JP2010044149A - 多階調フォトマスク、パターン転写方法及び多階調フォトマスクを用いた表示装置の製造方法 - Google Patents
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Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008206760A JP2010044149A (ja) | 2008-08-11 | 2008-08-11 | 多階調フォトマスク、パターン転写方法及び多階調フォトマスクを用いた表示装置の製造方法 |
KR1020090073311A KR101127376B1 (ko) | 2008-08-11 | 2009-08-10 | 다계조 포토마스크, 패턴 전사 방법 및 다계조 포토마스크를 이용한 표시 장치의 제조 방법 |
TW098126691A TWI396934B (zh) | 2008-08-11 | 2009-08-10 | 多階調光罩、圖案轉移方法及使用多階調光罩之顯示裝置的製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008206760A JP2010044149A (ja) | 2008-08-11 | 2008-08-11 | 多階調フォトマスク、パターン転写方法及び多階調フォトマスクを用いた表示装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010044149A true JP2010044149A (ja) | 2010-02-25 |
JP2010044149A5 JP2010044149A5 (zh) | 2011-09-08 |
Family
ID=42015596
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008206760A Pending JP2010044149A (ja) | 2008-08-11 | 2008-08-11 | 多階調フォトマスク、パターン転写方法及び多階調フォトマスクを用いた表示装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010044149A (zh) |
KR (1) | KR101127376B1 (zh) |
TW (1) | TWI396934B (zh) |
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2009
- 2009-08-10 TW TW098126691A patent/TWI396934B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-08-10 KR KR1020090073311A patent/KR101127376B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR101127376B1 (ko) | 2012-04-12 |
KR20100019971A (ko) | 2010-02-19 |
TW201019045A (en) | 2010-05-16 |
TWI396934B (zh) | 2013-05-21 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
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