JP2010043973A - 半導体試験装置 - Google Patents
半導体試験装置Info
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Abstract
【解決手段】半導体試験装置1は、半導体デバイスの試験に用いられる試験パターンP1を発生するパターン発生部10と、半導体デバイスの電源電流を測定する測定部20とを備える。パターン発生部10は、試験パターンP1の発生を停止した場合にその旨を示すトリガ信号Tr1を発生するトリガ発生回路14を備えており、測定部10は、半導体デバイスの静止電源電流を測定するために行うべき処理を示す処理情報であるデータパターンを記憶するシーケンスメモリ32と、パターン発生部10からトリガ信号Tr1を受信した場合にシーケンスメモリ32に記憶されたデータパターンに応じた処理の実行を制御するシーケンス制御回路31とを備える。
【選択図】図1
Description
この発明によると、パターン発生部で試験パターンの発生が停止されるとその旨を示す第1トリガ信号が第1トリガ発生回路から発生され、この第1トリガ信号が測定部で受信されるとメモリに記憶された半導体デバイスの静止電源電流を測定するために行うべき処理を示す処理情報に応じた処理の実行が制御回路によって制御される。
また、本発明の半導体試験装置は、前記測定部が、前記半導体デバイスの静止電源電流の測定を完了した場合にその旨を示す第2トリガ信号(Tr2)を発生する第2トリガ発生回路(22)を備えており、前記パターン発生部は、前記測定部から前記第2トリガ信号を受信した場合に前記試験パターンの発生を再開することを特徴としている。
また、本発明の半導体試験装置は、前記測定部が、前記半導体デバイスの電源電流の測定レンジを制御する電流測定レンジ制御回路(33)と、前記半導体デバイスの静止電源電流を測定する電流測定回路(34)とを備えており、前記メモリに記憶される前記処理情報には、前記半導体デバイスの静止電源電流を測定するために行うべき処理として、前記電流測定レンジ制御回路での測定レンジの制御処理、及び前記電流測定回路での測定を所定のタイミングで実行させる測定処理が含まれることを特徴としている。
また、本発明の半導体試験装置は、前記測定処理が、前記電流測定回路での測定を所定の時間間隔で複数回に亘って行わせる処理であることを特徴としている。
また、本発明の半導体試験装置は、前記測定部が、測定された静止電源電流の判定を行う判定回路(41)と、当該判定回路で異常判定された場合にその旨を示す第3トリガ信号(Tr3)を発生する第3トリガ発生回路(42)とを備えており、前記パターン発生部は、前記測定部からの前記第3トリガ信号を受信した場合に、発生すべき試験パターンの初期化を行うことを特徴としている。
更に、本発明の半導体試験装置は、前記パターン発生部と前記測定部とを接続し、前記パターン発生部から前記測定部に前記第1トリガ信号を伝達する第1バス(B1)と、前記測定部と前記パターン発生部とを接続し、前記測定部から前記パターン発生部に前記第2トリガ信号を伝達する第2バス(B2)と、前記測定部と前記パターン発生部とを接続し、前記測定部から前記パターン発生部に前記第3トリガ信号を伝達する第3バス(B3)とを備えることを特徴としている。
また、半導体デバイスの静止電源電流の最適な測定タイミングを求めることができるため、余計な待ち時間を省くことができ、IDDQ試験の全体に要する時間を更に短縮することができるという効果がある。
更に、静止電源電流を測定した結果に基づいて半導体デバイスの故障が検出された場合には、半導体デバイスの試験が速やかに終了し、故障の半導体デバイスに対して余計な試験が行われるのを防止することができるため、IDDQ試験の全体に要する時間を更に短縮することができるという効果がある。
図1は、本発明の第1実施形態による半導体試験装置の要部構成を示すブロック図である。図1に示す通り、本実施形態の半導体試験装置1は、バスB1(第1バス)及びバスB2(第2バス)を介して相互に接続されたパターン発生部10と測定部20とを備えており、パターン発生部10からの試験パターンP1の発生を一時的に中断している間に測定部20で半導体デバイス(図示省略)の静止電源電流(Iddq)を測定してIDDQ試験を行う。
次に、本発明の第2実施形態による半導体試験装置について説明する。本実施形態の半導体試験装置は、図1に示す第1実施形態による半導体試験装置1と同じ構成であるが、シーケンスメモリ32に記憶されるデータパターンが図2に示すものとは相違しており、半導体デバイスの静止電源電流の最適な測定タイミングを求めてIDDQ試験の全体に要する時間を更に短縮するものである。
図6は、本発明の第3実施形態による半導体試験装置の要部構成を示すブロック図である。図6に示す通り、本実施形態の半導体試験装置2は、パターン発生部10と測定部29とを相互に接続する新たなバスB3(第3バス)が追加されて、パターン発生部10にトリガ検出回路40が追加され、測定部20に測定結果判定回路41(判定回路)及びトリガ発生回路42(第3トリガ発生回路)が追加された構成であり、IDDQ試験結果から半導体デバイスの故障を検出した場合には、試験を速やかに終了させることによりIDDQ試験の全体に要する時間を更に短縮するものである。
10 パターン発生部
14 トリガ発生回路
20 測定部
22 トリガ発生回路
31 シーケンス制御回路
32 シーケンスメモリ
33 電流測定レンジ制御回路
34 電流測定回路
41 測定結果判定回路
42 トリガ発生回路
B1〜B3 バス
P1 試験パターン
Tr1 トリガ信号
Tr2 トリガ信号
Tr3 トリガ信号
Claims (6)
- 半導体デバイスの試験に用いられる試験パターンを発生するパターン発生部と、前記半導体デバイスの電源電流を測定する測定部とを備える半導体試験装置において、
前記パターン発生部は、前記試験パターンの発生を停止した場合にその旨を示す第1トリガ信号を発生する第1トリガ発生回路を備えており、
前記測定部は、前記半導体デバイスの静止電源電流を測定するために行うべき処理を示す処理情報を記憶するメモリと、前記パターン発生部から前記第1トリガ信号を受信した場合に前記メモリに記憶された前記処理情報に応じた処理の実行を制御する制御回路とを備える
ことを特徴とする半導体試験装置。 - 前記測定部は、前記半導体デバイスの静止電源電流の測定を完了した場合にその旨を示す第2トリガ信号を発生する第2トリガ発生回路を備えており、
前記パターン発生部は、前記測定部から前記第2トリガ信号を受信した場合に前記試験パターンの発生を再開する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体試験装置。 - 前記測定部は、前記半導体デバイスの電源電流の測定レンジを制御する電流測定レンジ制御回路と、
前記半導体デバイスの静止電源電流を測定する電流測定回路とを備えており、
前記メモリに記憶される前記処理情報には、前記半導体デバイスの静止電源電流を測定するために行うべき処理として、前記電流測定レンジ制御回路での測定レンジの制御処理、及び前記電流測定回路での測定を所定のタイミングで実行させる測定処理が含まれる
ことを特徴とする請求項2記載の半導体試験装置。 - 前記測定処理は、前記電流測定回路での測定を所定の時間間隔で複数回に亘って行わせる処理であることを特徴とする請求項3記載の半導体試験装置。
- 前記測定部は、測定された静止電源電流の判定を行う判定回路と、当該判定回路で異常判定された場合にその旨を示す第3トリガ信号を発生する第3トリガ発生回路とを備えており、
前記パターン発生部は、前記測定部からの前記第3トリガ信号を受信した場合に、発生すべき試験パターンの初期化を行う
ことを特徴とする請求項2から請求項4の何れか一項に記載の半導体試験装置。 - 前記パターン発生部と前記測定部とを接続し、前記パターン発生部から前記測定部に前記第1トリガ信号を伝達する第1バスと、
前記測定部と前記パターン発生部とを接続し、前記測定部から前記パターン発生部に前記第2トリガ信号を伝達する第2バスと、
前記測定部と前記パターン発生部とを接続し、前記測定部から前記パターン発生部に前記第3トリガ信号を伝達する第3バスと
を備えることを特徴とする請求項5記載の半導体試験装置。
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---|---|---|---|---|
JP2016066862A (ja) * | 2014-09-24 | 2016-04-28 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01141381A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-02 | Advantest Corp | Ic試験装置 |
JPH10239408A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Yokogawa Electric Corp | Lsi試験装置 |
JPH11260872A (ja) * | 1998-03-14 | 1999-09-24 | Tokyo Electron Ltd | スクリーニングプローバ |
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2008
- 2008-08-13 JP JP2008208600A patent/JP5092984B2/ja not_active Expired - Fee Related
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