記の工程(III)、工程(IV)及び工程(V)を含んでいてもよい。
(III)絶縁層にビアホールを形成する工程。
(IV)絶縁層に粗化処理を施す工程。
(V)導体層を形成する工程。
The method for manufacturing a printed wiring board may further include the following step (III), step (IV) and step (V).
(III) A step of forming a via hole in the insulating layer.
(IV) A step of subjecting the insulating layer to a roughening treatment.
(V) A step of forming a conductor layer.

なお、支持体を工程(II)の後に除去する場合、該支持体の除去は、工程(II)と工程(III)との間、工程(III)と工程(IV)の間、又は工程(IV)と工程(V)との間のいずれの時点で実施してよい。中でも、抉れ部の発生をより抑制する観点から、絶縁層にビアホールを形成する工程(III)の後に、支持体を除去することが好ましい。例えば、レーザー光の照射によって絶縁層にビアホールを形成した後に支持体を剥離すると、良好な形状のビアホールを形成し易い。   When the support is removed after the step (II), the support may be removed between the step (II) and the step (III), the step (III) and the step (IV), or the step (II). It may be carried out at any point between IV) and step (V). Above all, it is preferable to remove the support after the step (III) of forming the via hole in the insulating layer, from the viewpoint of further suppressing the generation of the gouged portion. For example, if the support is peeled off after forming a via hole in the insulating layer by irradiation with laser light, a via hole having a good shape can be easily formed.

工程(III)においては、絶縁層にビアホールを形成する。ビアホールの形成方法としては、レーザー光の照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられる。中でも、一般にハローイング現象が生じ易いので、ハローイング現象の抑制という効果を有効に活用する観点から、レーザー光の照射が好ましい。   In step (III), a via hole is formed in the insulating layer. Examples of the method for forming the via hole include laser light irradiation, etching, and mechanical drilling. Above all, irradiation of laser light is preferable from the viewpoint of effectively utilizing the effect of suppressing the haloing phenomenon, because the haloing phenomenon generally occurs easily.

このレーザー光の照射は、例えば、光源として、炭酸ガスレーザー、YAGレーザー、エキシマレーザー等のレーザー光源を有するレーザー加工機を用いて行うことができる。用いられ得るレーザー加工機としては、例えば、ビアメカニクス社製COレーザー加工機「LC−2k212/2C」、三菱電機社製の605GTWIII(−P)、松下溶接システム社製のレーザー加工機、などが挙げられる。 This laser light irradiation can be performed using, for example, a laser processing machine having a laser light source such as a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, or an excimer laser as a light source. Examples of the laser processing machine that can be used include CO 2 laser processing machine “LC-2k212 / 2C” manufactured by Via Mechanics, 605GTWIII (−P) manufactured by Mitsubishi Electric Corporation, laser processing machine manufactured by Matsushita Welding Systems, and the like. Is mentioned.

工程(IV)において、絶縁層に粗化処理を施す。工程(IV)では、例えば、膨潤液による膨潤処理、粗化液としての酸化剤による粗化処理、及び、中和液による中和処理をこの順に実施して、絶縁層を粗化処理することができる。   In step (IV), the insulating layer is roughened. In the step (IV), for example, swelling treatment with a swelling liquid, roughening treatment with an oxidizing agent as a roughening liquid, and neutralization treatment with a neutralizing liquid are performed in this order to roughen the insulating layer. You can

膨潤液としては、特に限定されないが、例えば、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液が挙げられる。該アルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液及び水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン社製の「スウェリング・ディップ・セキュリガンスP」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスSBU」等が挙げられる。また、膨潤液は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。膨潤液による膨潤処理は、特に限定されないが、例えば、30℃〜90℃の膨潤液に絶縁層を1分間〜20分間浸漬することにより行うことができる。絶縁層の樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、40℃〜80℃の膨潤液に絶縁層を5分間〜15分間浸漬させることが好ましい。   The swelling liquid is not particularly limited, but examples thereof include an alkaline solution and a surfactant solution, and an alkaline solution is preferable. As the alkaline solution, sodium hydroxide solution and potassium hydroxide solution are more preferable. Examples of commercially available swelling liquids include “Swelling Dip Securigans P” and “Swelling Dip Securigans SBU” manufactured by Atotech Japan. Further, the swelling liquid may be used alone or in combination of two or more kinds at an arbitrary ratio. The swelling treatment with the swelling liquid is not particularly limited, but can be performed, for example, by immersing the insulating layer in the swelling liquid at 30 ° C. to 90 ° C. for 1 minute to 20 minutes. From the viewpoint of suppressing the swelling of the resin of the insulating layer to an appropriate level, it is preferable to immerse the insulating layer in a swelling liquid at 40 ° C. to 80 ° C. for 5 minutes to 15 minutes.

酸化剤としては、特に限定されないが、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウム又は過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。また、酸化剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による粗化処理は、60℃〜80℃に加熱した酸化剤溶液に絶縁層を10分間〜30分間浸漬させて行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は、5質量%〜10質量%が好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン社製の「コンセントレート・コンパクトCP」、「コンセントレート・コンパクトP」、「ドージングソリューション・セキュリガンスP」等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。   The oxidizing agent is not particularly limited, and examples thereof include an alkaline permanganate solution obtained by dissolving potassium permanganate or sodium permanganate in an aqueous solution of sodium hydroxide. In addition, one kind of the oxidizing agent may be used alone, or two or more kinds thereof may be used in combination at an arbitrary ratio. The roughening treatment with an oxidizing agent such as an alkaline permanganate solution is preferably performed by immersing the insulating layer in the oxidizing agent solution heated to 60 ° C to 80 ° C for 10 minutes to 30 minutes. The concentration of permanganate in the alkaline permanganate solution is preferably 5% by mass to 10% by mass. Examples of commercially available oxidizers include alkaline permanganate solutions such as “Concentrate Compact CP”, “Concentrate Compact P”, and “Dosing Solution Securigans P” manufactured by Atotech Japan. ..

中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン社製の「リダクションソリューション・セキュリガントP」が挙げられる。また、中和液は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。中和液による処理は、酸化剤による粗化処理がなされた処理面を30℃〜80℃の中和液に5分間〜30分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤による粗化処理がなされた対象物を、40℃〜70℃の中和液に5分間〜20分間浸漬する方法が好ましい。   The neutralizing solution is preferably an acidic aqueous solution, and examples of commercially available products include "Reduction Solution Securigant P" manufactured by Atotech Japan. The neutralizing solution may be used alone or in combination of two or more kinds at an arbitrary ratio. The treatment with the neutralizing solution can be performed by immersing the treated surface, which has been roughened with an oxidizing agent, in the neutralizing solution at 30 ° C to 80 ° C for 5 minutes to 30 minutes. From the viewpoint of workability and the like, it is preferable to immerse the object roughened with the oxidizing agent in a neutralizing solution at 40 ° C to 70 ° C for 5 to 20 minutes.

工程(V)は、導体層を形成する工程である。導体層に使用する導体材料は、特に限定されない。好適な実施形態では、導体層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される1種類以上の金属を含む。導体層は、単金属層であってもよく、合金層であってもよい。合金層としては、例えば、上記の群から選択される2種類以上の金属の合金(例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金)から形成された層が挙げられる。中でも、導体層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層;又は、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層;が好ましい。さらには、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層;又はニッケル・クロム合金の合金層;がより好ましく、銅の単金属層が特に好ましい。   Step (V) is a step of forming a conductor layer. The conductor material used for the conductor layer is not particularly limited. In a preferred embodiment, the conductor layer is one or more selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. Including metal. The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer. Examples of the alloy layer include a layer formed of an alloy of two or more kinds of metals selected from the above group (for example, nickel-chromium alloy, copper-nickel alloy and copper-titanium alloy). Among them, a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper; or a nickel-chromium alloy, copper from the viewpoints of versatility of forming a conductor layer, cost, easiness of patterning and the like. An alloy layer of nickel alloy or copper / titanium alloy is preferable. Further, a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper; or an alloy layer of nickel-chromium alloy; is more preferable, and a single metal layer of copper is particularly preferable.

導体層は、単層構造であってもよく、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層を2層以上含む複層構造であってもよい。導体層が複層構造である場合、絶縁層と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層であることが好ましい。   The conductor layer may have a single-layer structure or a multi-layer structure including two or more single metal layers or alloy layers made of different kinds of metals or alloys. When the conductor layer has a multilayer structure, the layer in contact with the insulating layer is preferably a single metal layer of chromium, zinc or titanium or an alloy layer of nickel-chromium alloy.

導体層の厚みは、所望のプリント配線板のデザインによるが、一般に3μm〜35μm、好ましくは5μm〜30μmである。   The thickness of the conductor layer depends on the desired design of the printed wiring board, but is generally 3 μm to 35 μm, preferably 5 μm to 30 μm.

導体層は、めっきにより形成してよい。例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の技術により絶縁層の表面にめっきして、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。中でも、製造の簡便性の観点から、セミアディティブ法により形成することが好ましい。   The conductor layer may be formed by plating. For example, the surface of the insulating layer can be plated by a technique such as a semi-additive method or a full-additive method to form a conductor layer having a desired wiring pattern. Among them, the semi-additive method is preferably used from the viewpoint of ease of production.

以下、導体層をセミアディティブ法により形成する例を示す。まず、絶縁層の表面に、無電解めっきによりめっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応してめっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより金属層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。   Hereinafter, an example of forming the conductor layer by the semi-additive method will be described. First, a plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Next, a mask pattern that exposes a part of the plating seed layer corresponding to a desired wiring pattern is formed on the formed plating seed layer. After forming a metal layer on the exposed plating seed layer by electrolytic plating, the mask pattern is removed. After that, the unnecessary plating seed layer can be removed by etching or the like to form a conductor layer having a desired wiring pattern.

また、必要に応じて、工程(I)〜工程(V)による絶縁層及び導体層の形成を繰り返して実施し、多層プリント配線板を製造してもよい。   Moreover, you may manufacture a multilayer printed wiring board by repeating formation of the insulating layer and conductor layer by process (I) -process (V) as needed.

[15.半導体装置]
本発明の一実施形態に係る半導体装置は、前記のプリント配線板を含む。この半導体装置は、プリント配線板を用いて製造することができる。
[15. Semiconductor device]
A semiconductor device according to one embodiment of the present invention includes the printed wiring board described above. This semiconductor device can be manufactured using a printed wiring board.

半導体装置としては、電気製品(例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等)及び乗物(例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等)等に供される各種半導体装置が挙げられる。   Examples of the semiconductor device include various semiconductor devices used for electric products (for example, computers, mobile phones, digital cameras and televisions) and vehicles (for example, motorcycles, automobiles, trains, ships and aircrafts).

半導体装置は、例えば、プリント配線板の導通箇所に、部品(半導体チップ)を実装することにより製造することができる。「導通箇所」とは、「プリント配線板における電気信号を伝える箇所」であって、その場所は表面であっても、埋め込まれた箇所であってもいずれでも構わない。また、半導体チップは、半導体を材料とする電気回路素子を任意に用いることができる。   The semiconductor device can be manufactured, for example, by mounting a component (semiconductor chip) on a conductive portion of a printed wiring board. The "conducting portion" is a "portion for transmitting an electric signal in the printed wiring board", and the location may be a surface or an embedded portion. Further, the semiconductor chip can optionally use an electric circuit element made of a semiconductor.

半導体装置を製造する際の半導体チップの実装方法は、半導体チップが有効に機能しさえすれば、特に限定されない。実装方法の例としては、ワイヤボンディング実装方法、フリップチップ実装方法、バンプなしビルドアップ層(BBUL)による実装方法、異方性導電フィルム(ACF)による実装方法、非導電性フィルム(NCF)による実装方法、等が挙げられる。ここで、「バンプなしビルドアップ層(BBUL)による実装方法」とは、「半導体チップをプリント配線板の凹部に直接埋め込み、半導体チップとプリント配線板上の配線とを接続させる実装方法」のことである。   The method of mounting a semiconductor chip when manufacturing a semiconductor device is not particularly limited as long as the semiconductor chip functions effectively. Examples of the mounting method include a wire bonding mounting method, a flip chip mounting method, a bumpless build-up layer (BBUL) mounting method, an anisotropic conductive film (ACF) mounting method, and a non-conductive film (NCF) mounting method. Method, etc. Here, the "mounting method using a bump-free build-up layer (BBUL)" means "a mounting method in which a semiconductor chip is directly embedded in a recess of a printed wiring board to connect the semiconductor chip and wiring on the printed wiring board". Is.

以下、本発明について、実施例を示して具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものでは無い。以下の説明において、量を表す「部」及び「%」は、別途明示の無い限り、それぞれ「質量部」及び「質量%」を意味する。また、以下に説明する操作は、別途明示の無い限り、常温常圧の環境で行った。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples. In the following description, “parts” and “%” representing amounts mean “parts by mass” and “mass%”, respectively, unless otherwise specified. The operations described below were performed in an environment of normal temperature and normal pressure unless otherwise specified.

[処理充填材1]
球形シリカ(デンカ社製「UFP−30」、比表面積30.7m/g、平均粒径0.3μm)を、N−フェニル−8−アミノオクチル−トリメトキシシラン(信越化学工業社製、分子量325.2)で表面処理した粒子を、処理充填材1として用意した。前記の処理充填材1は、球形シリカ100部に対して、N−フェニル−8−アミノオクチル−トリメトキシシラン3部で処理した粒子である。
[Treatment filler 1]
Spherical silica (“UFP-30” manufactured by Denka Co., specific surface area 30.7 m 2 / g, average particle size 0.3 μm) was used as N-phenyl-8-aminooctyl-trimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., molecular weight The particles surface-treated in 325.2) were prepared as the treatment filler 1. The treatment filler 1 is particles obtained by treating 100 parts of spherical silica with 3 parts of N-phenyl-8-aminooctyl-trimethoxysilane.

[処理充填材2]
球形シリカ(デンカ社製「UFP−30」、比表面積30.7m/g、平均粒径0.3μm)を、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製「KBM573」)で表面処理した粒子を、処理充填材2として用意した。前記の処理充填材2は、球形シリカ100部に対して、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン2部で処理した粒子である。
[Treatment filler 2]
Spherical silica (Denka “UFP-30”, specific surface area 30.7 m 2 / g, average particle size 0.3 μm) was mixed with N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “KBM573”). The particles surface-treated with (1) were prepared as the treatment filler 2. The treatment filler 2 is particles obtained by treating 100 parts of spherical silica with 2 parts of N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane.

[処理充填材3]
球形シリカ(アドマテックス社製「SO−C2」、比表面積5.9m/g、平均粒径0.5μm)を、N−フェニル−8−アミノオクチル−トリメトキシシラン(信越化学工業社製、分子量325.2)で表面処理した粒子を、処理充填材3として用意した。前記の処理充填材3は、球形シリカ100部に対して、N−フェニル−8−アミノオクチル−トリメトキシシラン1部で処理した粒子である。
[Treatment filler 3]
Spherical silica (“SO-C2” manufactured by Admatechs Co., Ltd., specific surface area 5.9 m 2 / g, average particle size 0.5 μm) was mixed with N-phenyl-8-aminooctyl-trimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Particles surface-treated with a molecular weight of 325.2) were prepared as the treatment filler 3. The treatment filler 3 is particles obtained by treating 100 parts of spherical silica with 1 part of N-phenyl-8-aminooctyl-trimethoxysilane.

[無機充填材の平均粒径の測定方法]
前記の無機充填材の平均粒径は、下記の方法で測定した。
前記の無機充填材100mg、及びメチルエチルケトン10gをバイアル瓶に秤取り、超音波にて10分間分散した。レーザー回折式粒径分布測定装置(堀場製作所社製「LA−960」)を使用して、使用光源波長を青色および赤色とし、フローセル方式で無機充填材の粒径分布を体積基準で測定した。得られた粒径分布から、メディアン径として、無機充填材の平均粒径を算出した。
[Measurement method of average particle size of inorganic filler]
The average particle size of the inorganic filler was measured by the following method.
100 mg of the above inorganic filler and 10 g of methyl ethyl ketone were weighed in a vial and dispersed by ultrasonic waves for 10 minutes. Using a laser diffraction type particle size distribution measuring device (“LA-960” manufactured by Horiba Ltd.), the light source wavelengths used were blue and red, and the particle size distribution of the inorganic filler was measured on a volume basis by a flow cell method. From the obtained particle size distribution, the average particle size of the inorganic filler was calculated as the median size.

[無機充填材の比表面積の測定方法]
前記の無機充填材の比表面積は、下記の方法で測定した。
BET全自動比表面積測定装置(マウンテック社製「Macsorb HM−1210」)を使用して、無機充填材に窒素ガスを吸着させ、BET多点法を用いて比表面積を算出した。
[Method of measuring specific surface area of inorganic filler]
The specific surface area of the inorganic filler was measured by the following method.
Using a BET fully automatic specific surface area measuring device (“Macsorb HM-1210” manufactured by Mountech Co., Ltd.), nitrogen gas was adsorbed to the inorganic filler, and the specific surface area was calculated using the BET multipoint method.

[実施例1:樹脂組成物1の作製]
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「828US」、エポキシ当量約180)5部、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YX7760」、エポキシ当量約238)20部、ビキシレノール型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YX4000H」、エポキシ当量約190)25部、ホスファゼン樹脂(大塚化学社製「SPS−100」)3部、フェノキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YX7553BH30」、固形分30質量%のMEKとシクロヘキサノンの1:1溶液)10部を、MEK60部に撹拌しながら加熱溶解させた。
[Example 1: Preparation of resin composition 1]
5 parts of bisphenol A type epoxy resin ("828US" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., epoxy equivalent about 180), 20 parts of bisphenol AF type epoxy resin ("YX7760" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., epoxy equivalent about 238), bixylenol type epoxy resin ( Mitsubishi Chemical's "YX4000H", epoxy equivalent about 190) 25 parts, phosphazene resin (Otsuka Chemical's "SPS-100") 3 parts, phenoxy resin (Mitsubishi Chemical's "YX7553BH30", solid content 30 mass% MEK. And 1 part of a cyclohexanone solution of 10 parts) were dissolved in 60 parts of MEK by heating with stirring.

室温にまで冷却した後、活性エステル系硬化剤(DIC社製「HPC−8000−65T」、活性基当量約223、固形分65質量%のトルエン溶液)70部、フェノール系硬化剤(DIC社製「LA−3018−50P」、活性基当量約151、固形分50%の2−メトキシプロパノール溶液)6部、硬化促進剤(4−ジメチルアミノピリジン(DMAP)、固形分5質量%のMEK溶液)6部、処理充填材1(N−フェニル−8−アミノオクチル−トリメトキシシラン(信越化学工業社製、分子量325.2)で表面処理された球形シリカ(デンカ社製「UFP−30」、比表面積30.7m/g、平均粒径0.3μm))180部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散した。その後、カートリッジフィルター(ROKITECHNO社製「SHP020」)で濾過して、樹脂組成物1を作製した。 After cooling to room temperature, 70 parts of an active ester-based curing agent ("HPC-8000-65T" manufactured by DIC, an active group equivalent of about 223, a toluene solution having a solid content of 65 mass%), a phenol-based curing agent (manufactured by DIC) "LA-3018-50P", active group equivalent weight 151, 2-methoxypropanol solution having 50% solid content) 6 parts, curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP), MEK solution having 5% solid content) 6 parts, treated filler 1 (N-phenyl-8-aminooctyl-trimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., molecular weight 325.2) spherical silica surface-treated (Denka "UFP-30", ratio 180 parts of a surface area of 30.7 m 2 / g and an average particle size of 0.3 μm) were mixed and uniformly dispersed by a high-speed rotating mixer. Then, it filtered with the cartridge filter ("SHP020" by ROKITECHNO), and resin composition 1 was produced.

[実施例2:樹脂組成物2の作製]
実施例1において、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YX7760」、エポキシ当量約238)を、ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬社製「NC3000L」、エポキシ当量約271)に変更した。また、ホスファゼン樹脂(大塚化学社製「SPS−100」)を、ホスファゼン樹脂(大塚化学社製「SPH−100」)に変更した。さらに、フェノール系硬化剤(DIC社製「LA−3018−50P」、活性基当量約151、固形分50%の2−メトキシプロパノール溶液)の量を、6部から3部に変更した。また、樹脂組成物に、更にカルボジイミド系硬化剤(日清紡ケミカル社製「V−03」、活性基当量約216、固形分50質量%のトルエン溶液)を6部加えた。
以上の事項以外は実施例1と同様にして、樹脂組成物2を作製した。
[Example 2: Preparation of resin composition 2]
In Example 1, the bisphenol AF type epoxy resin (“YX7760” manufactured by Mitsubishi Chemical Co., epoxy equivalent: 238) was changed to a biphenyl type epoxy resin (“NC3000L” manufactured by Nippon Kayaku Co., epoxy equivalent: 271). Also, the phosphazene resin (“SPS-100” manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd.) was changed to a phosphazene resin (“SPH-100” manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd.). Further, the amount of the phenol-based curing agent (“LA-3018-50P” manufactured by DIC, active group equivalent of about 151, solid content 50% 2-methoxypropanol solution) was changed from 6 parts to 3 parts. Further, 6 parts of a carbodiimide-based curing agent (“V-03” manufactured by Nisshinbo Chemical Inc., an active group equivalent of about 216, a toluene solution having a solid content of 50% by mass) was further added to the resin composition.
A resin composition 2 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above matters.

[実施例3:樹脂組成物3の作製]
実施例1において、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YX7760」、エポキシ当量約238)を、ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬社製「NC3000L」、エポキシ当量約271)に変更した。また、活性エステル系硬化剤(DIC社製「HPC−8000−65T」、活性基当量約223、固形分65質量%のトルエン溶液)70部を、活性エステル型硬化剤(DIC社製「EXB9416−70BK」、活性基当量約330の不揮発分70質量%のメチルイソブチルケトン溶液)50部に変更した。さらに、フェノール系硬化剤(DIC社製「LA−3018−50P」、活性基当量約151、固形分50%の2−メトキシプロパノール溶液)の量を、6部から12部に変更した。
以上の事項以外は実施例1と同様にして、樹脂組成物3を作製した。
[Example 3: Preparation of resin composition 3]
In Example 1, the bisphenol AF type epoxy resin (“YX7760” manufactured by Mitsubishi Chemical Co., epoxy equivalent: 238) was changed to a biphenyl type epoxy resin (“NC3000L” manufactured by Nippon Kayaku Co., epoxy equivalent: 271). In addition, 70 parts of an active ester type curing agent (“HPC-8000-65T” manufactured by DIC, a toluene solution having an active group equivalent of about 223 and a solid content of 65 mass%) was used as an active ester type curing agent (“EXB9416- manufactured by DIC”). 70 BK ", methyl isobutyl ketone solution having a nonvolatile content of 70% by mass and an active group equivalent of about 330). Further, the amount of phenolic curing agent (“LA-3018-50P” manufactured by DIC, active group equivalent of about 151, solid content of 50% 2-methoxypropanol solution) was changed from 6 parts to 12 parts.
A resin composition 3 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above matters.

[比較例1:樹脂組成物4の作製]
実施例1において、ホスファゼン樹脂(大塚化学社製「SPS−100」)3部を用いなかったこと以外は実施例1と同様にして、樹脂組成物4を作製した。
[Comparative Example 1: Preparation of resin composition 4]
A resin composition 4 was prepared in the same manner as in Example 1 except that 3 parts of the phosphazene resin (“SPS-100” manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd.) was not used.

[比較例2:樹脂組成物5の作製]
実施例1において、処理充填材1(N−フェニル−8−アミノオクチル−トリメトキシシラン(信越化学工業社製、分子量325.2)で表面処理された球形シリカ(デンカ社製「UFP−30」、比表面積30.7m/g、平均粒径0.078μm))を、処理充填材2(N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(デンカ社製「UFP−30」、比表面積30.7m/g、平均粒径0.3μm))に変更した以外は実施例1と同様にして、樹脂組成物5を作製した。
[Comparative Example 2: Preparation of resin composition 5]
In Example 1, the spherical silica surface-treated with the treatment filler 1 (N-phenyl-8-aminooctyl-trimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., molecular weight 325.2) (“UFP-30” manufactured by Denka). , Specific surface area 30.7 m 2 / g, average particle size 0.078 μm)) is surface-treated with treated filler 2 (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)). Resin composition 5 was prepared in the same manner as in Example 1 except that spherical silica (“UFP-30” manufactured by Denka Co., specific surface area 30.7 m 2 / g, average particle diameter 0.3 μm) was used. ..

[比較例3:樹脂組成物6の作製]
実施例1において、処理充填材1(N−フェニル−8−アミノオクチル−トリメトキシシラン(信越化学工業社製、分子量325.2)で表面処理された球形シリカ(デンカ社製「UFP−30」、比表面積30.7m/g、平均粒径0.3μm))を、処理充填材3(N−フェニル−8−アミノオクチル−トリメトキシシラン(信越化学工業社製、分子量325.2)で表面処理された球形シリカ(アドマテックス社製「SO−C2」、比表面積5.9m/g、平均粒径0.5μm))に変更した。また、濾過に用いるカートリッジフィルターを、カートリッジフィルター(ROKITECHNO社製「SHP100」)からカートリッジフィルター(ROKITECHNO社製「SHP020」)に変更した。
以上の事項以外は実施例1と同様にして、樹脂組成物6を作製した。
[Comparative Example 3: Preparation of resin composition 6]
In Example 1, spherical filler surface-treated with treatment filler 1 (N-phenyl-8-aminooctyl-trimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., molecular weight 325.2) (“UFP-30” manufactured by Denka). , Specific surface area 30.7 m 2 / g, average particle size 0.3 μm) with treated filler 3 (N-phenyl-8-aminooctyl-trimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., molecular weight 325.2). The surface was changed to spherical silica (“SO-C2” manufactured by Admatechs Co., Ltd., specific surface area 5.9 m 2 / g, average particle size 0.5 μm). Further, the cartridge filter used for filtration was changed from the cartridge filter (“SHP100” manufactured by ROKITECHNO) to the cartridge filter (“SHP020” manufactured by ROKITECHNO).
A resin composition 6 was produced in the same manner as in Example 1 except for the above matters.

[評価方法]
前記の実施例及び比較例で得た樹脂組成物を、それぞれ、以下に説明する方法で評価した。
[Evaluation methods]
The resin compositions obtained in the above Examples and Comparative Examples were evaluated by the methods described below.

[樹脂シートの作製]
支持体として、アルキド樹脂系離型剤(リンテック社製「AL−5」)で離型処理したPETフィルム(東レ社製「ルミラーR80」、厚み38μm、軟化点130℃)を用意した。
[Production of resin sheet]
As a support, a PET film (“Lumirror R80” manufactured by Toray, thickness 38 μm, softening point 130 ° C.) release-treated with an alkyd resin-based release agent (“AL-5” manufactured by Lintec Co., Ltd.) was prepared.

(樹脂シートAの作製)
各樹脂組成物を、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが6μmとなるよう、支持体上にダイコーターにて均一に塗布した。塗布された樹脂組成物を80℃で1分間乾燥することにより、支持体上に樹脂組成物層を得た。次いで、樹脂組成物層の支持体と接合していない面に、保護フィルムとしてのポリプロピレンフィルム(王子エフテックス社製「アルファンMA−411」、厚み15μm)の粗面を、樹脂組成物層と接合するように積層した。これにより、支持体、樹脂組成物層、及び保護フィルムをこの順に備える「樹脂シートA」を得た。
(Production of resin sheet A)
Each resin composition was uniformly applied on a support by a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying was 6 μm. The applied resin composition was dried at 80 ° C. for 1 minute to obtain a resin composition layer on the support. Then, on the surface of the resin composition layer that was not bonded to the support, the rough surface of the polypropylene film (“Alphan MA-411” manufactured by Oji F-Tex, thickness 15 μm) as a protective film was used as the resin composition layer. Laminated to be joined. Thus, a “resin sheet A” including the support, the resin composition layer, and the protective film in this order was obtained.

(樹脂シートBの作製)
各樹脂組成物を、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが10μmとなるよう、支持体上にダイコーターにて均一に塗布した。塗布された樹脂組成物を80℃で2分間乾燥することにより、支持体上に樹脂組成物層を得た。次いで、樹脂組成物層の支持体と接合していない面に、保護フィルムとしてのポリプロピレンフィルム(王子エフテックス社製「アルファンMA−411」、厚み15μm)の粗面を、樹脂組成物層と接合するように積層した。これにより、支持体、樹脂組成物層、及び保護フィルムをこの順で備える「樹脂シートB」を得た。
(Production of resin sheet B)
Each resin composition was uniformly applied on a support by a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying was 10 μm. The applied resin composition was dried at 80 ° C. for 2 minutes to obtain a resin composition layer on the support. Then, on the surface of the resin composition layer that was not bonded to the support, the rough surface of the polypropylene film (“Alphan MA-411” manufactured by Oji F-Tex, thickness 15 μm) as a protective film was used as the resin composition layer. Laminated to be joined. Thus, a “resin sheet B” including the support, the resin composition layer, and the protective film in this order was obtained.

[I.導体層間の絶縁層の厚み及び絶縁層の絶縁信頼性の測定]
(評価用基板の調製)
(1)内層回路基板の下地処理:
内層回路基板として、L/S(ライン/スペース)=2μm/2μmの配線パターンにて形成された回路導体(銅)を両面に有するガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚さ3μm、基板厚み0.15mm、三菱ガス化学社製「HL832NSF LCA」、255×340mmサイズ)を用意した。該内層回路基板の両面を、メック社製「FlatBOND−FT」にて処理して、銅表面の有機被膜処理を行った。
[I. Measurement of insulation layer thickness and insulation reliability between conductor layers]
(Preparation of evaluation substrate)
(1) Substrate treatment of inner layer circuit board:
As an inner layer circuit board, a glass cloth substrate epoxy resin double-sided copper clad laminate having a circuit conductor (copper) formed on a wiring pattern of L / S (line / space) = 2 μm / 2 μm on both sides (thickness of copper foil) "HL832NSF LCA" manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc., size: 3 μm, substrate thickness: 0.15 mm, size: 255 × 340 mm) was prepared. Both surfaces of the inner layer circuit board were treated with "FlatBOND-FT" manufactured by MEC Co., Ltd. to perform an organic film treatment on the copper surface.

(2)樹脂シートのラミネート:
樹脂シートAから保護フィルムを剥がし、バッチ式真空加圧ラミネーター(ニッコー・マテリアルズ社製、2ステージビルドアップラミネーター「CVP700」)を用いて、樹脂組成物層が内層回路基板と接するように、内層回路基板の両面にラミネートした。ラミネートは、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とし、130℃、圧力0.74MPaにて45秒間圧着させることにより、実施した。次いで、120℃、圧力0.5MPaにて75秒間熱プレスを行った。
(2) Lamination of resin sheet:
Peel off the protective film from the resin sheet A, and use a batch type vacuum pressure laminator (manufactured by Nikko Materials Co., 2 stage build-up laminator "CVP700") so that the resin composition layer is in contact with the inner layer circuit board. Laminated on both sides of the circuit board. Lamination was performed by reducing the pressure for 30 seconds so that the atmospheric pressure was 13 hPa or less, and then performing pressure bonding for 45 seconds at 130 ° C. and a pressure of 0.74 MPa. Then, hot pressing was performed for 75 seconds at 120 ° C. and a pressure of 0.5 MPa.

(3)樹脂組成物層の熱硬化:
ラミネートされた樹脂シート及び内層回路基板を、130℃のオーブンに投入後30分間加熱し、次いで170℃のオーブンに移し替えた後30分間加熱して、樹脂組成物層を熱硬化して、厚みが5μmの絶縁層を形成した。その後、支持体を剥離した。これにより、絶縁層、内層回路基板及び絶縁層をこの順で備える「基板A」を得た。
(3) Thermosetting of the resin composition layer:
The laminated resin sheet and inner layer circuit board are placed in an oven at 130 ° C. and heated for 30 minutes, then transferred to an oven at 170 ° C. and then heated for 30 minutes to thermally cure the resin composition layer to obtain a thickness. Formed an insulating layer having a thickness of 5 μm. Then, the support was peeled off. As a result, a “substrate A” including the insulating layer, the inner layer circuit board and the insulating layer in this order was obtained.

(4)ビアホールの形成:
レーザー加工機を使用して、内層回路基板の回路導体上に開口するように、基板Aの絶縁層にビアホールを形成した。
(4) Formation of via holes:
A laser processing machine was used to form a via hole in the insulating layer of the substrate A so as to open on the circuit conductor of the inner layer circuit substrate.

(5)粗化処理を行う工程:
基板Aの絶縁層に、粗化処理としてのデスミア処理を行った。このデスミア処理としては、下記の湿式デスミア処理を実施した。
(5) Step of performing roughening treatment:
Desmear treatment as roughening treatment was performed on the insulating layer of the substrate A. As the desmear treatment, the following wet desmear treatment was carried out.

湿式デスミア処理:
膨潤液(アトテックジャパン社製「スウェリングディップ・セキュリガントP」、ジエチレングリコールモノブチルエーテル及び水酸化ナトリウムの水溶液)に60℃で5分間浸漬した。次いで酸化剤溶液(アトテックジャパン社製「コンセントレート・コンパクトCP」、過マンガン酸カリウム濃度約6%、水酸化ナトリウム濃度約4%の水溶液)に80℃で10分間浸漬した。その後で中和液(アトテックジャパン社製「リダクションソリューション・セキュリガントP」、硫酸水溶液)に40℃で5分間浸漬した。その後、80℃で15分間乾燥した。この湿式デスミア処理を施された後の基板Aを、「粗化基板A」と呼ぶ。
Wet desmear treatment:
It was immersed in a swelling solution (“Swelling Dip Securigant P” manufactured by Atotech Japan Co., an aqueous solution of diethylene glycol monobutyl ether and sodium hydroxide) at 60 ° C. for 5 minutes. Then, it was immersed in an oxidizing agent solution (“Concentrate Compact CP” manufactured by Atotech Japan Co., an aqueous solution having a potassium permanganate concentration of about 6% and a sodium hydroxide concentration of about 4%) at 80 ° C. for 10 minutes. Then, it was immersed for 5 minutes at 40 ° C. in a neutralizing solution (“Reduction Solution Securigant P” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., sulfuric acid aqueous solution). Then, it dried at 80 degreeC for 15 minutes. The substrate A that has been subjected to this wet desmear treatment is referred to as “roughened substrate A”.

(6)導体層を形成する工程:
(6−1)無電解めっき工程:
上記粗化基板Aの絶縁層の表面に、下記1〜6の工程を含むめっき工程(アトテックジャパン社製の薬液を使用した銅めっき工程)を行って、導体層を形成した。
(6) Step of forming a conductor layer:
(6-1) Electroless plating process:
A conductor layer was formed on the surface of the insulating layer of the roughened substrate A by performing a plating step including the following steps 1 to 6 (copper plating step using a chemical solution manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.).

1.アルカリクリーニング(ビアホールが設けられた絶縁層の表面の洗浄と電荷調整):
粗化基板Aの表面を、Cleaning Cleaner Securiganth 902(商品名)を用いて60℃で5分間洗浄した。
2.ソフトエッチング(ビアホール内の洗浄):
粗化基板Aの表面を、硫酸酸性ペルオキソ二硫酸ナトリウム水溶液を用いて、30℃で1分間処理した。
3.プレディップ(Pd付与のための絶縁層の表面の電荷の調整):
粗化基板Aの表面を、Pre. Dip Neoganth B(商品名)を用い、室温で1分間処理した。
4.アクティヴェーター付与(絶縁層の表面へのPdの付与):
粗化基板Aの表面を、Activator Neoganth 834(商品名)を用い、35℃で5分間処理した。
5.還元(絶縁層に付与されたPdを還元):
粗化基板Aの表面を、Reducer Neoganth WA(商品名)とReducer Acceralator 810 mod.(商品名)との混合液を用い、30℃で5分間処理した。
6.無電解銅めっき工程(Cuを絶縁層の表面(Pd表面)に析出):
粗化基板Aの表面を、Basic Solution Printganth MSK−DK(商品名)と、Copper solution Printganth MSK(商品名)と、Stabilizer Printganth MSK−DK(商品名)と、Reducer Cu(商品名)との混合液を用いて、35℃で20分間処理した。これにより、絶縁層の表面に無電解銅めっき層(厚さ0.8μm)が形成された。
1. Alkaline cleaning (cleaning the surface of the insulating layer with via holes and adjusting the charge):
The surface of the roughened substrate A was washed at 60 ° C. for 5 minutes using Cleaning Cleaner Security 902 (trade name).
2. Soft etching (cleaning of via holes):
The surface of the roughened substrate A was treated with an aqueous solution of sodium peroxodisulfate acidified with sulfuric acid at 30 ° C. for 1 minute.
3. Predip (adjustment of electric charge on the surface of the insulating layer to impart Pd):
When the surface of the roughened substrate A is Pre. Dip Neoganth B (trade name) was used for treatment at room temperature for 1 minute.
4. Activator application (application of Pd to the surface of the insulating layer):
The surface of the roughened substrate A was treated with Activator Neoganth 834 (trade name) at 35 ° C. for 5 minutes.
5. Reduction (reduces Pd applied to the insulating layer):
The surface of the roughened substrate A was replaced with a Reducer Neoganth WA (trade name) and a Reducer Accelerator 810 mod. Using a mixed solution with (trade name), the mixture was treated at 30 ° C. for 5 minutes.
6. Electroless copper plating step (Cu is deposited on the surface of the insulating layer (Pd surface)):
The surface of the roughened substrate A is a Basic Solution Printganth MSK-DK (trade name), a Copper solution Printganth MSK (trade name), a Stabilizer Printganth MSK-DK (trade name), and a mixed name of Reducer Cu. The solution was treated at 35 ° C. for 20 minutes. As a result, an electroless copper plating layer (thickness 0.8 μm) was formed on the surface of the insulating layer.

(6−2)電解めっき工程:
次いで、アトテックジャパン社製の薬液を使用して、ビアホール内に銅が充填される条件で、電解銅めっき工程を行った。その後に、エッチングによるパターニングのためのレジストパターンとして、ビアホールを通して下層導体(即ち、内層回路基板の回路導体)に導通された直径1mmのランドを形成するためのパターン(ランドパターン)、及び、前記下層導体とは接続されていない直径10mmの円形導体を形成するためのパターン(円形導体パターン)を用いて、絶縁層の表面にランド及び円形導体を有する導体層(厚さ10μm)を形成した。次に、アニール処理を200℃にて90分間行った。こうして得られた基板を「評価用基板B」と呼ぶ。
(6-2) Electrolytic plating step:
Then, an electrolytic copper plating step was performed using a chemical solution manufactured by Atotech Japan under the condition that copper was filled in the via holes. Thereafter, as a resist pattern for patterning by etching, a pattern (land pattern) for forming a land having a diameter of 1 mm that is conducted to a lower layer conductor (that is, a circuit conductor of the inner layer circuit board) through a via hole, and the lower layer A conductor layer (thickness 10 μm) having a land and a circular conductor was formed on the surface of the insulating layer using a pattern (circular conductor pattern) for forming a circular conductor having a diameter of 10 mm which was not connected to the conductor. Next, annealing treatment was performed at 200 ° C. for 90 minutes. The substrate thus obtained is referred to as “evaluation substrate B”.

[導体層間の絶縁層の厚みの測定]
評価用基板Bを、FIB−SEM複合装置(SIIナノテクノロジー社製「SMI3050SE」)を用いて、断面観察を行った。詳細には、導体層の表面に垂直な断面をFIB(集束イオンビーム)により削り出し、その断面を撮影した。得られた断面SEM画像から、導体層間の絶縁層の厚みを測定した。各サンプルにつき、無作為に選んだ5箇所の断面SEM画像を観察し、その平均値を導体層間の絶縁層の厚み(μm)とし、下記表に示した。
[Measurement of thickness of insulating layer between conductor layers]
The cross-section of the evaluation substrate B was observed using a FIB-SEM composite device (“SMI3050SE” manufactured by SII Nanotechnology Inc.). Specifically, a cross section perpendicular to the surface of the conductor layer was carved by FIB (Focused Ion Beam), and the cross section was photographed. The thickness of the insulating layer between the conductor layers was measured from the obtained cross-sectional SEM image. For each sample, five randomly selected cross-sectional SEM images were observed, and the average value was used as the thickness (μm) of the insulating layer between the conductor layers, and the results are shown in the table below.

[絶縁層の絶縁信頼性の評価]
上記において得られた評価用基板Bの直径10mmの円形導体側を+電極とし、直径1mmのランドと接続された内層回路基板の格子導体(銅)側を−電極として、高度加速寿命試験装置(ETAC社製「PM422」)を使用し、130℃、85%相対湿度、3.3V直流電圧印加の条件で200時間経過させた。その後、絶縁抵抗値を、エレクトロケミカルマイグレーションテスター(J−RAS社製「ECM−100」)にて測定した。
[Evaluation of insulation reliability of insulation layer]
A highly-accelerated life test apparatus (using a 10 mm diameter circular conductor side of the evaluation substrate B obtained above as a + electrode and a grid conductor (copper) side of an inner layer circuit substrate connected to a land having a diameter of 1 mm as a-electrode ( Using "PM422" manufactured by ETAC Co., Ltd.), it was allowed to stand for 200 hours under the conditions of 130 ° C., 85% relative humidity and 3.3V DC voltage application. Then, the insulation resistance value was measured with an electrochemical migration tester (“ECM-100” manufactured by J-RAS).

前記の測定を、各実施例及び比較例でそれぞれ6個の評価用基板Bについて行った。6個の評価用基板Bの全てにおいて、その抵抗値が1×10Ω以上の場合を「○」とし、1つでも1×10Ω未満の場合は「×」とした。評価結果を、絶縁抵抗値とともに下記表に示した。下記表に記載の絶縁抵抗値は、6個の試験用基板Bの絶縁抵抗値の最低値である。 The above-mentioned measurement was performed for each of the six evaluation substrates B in each of Examples and Comparative Examples. In all of the six evaluation substrates B, the case where the resistance value was 1 × 10 7 Ω or more was “◯”, and the case where even one was less than 1 × 10 7 Ω was “x”. The evaluation results are shown in the following table together with the insulation resistance value. The insulation resistance value shown in the following table is the minimum insulation resistance value of the six test substrates B.

[II.ハローイングの評価]
(1)内層回路基板の下地処理:
内層回路基板として、内層回路(銅)を両面に有するガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚さ18μm、基板厚み0.4mm、パナソニック社製「R1515A」)を用意した。該内層回路基板の両面を、メック社製「CZ8101」にて1μmエッチングして、銅表面の粗化処理を行った。
[II. Evaluation of haloing]
(1) Substrate treatment of inner layer circuit board:
As the inner layer circuit board, a glass cloth base epoxy resin double-sided copper clad laminate having inner layer circuits (copper) on both sides (copper foil thickness 18 μm, substrate thickness 0.4 mm, “R1515A” manufactured by Panasonic Corporation) was prepared. Both surfaces of the inner layer circuit board were etched by 1 μm with “CZ8101” manufactured by MEC Co., Ltd. to roughen the copper surface.

(2)樹脂シートのラミネート:
樹脂シートBから保護フィルムを剥がし、バッチ式真空加圧ラミネーター(ニッコー・マテリアルズ社製、2ステージビルドアップラミネーター「CVP700」)を用いて、樹脂組成物層が内層回路基板と接するように、内層回路基板の両面にラミネートした。ラミネートは、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とし、130℃、圧力0.74MPaにて45秒間圧着させることにより、実施した。次いで、120℃、圧力0.5MPaにて75秒間熱プレスを行った。
(2) Lamination of resin sheet:
Peel off the protective film from the resin sheet B, and use a batch-type vacuum pressure laminator (manufactured by Nikko Materials Co., 2 stage build-up laminator "CVP700") so that the resin composition layer is in contact with the inner layer circuit board. Laminated on both sides of the circuit board. Lamination was performed by reducing the pressure for 30 seconds so that the atmospheric pressure was 13 hPa or less, and then performing pressure bonding for 45 seconds at 130 ° C. and a pressure of 0.74 MPa. Then, hot pressing was performed for 75 seconds at 120 ° C. and a pressure of 0.5 MPa.

(3)樹脂組成物の硬化:
ラミネートされた樹脂シート及び内層回路基板を、130℃で30分加熱し、次いで170℃で30分加熱して、樹脂組成物層を硬化して、厚みが10μmの絶縁層を形成した。ハローイングの評価試験では、この厚み10μmが、後述する評価基板Dにおける導体層間の絶縁層の厚みに相当する。
(3) Curing of resin composition:
The laminated resin sheet and inner layer circuit board were heated at 130 ° C. for 30 minutes and then at 170 ° C. for 30 minutes to cure the resin composition layer and form an insulating layer having a thickness of 10 μm. In the haloing evaluation test, this thickness of 10 μm corresponds to the thickness of the insulating layer between the conductor layers in the evaluation substrate D described later.

(4)ビアホール形成:
COレーザー加工機(三菱電機社製「605GTWIII(−P)」)を使用して、絶縁層にレーザー光を照射して、絶縁層に、トップ径(直径)が約30μmの複数個のビアホールを形成した。レーザー光の照射条件は、マスク径1mm、パルス幅16μs、エネルギー0.2mJ/ショット、ショット数2、バーストモード(10kHz)であった。その後、支持体を剥離して、絶縁層、内層回路基板及び絶縁層をこの順で備える「粗化前基板C」を得た。
(4) Via hole formation:
A CO 2 laser processing machine (“605GTWIII (-P)” manufactured by Mitsubishi Electric Corporation) is used to irradiate the insulating layer with laser light, and the insulating layer has a plurality of via holes each having a top diameter (diameter) of about 30 μm. Formed. The irradiation conditions of the laser light were a mask diameter of 1 mm, a pulse width of 16 μs, an energy of 0.2 mJ / shot, a shot number of 2, and a burst mode (10 kHz). After that, the support was peeled off to obtain a “pre-roughening substrate C” including an insulating layer, an inner layer circuit board and an insulating layer in this order.

(5)粗化処理:
粗化前基板Cを、膨潤液(アトテックジャパン社製のジエチレングリコールモノブチルエーテル含有のスエリングディップ・セキュリガントP(グリコールエーテル類、水酸化ナトリウムの水溶液))に60℃で10分間浸漬した。次に、基板Cを、粗化液(アトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトP(KMnO:60g/L、NaOH:40g/Lの水溶液))に80℃で20分間浸漬した。その後で、基板Cを、中和液(アトテックジャパン社製のリダクションショリューシン・セキュリガントP(硫酸の水溶液))に40℃で5分間浸漬した。その後、基板Cを、80℃で30分乾燥して、「評価基板D」を得た。
(5) Roughening treatment:
The pre-roughening substrate C was immersed in a swelling solution (Swelling dip Securigant P (glycol ethers, aqueous solution of sodium hydroxide) containing diethylene glycol monobutyl ether manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) at 60 ° C. for 10 minutes. Next, the substrate C was immersed in a roughening solution (concentrate compact P (KMnO 4 : 60 g / L, aqueous solution of NaOH: 40 g / L) manufactured by Atotech Japan) at 80 ° C. for 20 minutes. After that, the substrate C was immersed in a neutralizing solution (Reduction Shoryushin Securigant P (aqueous solution of sulfuric acid) manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) at 40 ° C. for 5 minutes. Then, the substrate C was dried at 80 ° C. for 30 minutes to obtain an “evaluation substrate D”.

(6)セミアディティブ工法によるメッキ:
評価基板Dを、PdClを含む無電解メッキ用溶液に40℃で5分間浸漬した。次に、無電解銅メッキ液に25℃で20分間浸漬した。その後、150℃にて30分間加熱して、アニール処理を行った。その後に、エッチングレジストを形成し、エッチングによるパターン形成を行った。その後に、硫酸銅電解メッキを行い、20μmの厚さで導体層を形成した。次に、アニール処理を200℃にて60分間行って、「評価基板E」を得た。
(6) Plating by semi-additive method:
The evaluation substrate D was immersed in a solution for electroless plating containing PdCl 2 at 40 ° C. for 5 minutes. Next, it was immersed in an electroless copper plating solution at 25 ° C. for 20 minutes. Then, it heats at 150 degreeC for 30 minute (s), and performed the annealing process. After that, an etching resist was formed and a pattern was formed by etching. Then, copper sulfate electrolytic plating was performed to form a conductor layer with a thickness of 20 μm. Next, annealing treatment was performed at 200 ° C. for 60 minutes to obtain an “evaluation substrate E”.

[粗化処理後のビアホールの寸法、及び、ハローイング距離の測定]
評価基板Dについて、FIB−SEM複合装置(SIIナノテクノロジー社製「SMI3050SE」)を用いて、断面観察を行った。詳細には、FIB(集束イオンビーム)を用いて、絶縁層を、当該絶縁層の厚み方向に平行で且つビアホールのビアボトムの中心を通る断面が現れるように削り出した。この断面をSEMによって観察した。観察された画像から、ビアホールのボトム径及びトップ径を測定した。また、SEMによって観察された画像には、ビアボトムのエッジから連続して、絶縁層が内層基板の銅箔層から剥離して形成された間隙部が見られた。そこで、観察された画像から、ビアボトムの中心からビアボトムのエッジまでの距離(間隙部の内周半径に相当)r3と、ビアボトムの中心から前記間隙部の遠い側の端部までの距離(間隙部の外周半径に相当)r4とを測定し、これら距離r3と距離r4との差r4−r3を、その測定地点のビアボトムのエッジからのハローイング距離として算出した。
[Measurement of via hole size and haloing distance after roughening treatment]
The evaluation substrate D was subjected to cross-section observation using a FIB-SEM composite device (“SMI3050SE” manufactured by SII Nanotechnology Inc.). Specifically, FIB (Focused Ion Beam) was used to cut out the insulating layer so that a cross section parallel to the thickness direction of the insulating layer and passing through the center of the via bottom of the via hole appears. This cross section was observed by SEM. From the observed image, the bottom diameter and the top diameter of the via hole were measured. Further, in the image observed by the SEM, a gap portion was formed continuously from the edge of the via bottom and formed by peeling the insulating layer from the copper foil layer of the inner layer substrate. Therefore, from the observed image, the distance from the center of the via bottom to the edge of the via bottom (corresponding to the inner radius of the gap) r3 and the distance from the center of the via bottom to the end on the far side of the gap (the gap R4 (corresponding to the outer peripheral radius of r) and the difference r4-r3 between these distances r3 and r4 was calculated as the haloing distance from the edge of the via bottom at the measurement point.

前記の測定を、無作為に選んだ5か所のビアホールで行った。そして、測定された5箇所のビアホールのトップ径の平均を、そのサンプルの粗化処理後のトップ径Ltとして採用した。また、測定された5箇所のビアホールのボトム径の平均を、そのサンプルの粗化処理後のボトム径Lbとして採用した。さらに、測定された5箇所のビアホールのハローイング距離の平均を、そのサンプルのビアボトムのエッジからのハローイング距離Wbとして採用した。   The above measurement was carried out at 5 randomly selected via holes. Then, the average of the measured top diameters of the five via holes was adopted as the top diameter Lt of the sample after the roughening treatment. The average of the measured bottom diameters of the five via holes was adopted as the bottom diameter Lb of the sample after the roughening treatment. Further, the average of the measured haloing distances of the five via holes was adopted as the haloing distance Wb from the edge of the via bottom of the sample.

前記の測定結果から、テーパー率(ビアホールのトップ径Ltとボトム径Lbとの比「Lb/Lt」)と、ハローイング比Hb(粗化処理後のビアボトムのエッジからのハローイング距離Wbと、粗化処理後のビアホールのビアボトムの半径(Lb/2)との比「Wb/(Lb/2)」)を算出した。ハローイング比Hbが35%以下であれば「〇」と判定し、ハローイング比Htが35%より大きければ「×」と判定した。   From the above measurement results, the taper rate (the ratio "Lb / Lt" between the top diameter Lt and the bottom diameter Lb of the via hole), the haloing ratio Hb (the haloing distance Wb from the edge of the via bottom after the roughening treatment), The ratio "Wb / (Lb / 2)" of the via hole after the roughening treatment to the radius (Lb / 2) of the via bottom was calculated. When the haloing ratio Hb was 35% or less, it was judged as "◯", and when the haloing ratio Ht was larger than 35%, it was judged as "x".

[メッキ導体層の引き剥がし強さ(ピール強度)の測定]
評価基板Eの導体層に、幅10mm、長さ100mmの矩形部分を囲む切込みをいれた。前記矩形部分の一端を剥がしてつかみ具(ティー・エス・イー社製のオートコム型試験機「AC−50C−SL」)で掴み、室温中にて、50mm/分の速度で垂直方向に引き剥がした。35mmを引き剥がした時の荷重(kgf/cm)を、ピール強度として測定した。
[Measurement of peeling strength (peel strength) of plated conductor layer]
The conductor layer of the evaluation substrate E was cut into a rectangular portion having a width of 10 mm and a length of 100 mm. Peel off one end of the rectangular part, grab it with a grabber (Autocom type tester “AC-50C-SL” manufactured by TS E), and pull in the vertical direction at room temperature at a speed of 50 mm / min. I peeled it off. The load (kgf / cm) when peeling off 35 mm was measured as the peel strength.

[結果]
実施例及び比較例の結果を、下記の表に示す。下記の表において、樹脂組成物の調製に用いた成分の欄の数値は、各成分の配合量(不揮発分換算)を表す。
[result]
The results of Examples and Comparative Examples are shown in the table below. In the table below, the numerical value in the column of the component used for the preparation of the resin composition represents the blending amount of each component (calculated as nonvolatile content).

Figure 2020075977
Figure 2020075977

1 第1の導体層
2 第2の導体層
3 絶縁層
100 絶縁層
100U 導体層とは反対側の絶縁層の面
110 ビアホール
120 ビアボトム
120C ビアボトムの中心
130 ビアトップ
140 変色部
150 ビアホールのビアボトムのエッジ
160 間隙部
170 間隙部の外周側の端部
180 ビアホールのビアトップのエッジ
190 変色部の外周側の縁部
200 内層基板
210 導体層(第1の導体層)
220 第2の導体層
300 プリント配線板
1 First Conductor Layer 2 Second Conductor Layer 3 Insulating Layer 100 Insulating Layer 100U Surface of Insulating Layer Opposite to Conductor Layer 110 Via Hole 120 Via Bottom 120C Center of Via Bottom 130 Via Top 140 Discolored Area 150 Via Edge of Via Bottom of Via Hole 160 Gap Part 170 Edge of Outer Gap of 180 Gap Edge of Via Top of Via Hole 190 Edge of Outer Part of Discoloration Part 200 Inner Layer Substrate 210 Conductor Layer (First Conductor Layer)
220 second conductor layer 300 printed wiring board

Claims (11)

(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)比表面積が15m/g以上の無機充填材、(D)下記式(1)で表される化合物、及び、(E)ホスファゼン化合物を含む、樹脂組成物。
(X−RSi(OR (1)
(式(1)において、
Xは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアミノ基を表し、
は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数4以上の2価の脂肪族炭化水素基を表し、
は、それぞれ独立に、水素原子、又は、炭素原子数1〜3の1価の脂肪族炭化水素基を表し、
s及びtは、1≦s≦3、1≦t≦3、且つ、s+t=4を満たす整数を表す。)
(A) epoxy resin, (B) curing agent, (C) inorganic filler having a specific surface area of 15 m 2 / g or more, (D) compound represented by the following formula (1), and (E) phosphazene compound: A resin composition comprising.
(X-R a ) s Si (OR b ) t (1)
(In formula (1),
X's each independently represent an amino group which may have a substituent,
R a's each independently represent a divalent aliphatic hydrocarbon group having 4 or more carbon atoms which may have a substituent,
R b's each independently represent a hydrogen atom or a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms,
s and t represent integers that satisfy 1 ≦ s ≦ 3, 1 ≦ t ≦ 3, and s + t = 4. )
式(1)において、Rが、炭素原子数4以上のアルキレン基を表す、請求項1に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 1, wherein in the formula (1), R a represents an alkylene group having 4 or more carbon atoms. 式(1)において、Xが、アリールアミノ基を表す、請求項1又は2に記載の樹脂組成物。   The resin composition according to claim 1, wherein in the formula (1), X represents an arylamino group. (E)成分が、下記式(2)で表される、請求項1〜3のいずれか一項に記載の樹脂組成物。
Figure 2020075977
(式(2)において、R及びRは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基を示し、nは、1〜23の整数を示す。)
The resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the component (E) is represented by the following formula (2).
Figure 2020075977
(In the formula (2), R 1 and R 2 each independently represent an aryl group which may have a substituent, and n represents an integer of 1 to 23.)
(C)成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、30質量%以上90質量%以下である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の樹脂組成物。   The resin composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the amount of the component (C) is 30% by mass or more and 90% by mass or less based on 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition. (E)成分の量が、樹脂組成物中の不揮発成分100質量%に対して、0.1質量%以上10質量%以下である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の樹脂組成物。   The resin composition according to any one of claims 1 to 5, wherein the amount of the component (E) is 0.1% by mass or more and 10% by mass or less with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition. object. プリント配線板の絶縁層形成用である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の樹脂組成物。   The resin composition according to claim 1, which is used for forming an insulating layer of a printed wiring board. 支持体と、
支持体上に設けられた、請求項1〜7のいずれか一項に記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層とを含む、樹脂シート。
A support,
A resin sheet comprising a resin composition layer provided on a support and containing the resin composition according to claim 1.
樹脂組成物層の厚みが、15μm以下である、請求項8に記載の樹脂シート。   The resin sheet according to claim 8, wherein the resin composition layer has a thickness of 15 μm or less. 請求項1〜7のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物で形成された絶縁層を含む、プリント配線板。   A printed wiring board, comprising an insulating layer formed of the cured product of the resin composition according to claim 1. 請求項10記載のプリント配線板を含む、半導体装置。   A semiconductor device comprising the printed wiring board according to claim 10.
JP2018209108A 2018-11-06 2018-11-06 resin composition Active JP7131311B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018209108A JP7131311B2 (en) 2018-11-06 2018-11-06 resin composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018209108A JP7131311B2 (en) 2018-11-06 2018-11-06 resin composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020075977A true JP2020075977A (en) 2020-05-21
JP7131311B2 JP7131311B2 (en) 2022-09-06

Family

ID=70723562

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018209108A Active JP7131311B2 (en) 2018-11-06 2018-11-06 resin composition

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7131311B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3907265A1 (en) 2020-04-22 2021-11-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Adhesive composition, covered substrate, and cured product
WO2023149209A1 (en) * 2022-02-03 2023-08-10 味の素株式会社 Resin composition

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04257593A (en) * 1991-02-08 1992-09-11 Shin Etsu Chem Co Ltd Organosilicon compound
JP2008037957A (en) * 2006-08-03 2008-02-21 Tamura Kaken Co Ltd Thermosetting resin composition, b-stage resin film and multilayer build-up substrate
JP2017036377A (en) * 2015-08-07 2017-02-16 味の素株式会社 Resin composition
JP2018131619A (en) * 2017-02-14 2018-08-23 味の素株式会社 Resin composition
JP2018159028A (en) * 2017-03-23 2018-10-11 味の素株式会社 Resin composition
JP2018168294A (en) * 2017-03-30 2018-11-01 東レ株式会社 Resin composition and resin sheet

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4257593B2 (en) 2004-04-01 2009-04-22 株式会社ノーリツ Heating device with mist generation function

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04257593A (en) * 1991-02-08 1992-09-11 Shin Etsu Chem Co Ltd Organosilicon compound
JP2008037957A (en) * 2006-08-03 2008-02-21 Tamura Kaken Co Ltd Thermosetting resin composition, b-stage resin film and multilayer build-up substrate
JP2017036377A (en) * 2015-08-07 2017-02-16 味の素株式会社 Resin composition
JP2018131619A (en) * 2017-02-14 2018-08-23 味の素株式会社 Resin composition
JP2018159028A (en) * 2017-03-23 2018-10-11 味の素株式会社 Resin composition
JP2018168294A (en) * 2017-03-30 2018-11-01 東レ株式会社 Resin composition and resin sheet

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3907265A1 (en) 2020-04-22 2021-11-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Adhesive composition, covered substrate, and cured product
WO2023149209A1 (en) * 2022-02-03 2023-08-10 味の素株式会社 Resin composition

Also Published As

Publication number Publication date
JP7131311B2 (en) 2022-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI701289B (en) Resin composition
JP6852332B2 (en) Adhesive film
KR102671534B1 (en) Resin compositions
TWI718258B (en) Resin sheet
TWI724026B (en) Manufacturing method of wiring board, wiring board, and semiconductor device
CN111196890B (en) Resin composition
JP6672954B2 (en) Resin sheet
KR20170113296A (en) Resin sheet
TWI738815B (en) Resin composition
TWI780250B (en) resin composition
TWI771496B (en) resin composition layer
JP2020063392A (en) Resin composition
JP7287418B2 (en) resin composition
KR102558059B1 (en) Resin compositions
JP7131311B2 (en) resin composition
JP7375610B2 (en) resin composition
JP2023033289A (en) Resin composition layer
JP2019206622A (en) Resin composition
JP7196551B2 (en) RESIN SHEET WITH SUPPORT AND RESIN COMPOSITION LAYER
JP6927151B2 (en) Resin composition
JP6911311B2 (en) Resin composition
TW202344148A (en) Method for producing printed wiring board
TW202231467A (en) Method for manufacturing printed wiring board that includes a step of sandblasting performed with abrasive particles in an opening part formed in an insulation layer that includes a cured product of a resin composition

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210909

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220726

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220727

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220808

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7131311

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150